电力电子半导体器件(MOSFET)
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①开通驱动特性
驱动电路 输出电阻
感性负载 引线电感
振荡过程
开通时间
②关断驱动特性：
VDS关断时，由于引线电感 存在，产生尖峰电压 电路中应加缓冲电路，限幅 电路防止过电压 关断时，负驱动信号
VGS=VDS+VT 预夹断，进入放大区
尖峰电压
二、栅极驱动电路
（一）驱动电流选择：
不同MOSFET，极间电容量不同，功率越大，极间电容越大， 开通关断驱动电流也越大。
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。14:55:1414:55:1414:5510/21/2020 2:55:14 PM
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20.10.2114:55:1414:55Oc t-2021- Oct-20
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。14:55:1414:55:1414:55Wednesday, October 21, 2020
②动态dv/dt：回路中电感在MOSFET关 断时，引起动态dv/dt；工作频率越高， 负载等效电感越大，器件同时承受大的 漏极电流和高漏极电压，将导致器件损 坏。
加吸收回路，减小引线长度，采用谐 振型电路，可抑制dv/dt
③二极管恢复期dv/dt：在MOSFET使用中，二极管发生续流 过程时，漏极电压快速上升，内部二极管反向恢复过程中导 致损坏。主要原因是寄生二极管表现为少子器件，有反向恢 复时间，反向恢复期间存储电荷快速消失，会增大电流密度 和电场强度，引起局部击穿（如二次击穿），导致器件损坏。
பைடு நூலகம்
转换前二极管 中最大正向电 流
电流变化率di/dt
漏源峰值电压
2）定义：CSOA为功率MOSFET寄生二极管反向恢复性能所 决定的极限工作范围。
表示：在换向速度di/dt一定时，用漏极正向电压（二极管反向 电压）和二极管正向电流的安全运行极限值表示。
二极管最大正向电流
di 100A / s dt
1．开通驱动电流：
I G ( on )
CinVGS ts
(CGS
CGD )VGS ts
在ts时间内，将栅极输入电容充电到饱和导通所需电压VGS
2．关断驱动电流：
IG(off )
CGDVDS
t
' s
截止时漏极电压 放电时间
（二）驱动电路 1．直接驱动电路：TTL OC门驱动
互补输出驱动 CMOS驱动电路
存储时间 下降时间
影响因素：CDS，负载电阻RD
2．极间电容：CGS，CGD，CDS
CGS，CGD取决于管子几何形状， 绝缘层厚度等物理尺寸，数值 稳定，几乎不变化。
CDS由PN结形成，取决于沟道 面积，反偏程度，受电压、温 度变化影响。 一般：
输入电容：Ciss CGS CGD
输出电容：Coss CDS CGD
②结温影响 Tj升高，CSOA曲线缩小。
③电路引线电感影响 引线电感在二极管反向恢复时会产生反电动势，使器件承
受很高的峰值电压。二极管换向速度越快，引线电感越大， 峰值电压越高，对COSA要求更苛刻，应尽量减小引线电感。
L
四、温度稳定性：较GTR好 gm -0.2%/oC Ron 正温度系数，0.4~0.8%/oC ，并联可自然均流。
形成N沟道，电子导电。
类型：增强型，耗尽型
D
G S
增强型
２.P沟道MOSFET：空穴导电
D
分类：增强型，耗尽型
G
S
增强型
D
G S
耗尽型
3．存在问题：平面型结构
S、G、D处于同一平面，电流横向流动，电流容量不可能 太大；要获得大功率，可增大沟道宽/长比（W/L），但沟道 长度受工艺限制，不能很小；增大管芯面积，但不经济，因此 管子功率小，大功率难实现。
1．开关过程与开关时间：
MOSFET为单极型器件，多数载流子导电，本身电阻效应
和渡越效应对开关过程影响很小，开关速度很高，ns级（典型
值20 ns）
延迟时间 上升时间
Vi上升到VT
①开通时间： ton td tr
影响因素：VT，CGS，CGD及 信号源上升时间、内阻。
Vi
②关断时间： toff ts t f
最大允许重复电压
200A / S
影响换向速度di/dt的主要原因是：引线电感和二极管反向电压
如：电源电压50V，线路杂散电感100nH，则：
di dt
VDD L
500A / S
3）MOSFET应用时，电路参数对CSOA的影响：
①栅源极间电阻RGS和电感LGS的影响
如果RGS或LGS过大，二极管反向恢复时产生的，dVDS/dt可能使 VGS>VT，造成误导通；有时虽不能使MOSFET开通，但使其进入放 大状态，延长二极管反向恢复时间，使重加电压峰值降低，反 向恢复期间功耗增加。但重加电压峰值降低，可避免MOSFET过 电压击穿。
③漏极击穿电压BVDS： 功率MOSFET的最高工作电压，使用时留有余量；加吸收回路限
制。具有正温度系数，Tj升高100OC， BVDS增大10%。 ④栅源击穿电压BVGS：
一般+20V，由于SiO2层极薄，VGS过高会发生介电击穿。 ⑤最大漏极电流IDM：受沟道宽度限制，使用时留有余量。
二、动态特性与参数
二、功率MOSFET： 如何获得高耐压、大电流器件？
对比GTR，GTR在功率领域获得突破的原因： ①垂直导电结构：发射极和集电极位于基区两侧，基区面积大，
很薄，电流容量很大。 ② N-漂移区：集电区加入轻掺杂N-漂移区，提高耐压。 ③双重扩散技术：基区宽度严格控制，可满足不同等级要求。 ④ 集电极安装于硅片底部，设计方便，封装密度高，耐压特性
定义：跨导gm，表示MOSFET的放大能力，提高宽/长比，可
增大gm。
V GS（OFF） 夹断电压
gm I D VGS
（S）
增强型
耗尽型
开启电压
转移特性
gm—VGS关系曲线
4．静态参数： ①通态电阻Ron： 定义：在规定VGS下，MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直
流电阻。它决定管子发热，影响输出功率，通态压降。 Ron组成：
①降低通态电阻，有利于电流提高。 多元集成结构使每个MOSFET单元沟道长度大大缩短，并联
后，沟道电阻大大减小，对提高电流大为有利。 如：IRF150N沟道MOSFET，通态电阻0.045Ω
②提高工作频率，改善器件性能。 多元集成结构使沟道缩短，减小载流子渡越时间，并联结
构，允许很多载流子同时渡越，开通时间大大缩短，ns级。
BVDS
VDS
夹断区：截止区，VGS<VT（开启电压） 无反型层，ID电流为0。
2．饱和特性：MOSFET饱和导通特性
特点：
导通时，沟道电阻较大， 饱和压降较大。不像GTR有 超量存储电荷，是单极型器 件，没有载流子存储效应。
使用时，尽量减小沟道电 阻，一般，增大VGS电压， 可使沟道电阻减小。
3．转移特性：ID与VGS关系曲线
增大，使ID下降。
2．开关安全工作区（SSOA）
ton, toff < 1us
IDM
Tj<150o
BVDS
3．转换安全工作区（CSOA）
MOSFET工作频率高，经常处于转换过程中，其中的寄生 二极管影响转换过程。定义转换安全工作区CSOA，主要是 为限制反向恢复电荷的数值。
1）功率MOSFET反向恢复电荷与各因素的关系：
2．隔离驱动电路：电磁隔离，光电隔离；
３．实用驱动电路及保护电路 种类很多：正反馈型，窄脉冲自保护型，高速关断型； 常用，如双PNP管驱动电路；
保护电路：采样漏极电压，与控制脉冲比较，实现保护。
过流检测
SBD
双绞线
三、MOSFET并联： 具有正温度系数沟道电阻，并联时可利用这一特性均流。 一般，静态电流均衡问题不大，关键是动态电流均衡分配， 如：开通、关断、窄脉冲下的峰值电流。 解决方法： ①选择器件，参数尽量一致；gm VT Ron ②并联MOSFET各栅极用电阻分开；串入电阻大于栅极电阻。 ③栅极引线设置磁珠，形成阻尼环节。 ④漏极间接入几百PF电容，改变耦合相位关系 ⑤源极引入适当电感 ⑥ 精心布局，器件对称，连线长度相同，驱动线双绞、等长。
五、典型参数
六、MOSFET与GTR比较
§5.3 栅极驱动和保护
一、栅极驱动特性 与GTR相比，驱动功率小，电路简单。
1．理想栅极驱动电路：要求电路简单，快速，具有保护功能。 栅极为容性网络，驱动源输出电阻直接影响开关速度。
Ron，Roff输出电阻 正电压开通 负电压关断
2．驱动特性
MOSFET栅源间静态电阻趋于无穷大，静态时栅极驱动电 流几乎为零，但由于栅极输入电容的存在，栅极在开通和关 断的动态驱动中仍需一定的驱动电流。
缺点：V型槽底部易引起电场集中，提高耐压困难，改进：U型MOSFET。
2．VDMOSFET：垂直导电的双扩散MOS结构
沟道部分是由同一扩散窗利用 两次扩散形成的P型体区和N+型源 区的扩散深度差形成的，沟道长度 可以精确控制——双重扩散。
电流在沟道内沿着表面流动，
然后垂直地被漏极吸收。由于漏极
也是从硅片底部引出，所以可以高
反型层沟道电阻rCH 栅漏积聚区电阻rACC FET夹断区电阻rjFET 轻掺杂区电阻rD
增大VGS，可减小rCH和rjFET rD减小和提高耐压相矛盾。
Ron与器件耐压、温度关系： 器件耐压越高， Ron越大。随温度升高， Ron增大。
②开启电压VT：阈值电压 反型层建立所需最低栅源电压。
定义：工业上，在漏源短接条件下，ID=1mA时的栅极电压。 VT随结温Tj变化，呈负温度系数，Tj每增高45OC，VT下降10%， -6.7mV/OC。
第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET)
TO-92
TO-126
TO-220F
TO-247AC
§5.1 结构与工作原理
一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小
工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET
工作原理： ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS>0，反型层出现，
度集成化。
漏源间施加电压后，由于耗尽层的
D
扩展，使栅极下的MOSFET部分几乎保
持一定的电压，于是可使耐压提高。
在此基础上，各种性能上不断改进， G
出现新结构：TMOS、HEXFET、
S
SIPMOS、π-MOS等。
寄生二极管
（二）多元集成结构 将成千上万个单元MOSFET（单元胞）并联连接形成。 特点：
快速二极管
三、安全工作区
功率MOSFET无二次击穿，安全工作区较宽，但通态电阻Ron 较大，在低压时，不仅受最大电流限制，同时受功耗限制。
1．正向偏置安全工作区（FBSOA）
IDM
PDM
无二次击穿，无P S/B限制
RON在导通时限制最大功耗
RON
和结温，VDS较低时， RON 较大，ID下降。
VDS较低时，极间电容增大， BVDS 开关过程变慢，开关损耗
四、MOSFET保护 １．防止静电击穿； ２．防止偶然性振荡损坏器件； ３．防止过电压； ４．防止过电流； ５．消除寄生晶体管、二极管影响。
§5.4 应用
DC—DC变换器； DC—AC变换器； 开关电源； 中频、高频加热电源；
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20.10.2120.10.21Wednes day, October 21, 2020
反馈电容：Crss CGD
*VDS越大，极间电容越小；低压下使用时，开关时间加大， 工作频率受限制。*开关速度与寄生电容充放电时间有关。
3．影响开关时间的因素： ①极间电容； ②寄生电感； ③VDS电压； ④ID电流； ⑤ 驱动源参数（内阻）
4．dv/dt对MOSFET动态性能影响
①静态dv/dt：会引起MOSFET栅极电压变 化，导致错误开通。在栅源间并联电阻， 可防止误开通。
好，在较小体积下，输出功率较大。
（一）VMOSFET： 保留MOSFET的优点，驱动功率小；吸收GTR优点，扩
展功率，主要工艺： ①垂直导电结构；② N-漂移区；③双重扩散技术；
1．VVMOSFET：美国雷达半导体公司1975年推出 特点： ①VGS加电压后，形成反型层沟道，电流 垂直流动。 ②漏极安装于衬底，可充分利用硅片面积 ③N-漂移区，提高耐压，降低CGD电容。 ④双重扩散可精确控制沟道长度。
§5.2 MOSFET特性与参数
一、静态特性与参数
输出特性、饱和特性、转移特性及通态电阻、开启电压、 跨导、最大电压定额、最大电流定额。
1．输出特性：
饱和区：放大区，随VGS增大， ID电流恒流区域。
可变电阻区：ID随 VDS线性变化区， VGS越大，沟道电 阻越小。
雪崩区：击穿区， VDS增大，使漏 极PN结击穿。
驱动电路 输出电阻
感性负载 引线电感
振荡过程
开通时间
②关断驱动特性：
VDS关断时，由于引线电感 存在，产生尖峰电压 电路中应加缓冲电路，限幅 电路防止过电压 关断时，负驱动信号
VGS=VDS+VT 预夹断，进入放大区
尖峰电压
二、栅极驱动电路
（一）驱动电流选择：
不同MOSFET，极间电容量不同，功率越大，极间电容越大， 开通关断驱动电流也越大。
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。14:55:1414:55:1414:5510/21/2020 2:55:14 PM
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20.10.2114:55:1414:55Oc t-2021- Oct-20
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。14:55:1414:55:1414:55Wednesday, October 21, 2020
②动态dv/dt：回路中电感在MOSFET关 断时，引起动态dv/dt；工作频率越高， 负载等效电感越大，器件同时承受大的 漏极电流和高漏极电压，将导致器件损 坏。
加吸收回路，减小引线长度，采用谐 振型电路，可抑制dv/dt
③二极管恢复期dv/dt：在MOSFET使用中，二极管发生续流 过程时，漏极电压快速上升，内部二极管反向恢复过程中导 致损坏。主要原因是寄生二极管表现为少子器件，有反向恢 复时间，反向恢复期间存储电荷快速消失，会增大电流密度 和电场强度，引起局部击穿（如二次击穿），导致器件损坏。
பைடு நூலகம்
转换前二极管 中最大正向电 流
电流变化率di/dt
漏源峰值电压
2）定义：CSOA为功率MOSFET寄生二极管反向恢复性能所 决定的极限工作范围。
表示：在换向速度di/dt一定时，用漏极正向电压（二极管反向 电压）和二极管正向电流的安全运行极限值表示。
二极管最大正向电流
di 100A / s dt
1．开通驱动电流：
I G ( on )
CinVGS ts
(CGS
CGD )VGS ts
在ts时间内，将栅极输入电容充电到饱和导通所需电压VGS
2．关断驱动电流：
IG(off )
CGDVDS
t
' s
截止时漏极电压 放电时间
（二）驱动电路 1．直接驱动电路：TTL OC门驱动
互补输出驱动 CMOS驱动电路
存储时间 下降时间
影响因素：CDS，负载电阻RD
2．极间电容：CGS，CGD，CDS
CGS，CGD取决于管子几何形状， 绝缘层厚度等物理尺寸，数值 稳定，几乎不变化。
CDS由PN结形成，取决于沟道 面积，反偏程度，受电压、温 度变化影响。 一般：
输入电容：Ciss CGS CGD
输出电容：Coss CDS CGD
②结温影响 Tj升高，CSOA曲线缩小。
③电路引线电感影响 引线电感在二极管反向恢复时会产生反电动势，使器件承
受很高的峰值电压。二极管换向速度越快，引线电感越大， 峰值电压越高，对COSA要求更苛刻，应尽量减小引线电感。
L
四、温度稳定性：较GTR好 gm -0.2%/oC Ron 正温度系数，0.4~0.8%/oC ，并联可自然均流。
形成N沟道，电子导电。
类型：增强型，耗尽型
D
G S
增强型
２.P沟道MOSFET：空穴导电
D
分类：增强型，耗尽型
G
S
增强型
D
G S
耗尽型
3．存在问题：平面型结构
S、G、D处于同一平面，电流横向流动，电流容量不可能 太大；要获得大功率，可增大沟道宽/长比（W/L），但沟道 长度受工艺限制，不能很小；增大管芯面积，但不经济，因此 管子功率小，大功率难实现。
1．开关过程与开关时间：
MOSFET为单极型器件，多数载流子导电，本身电阻效应
和渡越效应对开关过程影响很小，开关速度很高，ns级（典型
值20 ns）
延迟时间 上升时间
Vi上升到VT
①开通时间： ton td tr
影响因素：VT，CGS，CGD及 信号源上升时间、内阻。
Vi
②关断时间： toff ts t f
最大允许重复电压
200A / S
影响换向速度di/dt的主要原因是：引线电感和二极管反向电压
如：电源电压50V，线路杂散电感100nH，则：
di dt
VDD L
500A / S
3）MOSFET应用时，电路参数对CSOA的影响：
①栅源极间电阻RGS和电感LGS的影响
如果RGS或LGS过大，二极管反向恢复时产生的，dVDS/dt可能使 VGS>VT，造成误导通；有时虽不能使MOSFET开通，但使其进入放 大状态，延长二极管反向恢复时间，使重加电压峰值降低，反 向恢复期间功耗增加。但重加电压峰值降低，可避免MOSFET过 电压击穿。
③漏极击穿电压BVDS： 功率MOSFET的最高工作电压，使用时留有余量；加吸收回路限
制。具有正温度系数，Tj升高100OC， BVDS增大10%。 ④栅源击穿电压BVGS：
一般+20V，由于SiO2层极薄，VGS过高会发生介电击穿。 ⑤最大漏极电流IDM：受沟道宽度限制，使用时留有余量。
二、动态特性与参数
二、功率MOSFET： 如何获得高耐压、大电流器件？
对比GTR，GTR在功率领域获得突破的原因： ①垂直导电结构：发射极和集电极位于基区两侧，基区面积大，
很薄，电流容量很大。 ② N-漂移区：集电区加入轻掺杂N-漂移区，提高耐压。 ③双重扩散技术：基区宽度严格控制，可满足不同等级要求。 ④ 集电极安装于硅片底部，设计方便，封装密度高，耐压特性
定义：跨导gm，表示MOSFET的放大能力，提高宽/长比，可
增大gm。
V GS（OFF） 夹断电压
gm I D VGS
（S）
增强型
耗尽型
开启电压
转移特性
gm—VGS关系曲线
4．静态参数： ①通态电阻Ron： 定义：在规定VGS下，MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直
流电阻。它决定管子发热，影响输出功率，通态压降。 Ron组成：
①降低通态电阻，有利于电流提高。 多元集成结构使每个MOSFET单元沟道长度大大缩短，并联
后，沟道电阻大大减小，对提高电流大为有利。 如：IRF150N沟道MOSFET，通态电阻0.045Ω
②提高工作频率，改善器件性能。 多元集成结构使沟道缩短，减小载流子渡越时间，并联结
构，允许很多载流子同时渡越，开通时间大大缩短，ns级。
BVDS
VDS
夹断区：截止区，VGS<VT（开启电压） 无反型层，ID电流为0。
2．饱和特性：MOSFET饱和导通特性
特点：
导通时，沟道电阻较大， 饱和压降较大。不像GTR有 超量存储电荷，是单极型器 件，没有载流子存储效应。
使用时，尽量减小沟道电 阻，一般，增大VGS电压， 可使沟道电阻减小。
3．转移特性：ID与VGS关系曲线
增大，使ID下降。
2．开关安全工作区（SSOA）
ton, toff < 1us
IDM
Tj<150o
BVDS
3．转换安全工作区（CSOA）
MOSFET工作频率高，经常处于转换过程中，其中的寄生 二极管影响转换过程。定义转换安全工作区CSOA，主要是 为限制反向恢复电荷的数值。
1）功率MOSFET反向恢复电荷与各因素的关系：
2．隔离驱动电路：电磁隔离，光电隔离；
３．实用驱动电路及保护电路 种类很多：正反馈型，窄脉冲自保护型，高速关断型； 常用，如双PNP管驱动电路；
保护电路：采样漏极电压，与控制脉冲比较，实现保护。
过流检测
SBD
双绞线
三、MOSFET并联： 具有正温度系数沟道电阻，并联时可利用这一特性均流。 一般，静态电流均衡问题不大，关键是动态电流均衡分配， 如：开通、关断、窄脉冲下的峰值电流。 解决方法： ①选择器件，参数尽量一致；gm VT Ron ②并联MOSFET各栅极用电阻分开；串入电阻大于栅极电阻。 ③栅极引线设置磁珠，形成阻尼环节。 ④漏极间接入几百PF电容，改变耦合相位关系 ⑤源极引入适当电感 ⑥ 精心布局，器件对称，连线长度相同，驱动线双绞、等长。
五、典型参数
六、MOSFET与GTR比较
§5.3 栅极驱动和保护
一、栅极驱动特性 与GTR相比，驱动功率小，电路简单。
1．理想栅极驱动电路：要求电路简单，快速，具有保护功能。 栅极为容性网络，驱动源输出电阻直接影响开关速度。
Ron，Roff输出电阻 正电压开通 负电压关断
2．驱动特性
MOSFET栅源间静态电阻趋于无穷大，静态时栅极驱动电 流几乎为零，但由于栅极输入电容的存在，栅极在开通和关 断的动态驱动中仍需一定的驱动电流。
缺点：V型槽底部易引起电场集中，提高耐压困难，改进：U型MOSFET。
2．VDMOSFET：垂直导电的双扩散MOS结构
沟道部分是由同一扩散窗利用 两次扩散形成的P型体区和N+型源 区的扩散深度差形成的，沟道长度 可以精确控制——双重扩散。
电流在沟道内沿着表面流动，
然后垂直地被漏极吸收。由于漏极
也是从硅片底部引出，所以可以高
反型层沟道电阻rCH 栅漏积聚区电阻rACC FET夹断区电阻rjFET 轻掺杂区电阻rD
增大VGS，可减小rCH和rjFET rD减小和提高耐压相矛盾。
Ron与器件耐压、温度关系： 器件耐压越高， Ron越大。随温度升高， Ron增大。
②开启电压VT：阈值电压 反型层建立所需最低栅源电压。
定义：工业上，在漏源短接条件下，ID=1mA时的栅极电压。 VT随结温Tj变化，呈负温度系数，Tj每增高45OC，VT下降10%， -6.7mV/OC。
第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET)
TO-92
TO-126
TO-220F
TO-247AC
§5.1 结构与工作原理
一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小
工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET
工作原理： ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS>0，反型层出现，
度集成化。
漏源间施加电压后，由于耗尽层的
D
扩展，使栅极下的MOSFET部分几乎保
持一定的电压，于是可使耐压提高。
在此基础上，各种性能上不断改进， G
出现新结构：TMOS、HEXFET、
S
SIPMOS、π-MOS等。
寄生二极管
（二）多元集成结构 将成千上万个单元MOSFET（单元胞）并联连接形成。 特点：
快速二极管
三、安全工作区
功率MOSFET无二次击穿，安全工作区较宽，但通态电阻Ron 较大，在低压时，不仅受最大电流限制，同时受功耗限制。
1．正向偏置安全工作区（FBSOA）
IDM
PDM
无二次击穿，无P S/B限制
RON在导通时限制最大功耗
RON
和结温，VDS较低时， RON 较大，ID下降。
VDS较低时，极间电容增大， BVDS 开关过程变慢，开关损耗
四、MOSFET保护 １．防止静电击穿； ２．防止偶然性振荡损坏器件； ３．防止过电压； ４．防止过电流； ５．消除寄生晶体管、二极管影响。
§5.4 应用
DC—DC变换器； DC—AC变换器； 开关电源； 中频、高频加热电源；
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20.10.2120.10.21Wednes day, October 21, 2020
反馈电容：Crss CGD
*VDS越大，极间电容越小；低压下使用时，开关时间加大， 工作频率受限制。*开关速度与寄生电容充放电时间有关。
3．影响开关时间的因素： ①极间电容； ②寄生电感； ③VDS电压； ④ID电流； ⑤ 驱动源参数（内阻）
4．dv/dt对MOSFET动态性能影响
①静态dv/dt：会引起MOSFET栅极电压变 化，导致错误开通。在栅源间并联电阻， 可防止误开通。
好，在较小体积下，输出功率较大。
（一）VMOSFET： 保留MOSFET的优点，驱动功率小；吸收GTR优点，扩
展功率，主要工艺： ①垂直导电结构；② N-漂移区；③双重扩散技术；
1．VVMOSFET：美国雷达半导体公司1975年推出 特点： ①VGS加电压后，形成反型层沟道，电流 垂直流动。 ②漏极安装于衬底，可充分利用硅片面积 ③N-漂移区，提高耐压，降低CGD电容。 ④双重扩散可精确控制沟道长度。
§5.2 MOSFET特性与参数
一、静态特性与参数
输出特性、饱和特性、转移特性及通态电阻、开启电压、 跨导、最大电压定额、最大电流定额。
1．输出特性：
饱和区：放大区，随VGS增大， ID电流恒流区域。
可变电阻区：ID随 VDS线性变化区， VGS越大，沟道电 阻越小。
雪崩区：击穿区， VDS增大，使漏 极PN结击穿。