超大规模集成电路的总结

超大规模集成电路的总结

电信08 陈敏捷学号：200810235

【摘要】：

英文名称:A circuit containing one hundred thousand to one million electronic units on a chip.

简称“vlsi电路”。指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成，故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时，硬件费用几乎可不计，而取决于设计费用。国际上硅片面积已增至厘米见方，管数达十亿个而线宽为0至1微米。

超大规模集成电路：VLSI (Very Large Scale Integration)

通常指含逻辑门数大于10000 门(或含元件数大于100000个)。

【关键词】：双极型集成电路微处理器晶体管逻辑电路集成电路技术得克萨斯半导体计算机触发器集成运放电路公司

【简介】：集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠

性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子

设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶

体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。

集成电路按集成度高低的不同可分为

SSI 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits)

MSI 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits)

LSI 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits)

VLSI 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits)

ULSI 特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits)

GSI 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)。

近几年，中国集成电路产业取得了飞速发展。中国集成电路产业已经成为

全球半导体产业关注的焦点，即使在全球半导体产业陷入有史以来程度最严重

的低迷阶段时，中国集成电路市场仍保持了两位数的年增长率，凭借巨大的市

场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源，以及经济的稳定发展和宽松的政

策环境等众多优势条件，以京津唐地区、长江三角洲地区和珠江三角洲地区为

代表的产业基地迅速发展壮大，制造业、设计业和封装业等集成电路产业各环

节逐步完善。

目前，中国集成电路产业已经形成了IC设计、制造、封装测试三业及支

撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局，随着IC设计和芯片制造行业的

迅猛发展，国内集成电路价值链格局继续改变，其总体趋势是设计业和芯片制

造业所占比例迅速上升。

根据及中国集成电路行业发展的现状，综合国家统计局、商务部、工信部、行业协会等权威部门发布的统计信息和统计数据，糅合各类年鉴信息数据、各

类财经媒体信息数据、各类商用数据库信息数据，依靠强大的研究和调查团队，对集成电路行业发展状况和发展前景，在独立、公正、公开的原则指引下，撰

写了《2010-2012年中国集成电路行业发展前景分析及投资规划研究报告》，较为系统、全面地分析了集成电路产业的市场状况和发展趋势，能够为企事业

单位深入细致地认知集成电路产业的市场情况提供具有价值和指导意义的成果。

【主要部分】：中国半导体发展自新中国发展以来，积累了数代人的心血。曾经的努力与挫折，既奠定上中国半导体工业的基础，又被先进国家拉大了距离。回头再看这一个个中国半导体产业留下的脚印，相信在新的时代，中国的半导体产业会有新的发展。

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所） 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。