铁磁-半导体-铁磁隧道结中的隧穿磁电阻

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导与磁性金属电极分子场的角度有密切的关系．
关键词：性隧道结；隧穿磁电导；隧穿磁电阻磁
中图分类号：７．０４２５文献标识码：Ａ
ＲｅｅｒｈｏｎｎｌｎａｎｔｓｓａｃｎｓａｃｆＴｕｅｇＭｇｅｏＲｅｉｔｎｅｉｉ
摘要：对由１半导体隔开的２个铁磁性金属电极构成的磁性隧道结，虑中间层形成双势垒，近自由针个考在
电子模型的基础上，算了零偏压下隧穿磁电导和隧穿磁电阻．果表明，隧道结的隧穿磁电阻和隧穿磁电计结该
第３６卷第３期
２１ＯＯ年９月
延边夫学学报（一然科学版）
ＪｕｎｌｆＹａｂａｉｅｓｔ（ｔｒｌｃｅｃ）ｏｒａｎｉｎＵｎｖｒｉｏｙＮａｕａＳｉｎｅ
Ｖｏ１６．３ＮＯ．３Ｓｅ２０１ｐ．０
目前，关在隧道结中自旋极化电子隧穿的理论主要有零偏压下的Ｊｌｅｅ隧穿概率理论ｎＪｌｅ设电子穿越绝缘体时能量和自旋方向保持不变，隧穿概率只与能量有关，出当偏压很小（ ≈ Ｏ但得）时，电阻（ＭＲ）２铁磁电极中的电子在费米面上的自旋极化强度的乘积成正比，磁Ｔ与个因而２个铁磁电极的自旋极化强度越高，ＴＭＲ也越大．０２年，ｇｅｙｎ分析了Ｒｓｂ２０Ｅｕｓａａｈａ自旋轨道耦合效应与散粒噪声的关系，他发现可以通过测量散粒噪声来获得Ｒｓｂ耦合系数，为研制用于信息技术的量子器ａｈａ这件开辟了新的途径．ｉｎ１ＬＹｕ｜对铁磁（Ｍ）半导体（Ｍ）铁磁（Ｍ）明治隧道结进行研究，Ｆ／Ｓ／Ｆ三把半导体看作是方势垒，出Ｔ得ＭＲ与磁场角度变化和方势垒高度的关系；张红梅ｌ对铁磁（Ｍ）半导体也 ” Ｆ／
ｄｕｔｎａｐｌｅ，ａｏｉｒｎｈＷＯｂｒｅｓｆｒｅｎｉｅａｅ，ｔｅｔｎｅｉｇａｃｏｒｉａｎｎｄｃｎｓｄｅｉｇｔｅｔａｒｉｒｏｍｄｉｎｔｒｌｙｒｈｕｎｌｎｍｇｎｅｏｃｎｄｕｔｎｅｔｏｃａｃａｅｉｔｎｅｕｎｒｚｒａｓｖｏｔｇｅｗｅｒａｌｕｌｔｄｂｎｄｒｓｓａｃｄｅｅｏｂｉｌａｅｃｃａｅｙａｑｕａｉｆｅｌｃｒｏ１Ｔｈｅｒｓｔｉｃｅｈａｓ— ｒｅｅｅｔｏｎｍｄｅ．ｅｕｌｎｄｉａｔｓｔｔｔｕｎｌｎａｎｅｏｃｄｕｃａｎｅａｕｎｌｎａｈｅｔｎｅｉｇｍｇｔｏｎｔｃｎｄｔｎｅｉｇｍｇｎｅｏｒｓｓｔｎｃｖｅｔｌｓｅａｉｎｓｐｔｈｅａｔｅｉａｅｈａｈｅｃｏｅｒｌｔｏｈｉＯｔｎｇｌｆｅｏｍｏｌｃｌｒｆｅｄｉａｇｔｃｍｅａｌｃｒｄｅｅｕａｉｌｎｍｎｅｉｔｌｅｅｔｏ．
Ａｂｔａｔｏｇｅｉｔｎｅｉｇｊｎｔｎｃｎｉｔｇｏｗｏｆｒｏｇｅｉｌｃｒｄｓｓｐｒｔｄｂｅｉｎｓｒｃ：Ｆｒａｍａｎｔｕｎｌｕｃｉｏｓｓｉｆｔｅｒｍａｎｔｅｅｔｏｅｅａａｅｙｓｍｃ — ｃｎｏｎｃｏ
Ｋｅｒｓｙｗｏｄ：ｍａｎｔｕｎｌｇｊｎｔｎｕｎｌｇｍａｎｔｏｄｃａｃ；ｔｎｅｉｇｍａｎｔｅｉｔｎｅｇｅｉｔｎｅｉｃｉ；ｔｎｅｉｇｅｏｃｎｕｔｎｅｕｎｌｇｅｏｒｓｓａｃｃｎｕｏｎｎ
文章编号：１０ — ３３２１）３０３ — ５０４４５（０００－２９０
铁磁一导体一磁隧道结中的隧穿磁电阻半铁
梁万秋，郭振平
（延边大学理学院物理系，林延吉１３０吉３０２）
ＦｅｒｍａｎｔＳｍｉｏｕｔｒＦｅｒｍａｎｔＳｓｅｒｏｇｅ－ｅｃｎｄｃｏ－ｒｏ－ｇｅｙｔｍ
ＬＩＮＧａ — ｉＧＵｏＡＷｎｑｕ。Ｚｈｅ — ｉｎｐｎｇ
（ＤｅａｔｎｆｙｉｓｏｌｇｆｃｅｃｓｐｒｍｅｔＰｈｓｃ，ＣｌｅｅｏＳｉｎｅ，ＹａｂａｉｅｓｔｏｎｉｎＵｎｖｒｉｙ，Ｙｎｉ１３０ａｊ３０２，Ｃｈｎｉａ）
０引言
磁电阻效应是指在材料中电阻率随外加磁场的变化而变化的现象．由于磁电阻效应能把外磁场信号转化为电信号，以在磁读写、所磁存储和磁性传感器件等领域有广泛的应用．２近ｏ年来，多科学家许
对磁电阻效应进行了大量的研究ｌ］不仅推动了磁电子学和白旋电子学的建立及快速发展，极大地＿，ｌ也促进了与自旋极化电子输运相关的磁电阻材料和新型自旋电子学器件的研究［．６。