第一课水热合成与单晶材料的制备
单晶的培养方法和手段
![单晶的培养方法和手段](https://img.taocdn.com/s3/m/fd376135a517866fb84ae45c3b3567ec102ddc0b.png)
单晶的培养方法和手段单晶是指由同一种材料构成的晶体,其内部结构完全一致。
单晶具有优异的物理和化学性能,广泛应用于材料科学、电子工程、光学等领域。
为了获得高质量的单晶,科学家们不断探索和改进单晶的培养方法和手段。
一、传统的单晶培养方法1. 液相培养法液相培养法是最早被应用于单晶培养的方法之一。
它的基本思想是将晶体原料溶解在适当的溶液中,然后通过控制温度、浓度和溶液的饱和度等因素,使晶体在溶液中长大。
液相培养法简单易行,适用于许多材料的单晶生长。
2. 气相培养法气相培养法是用气体作为晶体原料,通过物理或化学反应使气体在晶体生长区域沉积并形成单晶。
气相培养法具有单晶生长速度快、晶体质量高的优点,广泛应用于半导体材料、金属材料等领域。
3. 溶液培养法溶液培养法是将晶体原料溶解在适当的溶剂中,然后通过调节温度、浓度和溶液的饱和度等因素,使晶体在溶液中生长。
溶液培养法适用于许多无机材料和生物材料的单晶培养。
4. 熔融培养法熔融培养法是将晶体原料加热至熔融状态,然后冷却使其凝固成单晶。
熔融培养法适用于高熔点材料和不溶于常见溶剂的材料的单晶培养。
二、新兴的单晶培养方法1. 气体相生长法气体相生长法是一种新兴的单晶培养方法,它利用气体在高温和高压下的反应生成单晶。
这种方法可以获得高质量的单晶,并且可以控制晶体的形状和尺寸。
2. 分子束外延法分子束外延法是一种利用分子束的能量和动量控制晶体生长的方法。
通过控制分子束的能量和角度,可以在基底上生长出单晶薄膜。
3. 气相输运法气相输运法是一种利用气相中的原子或分子在高温和高压下迁移并在基底上生长单晶的方法。
这种方法适用于高熔点材料和不溶于常见溶剂的单晶培养。
4. 水热合成法水热合成法是一种利用高温高压水溶液中的化学反应生成单晶的方法。
这种方法适用于许多无机材料和生物材料的单晶培养。
三、单晶培养的关键技术1. 晶体原料的纯度控制晶体原料的纯度对单晶的质量和生长速度有很大影响。
单晶制备方法范文
![单晶制备方法范文](https://img.taocdn.com/s3/m/9410c801bf1e650e52ea551810a6f524ccbfcb05.png)
单晶制备方法范文单晶制备是一种重要的晶体制备方法,用于制备高纯度、大尺寸和高质量的单晶材料。
本文将介绍几种常见的单晶制备方法。
1.熔融法熔融法是制备单晶材料最常用的方法之一、该方法首先将原料粉末加入坩埚中,通过加热坩埚使其熔化。
然后,将熔融体缓慢冷却,使其中的原子或分子有足够的时间重新排列成为有序的晶体结构。
最后,通过剖析、切割或溶解等方法得到单晶。
2.水热法水热法是通过在高温高压的水环境中进行晶体生长的方法。
该方法通常使用混合溶液,将试样和溶剂一起装入高压釜中。
随着温度升高和压力增加,试样溶解,晶体逐渐从溶液中生长。
通过控制温度、压力和溶液成分,可以实现单晶的生长。
3.气相输运法气相输运法是通过在高温气氛中使试样在晶界和界面扩散的方法。
首先,将原料制成粉末,然后将粉末放入烧结体中,在高温下加热。
粉末在高温气氛中扩散,形成晶体生长的条件。
最终得到单晶。
4.化学气相沉积法化学气相沉积法是通过在合适的气氛中,使气态反应物沉积到衬底表面上形成单晶的方法。
该方法通常使用低温和大气压或低气压条件下进行。
通常先将衬底加热到合适的温度,然后通过输送反应气体,使气体中的原子或分子在衬底表面沉积,并逐渐形成单晶。
5.溶液法溶液法是通过在适当的溶剂中将试样溶解并逐渐冷却结晶得到单晶的方法。
溶解试样后,通过逐渐控制溶液的温度和溶剂挥发的速度,使溶液中的试样逐渐结晶为单晶。
溶液法适用于生长一些不易用其他方法制备的化合物单晶。
总结单晶制备方法相对复杂,需要仔细选择适合的方法和条件。
除了以上几种常见的方法外,还有其他一些专用的单晶制备方法,例如激光熔融法、分子束外延法等。
单晶制备方法的选择要考虑材料的物化性质、成本和实际需求等因素。
单晶的制备对于材料科学研究和器件制造都具有重要的意义。
单晶材料的制备
![单晶材料的制备](https://img.taocdn.com/s3/m/6e906ec8bdeb19e8b8f67c1cfad6195f312be8c4.png)
3.在液氮温度附近冷辊轧,然后在640℃退火10s, 并在水中淬火,得到用于再结晶的铝,此时样品 还有2mm大小晶粒和强烈的织构,再通过一温度梯 度退火,然后加热至640℃,可得到约1m长的晶体。
4.采用交替施加应变和退火的方法,可得到宽 2.5cm的高能单晶铝带,使用的应变缺乏以使新晶 粒成核,退火温度为650℃。
晶体生长的目的之一是制备成分准确,尽可能无杂质、无缺陷(包括 晶体缺陷)的单晶体。
晶体生长是一种技艺,也是一门正在迅速开展的科学。
国际上——结晶学 萌芽于17世纪 丹麦学者 晶面角守恒定律
晶体生长大局部工作是从20世纪初期才开始的 1902年 焰熔法 1905年 水热法 1917年 提拉法 1952年 Pfann 开展了区熔技术
四、烧结生长
烧结这个词通常仅用于非金属中晶粒的长大。 烧结就是加热压实的多晶体。
烧结时晶粒长大的推动力主要是由以下因素引 起的:
(1)剩余应变。 (2)取向效应。 (3)晶粒维度效应。〔即利用晶粒大小的差作为
实例:应变退火法制备铝单晶
背景
用应变退火法仔细制备的单晶缺陷较少。由于 铝的堆垛层错能和孪晶晶界能都高,应变退火 法有助于制备无孪生的晶体。取向差小的铝晶 体一般是用应变退火法制备的。
应变退火法制备铝单晶的工艺
1.先在550℃使纯度为99.6%的铝退火,以消 除应变的影响并提供大小符合要求的晶粒, 再使无应变的晶粒较细的铝变形以产生 1%~2%d 的应变,然后将温度从450℃升至 550 ℃ ,按25/d的速度退火。最后在600℃ 退火1h。〔假设初始的晶粒尺寸在0.1mm时, 效果特别好。〕
1、固—固生长方法
第4章单晶材料制备ppt课件
![第4章单晶材料制备ppt课件](https://img.taocdn.com/s3/m/d9ca135cf08583d049649b6648d7c1c709a10b1a.png)
晶体大小<0.5 mm
数据处理与结构精修
已收到的衍射点: HK L ; I -1 2 4 ; 3678 -2 0 2 ; 2354 1 2 -4 ; 3496
结构解析 Cycle 2 : R1 = 11.28% Cycle 3 : R1 = 8.49% Cycle 4 : R1 = 7.21% Cycle 5 : R1 = 5.73% (final refined structure)
熔体过冷或者溶液过饱和后不能立即成核的主要障碍是生成晶核时 要出现液-固界面,为此需要提供界面能。如果成核依附于已有的界 面上(如容器壁、杂质颗粒、结构缺陷、气泡、成核剂等)形成, 则高能量的液-固界面能就被低能量的晶核与成核基体之间的界面所 取代。显然,这种界面代换比界面的生成所需要的能量要少得多。 因此,成核基体的存在可大大降低成核位垒,使成核能在较小的过 冷度下进行。这种情况下,成核过程将不再均匀地分布在整个系统 内,故常被称为非均匀成核。
单晶的制备方法通常可以分为气相生长、溶液生长、熔体生 长和固相生长等四大类。
相变
成核
4.1 晶体形成的科学
❖ 相变过程和结晶的驱动力 ❖ 成核 ❖ 生长
❖ 相变过程和结晶的驱动力
➢ 气相生长:当蒸气压达到饱和状态时,体系才能由气相转 变为晶相。衡量相变驱动力大小的量是体系蒸气压的过饱 和度
➢ 熔体生长:液-固相变的驱动力是过冷度 ➢ 溶液生长:液-固相变的驱动力是过饱和度
SC-XRD能得到什么?
小分子
三维结构
精确的键长 120° 键角数据
活性位点的形 状和化学结构
蛋白质的三维结构/ 折叠
蛋白质晶体结构
分支学科——化学晶体学
化学晶体学 Chemical Crystallography
第一课水热合成与单晶材料的制备
![第一课水热合成与单晶材料的制备](https://img.taocdn.com/s3/m/620e945aeefdc8d376ee329e.png)
化合物 1 的晶体结构
A
B
30
2D-layer
31
3D stacking structure
32
化合物 1 的 IR 光谱
Tansmittance (%)
90
80
70
60
50
40
H2O
30
H2O Mo = O 或 Mo-O-Mo
P-O
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
脱水反应
氧化反应
水热热压反应
反应烧结
沉淀反应 提取反应
分解反应 烧结反应
23
(6) 水热与溶剂热合成的一般工艺
24
(二)水热法制备单晶材料
25
一. 研究背景
多金属氧酸盐简介
♥ 多金属氧酸盐(多酸)化学发展至今已有一个多世纪的悠久历 史,是无机化学中的一个重要的研究领域。 ♥ 多酸是由前过渡金属离子通过氧连接而形成的金属-氧簇类 化合物。
P4Mo6 + Co + phen
2D supramolecular layer
40
P4Mo6 + Zn + phen
(三) 水热法生长的优缺点
优点:1.可生长低温固相单晶,高粘度材料; 2.可生长高蒸汽压、分解压的材料,如ZnO2,VO2 3.晶体发育好,几何形状完美,质量好。
缺点:1.设备要求高; 2.需要优质籽晶; 3.不需要直接观察,生长速率慢,周期长。
生长基元在固 -液生长界面 上的吸附与运
动
生长基元在 界面上的结 晶或脱附
17
1)生长基元与晶核的形成: 环境相中由于物质的相互作用,动态地形成不
《如何制备单晶》课件
![《如何制备单晶》课件](https://img.taocdn.com/s3/m/3653acc86429647d27284b73f242336c1eb930cb.png)
# 如何制备单晶
什么是单晶
单晶是由具有完整晶格结构的原子或分子组成的固体材料。它们具有高度的结晶性和均匀性,通常表现为确定 的外形和可重复的性质。
制备单晶的方法
液相法
液相法是将溶剂和溶质中的某些成分充分混合,通过控制温度和浓度,使溶液中的晶核成长 为完整的单晶。
气相法
气相法是通过将气体中的物质在特定条件下沉积到衬底上,形成单晶。常用的气相法有化学 气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。
of Functional Materials. Advanced Materials, 30(28), 1704681. 3. Li, Z., & Yu, L. (2019). Recent Advances in Maskless Patterning of
Emerging Two-Dimensional Materials toward Mechanically Flexible Electronies, 4(12), 1900695.
熔块法
熔块法是将物质加热至熔点后迅速冷却,形成单晶。这种方法常用于金属和合金的制备。
熔盐电解法制备单晶的步骤
1
第一步:准备试样
选择适当纯度的原料,进行加工和制备符
第二步:制备熔盐
2
合要求的试样。
选择合适的熔盐,根据所需单晶材料的性
质和要求进行配制。
3
第三步:制备电池
将试样和熔盐放入电解池中,构建电解电
结论
通过不同的制备方法和步骤,可以制备出高质量和纯度的单晶材料。选择适 当的制备方法对于研究和应用具有重要意义。
参考文献
1. Smith, J. (2020). Single Crystal Growth Techniques. Wiley Online Library. 2. Zhang, Y., & Wang, X. (2018). Advances in Single Crystal Growth
单晶材料及其制备
![单晶材料及其制备](https://img.taocdn.com/s3/m/f226f58aa0c7aa00b52acfc789eb172ded6399ce.png)
单晶材料及其制备单晶材料是指具有完整晶体结构的材料,其晶体结构沿特定方向没有任何界面或晶界。
单晶材料的结晶性能和物理性能优于多晶材料,因此在许多领域中有广泛应用,如电子器件、光学器件、航空航天等。
本文将介绍单晶材料的制备方法、一些常见的单晶材料及其应用。
制备单晶材料的最常用方法是晶体生长方法,主要有凝固法、浮区法、溶液法和气相法等。
凝固法是指通过控制材料的冷却速度使其从熔融态逐渐冷却成为固态。
这种方法适用于高熔点的材料,一般利用高温熔融状况下的材料来制备单晶材料。
其中,常用的方法有慢冷法、拉布拉多法、修正巨晶法等。
浮区法是通过在两个石英管之间形成液体浮区,将镁铝尖晶石单晶材料逐渐生长出来。
过程中,石英管内加入反应物,通过加热使其熔化,并在石英管之间产生上下移动的浮区,由于石英管之间温度梯度的存在,浮区中的反应物在降温的过程中逐渐结晶并生长成单晶材料。
溶液法是将所需物质溶解在溶剂中,通过控制温度和溶剂挥发速度,使溶液逐渐达到饱和状态并结晶成单晶材料。
其中,常见的溶液法包括溶液蒸发法、有机金属溶胶-凝胶法和溶剂热法等。
气相法是通过控制气体混合物在合适的条件下在衬底上生长单晶材料。
常见的气相法有气体输运法、金属有机化合物气相沉积法和气相石墨化等。
常见的单晶材料包括硅、镁铝尖晶石、硫化镉、硼化镍、石墨等。
其中,硅是最常见的单晶材料之一,广泛应用于半导体制造、光学器件等领域。
硅具有优异的光电性能和机械性能,具备较高的载流子迁移率和导热性能,被广泛应用于电子器件制造中。
此外,硫化镉是一种重要的半导体材料,具有宽的能带间隙和高的光电转换效率,被广泛应用于太阳能电池和激光器等光电器件。
在航空航天领域,单晶材料也有广泛应用。
例如,单晶高温合金被用于制造航空发动机中的叶片和涡轮叶片,因其具有高强度、耐热性和抗腐蚀性能,能够承受高温和高压工况环境。
此外,单晶超合金也被广泛应用于航空发动机的燃烧室和喷嘴等部件。
总之,单晶材料具有独特的结晶结构和优异的物理性能,在电子器件、光学器件、航空航天等领域有广泛应用。
水热法制备特定形貌单晶
![水热法制备特定形貌单晶](https://img.taocdn.com/s3/m/21912c195f0e7cd18425368b.png)
What I have learned
• 本文中制备实验采用了水热法制备,相较传统的高温固相法 、共沉淀法和柠檬酸络合法,操作可实行性更高,对本人的 实验课题有借鉴意义。 • 文中研究的表征手段相当完备,充实了本人的知识构架,为 以后实验在表征方面提供了些许便利。(PPT由于篇幅限制 ,部分表征手段并未列出) • 文中结论称催化剂催化性能与其晶态结构和特定的表面形貌 相关,为本人后续实验提供了理论支持。
本文以不同化合物为金属源,采用水热法并在一 定温度下灼烧水热后所得产物,制备了单晶类钙 钛矿型氧化物La2-xSrxCuO4(x=0,1)纳微米粒子, 并对这些具有特定表面形貌单晶纳微米粒子进行 了表征,考察了其对甲烷氧化反应的催化性能.
Experimental
1. 制备具有特定形貌的氧化铜和氧化镧:
Sr掺杂显著提高了催化剂表面Cu3+ 浓度、吸附氧量和还原能力,从而 提高了α氧脱附量。催化剂的还原
能力与其粒子的表面形貌有关.
Conclusion
以纺锤体状单晶CuO、片状单晶La2O3和硝酸盐作金属源,采用水热法并焙 烧水热处理后所得产物,制备了具有纺锤体状、棒状和短链状的类钙钛矿型 氧化物 La2-xSrxCuO4(x=0,1)单晶纳微米粒子。Sr掺杂不仅增加了催化剂表面Cu3+含量 和吸附氧量,而且显著改善了催化剂的还原性能。
水热法制备特定形貌单晶La2-xSrxCuO4 及甲烷催化氧化性能
张悦,张磊等. 水热法制备特定形貌单晶La2-xSrxCuO4及甲烷催化 氧化性能. 催化学报[J].2009,30(4):347~354
• 1.Introduction • 2.Experimental • 3.Results
单晶材料的制备
![单晶材料的制备](https://img.taocdn.com/s3/m/e64022f189eb172ded63b7a4.png)
控制提拉速率
V越大,直径越小; V越小,直径越大; 但是由于难于控制,一般不调节提拉速率
5)晶体的极限生长速率
生长速度:
说明
V ( K S GS K LGL ) / L
GS :晶体内的温度梯度 GL:熔体内的温度梯度
A:Gs恒定,GL越小,V越大; B:GL=0,Vmax=KSGS/ρL; C:如果GL<0,熔体过冷,生长速率更大,担难于控制; D:提高GS,提高生长速率,但是温度提高,导致位错和热 应力提高;
3)晶体生长过程能量平衡 A. 能量守恒
Q1+Q2=Q3 Q1:产生的焦耳热和释放的相变热; Q2:输入的热量; Q3:温度升高所需要的热量; 稳定态温度场,温度不随时间变化,则Q3=0, Q1=-Q2
Q1=Lm L:凝固潜热; M:单位时间生长的晶体质量
-Q2=QS-QL=AKSGS-AKLGL Lm=QS-QL=AKSGS-AKLGL
g KT0 ln(c / c0 )
令 c / c0; 1; g KT0 ln(c / c0 ) KT0 f g / s KT0 / s
σ越大,推动 力越大
熔体生长系统中相变驱动力
h TS
h(T ) TS(T )
F:指向晶体,熔化、溶解、升华 指向溶液。结晶
气相生长系统中相变驱动力
( p0 ,T0 ) 0 (T0 ) RT ln p0 ( p ,T0 ) 0 (T0 ) RT ln p0
RT ln p / p0 N0g, R N0K
g KT0 ln( p / p0 )
增加,自由能减小,晶粒自发长大;
C.半径越小,胚团越稳定
3.衬底上凹角形核:
单晶材料的制备 PPT
![单晶材料的制备 PPT](https://img.taocdn.com/s3/m/3954a8926edb6f1aff001fe3.png)
热流方向
综上所述,铸件中三个晶区的形成是相 互联系、彼此制约的。稳定凝固壳层的产生 决定着表面细晶粒区向柱状晶区的过渡,而 阻止柱状晶区进一步发展的关键则是中心等 轴晶区的形成。
定向凝固是制备单晶最有效的方法。
1. 传统定向凝固技术
传统定向 凝固技术
发热剂法
功率 降低法
快速 凝固法
(1)发热剂法
发热剂法是定向凝固技术发展的起始阶段,是 最原始的一种。
将铸型预热到一定温度后迅速放到激冷板上并 立即进行浇注,冒口上方覆盖发热剂,激冷板下方 喷水冷却,从而在金属液和已凝固金属中建立起一 个自下而上的温度梯度,实现定向凝固。
过冷度
过冷现象
(1)过冷:金属的实际结晶温度总是低于其理 论结晶温度的现象。
( 2 ) 过 冷 度 : 金 属 材 料 的 理 论 结 晶 温 度 (Tm) 与其实际结晶温度To之差 △T=Tm-To
注:过冷是结晶的必要条件,结晶过程总是在 一定的过冷度下进行。
柱状晶区的形成
紧贴铸型表面稳定的凝固壳层一旦形成,柱状晶就 直接由表面细等轴晶凝固层某些晶粒为基底向内生长, 发展成由外向内生长的柱状晶区。
图 晶体生长选晶示意图
特定结构的坩埚
晶体各向异性决定了晶体不同取向 的晶体生长速率不同,生长过程中 必然形成晶体的竞争生长。
图 晶体生长的几何淘汰示意图
几何淘汰规律图解
若有许多呈不同取 向的晶核在一个基底上 生长,当晶体生长到一 定阶段后,就只有那些 生长速度最大方向与基 底平面垂直的晶体才能 继续生长。这就是所谓 的“几何淘汰律”。
第一章单晶材料的制备4精品PPT课件
![第一章单晶材料的制备4精品PPT课件](https://img.taocdn.com/s3/m/8816dd97482fb4daa48d4b05.png)
——提拉法
下籽晶 缩颈 扩肩 等径 收尾
生长质量低于100kg的硅单晶时,缩颈部分的直径一般为 3mm。由于缩颈的强度问题,难以生长太重的单晶。
为了在生长过程中承受更大重量的硅单晶体,必须采用更 大的缩颈直径。生长直径在300mm、质量超过300kg的硅单 晶时,缩颈部分的直径不能小于8mm。拉伸实验表明颈部 晶体发生断裂时为脆性断裂,由于应力集中的原因,断裂 常发生在颈部与肩部结合处。晶体颈部及肩部的生长条件 对晶体的抗拉强度有重要影响。
人工直接用眼睛观察 & 自动控制 弯月面光反射法和称重法
弯月面光反射法测晶体直径:
直径检测必须隔着观察窗在拉晶炉体外部非接触 式实现。
固态晶体与液态熔液的交界处会形成一个明亮的光 环,亮度很高,称为光圈。 实质是固液界面处的弯月面对坩埚壁亮光的反射。
当晶体变粗时,光圈直径变大,反之则变小。
通过对光圈直径变化的检测,可以反映出单晶直 径的变化情况。
下称重法: 该下电子秤采用杠杆 原理,系统重量用配重 块来平衡,系统重量为 增锅、熔体、增锅托、 保温系统、支承部分的 重量和。晶体生长时, 增祸内熔体重量不断减 少,系统平衡遭到破坏 ,称重传感器输出变化 信号,于是间接的反映 了晶体重量的变化,从 而控制晶体直径的生长 。
10、导模技术 导模法实质上是控制晶体形状的提拉法,用这 种技术可以按照所需的形状和尺寸来生长晶体。
Qs等于单位时间内通过晶体耗散于环境的热量,即热损耗;
QL是通过熔体传至固液界面的热量,是比例于加热功率的。
L m Q S Q L 或 L m A
8.3、晶体直径控制
晶体生长速度:单位时间内固-液界面向熔体中推进 的距离
在直拉法生长过程中,如果不考虑液面下降速 率,单位时间内新生长的晶体质量为 :
水热溶剂热方法制备单晶低维纳米结构
![水热溶剂热方法制备单晶低维纳米结构](https://img.taocdn.com/s3/m/a9673fc9856a561252d36f64.png)
水热溶剂热方法制备单晶/低维纳米结构①使用乙二醇作为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂和无害抗坏血酸作为还原剂,使用简便,环境友好的溶剂热法合成均匀的碲纳米线(NW),纳米管(NT)和三重纳米棒(NR)。
合成方法如下:将0.1675g二氧化碲(TeO2,1.05mmol)和0.1671g氢氧化钾(KOH,2.98mmol)放入烧杯中并在85℃下溶解在30mL乙二醇(EG)中,并用磁力搅拌以形成均匀溶液。
在溶液中溶解0.1g PVP后,加入1.5mL抗坏血酸水溶液(AAAS,21wt%)。
最后,将混合物转移到体积容量为50mL的特氟隆衬里的不锈钢高压釜中,在150℃下保持6小时以合成在Te纳米线。
自然冷却至室温后,将最终的银灰色产物离心,分别用丙酮和无水乙醇洗涤数次,并分散在20mL无水乙醇中储存。
PVP的量增加到0.25-0.6g的范围可以合成Te纳米管。
当AAAS的量增加至3.0ml并且PVP保持在0.25-0.6g的范围内时,可以获得均匀的三重Te纳米棒。
②使用水作溶剂,将硫脲用作硫离子源并精确控制释放硫离子以形成Bi2S3纳米线而无需任何表面活性剂和模板,这是简便有效的合成硫化铋(Bi2S3)纳米线的方法。
合成方法如下:将Bi(NO3)3·5H2O和硫脲的1:5混合物置于烧杯中,然后加入20mL 水溶液。
搅拌30分钟后,将混合物转移到50mL特氟隆衬里的不锈钢高压釜中,将其密封并在180℃下保持24小时。
通过离心收集沉淀物,然后用去离子水和无水乙醇洗涤数次,并在60℃下真空干燥。
③采用溶剂热法合成锂离子电池用LiFePO4纳米材料。
研究反应温度和停留时间等反应参数,得到最佳的LiFePO4样品。
乙二醇(EG)因其显着的正面影响而广泛用于LiFePO4溶剂热法作为溶剂或助溶剂,本文也选用乙二醇作为溶剂。
合成方法如下:前体溶液中Li:Fe:P摩尔比为2.7:1:1,反应溶液中LiFePO4浓度控制在0.2M。
水热法合成单晶的特点
![水热法合成单晶的特点](https://img.taocdn.com/s3/m/8a2741634a35eefdc8d376eeaeaad1f34793116c.png)
水热法合成单晶的特点
水热法是一种常用的合成单晶材料的方法。
它是利用高温高压
下水溶液的特殊性质来促进晶体生长的过程,具有如下特点。
水热法合成单晶的特点之一是高度的晶体纯度。
由于水热条件
下晶体生长的反应环境是相对封闭的,外界杂质很难进入反应体
系中。
因此,在水热法下合成的单晶晶体中杂质的存在较少,纯
度较高。
水热法合成单晶的特点之二是良好的晶体形态可控性。
在水热
反应中,温度、压力、溶液浓度以及加入的添加剂等因素都会对
晶体生长过程产生影响。
通过控制这些因素,可以实现对单晶晶
体形态的调控,获得具有特定形状和结构的晶体。
水热法合成单晶的特点之三是晶体生长速度较快。
水热反应中,高温和高压能够提供充足的能量,促使晶体快速生长。
相比较其
他合成方法,水热法不仅可以获得较大尺寸的单晶,而且能够在
相对较短的时间内完成晶体生长。
水热法合成单晶的特点之四是适用于多种物质。
水热法对于无
机晶体、有机晶体以及生物晶体的合成均具有一定的适用性。
在
水热反应条件下,许多物质的溶解度都可以得到提高,从而可以
在水相中完成晶体生长过程。
水热法合成单晶的特点包括高纯度、晶体形态可控性、快速生
长速度以及适用性广泛。
这使得水热法成为了制备单晶材料的重
要方法,在材料科学、化学、物理等领域中得到广泛应用。
水热合成PPT课件
![水热合成PPT课件](https://img.taocdn.com/s3/m/5f88c3b3783e0912a3162a7d.png)
2021
24
矿化剂(Mineralizer)
矿化剂通常是一类在反应介质中的溶解度随温度 的升高而持续增大的化合物,如一些低熔点的盐、 酸或碱。
矿化剂可以提高溶质在水热溶液里的溶解度,可 改变其溶解度温度系数;
温度系数符号改变除了与所加入的矿化剂种类有 关,还与溶液里矿化剂的浓度有关。
2021
沸石分子筛
另章讨论
其它晶体材料
1982午4月: 日本横滨,第一届国际水热反应专题讨论会
研究重点:新化合物的合成.新合成方法的开 拓和新合成理论的建立。
2021
4
与溶液化学的差别:
合成反应在高温和高压下进行,侧重于研究 水热合成条件下物质的反应性、合成规律以 及合成产物的结构与性质。
与固相合成研究的差别: “反应性”不同
2021
30
成核与晶体生长
在液相或液固界面上少量的反应试剂产生 微小的不稳定的核,更多的物质自发地沉 积在这些核上而生成微晶;
水热与溶剂热生长的晶体不完全是离子的 (如BaSO4或AgCl等),它通过部分共价 键的三维缩聚作用而形成。
2021
31
成核与晶体生长
可生长核即晶体生长自发进行的核的出现,是溶液 或混合溶液波动的结果。
例如:制备含有OH-、F-、S2-等挥发性物质的 陶瓷材料。
也可同时进行化学反应和烧结反应。 如:氧化铬、单斜氧化锗、氧化铝-氧化铬
复合体的制备。
(10) 水热热压反应 在水热热压条件下,材料固化与复合材料的
生成反应。
如:放射性废料处理、特殊材料的固化成型、特种
复合材料的制备。
2021
13
按反应温度进行分类,
2021
8
温差水热法合成水晶的原理
![温差水热法合成水晶的原理](https://img.taocdn.com/s3/m/bd7db36a905f804d2b160b4e767f5acfa0c78353.png)
温差水热法合成水晶的原理温差水热法(Hydrothermal synthesis)是制备单晶体材料的一种常见方法之一,该方法通过在高温高压的水热条件下使化学反应发生,从而合成出高质量、大尺寸的晶体。
其原理主要包括溶质溶解、核形成、生长、洗涤和干燥等过程。
温差水热法的原理如下:1. 溶质溶解:将原料溶解在水溶液中。
通常情况下,水溶液中的温度较高,使得晶体原料能够充分溶解。
2. 核形成:将溶液加热至较高温度,使得溶液中的溶质浓度超过饱和度。
过饱和度是指溶液中溶质的浓度超过溶解度,此时溶液呈现出不稳定的状态,会产生一个极小的晶核。
3. 生长:晶格能量较低的溶质会在晶核上发生吸附和附着,使得晶体逐渐生长。
晶体的生长速率取决于溶液中溶质的浓度和晶体生长界面的能量差异。
4. 洗涤:晶体在生长过程中会吸附一些溶液中的杂质,为了获得纯净的晶体,需要将晶体从溶液中取出并用纯净溶剂反复洗涤。
5. 干燥:洗涤后的晶体需要经过干燥过程,去除残余的溶剂,使得晶体完全干燥。
温差水热法的成功合成单晶体的关键在于控制好反应条件和晶体生长过程中的各个环节。
以下是一些影响温差水热法合成水晶的重要因素:温度:温差水热法通常在高温高压条件下进行,温度对晶体生长速率和生长方向有重要影响。
较高的温度有利于使晶体原料充分溶解以及快速生长晶体,但过高的温度会导致晶体溶解度过大,影响晶体纯度。
压力:压力是维持水在高温高压条件下保持液态的重要因素,也会影响晶体的生长速率。
高压条件下能够增加水的溶解度,有利于晶体的生长,但过高的压力可能会导致晶体的完整性受损。
溶液浓度和配比:溶液中晶体原料的浓度和配比对晶体生长速率和晶体质量有重要影响。
溶液中溶质浓度过低会导致晶体生长速率过慢或无法生长,而浓度过高则可能会导致过饱和度过高,使得晶体过多缺陷。
晶体生长环境:晶体生长过程中的平衡环境也会对晶体的生长速率和质量产生影响。
例如,搅拌晶体生长过程中的溶液有助于减小晶体尺寸分布和增加晶体的生长速率。
水热合成与单晶材料的制备共45页文档
![水热合成与单晶材料的制备共45页文档](https://img.taocdn.com/s3/m/ee464a7a59eef8c75fbfb38e.png)
1
0
、
倚
南
窗
以
寄
傲
,
审
容
膝
之
易
安
。
16、业余生活要有意义,不要越轨。——华盛顿 17、一个人即使已登上顶峰,也仍要自强不息。——罗素·贝克 18、最大的挑战和突破在于用人,而用人最大的突破在于信任人。——马云 19、自己活着,就是为了使别人过得更美好。——雷锋 20、要掌握书,莫被书掌握;要为生而读,莫为读而生。——布尔沃
文 家 。汉 族 ,东 晋 浔阳 柴桑 人 (今 江西 九江 ) 。曾 做过 几 年小 官, 后辞 官 回家 ,从 此 隐居 ,田 园生 活 是陶 渊明 诗 的主 要题 材, 相 关作 品有 《饮 酒 》 、 《 归 园 田 居 》 、 《 桃花 源 记 》 、 《 五 柳先 生 传 》 、 《 归 去来 兮 辞 》 等 。
水热合成与单晶材料的制备
6
、
露Leabharlann 凝无游氛
,
天
高
风
景
澈
。
7、翩翩新 来燕,双双入我庐 ,先巢故尚在,相 将还旧居。
8
、
吁
嗟
身
后
名
,
于
我
若
浮
烟
。
9、 陶渊 明( 约 365年 —427年 ),字 元亮, (又 一说名 潜,字 渊明 )号五 柳先生 ,私 谥“靖 节”, 东晋 末期南 朝宋初 期诗 人、文 学家、 辞赋 家、散
END
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
化合物 1 的晶体结构
A
B
30
2D-layer
31
3D stacking structure
32
化合物 1 的 IR 光谱
Tansmittance (%)
90
80
70
60
50
40
H2O
30
H2O Mo = O 或 Mo-O-Mo
P-O
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
41
精品课件!
精品课件!
44
J. Zubieta, Chem Commun, 2003, 17:2128-2129
E. B. Wang, Angew. Chem. Int. Ed. 2006, 45: 904-908
27
基于过渡金属离子修饰的新型钼磷酸盐 的合成及结构研究
28
化合物 1 的合成 [Co(H2O)6][{Co2(H2O)6}{Co(H2PO4)2}{(PO4)6(HPO4)18(Mo16O32)Co16( H2O)18}]·23H2O 1
13
“溶解-结晶”机 制
所谓“溶解”是指水热反应初期,前驱物微粒之间 的团聚和联接遭到破坏,从而使微粒自身在水热介质中 溶解,以离子或离子团的形式进入溶液,进而成核、结 晶而形成晶粒。
14
“结晶”是指当水热介质中溶质的浓度高于晶粒的 成核所需要的过饱和度时,体系内发生晶粒的成核和 生长,随着结晶过程的进行,介质中用于结晶的物料 浓度又变得低于前驱物的溶解度,这使得前驱物的溶 解继续进行。如此反复,只要反应时间足够长,前驱 物将完全溶解,生成相应的晶粒。
35
利用[P4Mo6O31]n-多阴离子为建筑单元,含氮螯合配体过渡金属配 合物为连接体
dien
+ M (Co, Zn, Cd) +
[P4Mo6]
2,2’-bpy 1,10’-phen
36
化合物2,3的结构 (pH 调控)
1D chain 2
调控 pH
+
Co
+
2D layer
373
化合物4,5的结构 (金属离子调控)
将反应物MoO3 (0.3 mmol), CoCl2·6H2O (0.3 mmol), D, L-α-氨基丙酸 (0.9 mmol), H3PO4 (0.3 mL), 1 M NaOH (2 mL) 和 5 mL H2O 混合搅拌 20 min 后,装入高压反应釜 中。在160ºC 下恒温晶化 6 天,然后按 10ºC/h 速率缓慢 冷却至室温,得到橙色块状晶体,水洗后置于空气中自 然干燥。
4
2D layer
3D motif
P4Mo6 + Zn + 2,2’-bpy
38
化合物4,5的结构 (金属离子调控)
P4Mo6 + Cd +
2,2’-bpy
5
2D layer
39 Cd4(2,2’-bpy)2(H2O)4
1D chain
化合物6,7的结构 (金属离子调控)
6 1D chain
7
2D supramolecular layer
力,生长基元运动到固-液生长界面并被吸附,在界 面上迁移运动。
19
3)生长基元在界面上的结晶或脱附: 在界面上吸附的生长基元,经过一定距离的运
动,可能在界面某一适当位置结晶并长入晶相, 使得晶相不断向环境相推移,或者脱附而重新回 到环境相中。
20
(5) 水热反应的基本类型
合成反应
通过数种组分在水热条
脱水反应
氧化反应
水热热压反应
反应烧结
沉淀反应 提取反应
分解反应 烧结反应
23
(6) 水热与溶剂热合成的一般工艺
24研究背景
多金属氧酸盐简介
♥ 多金属氧酸盐(多酸)化学发展至今已有一个多世纪的悠久历 史,是无机化学中的一个重要的研究领域。 ♥ 多酸是由前过渡金属离子通过氧连接而形成的金属-氧簇类 化合物。
15
“原位结晶”机 制
当选用常温常压下不可溶的固体粉末、凝胶或沉淀 为前驱物时,如果前驱物和晶相的溶解度相差不是很大 时,或者“溶解-结晶”的动力学速度过慢,则前驱物 可以经过脱去羟基(或脱水),原子原位重排而转变为 结晶态。
16
(4)将水热条件下晶粒的形成过程可分为三个阶段
生长基元 与晶核 的形成
用这种方法可以合成水晶、刚玉(红宝石、蓝宝石)、绿柱 石(祖母绿、海蓝宝石)、及其它多种硅酸盐和钨酸盐等上 百种晶体。
绿柱石(铍铝硅酸盐矿物) 石榴子石(A3B2[SiO4]310
(3) 水热生长体系中的晶粒形成可分为三种类型:
“均匀溶液饱和析出”机 制
“溶解-结晶”机 制
“原位结晶”机 制
11
件下直接化合或经中间 态发生化合反应。
利用此类反应可合成各种单晶材料。 例如:Nd2O3+10H3PO4=2NdP5O14+15H2O
21
热处理反应
利用水热条件处理一般晶体
而得到具有特定性晶体的反 应。
利用水热条件下物质热
力学和动力学稳定性差 异进行的反应。
转晶反 应
22
离子交换反应
晶化反应
水解反应
“均匀溶液饱和析出”机 制
由于水热反应温度和体系压力的升高,溶质在溶 液中溶解度降低并达到饱和,以某种化合物结晶态 形式从溶液中析出。
12
当采用金属盐溶液为前驱物,随着水热反应温度 和体系压力的增大,溶质(金属阳离子的水合物) 通过水解和缩聚反应,生成相应的配位聚集体(可 以是单聚体,也可以是多聚体)当其浓度达到过饱 和时就开始析出晶核,最终长大成晶粒。
3
水热法(hydrothermal)(高压溶液法)
4
釜套由耐高温高压和耐酸碱的特种 钢材制成。
釜芯由耐酸碱聚四氟乙烯制成
简易高压反应釜实物图
5
水热反应釜 6
带搅拌高压反应釜装置图
7
(2) 水热合成方法的发展
最早采用水热法制备材料的是1845 年以硅酸为原料在水 热条件下制备石英晶体 ;
通过水热法得到的石英单晶
8
一些地质学家采用水热法制备得到了许多矿物,到1900 年已制备出约80种矿物,其中经鉴定确定有石英,长石, 硅灰石等 ;
长石
硅灰石
9
1900年以后,G.W. Morey 和他的同事在华盛顿地球物理 实验室开始进行相平衡研究,建立了水热合成理论,并 研究了众多矿物系统。
生长基元在固 -液生长界面 上的吸附与运
动
生长基元在 界面上的结 晶或脱附
17
1)生长基元与晶核的形成: 环境相中由于物质的相互作用,动态地形成不
同结构形式的生长基元,它们不停的运动,相互 转化,随时产生或消灭。当满足线度和几何构型 要求时,晶核即生成。
18
2)生长基元在固-液生长界面上的吸附与运动: 在由于对流、热力学无规则运动或者原子吸引
内容提要
(一)水热合成的概念、原理、应用 (二)水热法制备单晶材料 基于过渡金属离子修饰的新型钼磷酸盐的合成
及结构研究 基于含氮螯合配体过渡金属配合物修饰的新型
钼磷酸盐的合成及结构研究 (三)水热合成的优缺点
1
(一)水热合成的概念、原理、应用
2
(1) 水热合成方法的概念
水热法 (Hydrothermal Synthesis),是指在特制的密 闭反应器(高压釜)中,采用水溶液作为反应体系, 通过对反应体系加热、加压 (或自生蒸气压),创造 一个相对高温、高压的反应环境,使得通常难溶或不 溶的物质溶解,并且重结晶而进行无机合成与材料处 理的一种有效方法。
Keggin 型多酸结构
♥ 应用领域广泛,除工业催化剂外,现已跻身材料科学特别是 光、电、磁功能材料领域。
26
一. 研究背景
基于多金属氧酸盐合成及其研究进展
夹心结构
高核化
修饰和扩展结构 三维大孔/手性结构
U. Kortz, Inorg Chem, 2004, 43: 144-154
A. Müller, J Chem Soc Chem Commun, 2003 (7): 803-806
P4Mo6 + Co + phen
2D supramolecular layer
40
P4Mo6 + Zn + phen
(三) 水热法生长的优缺点
优点:1.可生长低温固相单晶,高粘度材料; 2.可生长高蒸汽压、分解压的材料,如ZnO2,VO2 3.晶体发育好,几何形状完美,质量好。
缺点:1.设备要求高; 2.需要优质籽晶; 3.不需要直接观察,生长速率慢,周期长。
Wavenumber ( cm-1)
33
化合物 1 的 XPS 谱
Intensity
7000 6000
231.25 Mo3d5/2 Mo (V) Mo3d3/2
5000
4000
3000
2000
240
235
230
225
220
Binding Energy (eV)
34
基于含氮螯合配体过渡金属配合物修饰的 新型钼磷酸盐的水热合成及结构研究