MEMORY

DRAM工作流程
• DRAM就被设计为有规律的读取DRAM内 的内容。这样做有下面几个好处。 • 第一，仅仅使用/RAS激活每一行就可以达 到全部刷新的目的； • 第二，DRAM控制器来控制刷新，这样可 以防止刷新操作干扰有规律的读写操作。
NAND FLASH & NOR FLASH的区别
• 1， NOR-字，扇区，126KB/64KB,读写单 位不同, NAND-块，页,8KB • 2， NOR-随机存取介质，用于存储数据量 小的场合 • 3， NOR-地址总线与数据总线分开，传输 快，直接在闪存内运行 • 4，NOR可靠性高，坏块少，密度小
• EEPROM • Flash memory
– NAND Flash – NOR Flash
RAM (Random Access Memory)随机存取存储器 ROM (Read Only Memory) 只读存储器 SRAM: Static RAM 静态RAM DRAM: Dynamic RAM 动态RAM SDRAM Synchronous DRAM同步动态随机存储器 SDR SDRAM-Single Data Rate SDRAM单倍数据速率 DDR/DDR2/DDR3 SDRAM- Double Data Rate双倍数 据速率 • GDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4/GDDR5 SDRAMGraphics图形 • • • • • • •
DRAM 发展史
内存条
• • • • •
1，SIMM DRAM 2，EDO DRAM 3，SDRAM 4，RAMBUS DRAM 5，DDR
FLASH来源
舛冈富士雄博士 所持有泉 1984，旧金山 国际电子组件大会(International Electron Devices Meeting, IEDM) • 1988 Intel • 1989 Toshiba • • • •
SPANSION
• S70GL02GP11FFIR10
HYNIX
• • • • • • • • • H5DU561622FLTXF-D43E H5T-DDR3 H5P-DDR2 H5DU-DDR H57-SDR H5GQ-GDDR5 H55S-Mobile SDR H5MS-Mobile DDR H9TK-Mobile DDR2
Memory
RAM随机（断电消失） SRAM静态（集成 低，贵） DRAM动态（集成 高，便宜） SDRAM同步动态 ROM只读（断电保存） EEPROM字节擦除， 功耗大 Flash块擦除， 功耗小 NOR容量小，代 码存储
NADN容量大， 数据存储
SDR
DDR/DDR2/3
GDDR/GDDR2/3/4/5
内存的工作原理
•
RAM的基本结构
• CPU-地址总线--地址 解码器-等待若干时钟 周期-数据总线
地址总
地址接
口
地址解码
器
数据接
口
数据总
线
线
• 注：内存信息并不是 正方形，而是矩形， 行比列少 • 特点：稳定，速度快， 省电，成本高
早期的芯片实物图
• 早期的SRAM芯片采 用了20线DIP • 每个地址信号都需要 一根信号线；一根数 据输入线和一根数据 输出线部分控制线， 电源线
地址总
线
CS
WE/OE
DOUT
• A0-A13是地址输入信号 引脚 • CS是芯片选择引脚 • WE是写入启用引脚， Vcc是供电引脚。 Vdd,Vss • Din是数据输入引脚。 Dout是数据输出引脚。 GND是接地引脚 Output Enable（OE）： 读取
SRAM 与DRAM的区别
多路寻址技术
• 内存芯片的容量以bit为单位的。 • 32Mbit的芯片，指它的容量是32Mb（b=bit=位） • 常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式： ①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4] ②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8] ③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16] • 表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑 BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）
价格波动原因
• • • • • 1，新型电子产品推出，需求增大 2，晶圆短缺 3，新的制程推出，减少产能 4，旺季到来，备货增多 5，品牌收购
收购事件
• 2009年1月Qimonda申请破产保护 • 2009年2月Spansion申请破产保护，2010 年5月脱离 • 2010年2月Micron收购Numonyx • 2012年7月Micron收购Elpida
行业预测
• NAND FLASH 年底价格下滑 • 供应端：2013年产能缩减，产出增长率由 45%下调至41% • 需求端：需求保守
HOT OFFER
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内存相关名词
双稳态半导体电路 存储元件 0，1 二进制 存储元-存储单元-存储器（容量） 1个位代表1个0或1，用bit表示 8个位构成1个字节，用Byte表示 b-Kb千-Mb兆-Gb吉-Tb太-Pb拍-Eb艾-Zb泽 -Yb尧 X 1024 • 160G的硬盘的实际容量为什么变少？ • BANK • • • • • •
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品牌介绍
• • • • samsung,--DRAM, Nand Flash三星 Hynix-- DRAM, Nand Flash海力士 Micron—Nand Flash美光 Spansion—Nor Flash飞索
MICRON
• • • • • • • • MT41J256M8JT-125IT：M MT41-DDR3 MTBaidu Nhomakorabea7-DDR2 MT46-DDR MT48-SRAM MT29-NAND FLASH JR28-Parallel NOR FLASH M25-Serial NOR FLASH
• SRAM: Static RAM 静态RAM • DRAM: Dynamic RAM 动态RAM
– SDR SDRAM – DDR/DDR2/DDR3 SDRAM – GDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4/GDDR5 SDRAM
– ROM (Read Only Memory) 只读存储器
存储器
概念阐述 发展历程 • 概念阐述 工作原理 命名规则 市场资讯
优势物料
什么是存储器
• 计算机系统中的存储介质，用来存放程序 和数据，主要有半导体材质和磁性材质。 • 按用途分为： • 主存储器（内存）---主板上的存储器件 • 辅助存储器（外存）---磁性介质或光盘
– RAM (Random Access Memory)随机存取存储器
SAMSUNG
• • • • • • • • • K4B1G0442G-BCF8 K4B-DDR3 K4T-DDR2 K4H-DDR K4G-GDDR5 K4J-GDDR3 K4P-Mobile DDR2 K4X-Mobile DDR K4M-Mobile SDR
• • • • • • • • 1-UtRAM 2-FRAM 3-MASKROM 4-DRAM 6-Async(low power) 7-Sync-SRAM 8-NOR FLASH 9-NAND FLASH