晶体管的主要电参数及温度特性

IBQ 40μA
iB 60 40
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
(3) 极限参数
B (b) C(c) B (b) C(c)
T
T
E(e)
E(e)
(1) 集电极开路时发射极—基极间反向击穿电压 U（BR）EBO
(2) 发射极开路时集电极—基极间反向击穿电压 U（BR）CBO
(3) 基极开路时集电极—发射极间反向击穿电压 U（BR）CEO (4) 集电极最大允许电流 ICM
（2）共射极交流电流放大系数β
β
iC
iE
i C 常数
iB
β值与iC的关
系曲线
iC
0
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2. 晶体管及放大电路基础
iC(mA)
4
2.3 3 IC 1.5 2
100 25 C
80
60
Q 40
IB
iB=20(A)
10 2 4 6 8
uCE(V)
ICQ 1.5mA 37.5 i C 2.3 1.5 40
iB =100μA
80 60
40 20 0
6 8 uCE / V
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(1) 直流参数
（1）共基极直流电流放大系数
IC
ICBO 0 IE
（2）共射极直流电流放大系数
IC
IB
ICBO 0
（3）发射极开路，集电极—基极间反向饱和电流 ICBO
（4）基极开路，集电极—发射极间反向饱和电流 ICEO
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2. 晶体管及放大电路基础
(2) 交流参数
（1）共基极交流电流放大系数α
2. 晶体管及放大电路基础
2.1 晶体管
2.1.1 晶体管的结构 2.1.2 晶体管的放大状态及工作原理 2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线 2.1.4 晶体管的主要电参数及温度特性
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2. 晶体管及放大电路基础
2.1.4 晶体管的主要电参数及温度特性
1. 晶体管的主要电参数
T1 T2 T1＞T2
（2）对 ICBO 的影响
T T0
I I 2 CBO(T )
10 CBO(T0 )
（3）对 UBE 的影响
O
uBE
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2. 晶体管及放大电路基础
温度对管子参数的影响:
i C / mA
4
{ } β ↑
3
T↑
ICBO ↑ → IC ↑ 2
UBE
↑
1
0 24

温度升高时，晶体管输出特性曲线将上移
(5) 集电极最大允许功率耗散 PCM
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2. 晶体管及放大电路基础
晶体管的安全工作区
iC
ICM PCM
等功耗线PC=PCM =uCE×iC
不安全区
安全区
0
U (BR)CEO
uCE
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2. 晶体管及放大电路基础
2. 温度对管子参数的影响
iB
（1）对β 的影响 T (0.5 ~ 1)% / C