Cascade探针台之芯片的射频测试解决方案

关于微带结构、管壳或大Pitch间距芯片的射频测试解决办法由于探针台越来越多的普及，同时外加在片测试的精确度极高，所以现在很多高校、研究所开始在Cascade系列的机台上测试非芯片的结构，如：微组装中使用的微带结构、承载芯片的管壳、键合后的芯片等，这些都会有一个较为常见的问题，就是射频测试中要是希望达到50G时，“GS”或“GSG”探针的”G”与”S”探针的中心点间距最好小于200um，但是由于各种工艺导致有时候会大于200，甚至有些是在1mm以上，或是有些微带线的“G”与“S”不在同一平面上，下面我将推荐大家一种方法解决这个问题。

CC
由于射频探针都是共面波导的结构，如下图中ACP探针，边缘的“G”和中心导体贴焊上的“S”均在同一平面上，所以测试不在同一平面的微带结构会是一种挑战。

经过反复尝试，我们首先生产一块芯片，芯片如下图，芯片正面画有G、S、G三个PAD，每个PAD宽为70um，中心点间距150um，且S长度较长，这是为了方便后期S端和微带上的S进行键合。

芯片正面芯片背面
由于微带结构中S在上层，G在背面，为了将其转化为共面波导，所以我们的芯片在工艺生产上是：两侧的G是和芯片背面的G进行联通的，但是S只是表面。

然后拿一块导电的基板将芯片靠近微带结构一起烧结起来，这样芯片背面的“G”就和微带结构的“G”联通了，然后通过金色结合将微带结构的“S”端口键合在芯片的“S”上，这样既可实现较为庞大的微带结构利用探针台的测试，如下图：
键合
同理，如果是较为庞大的管壳，“G”与“S”间距在200um以上，那么就直接在芯片正面生产“GSG”结构且无需和背部相连，然后通过键合将每一个G和S与管壳上的G与S进行相连即可完成测试。

如果大家需要更加精确的测试也可在生产芯片的时候再生产一组开路、短路、延迟，这样即可实现去嵌，得到一个纯净的DUT参数，详情可直接与我们联系。

希望本文对大家有帮助，感谢！。