光电子技术基础 第二版 (朱京平 著) 科学出版社 课后答案

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《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap2.

《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap2.

其中
0
z0
z 0
z 2
1
z0
R (z)
z 1
z0 z
2
z0为瑞利(Rayleigh)距离,轴上 光强减少一半的位置。
第二十九页,编辑于星期四:十四点 十九分。
高斯光束的特性
1. 光强与功率
高斯光束的光强
I(,z)A02(0 z)2exp22(z2)
在任何点z,光强都是径向距 离 的高斯函数。中间强,向外 弱。光束的光强在轴上最大, 随增大按指数减小至=(z) 振幅下降为1/e2。(z)称为z处
位移电流和传导电流 一样都能产生环行磁场;
电位移矢量起止于存在自 由电荷的地方;
磁场没有起止点。
旋度是“矢量积” 一个矢量场在
某点的旋度描述了 场在该点周围的旋 转情况。
第十四页,编辑于星期四:十四点 十九分。
麦克斯韦方程组最重要的特点是它揭示了电磁场的内 部作用和运动规律。不仅电荷和电流可以激发电磁场 ,而且变化的电场和磁场也可以互相激发。说明电磁 场可以独立于电荷之外而存在。
3、由麦氏方程导出:
v
1
r r 00
电磁波在介质中的传播速度
真空中
r r 1
c
1
00
c v
rr
c 为电磁波在真空中的传播速度
第十一页,编辑于星期四:十四点 十九分。
E o H
讨论:
1、电矢量 E 磁矢量 H
E H k
光的传播方向k
k
即相互垂直
2、对人眼和感光仪器起作用的是 E ,光波中的振动 矢量通常指 E 。
第十六页,编辑于星期四:十四点 十九分。
通常(线性)情况下: P E o

《光电子技术基础》(第二版)Chap

《光电子技术基础》(第二版)Chap
光电效应定义
当光照射在物质上时,物质吸收光能并释放电 子的现象。
光电效应分类
包括外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。
光电效应原理
光子能量大于物质禁带宽度时,光子被吸收并使电子从价带跃迁至导带,形成 光电子。
光电器件的工作原理
光电子发射
当光照射在物质上时,电子从物质表面逸出的现 象。
光生电流
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ光电器件受到光照时,产生光生电流的原理。
激光的波长与颜色
激光的波长取决于所使用的物质, 不同的物质产生不同波长的激光, 因此激光可以有多种颜色。
激光器的种类与结构
固体激光器
固体激光器使用固体材料作为增益介质,常见的有晶体和玻璃激光器。 其结构包括增益介质、泵浦源和光学谐振腔等部分。
气体激光器
气体激光器使用气体作为增益介质,常见的有氦氖激光器和二氧化碳 激光器。其结构包括放电管、反射镜和光学谐振腔等部分。
光通信系统的组成与原理
1 2
光源
用于产生光信号,常用的光源有激光器和发光二 极管。
光调制器
将电信号转换为光信号,常用的调制方式有直接 调制和间接调制。
3
光纤
传输光信号的介质,具有低损耗、高带宽等优点。
光通信系统的组成与原理
光检测器
将接收到的光信号转换为电信号,常用的检测器有光电二极管和 雪崩光电二极管。
射。
光的干涉与衍射
光的干涉
01
两束或多束相干光波在空间相遇时,会因相位差叠加产生干涉
现象。
光的衍射
02
光波在传播过程中遇到障碍物时,会绕过障碍物边缘产生衍射
现象。
干涉与衍射的应用
03
干涉和衍射现象在光学仪器、通信等领域有广泛应用,如干涉

光电子技术(第二版)答案详解

光电子技术(第二版)答案详解

光电⼦技术(第⼆版)答案详解光电⼦技术(第⼆版)答案详解第⼀章1. 设在半径为 R c 的圆盘中⼼法线上,距盘圆中⼼为 l 0处有⼀个辐射强度为 I e 的点源 S ,如图所⽰。

试计算该点源发射到盘圆的辐射2.如图所⽰,设⼩⾯源的⾯积为 A s ,辐射亮度为 L e ,⾯源法线与 l 0的夹⾓为 s ;被照⾯的⾯积为 A c ,到⾯源 A s 的距离为 l 0。

若 c 为辐射在被照⾯ A c 的⼊射⾓,试计算⼩⾯源在 A c 上产⽣的辐射3. 假如有⼀个按朗伯余弦定律发射辐射的⼤扩展源(如红外装置⾯对的天空背景),其各处的辐亮度 L e 均相同,试计算该扩展源在⾯积为 A d 的探测器表⾯上产⽣的辐照度。

Ied e解:因为 edd dS Rcdd2 r sin 0且21 ll 02 R c 2l0 l 02R 2照度。

dI eA r cos r de d 可得辐射通量: d e LL 解:亮度定义 :强度定义 : I e在给定⽅向上⽴体⾓为:A c cos c dcl 02cdeL e A s cos s cos cdA答:由 L edd dAcos得dL e d dAcos ,且 dA d cosl2功率2 1 cos所以 e I e d2 I e 1第 1.2As则在⼩⾯源在 A c 上辐射照度E e则辐照度:E e L e 0l22rdr2 2 0d L e e e0 2 2 2 0elr4.霓虹灯发的光是热辐射吗?不是热辐射。

霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的真空充⼊氖或氩等惰性⽓体,当两极间的电压增加到⼀定数值时,⽓体中的原⼦或离⼦受到被电场加速的电⼦的轰击,使原⼦中的电⼦受到激发。

当它由激发状态回复到正常状态会发光,这⼀过程称为电致发光过程。

6. 从⿊体辐射曲线图可以看出,不同温度下的⿊体辐射曲线的极⼤值处的波长m随温度T 的升⾼⽽减⼩。

试由普朗克热辐射公式导出T 常数m。

答:这⼀关系式称为维恩位移定律,其中常数为2.898 10-3m?K。

《光电子技术基础》第二版朱京平Chap3-113页精选文档

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mdd22 xt m02xmd dxteE
不失普遍性,考虑入射光场为简谐电场情况,则瞬时电场E(t)与位置偏移x(t)为:
E(t)E()eit
x(t)x()eit
3.2.1 光与物质相互作用的经典理论分析
E(ω)、x(ω)表示对应于频率ω的振幅值,将x(t)、E(t)代入运动方程,并求解得:
着重光的单色性 和高速脉冲性
LED)
3.1 相干光源、非相干光源与激光
——非相干光源
来源:原子或分子体系的自发辐射
特点: 各原子自发辐射的光波方向、频率及
相位等都是不确定的、分散的 (与人为形成且相位一致的电波相比)
方向:四面八方无规则辐射 频谱:如同火花放电,是白噪声; 连续性:无数衰减脉冲光的集合(图(a)) 强度:光波亮度很低 ——杂乱无章的噪声光 ——传输衰减,出射光强恒小于入射光强。
pexRp e( ()eit)
p()em2(02E( 2))i
极化介质或分子的辐射次波与入射光波的相互干涉决定了光在介质中的传播规律。 设单位体积中原子数为N,则介质极化强度
PN pRP e ([)eit]
P ()N m 2e (0 2 E ( 2))i ()0E ()
D 0 n0 E r0 E E r0 E 1 0r E ν E
当时对激光的社会需求不迫切,还没有引起资助部门的注意, 学者受微波振荡器金属封闭腔模型束缚,没有找到技术关键
3.1 相干光源、非相干光源与激光 ——激光
1960年秋,美国 Javan等 1.15m连续振荡He-Ne气体激光器。 1962年,美国 Nathan、Hall和Quist 77K GaAs半导体激光器。 1966年,Sorokin 等 激光泵浦若丹明6G可调谐液体有机染料激光器。 1966年,美国 Dimmock、Bulter、Melngailis等 低温工作窄带半导

光电子技术基础(第二版)朱京平

光电子技术基础(第二版)朱京平

2 IL 10lg1 N . A.
单模光纤传输半径w的高斯分布时倾角引起的损耗表示为:
IL 10lg 1 (n2 w / )2


图8-2(b) 实际光纤倾斜损耗统计平均值,倾角以弧度表示, 包层折射率n2=1.455,芯折射率n1=1.46,=1.31 m 。 损耗0.1dB对应多模渐变型光纤倾角0.7°,单模光纤0.3° 。 ——实际生产中倾角可控制在0.1°内——常可忽略不计

对中:可以采用套管、双锥、V型槽、透镜耦合等结构 插针:可以是微孔、三棒、多层等结构, 端面:有平面、球面、斜面等结构。
8.1.4光纤活动连接器 (2) 类型—— 根据功能分
连接器插头(Plug Connector):实现光纤在转换器 或变换器间插拔 跳线(Jumper):将一根光纤的两头都装上插头就形 成跳线 转换器(Adaptor):将光纤插头连在一起 变换器(Converter):转变光纤插头类型 裸光纤转接器(Bare Fiber Adaptor)。
ILNA 10lg( N.A.2 / N.A.1 )2
图8-4 单模光纤数值孔径失配损耗曲线
8.1.2 影响插入损耗的各种因素(7)其他损耗 • 除了上述6种因素外,还有
• 光纤端面的不光滑 • 光纤端面不平整 • 光纤端面与轴线不垂直 等都会产生耦合损耗。
• 这种种因素不仅影响光纤插入损耗,而且影响连接器 的重复性和互换性,因而在连接器设计和制作时必须 针对以上各种因素进行优化设计并提高加工精度,以 期连接损耗最小,并且同时提高器件的重复性和互换 性指标
背景光耦合、串扰、带宽等等; 对于活动光纤连接器还有重复性和互换性
8.1.1 光纤连接器主要指标—(1)插损

《光电子技术基础》第二版朱京平Chap9

《光电子技术基础》第二版朱京平Chap9


9.2只读存储光盘(ROM)
9.2.2 ROM光盘主盘与副盘制备工序
1.衬盘甩胶 衬盘精密研磨、抛光后超声清洗,使规格统一、表面清洁 滴光刻胶后高速离心机甩胶,形成均匀光刻胶膜; 放入烘箱中前烘,得到与衬底附着良好且致密的光刻胶膜 2.调制曝光 将膜片置入高精度激光刻录机中进行信息写入。 若衬盘以恒定角速度旋转,刻录机光学头径向匀速平移, 则可膜片上刻录出螺旋形信息道。 3.显影刻蚀 将刻有信息的盘片放入显影液中进行监控显影

9.3.2 写/读光盘对存储介质的基本要求
6.稳定的抗显微腐蚀能力 存储介质应做到大面积成膜均匀、致密性好、显微缺陷密度小、抗缺陷性能强,从而 得到低于10-4数量级的原始误码率及至少10年的存储寿命。 7.与预格式化衬盘相容 一次写入光盘可用来存储和检索文档资料,因此光盘上应有地址码,包括信道号、 扇区号及同步信号等。这些码都以标准格式预先刻录并复制在光盘的衬盘上。存储 介质应与预格式化衬盘实现力、热及光学的匹配,以保证轨道跟踪的顺利进行并能 实现在任一轨道的任一扇区进行信息的读和写。 8.高生产率、低成本
但入射到膜面的激光能量E0 •一部分在膜面反射(ER),
•大部分被薄膜吸收(EA),
•一部分在薄膜中因径向热扩散而损失(E) •剩余部分透射到衬盘中(ET),即:
E0 E R E A ET E
图9-7 记录光的分配

9.3.3 WORM光盘的存储原理
若要存储介质的灵敏度高,EA应尽量大,以更快更好地吸收能量,使光斑中心的 温度尽快超过介质的熔点,为此ER、ET及E都应尽可能小。 ER要最小,必须使从记录层上下界面反射回来的光相消干涉。由于上界面有半波损 失而下界面没有,由此得记录层厚度最小值为/2n1(n1:介质层折射率,:入射光 波长);但此时上下界面能量差很大,很难实现明显消反,为此在记录层和衬底层 之间加入一层金属铝反射层,在新的相消条件下得记录厚度下限为/4n1。 加铝条使ER得到明显减小,但由于铝是热的良导体,会使ET加大,为此,还应在 记录层和反射层间加入一层热障层(一般选透明介质SiO2),其折射率为n2,厚度 为d2。它可以充分阻挡介质层吸收的能量向衬盘传导。此时消反条件相应的最小 厚度为

光电子技术(第二版)答案详解

光电子技术(第二版)答案详解

光电子技术(第二版)答案详解第一章1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。

试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。

解:因为, 且 ()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=-===Ω⎰22000212cos 12sin c R R l l d d rdSd c πθπϕθθ 所以⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π2. 如图所示,设小面源的面积为∆A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为∆A c ,到面源∆A s 的距离为l 0。

若θc 为辐射在被照面∆A c 的入射角,试计算小面源在∆A c 上产生的辐射照度。

解:亮度定义:强度定义:ΩΦ=d d I ee可得辐射通量:Ω∆=Φd A L d s s e e θcos在给定方向上立体角为:20cos l A d c c θ∆=Ω则在小面源在∆A c 上辐射照度为:20cos cos l A L dA d E cs s e e e θθ∆=Φ=3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。

答:由θcos dA d d L e ΩΦ=得θcos dA d L d e Ω=Φ,且()22cos r l A d d +=Ωθ则辐照度:()e e e L d rlrdrl L E πθπ=+=⎰⎰∞2002222ΩΦd d ee I =r r ee A dI L θ∆cos =l 0SR c第1.1题图L e ∆A s ∆A cl 0 θsθc第1.2题图4. 霓虹灯发的光是热辐射吗?不是热辐射。

霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的真空充入氖或氩等惰性气体,当两极间的电压增加到一定数值时,气体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击,使原子中的电子受到激发。

《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap7

《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap7

r g b 1
图7-1 CIE-RGB色度图
其可见光光谱轨迹为一舌形曲线,其中(R) 的坐标为(1,0),(G)的坐标为(0,1),(B) 的坐标为(0,0),三角形RGB内各点所代表 的彩色可以用规定的三基色相加配出,三 角形的重心坐标为等能白光色坐标,而三 角形之外的彩色不能直接相加配出,而需 经过将一个或两个基色移到待配彩色一侧 才能配出。该计色系统存在缺陷:A)光谱 分布色系数和色坐标出现负值,不易理解 且计算不便;B)光谱轨迹不全在坐标第一 象限内,作图不便;C)色度图上没有直接 表示出亮度,需要经过计算才能求出。
第七章 光电显示
7.1光电显示技术基础 7.2阴极射线显示 7.3液晶显示 7.4等离子体显示 7.5场致发光显示
7.1光电显示技术基础
7.1.1显示技术与显示器件 • 1897年德国的布劳恩(Braun)发明了阴 极射线管(CRT)雏形 • 1968年美国的Heilmeier发现液晶双折射 的电光效应可以用于制作显示装置,即现 在的液晶显示器(LCD) • 20世纪90年代,液晶显示器首先在笔记本 电脑领域取得了绝对优势。
x y z 1
• 该计色系统中 三基色单位(X)、 (Y)、(Z)的选择 保证了色度坐 标系中三色系 数均为正,并 规定Y(Y)既含 色度又包含亮 度,而另两基 色为纯色分量 不含亮度,还 保证了X=Y=Z 时仍代表等能 白光。
CIE-XYZ色度图
x,y,z与r,g,b之间的转换公式: 0.49000 r 0.31000 g 0.20000 b x 0.66697 r 1.13240 g 1.20063 b
2 对比度和灰度 • 对比度指画面上最大亮度与最小亮度之比。 一般显示器对比度应达30:1。 • 灰度指图像画面上亮度的等级差别。灰度 越多,图像层次越分明,图像越柔和。电 视图像画面应有8级左右灰度,人眼可分辨 的最大灰度级别为100级左右。

光电子技术基础_第二版_(朱京平_著)_科学出版社_课后答案

光电子技术基础_第二版_(朱京平_著)_科学出版社_课后答案

放大,为此,我们引入激活介质的增益系数 G (υ )
G (υ ) =
dI (υ ) I (υ ) dx
式中, dI (υ ) 是传播距离 dx 时的光强的增量。这说明:介质的增益系数在数值上等于光束强 度在传播单位长度的距离时,光强增加的百分数。由于 dI (υ ) > 0 ,因而 G (υ ) > 0 ,所以 G (υ ) 可以表示光在激活介质当中的放大特性。 3.计算与推导 ⑴λ=0.5μm 时,什么温度下自发辐射率与受激辐射率相等?T=300K 时,什么波长下
= −µ0
∇(∇ E ) − ∇ 2 E = − µ 0

∂ 2 (ε 0 E + P) ∂J ∂E = − µ0 − µ 0σ − µ0 s 2 ∂t ∂t ∂t


∂J ∂2 D ∂E − µ 0σ − µ0 s 2 ∂t ∂t ∂t


在电介质中,一般有 M = 0 ,从而 µ = µ 0 , B = µ 0 H ,于是上式可化为



成熟特别是量子阱激光器的问世以及 CCD 的问世。

20 世纪 70 年代,光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现,半导体激光器的

20 世纪 60 年代,光电子技术领域最典型的成就是各种激光器的相继问世。
ww
w.
征,是一门新兴的综合性交叉学科。
kh da w. co m
1
第二章 光学基础知识与光场传播规律
⒈填空题 ⑴光的基本属性是光具有波粒二象性,光粒子性的典型现象有光的吸收、发射以及光电效 应等。光波动性的典型体现有光的干涉、衍射、偏振等。 ⑵两束光相干的条件是频率相同、振幅方向相同、相位差恒定,最典型的干涉装置有杨氏 双缝干涉、迈克耳孙干涉仪。两束光相长干涉的条件是 δ = mλ (m = 0, ±1, ±2,LL) δ 为光程差。 ⑶ 两 列 同 频 平 面 简 谐 波 振 幅 分 别 为 E01 、 E02 , 位 相 差 为 φ , 则 其 干 涉 光 强 为

《光电子技术基础》(第二版)Chap1资料

《光电子技术基础》(第二版)Chap1资料
光电子技术
Photoelectronics Technique
2018/12/2
1
参考教材
选用教材: 《光电子技术基础》朱京平编著,2009,科学出版社 主要参考书目: 《现代通信光电子学(第五版)》亚里夫著,陈鹤鸣译, 2004.9,电子工业出版社; 《光电子技术》安毓英等主编,电子工业出版 《光电子技术》梅遂生主编,2008.7,国防工业出版社; 《光电技术》王庆有主编,2009.3,电子工业出版社; 《激光原理技术及应用》阎吉祥等编,2006.8,北京理工 大学出版社。
X-ray
红外偏振成像的信噪比提高了30倍
2018/12/2 26
2018/12/2
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集电磁波场与物质中的电子相互作用以及能量 相互转换的学科,也可以理解为“利用光的电 子学”的新的综合性交叉学科便从现代信息科 学领域中脱颖而出,这就是光电子学 。
2018/12/2
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光电子技术是研究从红外、可见光、紫外光、X 射线直至射线波段范围内的光波电子技术,是 研究运用光子和电子的特性,通过一定媒介实 现信息与能量转换、传递、处理及应用的学科。
2018/12/2
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它是以光电子学为理论基础,以光电子元器 件为主体,综合利用光、电、机、计算机和 材料技术,以实现具有一定功能而且实用的 仪器、设备和系统的技术。
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同传统电子技术相比,光电子技术最根本的特点是 它的波长短,也即频率高。 / L 优点:角分辨力高 距离分辨力高 R c / 2B 频带宽、通信容量大 光谱分辨力高 非线性光学效应强(当光波的电场强度可以同 物质中束缚电子的库仑场相比较时,可观察到物质 与强相干光相互作用的一系列新的光学现象,统称 为非线性光学现象)

【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案

【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案

【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案光电子技术,大家知道是什么技术?有哪些基础知识大家是知道的?一、选择题1.光通量的单位是( B ).A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯2. 辐射通量φe的单位是( B )A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是( A ).A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯4.光照度的单位是( D ).A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯5.激光器的构成一般由( A )组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。

适当偏置是(D)A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置7.20xx年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A )A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好8.下列哪个不属于激光调制器的是( D )A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关A.内加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量10.激光调制按其调制的性质有( C )A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光伏调制11.不属于光电探测器的是( D )A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件D 摄像器件的信息是靠( B )存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子13.LCD显示器,可以分为( ABCD )A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

A.禁带B.分子C.粒子D.能带15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B )A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱16.红外辐射的波长为( D ).A 100-280nmB 380-440 nmC 640-770 nmD 770-1000 nm17.可见光的波长范围为( C ).A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm18.一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30lx,该灯的光通量为( A ).A .848lxB .212lxC .424lxD .106lx19.下列不属于气体放电光源的是( D ).A .汞灯B .氙灯C .铊灯D .卤钨灯20.LCD是(A)A.液晶显示器B.光电二极管C.电荷耦合器件D.硅基液晶显示器21.25mm的视像管,靶面的有效高度约为10mm,若可分辨的最多电视行数为400,则相当于( A )线对/mm.A.16B.25C.20D.1822. 光电转换定律中的光电流与 ( B ) .A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )A 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度短B 超声波频率高,光波平行声波面入射,声光作用长度短C 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度长D 超声波频率低,光束与声波面间以一定角度入射,声光作用长度短24.光束调制中,下面不属于外调制的是 ( C )A 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及 ( B )A 多色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱26.能发生光电导效应的半导体是 ( C )A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和杂质型 D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分 ( A )A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )A 计算B 显示C 检测D 输出29.光电探测器的性能参数不包括(D)A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是(B)A.光谱响应范围广B.阈值电流低C.工作电流大D.灵敏度高31.关于LD与LED下列叙述正确的是(C)A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射D .LED可发出相干光32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述,在强辐射作用下(A )A. ?=0.5B.? =1C. ?=1.5D. ?=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是(A )A.555nm B.666nm C.777nm D.888nm36. 对于P型半导体来说,以下说法正确的是(D)A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压(C)A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管38. 对于光敏电阻,下列说法不正确的是:(D)A 弱光照下,光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形,有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动39. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力40. 对于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)来说,下列说法正确的是(D)A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽41. 对于N型半导体来说,以下说法正确的是(A)A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: (D)A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池43. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。

光电子技术基础》第二版朱京平Cha

光电子技术基础》第二版朱京平Cha


美国 肖洛(A.L.Schawlow)/汤斯(C.H.Townes)(“红外和光学振荡
器”)

前苏联 N.G.Basow/M.Prohorov(实现三能级粒子数反转和半导体激光器
的建议)
• 1960年,美国 梅曼(T.H.Maiman) 红宝石激光器问世(波长694.3nm)
• 从理论到实现历时44年,原因有二:
x() e
E()
m (02 2 ) i
•简谐振子模型下,电子受迫振动的频率与驱动光波频率相同,
•受迫振动与驱动光场之间存在相位差(式中含有i 项)
由上述过程可知:
(可1)以当看出,若0 不考虑时,,则电x子(ω先)吸为收有少限量恒光值能,,电引子起将受吸迫收振的动能,量并全辐部射辐次射波出。去由,x中(ω间)表
m
d2x dt 2
kx
m02
x
K:弹性系数,x:电子偏移平衡位置距离,m:电子质量,0 k m
:电子固
有频率。
电子在原子内部的运动形成固有频率为0的等幅简谐振子,向外辐射电磁波, 辐射场又对电子产生反作用,产生与电子速度成正比的阻尼力;
光波电磁场入射,对阻尼振子施加一个电磁力作用,电子运动方程变为:
• 为信息处理提供了稳定的载息媒介。
3.1 相干光源、非相干光源与激光 ——激光
• 1916年,美国 爱因斯坦,提出概念,指明获得途径 (《关于辐射的量子理论》)
• 1954年,美国 汤斯(C.H.Townes),研制成功MASER(致冷氨分子),
• 1958年,美国和前苏联科学家几乎同时提出了实现激光振荡的具体设想:
χ (ν)
Ne2 4π 2mε0ν0 Δν
1
4

《光电子技术基础》(第二版)朱京平第4章光波导技术基础

《光电子技术基础》(第二版)朱京平第4章光波导技术基础
反射波振幅:菲涅尔(Fresnel)公式:
rnn11ccooss11 nn22ccooss22
r//
n2cos1n1cos2 n2cos1n1cos2
r:振幅反射系数,角标“⊥”和“∥”分别表示电矢量垂直和平行于入射面。
4.1.1 光在介质界面的传播特性
n1 n2 且 1 c 时,产生全反射,其中:
光密媒质:反射波在界面发生相位突变,光强反射率 RR//rr*1,
光密媒质中的场由入射波和反射波叠加而成。入射波电矢量垂直入射面时:
入射电场:E y ( r , t ) E y e i ( t x k 1 r ) E p y e i ( t x k 1 x c 1 p k 1 o z s 1 ) i s
合成波电场 E 1 y r , t E y r , t E y r , t 2 A c h o e x i t s z
同理可得合成磁场:
H 1 xr,t2A si1 n co h sx eit z 1
H 1 zr,t i2A co 1ssih n x ei t z 1
光波导技术基础
学习重点: 平面波导:结构最为简单、直观与精练,便于建立清晰概念 光 纤:应用最广光波导,并且是典型的柱面结构。
电磁场分布特性: 芯区:集中 衬底与覆盖层:紧贴着芯区,沿芯区底外法线方向场指数衰减。
条件: 光波导:无源、无荷、线性、均匀、各向同性、不导电、无损介质界面 入射光:均匀平面波
又由于
Ey Ey
~r expi2
于是有
4.1.2 光密媒质中的波场——导波
E y r , t E y e i e x i t h x p z x p A e i t h x z x p E y r , t E y e i e x i t h x p z x p A e i t h x z x p

《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap2

《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap2

真空中的光速: c 1 e 0 m0
介质中的光速:v
c c
ermr n
式中:e0:电磁场在真空中的介电常数; m0:电磁场在真空中 的磁导率;er:介质中的相对介电常数;mr:介质中的相 对磁导率,对于非铁磁介质,mr≈1;n:介质相对于真空
的折射率。
几何光学
在均匀介质中,光沿直线传播。例如:真空中。
由此可见,电场和磁场互相激发形成 统一的场----电磁场。变化的电磁场 可以 以一定的速度向周围传播出去。这种交变 电磁场在空间以一定的速度由近及远的传 播即形成电磁波。
介质的电磁性质方程
为了求解麦克斯韦方程组,还需要知道介质的电磁性质方程:
D e0E P eE B m0H m0M mH
电磁场边值关系
在两介质的分界面上,一般会出现面电荷电流分布,使得物理量发 生跃变,微分形式的麦克斯韦方程组不再适用。因此,在介质分界面上, 需要用积分形式的麦克斯韦方程组描述界面两侧的场强以及界面上电荷 电流关系。当电磁场从一种介质传播到另一种介质时,满足下面的边界 条件:
电位移矢量法向跃变: 磁感应强度矢量法向连续: 电场强度矢量切向连续: 磁场强度矢量切向跃变:
1、电矢量 E
磁矢量 H
EH k
光的传播方向 r
k 即相互垂直
2、对人眼和感光仪器起作用的是 E ,光波中的振动
矢量通常指E 。
3、可见光的波长范围

: 3900 ~ 7600 A
: 7.51014 ~ 4.110 14 Hz

1 A 1010 m 108 cm
1、在介质的界面上发生反射、折射现象 光 2、在传播中出现干涉、衍射、偏振现象 比较
3、实验测得光在真空中的传播速度为 c

光电子技术基础课后答案

光电子技术基础课后答案

光电⼦技术基础课后答案《光电⼦技术》参考答案第三章1.⼀纵向运⽤的 KD*P 电光调制器,长为 2cm ,折射率 n =2.5,⼯作频率为 1000kHz 。

试求此时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。

解:渡越时间为:L nL2.5 2 10c 2 m 1.671010sdc / n 310 m /s8在本题中光在晶体中的渡越引起的相位延迟量为:210 6Hz 1.6710101.051031m d对相位的影响在千分之⼀级别。

3.为了降低电光调制器的半波电压,采⽤ 4块 z 切割的 KD* P 晶体连接(光路串联,电路并联)成纵向串联式结构。

试问:(1)为了使 4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体 x 和 y 轴取向应如何?(2)若0.628m ,n 01.51,6323.6 10m /V ,计算其半波电压,并与单块晶体调制器⽐较之.。

12 答:⑴⽤与 x 轴或 y 轴成 45夹⾓(为 45°-z 切割)晶体,横向电光调制,沿 z 轴⽅向加电场,通光⽅向垂直于 z 轴,形成(光路串联,电路并联)的纵向串联式结构。

为消除双折射效应,采⽤“组合调制器”的结构予以补偿,将两块尺⼨、性能完全相同的晶体的光轴互成 90串联排列,即⼀块晶体的 y'和 z 轴分别与另⼀块晶体的 z 和 y'平⾏,形成⼀组调制器。

4块 z 切割的 KD P 晶体连接成*⼆组纵向串联式调制器。

(P96) (2)于是,通过四块晶体之后的总相位差为2 L Ld2n 3 or 63V 4 n 3 o r V 63 d相应的半波电压是1 d 1 r 63 L 4 1.51 0.628 10 6 m d 1V dLV0.77310 4 4 n o 33 23.6 10 12m /V L 4 0.19310 4 V dL 该半波电压是单块横向晶体调制器半波电压的四分之⼀倍,是单块纵向晶体调制器半波电压的 1/(2 L/d)倍。

第二版《光电子技术》课后习题答案

第二版《光电子技术》课后习题答案

1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少? 波长:380~780nm 400~760nm 频率:385T~790THz 400T~750THz 能量:1.6~3.2eV1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量? 为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。

辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。

根本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算,称为光度参数。

因为光度参数只适用于0.38~0.78um 的可见光谱区域,是对光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。

而量子流是在整个电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处,将λ~λ+d λ范围内发射的辐射通量 d Φe ,除以该波长λ的光子能量h ν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流速率。

1.3一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m 的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30lx ,求出该灯的光通量。

Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx1.4一支氦-氖激光器(波长为632.8nm )发出激光的功率为2mW 。

该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm 。

求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。

若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上,该漫反射屏的发射比为0.85,求该屏上的光亮度。

32251122()()()6830.2652100.362()()22(1cos )()0.3621.15102(1cos )2(1cos 0.001)1.4610/cos cos cos 0()0.3v m e v v v v v v v vv v v K V lm d I d S RhR R I cddI I I L cd m dS S r d M dS λλλλλππθλπθπθθπλ-Φ=Φ=⨯⨯⨯=Φ∆Φ==Ω∆Ω∆∆Ω===-∆Φ===⨯--∆∆====⨯∆Φ==522624.610/0.0005lm m π=⨯⨯'2'''222''2'2'100.0005(6)0.850.850.85cos 0.85155/cos 2v vvv v v v v l m r mP d r M E L dS lr L d dM l L cd m d dS d πθπθπ=>>=Φ===⋅⋅Φ====ΩΩ1.6从黑体辐射曲线图可以看书,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长随温度T 的升高而减小。

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E01 + E02 + 2 E01E02 cos φ ,两列波干涉相长的条件为 φ = 2π m(m = 0, ±1, ±2,LL)
2
2
⒉在玻璃 (ε r = 2.25, µ r = 1) 上涂一种透明的介质膜以消除红外线 (λ = 0.75µ m) 的反射。 ⑴求该介质膜应有的介电常量及厚度。
Hale Waihona Puke ⑵如紫外线 (λ = 0.42 µ m) 垂直照射至涂有该介质膜的玻璃上,反射功率占入射功率百分
光电子技术主要研究物质中的电子相互作用及能量相互转换的相关技术, 以光源激光化, 传输波导(光纤)化,手段电子化,现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为特
3.谈谈光电子技术各个发展时期的情况。
20 世纪 80 年代,出现了大功率量子阱阵列激光器;半导体光学双稳态功能器件的得到 了迅速发展;也出现了保偏光纤、光纤传感器,光纤放大器和光纤激光器。 20 世纪 90 年代,掺铒光纤放大器(EDFA)问世,光电子技术在通信领域取得了极大成功, 形成了光纤通信产业; 。另外,光电子技术在光存储方面也取得了很大进展,光盘已成为计算 机存储数据的重要手段。 21 世纪,我们正步入信息化社会,信息与信息交换量的爆炸性增长对信息的采集、传输 、 处理、存储与显示都提出了严峻的挑战,国家经济与社会的发展,国防实力的增强等都更加 依赖于信息的广度、深度和速度。 ⒋ 举出几个你所知道的光电子技术应用实例。 如:光纤通信,光盘存储,光电显示器、光纤传感器、光计算机等等。 ⒌ 据你了解,继阴极射线管显示(CRT)之后,哪几类光电显示器件代表的技术有可能发 展成为未来显示技术的主体? 等离子体显示(PDP) ,液晶显示( LCD) ,场致发射显示( EL) 。
⑵衰减系数 r = −k × (−0.6) =
的,这两种材料的折射率系数分别为 1.5 和 2.5。问至少涂覆多少个双层才能使镜面反射系 数大于 99.5%?
2
) 的强度 I = A2 , 波前函数同样是该波的表达式, 波
⒌一束波长为 0.5 µ m 的光波以 450 角从空气入射到电极化率为 2+j 0.6 的介质表面上,求
⑴ n2 = 1 + 2 = 3
n= 3

6 6
ww
θ 2 = arcsin
6 6 2π n × 0.6 = 1.3 ×107 λ

h=

n = n0 nG = 1.0 ×1.5 = 1.225 ,正入射下相应的薄膜厚度最薄为
ww

n = ε r = 1.5
正 入 射 时 , 当 n = n0 nG 时 , 膜 系 起 到 全 增 透 作 用
w.
之多少?
kh da w. co m
⑷波长 λ 的光经过孔径 D 的小孔在焦距 f 处的衍射爱里斑半径为 1.22
λ f。 D
2
) 与球面波
U (r ) = ( A r ) exp(− jkr ) 为例。
2
平面波 U (r ) = A exp( − jk ( x + y )
2
) 的强度 I = A2 ,因波前可以是任意的曲面,故它的波前
即为波前函数 U (r ) ,波前法线垂直于波前。 它的共轭波 U * (r ) = A exp( jk ( x + y ) 前法线垂直于波前。 球面波 U (r ) = ( A r ) exp(− jkr ) 的强度为 I = ( A r ) 2 ,波前函数即该波表达式,波前法线垂 直于波前。 它的共轭波 U * (r ) = ( A r ) exp( jkr ) 的强度为 I = ( A r ) 2 ,波前函数即该波表达式,波前法 线垂直于波前。
2π nh n0 nG 2π nh +( − n) 2 sin 2 λ0 n λ0 ρ正 = 2π nh n0 nG 2π nh (n0 + nG ) 2 cos 2 +( + n )2 sin 2 λ0 n λ0 (n0 − nG ) 2 cos 2 2π nh λ0 = = 3.57% 2π nh n0 nG 2π nh (n0 + nG ) 2 cos 2 +( + n)2 sin 2 λ0 n λ0 (n0 − nG ) 2 cos 2
第一章


1. 光电子器件按功能分为哪几类?每类大致包括哪些器件? 光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储 器件。 光源器件分为相干光源和非相干光源。相干光源主要包括激光和非线性光学器件等。非 相干光源包括照明光源、显示光源和信息处理用光源等。 光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等等)、光波导和光纤等。 光控制器件包括调制器、偏转器、光开关、光双稳器件、光路由器等。 光探测器件分为光电导型探测器、光伏型探测器、热伏型探测器、各种传感器等。 光存储器件分为光盘(包括 CD、VCD、DVD、LD 等)、光驱、光盘塔等。 2.谈谈你对光电子技术的理解。



成熟特别是量子阱激光器的问世以及 CCD 的问世。

20 世纪 70 年代,光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现,半导体激光器的

20 世纪 60 年代,光电子技术领域最典型的成就是各种激光器的相继问世。
ww
w.
征,是一门新兴的综合性交叉学科。
kh da w. co m
1
第二章 光学基础知识与光场传播规律
⒈填空题 ⑴光的基本属性是光具有波粒二象性,光粒子性的典型现象有光的吸收、发射以及光电效 应等。光波动性的典型体现有光的干涉、衍射、偏振等。 ⑵两束光相干的条件是频率相同、振幅方向相同、相位差恒定,最典型的干涉装置有杨氏 双缝干涉、迈克耳孙干涉仪。两束光相长干涉的条件是 δ = mλ (m = 0, ±1, ±2,LL) δ 为光程差。 ⑶ 两 列 同 频 平 面 简 谐 波 振 幅 分 别 为 E01 、 E02 , 位 相 差 为 φ , 则 其 干 涉 光 强 为
⒊有两个具有共轭复振幅的单色波,具有相同的频率,其复值分别为U (r ) 及 U * (r ) 。比较它 们 的 强 度 、 波 前 和 波 前 法 线 。 以 平 面 波 U (r ) = A exp( − jk ( x + y )



λ0 0.75 = = 0.153µ m 4n 4 ×1.225 ⑵正入射时,反射率为
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