第六章 晶体生长简介
南京大学-晶体生长课件-Chapter 6-晶体生长理论

§6.1. 晶体生长理论简介
1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno) 发表了《论固体中自然含有的固体》,自此以来,开始了 晶体生长理论探索的篇章。经过各国科学家的精心研究,晶体生长理论已经有了长足的发展, 出现了各种各样的不同理论及模型。如晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC理论和负离子 配位多面体生长基元模型4个阶段,目前又出现了界面相理论模型等新的理论模型。现代晶体 生长技术、晶体生长理论以及晶体生长实践相互影响,使人们越来越接近于揭开晶体生长的神 秘面纱。
从晶体平衡形态理论到负离子配位多面体生长基元模型,晶体生长理论在不断地发展并趋 于完善,主要体现在以下几个方面:从宏观到微观,从经验统计分析到定性预测,从考虑晶体 相到考虑环境相,从考虑单一的晶体相到考虑晶体相和环境相。晶体生长的定量化,并综合考 虑晶体和环境相,以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的发展方向。
(1)布拉维法则:法国晶体学家A.Bravais于1850年利用群论推导出具有一定对称性的空间点阵 只有14种,分属于7大晶系;1866年,Bravais又论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系, 提出实际晶体的晶面常常平行网面结点密度最大的面网,这就是布拉维法则。布拉维法则阐明了晶 面发育的基本规,但是它只能预测同种晶体的一种形态, 即晶体的理想生长形态, 无法解释同种晶体 在不同生长条件下可具有不同的生长形态的实验事实。布拉维法法则只给出了晶体内部结构与生长 形态之间的关系, 完全忽略了生长条件对生长形态的作用。
该定律给出了晶体生长形态具体求解方法虽然, 运动学理论能够通过定量计算给出晶体的生 长形态但有一个重要的假设, 即某一生长系统中驱动力场是均匀的这实质上忽视了环境相和生长 条件对晶体生长形态的作用另一方面, 应用运动学定律, 通过计算得出晶体的生长形态, 必须首先 得到法向生长速率与晶面取向的关系, 这实际上是十分困难的从而大大限制了理论的实际应用利 用该定律能够定量计算出晶体的生长形态。
晶体生长简介

晶体⽣长简介⼀什么叫做晶体原⼦,分⼦或离⼦按照⼀定的规律周期性排列组成的固体。
⼆晶体⽣长的原理其原理基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。
如在溶液中的晶体⽣长要求在平衡溶解度附近溶质有⼀定合宜的过饱和度。
三晶体⽣长过程晶体是在物相转变的情况下形成的。
物相有三种,即⽓相、液相和固相。
只有晶体才是真正的固体。
由⽓相、液相转变成固相时形成晶体,固相之间也可以直接产⽣转变。
晶体⽣成的⼀般过程是先⽣成晶核,⽽后再逐渐长⼤。
⼀般认为晶体从液相或⽓相中的⽣长有三个阶段:①介质达到过饱和,过冷却阶段;②成核阶段;③⽣长阶段。
四晶体⽣长的特点 在单位时间内,单位体积中所形成的晶核的数⽬称成核速度。
它决定于物质的过饱和度或过冷却度。
过饱和度和过冷却度越⾼,成核速度越⼤。
成核速度还与介质的粘度有关,浓度⼤会阻碍物质的扩散,降低成核速度. 晶核形成后,将进⼀步成长。
五晶体⽣长的渊源历史(1)最早出现的⼈造晶体——⾷盐《演繁露》中记载有:“盐已成卤⽔,暴烈⽇中,即成⽅印,洁⽩可爱,初⼩渐⼤,或数⼗印累累相连。
”(2)银朱——⼈造⾠砂的制造李时珍引胡演的《丹药秘诀》说:“升炼银朱,⽤⽯亭脂⼆⽄,新锅内熔化。
次下⽔银⼀⽄,炒作青砂头。
炒不见星,研末罐盛,⽯板盖住,铁线缚定,盐泥固济,⼤⽕煅之,待冷取出。
贴罐者为银朱,贴⼝者为丹砂。
”这实际上是汞和硫通过化学汽相淀积⽽形成⾠砂的过程,称为“升炼”。
我们现在⽣长砷化镓⼀类的光电晶体,基本上还在⽤“升炼”的⽅法,这种⽅法我国在炼丹术时代就已经开始使⽤了。
(3)晶体⽣长的发展简史国际上:结晶学萌芽于17世纪,丹麦学者斯丹诺:晶⾯⾓守恒定律。
晶体⽣长⼤部分⼯作是从20世纪初期开始:焰熔法1902年⽔热法1905年提拉法1917年Pfann1952年发展了区熔技术1949年,英国法拉第学会举⾏了第⼀次关于晶体⽣长的国际讨论会,为以后发展晶体⽣长理论奠定了基础。
结晶学与矿物学-晶体生长简介

➋ 在一个晶体上,各晶面间相对的 生长速度与其本身的面网密度成反比。
即 面网密度越Βιβλιοθήκη 的晶面,其生长速度越慢;而 面网密度小的晶面的生长速度则快, 以至最终消失了。
∴ 晶体上得以保存下来的晶面 是面网密度大的晶面。
实际晶体为面网密度大的面网所包围。
小结:
1.重点: 晶体生长和晶面发育的3个基本理论:
按空间格子规律,自发地集结成体积达 一定大小但仍极其微小的微晶粒即晶核。
一、层生长理论
晶体的自限性是晶体在生长过程中
按格子构造中的某些原子面网逐层 平行生长的结果。
层生长理论:科塞尔-斯特兰斯基二维成核理论。
在理想条件下,晶体的生长过程是在晶核 的基础上先长完一条行列,再长相邻的行列,
长满一层面网,再开始长第二层面网, 逐层地向外平行推移。当生长停止时, 其最外层的面网便表现为实际晶面。
意义: 解释:
➊ 晶体自发地长成面平、棱直的
规则的凸几何多面体;(晶体的自限性)
➋ 矿物晶体的环带构造;
➌ 同种矿物的不同晶体对应晶面之间 的夹角不变;(面角守恒定律)
➍ 生长锥或砂钟状构造。
注意: 实际晶体生长并非完全按照 二维生长机制进行,往往一层未长完 另一层又开始生长。
(过饱和度或过冷却度低时)
这意味着,即使是在溶液的过饱和度很低
的情况下,晶体仍可以按螺旋生长机理 而不断地生长。
➋ 晶体按螺旋生长模型生长最终会 在晶面上形成各种各样的螺旋纹。
三、布拉维法则
晶体上的实际晶面 平行于对应空间格子中 面网密度大的面网,且面网密度越大, 相应晶面的重要性也越大。
注意:
➊ 晶面的重要性, 可由晶面本身的大小, 在各个晶体上出现的频数, 以及是否平行于解理面等来衡量。
《晶体生长机理》课件

晶体生长的原理
晶体生长是指晶体在适宜的条件下从溶液或气相中生长增大的过程。它受到 晶体生长条件和晶体形态影响,涉及物质输送、结晶核、晶体生长速率等因 素。
滴定法生长晶体
滴定法是一种常用的生长晶体的方法。它利用溶液中所含物质的滴定反应, 控பைடு நூலகம்条件使晶体从溶液中沉淀出来。
物质输送导致晶体生长
物质输送是晶体生长的重要因素之一。毛细管现象导致了溶液中物质传输的 变化,对晶体生长速率产生影响。晶体生长速率与传质系数密切相关。
结论
晶体生长机理的研究对于推动材料科学和生命科学的发展至关重要。未来的研究方向包括深入探究晶体 生长的动力学过程和机制,并应用于更广泛的领域。
《晶体生长机理》PPT课 件
晶体生长机理是研究晶体生长过程及其原理的学科。本课件将介绍晶体的定 义、组成、生长过程、条件,以及滴定法生长晶体、物质输送导致晶体生长 等内容。
什么是晶体?
晶体是具有确定的物理结构和几何形状的固体物质。它由阵列有序排列的原 子、离子或分子构成,因此具有独特的性质和形态。
晶体生长机制的研究方法
研究晶体生长机制的方法包括红外光谱法、X射线衍射法和晶体形态模拟法。 这些方法可以揭示晶体生长的分子结构、微观行为和晶体形态发展规律。
晶体生长机理的意义
晶体生长机理对新材料研究和生命科学具有重要意义。了解晶体生长原理可 以指导材料设计、制备和性能优化,以及研究细胞、蛋白质等生命科学领域。
化学晶体生长

化学晶体生长化学晶体生长是指无机物质或有机物质在固态中形成有序排列的晶体结构的过程。
这是一门涉及化学、物理和材料科学的综合学科,对于理解晶体的性质和应用具有重要意义。
本文将介绍化学晶体生长的基本原理及其应用。
一、晶体的结构与形成晶体是由原子、离子或分子通过空间有序排列而形成的固体。
在晶体中,原子、离子或分子按照规律的方式组成晶胞,晶胞的重复堆积构成晶体的空间结构。
晶体的生长过程包括凝聚核的形成、晶体单位元的逐渐有序排列和晶体尺寸的增长。
晶体生长的速度受到溶液中物质浓度、温度、压力、pH值以及溶液中的杂质等因素的影响。
二、晶体生长的机制1. 溶液晶体生长机制溶液晶体生长是指在溶液中溶质和溶剂的相互作用下形成晶体的过程。
具体而言,溶液中的溶质分子与溶剂分子发生化学吸附或物理吸附,形成活性吸附层,然后通过扩散和复分解等过程在溶液中逐渐有序排列,并最终沉积在晶体表面,进一步增长晶体。
2. 蒸发晶体生长机制蒸发晶体生长是指通过溶剂蒸发,使溶质逐渐聚集并沉积形成晶体的过程。
当溶液中的溶剂逐渐蒸发时,溶质浓度逐渐升高,达到饱和后,溶质开始结晶并形成晶体。
3. 熔融晶体生长机制熔融晶体生长是指在高温下,由于溶质在熔融体中具有较高的溶解度,然后通过熔融体中的扩散、结晶和固态反应来形成晶体的过程。
具体而言,将合适的溶质和溶剂混合,并在高温下熔融,然后通过冷却使其逐渐结晶。
三、化学晶体生长的应用化学晶体生长在生物学、医学、材料科学和电子领域具有广泛的应用。
1. 材料科学中的应用化学晶体生长为制备高质量的单晶提供了重要的方法。
通过调控晶体生长的条件和参数,可以获得优良的晶体,用于制备具有特殊性能的材料,如半导体材料、光学材料和磁性材料等。
2. 生物学和医学中的应用晶体生长可以用于研究生物分子的结构和性质。
通过生长蛋白质、核酸和其他生物大分子的晶体,可以利用X射线衍射等方法解析其分子结构,进一步理解其功能和相互作用。
此外,晶体生长也可用于制备药物的结晶体以及生物医学材料的制备。
晶体生长ppt

晶体缺陷与晶体的物理性质之间存在密切关系。例如,位错 密度越高,材料的强度和韧性越差;空位浓度越高,材料的 导电性越差等。通过对晶体缺陷的控制和优化,可以改善材 料的性能。
03
晶体生长的化学基础
化学键与晶体结构
共价键
01
共价键是原子间通过共享电子对而形成的强相互作用力,它决
定了晶体的结构和化学性质。
固相生长是指通过固态物质之间的反应或扩散过 程,形成新的固态晶体的过程,包括机械研磨法 、热压烧结法等。
晶体生长的应用
1
晶体生长在材料科学和物理学领域具有广泛的 应用价值,如制备高性能材料、制造光学器件 、制备半导体材料等。
2
在能源领域,晶体生长技术也被广泛应用于太 阳能电池、燃料电池等新能源器件的制造过程 中。
04
晶体生长方法
气相生长法
物理气相沉积法
包括真空蒸发、激光烧蚀等,通过 在真空中蒸发原料,使原料原子或 分子沉积在基底表面形成晶体。
化学气相沉积法
通过化学反应的方式,使用气体原 料在基底表面形成晶体。
气相生长法的优点
可以生长出高质量、大尺寸的单晶 ,同时具有高沉积速率。
气相生长法的缺点
需要高真空设备,生产成本较高, 且生长速度较慢。
3
同时,晶体生长技术还可以应用于生物医学领 域,如制备生物材料、药物传递等。
02
晶体生长的物理基础
晶体的结构与性质
晶体结构
晶体具有格子构造,原子或分子在空间中按照一定的规律重复排列。不同的 晶体结构具有不同的物理性质,如硬度、导电性、光学特性等。
晶体对称性
晶体具有对称性,即晶体的形状和内部结构可以在空间中重复出现。这种对 称性也影响了晶体的物理性质。
晶体生长过程

晶体生长过程一、晶体生长的概述晶体是由具有一定规律排列的原子、离子或分子组成的固体物质,它们在自然界中广泛存在。
晶体生长是指从溶液或气态中将原料分子聚集成晶体的过程。
这个过程涉及到许多因素,如温度、压力、浓度、溶剂等。
二、晶体生长的分类根据晶体生长的方式和条件,可以将其分为以下几类:1. 溶液法:将溶质加入溶剂中,通过控制温度和浓度来促进晶体生长。
2. 气相法:通过在高温下使气态原料在固相表面上沉积而形成晶体。
3. 熔融法:将物质熔化后,在适当条件下冷却结晶形成晶体。
4. 生物合成法:利用生物细胞或酵素来控制晶种生成和调节结构。
三、溶液法晶体生长的步骤1. 源液制备:根据需要选择适当的原料和溶剂,并按照一定比例混合制备源液。
2. 清洁容器:选用干净的容器,并用去离子水或其他清洗剂进行清洗,避免污染源液。
3. 源液加热:将源液加热至适当温度,以促进晶体生长。
4. 晶种制备:将晶种(已有的微小晶体)加入源液中,以便新的晶体可以在其上生长。
5. 晶体生长:在温度和浓度控制下,源液中的原料分子逐渐聚集形成新的晶体。
这个过程需要一定时间,并且需要不断地添加原料和调节条件。
6. 分离和洗涤:当晶体生长到一定大小后,需要将其从溶液中分离出来,并用去离子水或其他溶剂进行洗涤和干燥。
四、影响晶体生长的因素1. 温度:温度是影响晶体生长速率和结构的重要因素。
通常情况下,温度越高,晶体生长速率越快。
2. 浓度:浓度也是影响晶体生长速率和结构的关键因素。
一般来说,浓度越高,晶体生长速率越快。
3. 溶剂选择:不同的溶剂对晶体生长的影响也不同。
有些溶剂可以促进晶体生长,而有些则会抑制晶体生长。
4. 晶种:晶种的质量和数量对晶体生长也有很大的影响。
好的晶种可以提高晶体生长速率和质量。
5. 搅拌:搅拌可以使源液中的原料分子更加均匀地分布,从而促进晶体生长。
6. pH值:pH值对于一些化学反应和分子聚集也有很大影响,因此它也会影响晶体生长。
《晶体生长基础》精选课件

图2-3晶面消失过程
一般显露在外面的晶面其法向生长速度的是比较慢的。
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2020/1/3
实际上晶体外形常由简单面指数的晶面如 (100)、(110)、 (111)等包围。晶体形态除与晶体结构有关外,还与生长环境密切 相关。
(1)过饱和度的影响: 溶液过饱和度超过某一临界值时,晶体的形态就会发生变化
例如:人工降雨就是在饱和比不大又不能均匀成核 的云层中,撒入碘化银细小微粒,就能形成雨滴。
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2020/1/3
2、非均匀成核
在区熔法制备单晶的过程中,固液界面的形状对杂散晶核 的形成产生一定的影响。
固态在接近器壁处温度较内部低,固液界面凸向固方,θ< 90 ℃,非均匀成核的杂散晶核容易形成,单晶生长被干扰。θ↓ ,界面越凸向固方,干扰↑。为生长优质单晶,必须抑制杂散晶 核的产生,使单晶生长占主导地位,θ应大于或等于90 ℃,界 面呈平直状或凸向液方。
(2)PH值的影响: 生长磷酸二氢胺时,PH↓,晶体细长,PH↑,晶体短粗
(3)杂质的影响: 晶面吸附杂质后单位表面能发生变化,使晶体法向生长速度 发生变化,从而引起晶体形态的变化。
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2020/1/3
6.1.3 完整晶面生长
晶体生长的实质
生长的质点从环境相中 不断的通过界面而进人 晶格的过程。
△F极大
△F(自由能)
r0
r
自由能变化与
胚芽半径的关系
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2020/1/3
2、非均匀成核
据均匀成核理论计算,水汽凝华的临界饱和比为 4.4,水凝固的临界过冷度为40℃,某些金属凝固的 临界过冷度达100~110 ℃。
晶体生长方法简介课件

02
晶体生长的热力学条件
熔体中的溶解与析
溶解过程
在高温下,物质被加热并溶解成 液态。在溶解过程中,晶体物质 与其他物质混合,形成均匀的溶
液。
析出过程
当溶液冷却时,溶解的物质开始 以晶体的形式析出。析出的晶体 通常具有与原始溶液中相同的化
学组成和结构。
相平衡条件
在溶解和析出的过程中,需要满 足一定的相平衡条件。这些条件 包括温度、压力和组成,以确保 物质在溶液和晶体之间的转移是
晶体生长的环保与节能问题
节能技术
01
环保材料
02
废弃物处理
03
THANK YOU
05
晶体生长的设备及应用
水平管式炉
结构特点
工作原理 优缺点
立式炉
01
结构特点
02 工作原理
03 优缺点
悬浮炉
结构特点
工作原理
优缺点
连熔炉
结构特点
工作原理
优缺点
应用举例:LED晶体生长
LED晶体生长是晶体生长领域的一个重要应用方向,主要使用水平管式炉、立式炉和连熔炉 等设备。
LED晶体生长要求设备精度高、稳定性好、生产效率高,同时需要严格控制工艺参数,如温 度、时间、气氛等。
LED晶体生长的原料一般为化合物半导体材料,如GaN、InGaN等,这些材料具有宽禁带、 高发光效率等优点,是LED照明、显示等领域的重要基础材料。
06
晶体生长的最新研究进展及挑战
新型晶体生长方法研究
激光诱导晶体生长 化学气相沉积法 外延生长法
晶体生长过程的数值模拟与优化
计算机建模与仿真 量子力学计算 材料基因工程
晶体生方法介件
01
晶体生长过程

晶体生长过程晶体生长的定义和概述晶体生长是指无机物或有机物在固态条件下,由无序状态逐渐转变为有序结构的过程。
晶体生长在自然界中广泛存在,不仅对于理解地质、生物、化学等方面的现象有重要意义,还在材料科学、电子器件等领域具有广泛应用。
晶体生长的基本步骤晶体生长过程可以分为三个基本步骤:核形成、核增长和晶体成长。
核形成晶体生长的第一步是核形成。
在一定的温度、浓度和压力条件下,溶液中的溶质逐渐聚集形成微小的团聚体,即晶体的初生核。
初生核必须克服表面张力和界面能的阻力才能发展为稳定的晶体核。
初生核的形成往往是一个随机性的过程,必须具备适宜的条件才能发生。
核增长核形成过程结束后,稳定的晶体核将开始快速增长。
这个过程中,溶剂中的溶质会聚集到晶体核表面,形成晶体。
晶体的增长速度与溶液中的溶质浓度、温度和溶液的动力学条件密切相关。
晶体的增长是一个非常复杂的过程,涉及到晶面生长速率、溶质扩散、溶液对晶体的溶解等多个因素。
晶体成长核增长过程持续进行,晶体逐渐成长。
在晶体生长过程中,会出现晶面重建、聚集等现象,从而影响晶体的形状和结构。
晶体成长的最终结果是形成具有完整结构和规则形状的晶体。
影响晶体生长的因素晶体生长的过程受到多个因素的影响,包括温度、浓度、溶液动力学条件、晶体生长介质等。
温度温度是影响晶体生长的重要因素之一。
晶体生长速度通常随着温度的升高而加快,因为高温可以提高溶剂的溶解能力,促进溶质向晶体表面的扩散。
但是,过高或过低的温度都可能导致晶体生长的异常,产生缺陷或不完整的晶体。
浓度溶液中溶质的浓度对晶体生长速度和晶体形态有着重要影响。
通常情况下,溶液中溶质浓度越高,晶体生长速度越快。
但是过高的浓度可能导致溶液过饱和,不利于晶体的正常生长。
溶液动力学条件溶液动力学条件包括搅拌、溶剂的流动速度等因素,对于晶体生长也具有重要影响。
适当的搅拌可以促进溶质向晶体表面的传质,加快晶体生长速度。
而溶剂的流动速度能够影响晶体表面的溶质浓度分布,进而影响晶体的形态和生长速度。
晶体生长原理与技术

晶体生长原理与技术晶体生长是指无定形物质逐渐形成有序排列的晶体结构的过程。
晶体生长的原理和技术在材料科学、化学工程、地质学等领域都有着重要的应用。
本文将介绍晶体生长的基本原理和常见的生长技术,希望能够为相关领域的研究者和工程师提供一些参考。
晶体生长的原理主要包括热力学和动力学两个方面。
热力学上,晶体生长是在适当的温度、压力和化学势条件下,通过原子、分子或离子的有序排列形成晶体结构。
动力学上,晶体生长受到核形成、生长和形貌稳定性等多个因素的影响。
在实际应用中,热力学和动力学的相互作用决定了晶体生长的过程和结果。
晶体生长的技术包括自发晶体生长和人工晶体生长两种类型。
自发晶体生长是指在自然条件下晶体从溶液、气相或熔体中沉积生长的过程。
常见的自发晶体生长技术包括溶液结晶、气相沉积和熔融结晶等。
人工晶体生长是指通过人为控制条件来促进晶体生长的过程。
常见的人工晶体生长技术包括气相输运法、熔融法、溶液法和固相法等。
在晶体生长技术中,溶液法是应用最为广泛的一种技术。
溶液法是指将溶剂中的溶质逐渐沉积形成晶体的过程。
在溶液法中,溶剂的选择、溶质的浓度、溶液的温度和搅拌速度等因素都会对晶体生长的过程产生影响。
另外,溶液法还包括了一些特殊的技术,如悬浮溶液法、凝胶溶液法和水热法等,这些技术在不同领域都有着重要的应用。
除了溶液法,气相沉积也是一种常见的晶体生长技术。
气相沉积是指通过气相中的原子或分子沉积在基底表面上形成晶体的过程。
在气相沉积技术中,通常会选择适当的气相载体和反应条件来控制晶体的生长方向和形貌。
气相沉积技术在半导体材料、功能薄膜和纳米材料等领域有着广泛的应用。
总的来说,晶体生长是一个复杂的过程,涉及到热力学、动力学和多种技术的相互作用。
通过深入理解晶体生长的原理和技术,可以更好地控制和应用晶体材料,为材料科学和工程技术的发展提供新的思路和方法。
希望本文能够对相关领域的研究和实践有所帮助。
第六章晶体生长

(6.11)
由此可得到
Gc f ( ) Gc
(6.12)
Gc , 流体介质与基底平面完全不 当 θ =180° ,cosθ =-1 时 ,f(θ )=1, Gc
浸润 , 基底对成核不起任何催化作用。
0 , 介质与基底是完全浸润 , 即在基底 当θ =0°,cosθ =1 时 ,f(θ )=0, Gc
第 六 章
晶 体 生 各种功能晶体的生产、薄膜及纳米材料的制 备、各种地质体的成矿作用以及生命体系等等都与晶体生长相关。晶体生长最早是一 门工艺。直到 1878 年吉布斯提出的 " 论复相物质的平衡 ", 晶体生长才从实验走 向理论研究。但由于晶体生长过程是非平衡过程 , 理论发展得比较慢。最早的工作 是以晶体形态和晶面花纹与晶体结构的关系来间接推测生长过程和微观机理 , 如布 拉维法则 (BravsLaw) 、 完 整 光 滑 界 面 的 二 维 成 核 生 长 模 型 ( 又称
忽略了其他方面的作用 , 例如 , 所形成的晶芽可以自由地在母相中平动和转动 , 结果会减少晶芽的形成能 , 等等。 2.1.2 非均匀成核 在相界表面上 , 诸如在外来质点、容器壁以及原有晶体表面上形成晶核 , 称为 非均匀成核。在非均匀成核的体系中 , 其空间各点成核的概率自然地也就不同了。 在自然界里 , 如雨雪、冰雹等的形成都是属于非均匀成核。在钢铁工业中铸镜、机 械工业中的铸件 , 制盐、制糖工业结晶等也都是属于非均匀成核。在单晶生长、特 别是薄膜外延生长等方面 , 一般也都是非均匀成核。 下面讨论在基底表面上成核情况。在基底表面上成核概率比在体系中的自由空间 的成核概率来得大 , 基底表面对成核起到了催化作用。在基底表面上成核 , 常把基 底作为一平面 , 并将晶核形状作为球冠状 , 它的表面与基底表面形成浸润角θ , 如图 6.2 所示。
《晶体的生长》课件

目录
• 晶体简介 • 晶体生长的原理 • 晶体生长的方法 • 晶体生长的实验技术 • 晶体生长的应用实例 • 未来展望与挑战
01 晶体简介
晶体的定义
晶体是由原子、分子 或离子按照一定的规 律排列而成的固体物 质。
晶体的内部原子或分 子的排列方式决定了 晶体的物理和化学性 质。
界面反应与扩散
界面过程涉及界面反应和 扩散过程,研究晶体生长 过程中界面物质交换和化 学反应的规律。
界面动力学与控制
界面过程还探讨界面动力 学与控制因素,分析不同 条件下界面形态变化的动 力学过程和机制。
03 晶体生长的方法
熔体生长法
总结词
通过将原料加热至熔化后进行冷却结晶的方法。
详细描述
熔体生长法是一种常见的晶体生长方法,通过将原料加热至熔化,然后控制冷却 速度和温度梯度,使熔体中的原子或分子重新排列成晶体结构。这种方法适用于 制备大尺寸、高质量的单晶材料,如硅单晶和锗单晶等。
LED晶体材料的生长与应用
总结词
LED晶体材料是制造LED灯的关键材料,具有高效、节能、环保等特点,广泛应用能够将电能转化为光能的半导体材料。通过控制LED晶体材料的生 长和掺杂过程,可以获得具有特定能带结构和光学性质的LED晶体。LED晶体在照明、
技术创新
通过技术创新,改进晶体生长设备、 工艺和流程,提高晶体生长效率和产 量。
自动化与智能化
引入自动化和智能化技术,实现晶体 生长过程的远程监控、自动调节和控 制,提高生产效率和产品质量。
环境友好型的晶体生长方法
环保意识
随着环保意识的提高,环境友好型的 晶体生长方法成为研究重点,以减少 对环境的负面影响。
晶体具有规则的几何 外形和内部结构,其 原子排列具有周期性 。
chap.6 硅的晶体生长

结晶过程由两个环节构成:晶核的产生和晶体的长大。
2019/12/2
晶核有两类: -熔体本身形成的晶核,即自发晶核; -人为加入熔体的晶核,如拉单晶时使用的籽晶。 熔体形成自发晶核首先要形成“晶胚”,然后在一定 过冷度下形成稳定的晶核。 当熔体处于稳定状态下是一个稳定的液相,由于热运 动的涨落,总有一定几率的使熔体中部分原子聚集在 一起,形成一些仅有几个原子范围规则排列的极2019/12/2
加热器
2019/12/2
石墨中保温筒
石墨热场
2019/12/2
2019/12/2
热场对晶体生长的影响 -对晶体生长速度的影响 晶体生长速度受到两个过程的限制:一是熔 体硅中硅原子在结晶界面上按晶格位置排列 的速度;二是结晶界面处结晶潜热的释放速 度和熔硅热量的传递速度。由于前者速度很 快,因而生长速度取决于后者。 拉晶时热流传递路径如图:
95炉技术规格: 拉制晶棒直径 6"、8"或非标 最大装料量: 135kg 适用热场规格: 20";22" 适用石英坩埚规格: 20";22" 最大长晶长度: 2010mm 籽晶轴行程: 3200mm 籽晶提升速度(低): 0~10mm/min 籽晶提升速度(高): 800mm/min 籽晶旋转速度: 0~40rpm 坩埚升降速度(低): 0.000~0.500mm/min 坩埚升降速度(高): 100mm/min 坩埚轴最大承重: <230kg 坩埚转速: 0~20rpm 坩埚升降轴行程: >380mm 设备最大高度: 7300mm 冷却水流量: 280-320L/min 冷却水温度: 最宜15-30度(合适30以下不结冰) 极限真空度: <3mT 真空漏率: <0.4mT/min 籽晶绳材质: 钨质 中炉筒内径: 950mm
南京大学-晶体生长-Chapter 6-晶体生长理论优秀PPT

3
布拉维法则 ( Law of Bravais )
晶体上的实际晶面往往平行于面网密度大的面网 。
根据:晶体上不同晶面的相对生长速度与网面上结点的 密度成反比。为什么?
面网密度大—面网间距大 —对生长质点吸引力小— 生长速度慢—在晶形上保 留
面网密度小—面网间距小
—对生长质点吸引力大—
生长速度快—消失
Gibbs-Wulff晶体生长定律在实际应用中, 由于表面自由能难以知道, 计 算十分困难, 而且它只适用于处于接近平衡态时的较小线度的晶体生长形态 的预测。而对于较大线度的晶体来说, 由于存在着过饱和度的差异, 难以趋 向于平衡形态此外, 这一定律同样也不能解释晶体形态多样性。
(3)BFDH法则:1937年,Friedel. Donnay和Harker等人对Bravais法则作了 进一步的完善,特别考虑了晶体结构中螺旋轴和滑移面对其最终形态的影 响,形成了BFDH法则(或称为Donnay-Harker原理),指出,晶体的最终外形 应为面网密度最大的晶面所包围,晶面的法线方向生长速率反比于面网间 距,生长速率快的晶面族在最终形态中消失。
在同一晶体中,原子排列密度越大的晶 面和晶向其晶面间距和晶向间距也4 越大
晶面生长速度与面网密度关系
3 A a
B 1
面网密度小
A
B
C
生长速度
第六章 晶体生长理论基础

得溶液生长系统中单个分子相变驱动力f为:
f
kT S
In(C
/ C0 )
kT S
In
kT
S
(5.17)
(5.17)式表明,溶液生长系统中结晶驱动力是与溶液的过饱和度成正比。
6.3.3 熔体生长系统中的相变驱动力
熔体和晶体的吉布斯自由能与温度(或压力)的关 系曲线如图5—2所示。熔体的吉布斯自由能曲线 与晶体的吉布斯自由能曲线 在T=Tm处相交。从 曲线上可以看出当T=Tm时,熔体相与结晶相保 持平衡,Tm即为平衡时的温度。
F F1 F2 ( p1V1 p2V2 ) V1( p1 p2 )
到达平衡时,自由能有最小值,即 F 0 ,于是得力学平 衡条件为: p1=p2
就是说,力学平衡的条件为系统各部分的压强相等。
6.3 结晶相变驱动力
晶体生长过程是一个相变过程,也可看作是 相界面的推移过程。在晶体生长过程中,或在界 面的推移过程中,要涉及到三个基本问题。其一: 相界面的驱动力(结晶驱动力)是什么?其二:在相 界面的推移过程中驱动力是否作功,或者说,在 晶体生长过程中,是否遵守能量守恒规律。其三: 既然需要驱动力,必然在推移界面过程中遇到阻 力,那么在晶体生长过程中的阻力是什么?
单元系相平衡条件:单元各组元在各相中的化学势相等。
多元复相系相平衡条件:系统各组元在各相中的化学势相等。可表示为:
kA kB kC ...... ......
……………………………
A i
iB
iC
由此可见,物质在系统内各相之间转移趋势是由化学势的高低来决定,而化学势的高低与体系的
假定温度T0不变,蒸汽压由p0 增加到p(p为过饱和蒸汽压),汽相的化学式
无机非金属---第六章 晶体生长技术

为了实现单晶的成核,在不加入单晶晶种的 情况下经常将坩埚底部设计成锥体形状。
当使用晶种时,为了晶种生长,晶种必须密 封在坩埚底部。
通过冷却和直接热传递,或通过晶体生长散 热,固化过程从坩埚底端向顶端连续进行。
利用定向凝固可以制造单晶体,双晶体或 具有织构的多晶体。
可以利用合金的选分凝固特点,来提纯合 金。
(3) 反应技术 化学法 电化学法
2. 气相晶体生长技术 (1) 气体外延生长
升华-凝聚法 PVD(物理气相沉积) MBE(分子束外延技术) ALE(原子层外延技术)
(2) 化合物气体
反应-凝聚技术 CVD(化学气相沉积技术) MOCVD(金属有机化学气相沉积) MOVPE(金属有机气相外延)
3. 固相晶体生长技术
存 液
相),还具有一个自由
度,
T
B
TE
纯铁的冷却曲线及晶体结构变化
杠杆定理应用
合金的总成分X(也即 X1点)点作支点,共存 的两相成分Y(即P点) 和Z(即Q点)当作力点 的一根杠杆。
共晶体系的相图 属于这种类型的相图有 CaO-MgO, CaO-NiO, Al2O3-ZrO2等。
1.两种化合物分别在温度 TA和TB熔融而没有发生 分解,因此可以通过直 接晶体生长技术从熔体 中生长A、B晶体; TA
在许多晶体生长位置,在指定的温度和组 成情况下产生的压力可能超过晶体生长装 置的耐压能力而导致爆炸。
此外,相图不能给出反应动力学的信息, 如反应速率或亚稳中间相的形成。
2. 固溶体系列 在同类型结构的化合物中, 如BaTiO3-SrTiO3 (锶) ,KTaO3-KNbO3 和PbZrO3- PbTiO3,从一端到另一端可 以形成一系列完全连续的四元化合物,称 为固溶体系列。
《晶体生长》课件

界面结构决定了晶体与周围介质之间的相互作用方式,对晶体的物理 和化学性质有重要影响。
03
晶体生长方法
熔体法晶体生长
总结词
通过将原料放入高温熔炉中熔化,然后慢慢降温并结晶,形成大尺寸、高质量 晶体。
详细描述
熔体法晶体生长是将原料放入高温熔炉中熔化,然后通过控制降温速度和结晶 条件,使熔体逐渐结晶成晶体。该方法适用于制备大尺寸、高质量晶体,如硅 晶体、锗晶体等。
气相法晶体生长
总结词
通过将原料气体在一定条件下进行化学反应或物理变化,形成晶体。
详细描述
气相法晶体生长是将原料气体在一定条件下进行化学反应或物理变化,如化学气 相沉积、物理气相沉积等,使气体逐渐转化为固体晶体。该方法适用于制备各种 薄膜材料和纳米材料。
固相法晶体生长
总结词
通过将原料固体在一定条件下进行加 热、加压或化学反应等处理,使固体 逐渐转化为晶体。
总结词
温度是晶体生长过程中的重要参数,控制温度的稳定性和精度对晶体质量有着至关重要的影响。
详细描述
在晶体生长过程中,温度的波动会影响晶体内部的原子排列和结构,进而影响晶体的光学、电学和机 械性能。因此,精确控制温度是保证晶体质量的关键。常用的温度控制方法包括使用恒温油、水或热 电偶等。
压力控制
总结词
孪晶现象可能是由于晶体内部的对称性、溶液浓度不均等因 素导致的。为了解决这一问题,可以采取优化溶液浓度、改 变晶体形状等方法,以避免孪晶现象的发生。
THANKS
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晶体生长在电子学领域的应用包括制备半导体晶 体、集成电路等,用于制造电子器件和集成电路 。
02
晶体生长原理
晶体生长的热力学原理
热力学稳定
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七 晶体的溶解和再生长
1.晶体的溶解 将晶体置于不饱和溶液中,晶体就开始溶解。 溶解首先是由晶体的角顶和棱开始的。如明矾的八 面体溶解后呈近于球形的八面体。 晶面溶解时,首先在一些易于溶解的地方形成 小凹坑,称为蚀像(etch figure),这些蚀像是由 各种次生小晶面组成的。不同面网密度的晶面溶解 时,面网密度大的面网先溶解,这是因为面网密度 大的面网晶面间距大,容易破坏。这与晶体生长有 本质上的不同。
∑Aiσi = 最小
i=1
n
式中Ai和σi分别指在由n个晶面所围成的晶体中,第i个晶面 的面积和比表面自由能。 1901年吴里弗(Wulff)进一步扩展了居里原理。他 指出:对于平衡形态而言,从晶体中心到各晶面的距离与 晶体本身的比表面能成正比。也就是说,就晶体的平衡形 态而言,各晶面的生长速度与各晶面的比表面能成正比。
二 成核
晶体生长过程的第一步,就是形成晶核。成 核(nucleation)是一个相变过程,这一相变 (液相~固相)过程中体系自由能的变化为: △ G = △ G v+ △ G s 式中 △Gv为新相形成时体系自由能的变化, 且 △Gv<0;△Gs 为新相形成时新相与旧相 界面的表面能,且△Gs>0。 显然,晶核的形成,一方面因形成固相而 使体系自由能下降,另一方面又由于增加了液 -固界面而使体系自由能增加。
右图中箭头指强键方向,A、 B、C示PBC方向。(NaCl模型) F面:或称平坦面,有两个 以上的PBC与之平行,面网密度 最大,晶面生长速度慢,易形成 晶体的主要晶面。 S面:或称阶梯面,只有一 个PBC与之平行,面网密度中等, 质点易与不平行该面的PBC成键, 晶面生长速度中等。 K面:或称扭折面,不平行 任何PBC,面网密度小,质点极 易与不平行该面的PBC成键进入 晶格,晶面生长速度快,是易消 失的晶面。 因此,晶体上F面为最常见 且发育较大的晶面,K面经常缺 失或少见。
结晶学及矿物学
吉林大学地球科学学院
第六章 晶体生长简介
一 晶体的形成方式
1.由液相转变为固相 (1). 从熔体结晶 体系处于过冷却状态,温度低于熔点。例:金属、 岩浆作用矿物的析出。 (2). 从溶液结晶 体系应处于过饱和状态。体系处于过饱和状态有 三种情况: ①温度降低体系可以处于过饱和状态。例:结晶 矾类矿物,岩浆期后热液矿物的析出。 ②水分蒸发体系可以处于过饱和状态。例:结晶 盐类矿物; ③发生化学反应体系可以形成难溶物质。锰结核
均匀成核和非均匀成核
• 均匀成核-是指晶核从均匀的单相熔体中产 生的几率处处是相同的成核过程。 • 非均匀成核-是指借助于表面、界面、微粒 裂纹,器壁以及各种催化位置等而形成晶 核的过程,这些部位成核率高于其他部位。 实际成核都是非均匀成核。 • 晶核成型后,在一定的过冷度和过饱和条 件下,晶体会逐渐长大。
4.低温溶液生长 在低温溶液(室温到75℃)中,溶解 结晶物质,使之处于饱和状态,再通过降 温或蒸发水分使晶体从溶液中生长出来。 例CuS04.5H20 5.高温溶液生长
在高温熔液(约300℃以上)中,将晶 体的原成分熔解于某一助熔剂中,以形成 均匀的饱和熔液,晶体是在过饱和熔液中 生长,因此也叫助熔剂法或盐熔法。例萤 石加入到铁矿石中。
2.由气相转变为固相(凝华) 体系需要有足够低的蒸气压。例:火山口 附近形成的自然硫。 3.固相再结晶为固相 (1). 同质多像转变 例:α石英-β石英 (2). 原矿物的颗粒加大 例:再结晶的方解 石 (3). 固溶体分解 例:钾钠长石(条纹长石) (4). 变晶 如变质矿物 (5). 非晶质转变 例:火山玻璃转变成石英
2.螺旋生长理论模型
弗朗克(Frank)等人(1949—1951)根据实际晶体 结构中最常见的位错现象,提出了晶体的螺旋生长模 型。该模型认为,在晶体生长界面上螺旋位错露头点 所出现的凹角及其延伸所形成的二面凹角,可以作为
晶体生长的台阶源,促进光滑界面的生长。
位错的出现,在晶体的界面上提供了一个永不 消失的台阶源。随着生长的进行,台阶将会以位错处 为中心呈螺旋状分布,质点围绕着螺旋位错的轴线螺 旋状堆积。随着晶体的不断长大,最终使晶面上形成
设晶核为球形,则上式可写为
△G =4/3πr2 △Gv0+4πr2△Gs0
式中△Gv0与△Gs0分别表示单位体积 的新相形成时自由能的下降和单位面积 的新旧界面自由能的增加。
用上式可以作△G与r曲线
图中虚线为△G总自由 能的变化,由图可见,随 着晶核的长大(即r增加), 开始的时候体系自由能是 升高的,表明当晶核很小 时△Gs >△Gv,但是当晶 核半径达到某一值(rc)时, 体系自由能开始下降,表 明当晶核较大时 △Gs < △Gv,此时的rc称为临界 半径。 只有当r>rc时, △G 下降,晶核才能稳定存在。
2.晶体的再生
破坏了的和溶解了的晶体处于合适的环 境时,可以恢复其几何多面体的形态,称为 晶体的再生。 溶解和再生不是简单的相反的现象。晶 体溶解时,溶解速度是随方向逐渐变化的, 因而晶体溶解常近于球形;晶体再生时,生 长速度随方向的改变而改变,因此晶体又可 以恢复成几何多面体形态。
晶体的层生长模型,可以解释如下的一些生长现象 (1)晶体常生长成面平、棱直的多面体形态。 (2)在晶体的生长过程中,生长环境的变化,可以 导致晶体成分和物理性质的微小变化,因而在晶体的 断面上常常可以看到带状构造,表明晶面是平行向外 推移生长的。例石英的带状构造。 (3)由于晶面是向外平行推移生长的,所以同种矿 物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。 (4)晶体由小长大,许多晶面向外平行移动的轨迹 形成了以晶体中心为顶点的锥状体,称为生长锥或砂 钟状构造。 但在过饱度和过冷却度较低时,需其他模型解释。
三 晶体生长模型
1.层生长理论模型
科塞尔(Kossel 1927)首先提出、后经斯 特兰斯基(Stranski)加以发展的晶体的层生长 理论亦称为科塞尔-经斯特兰斯基理论。
该理论认为晶体表面具有三面凹角的K面,
是最有利的生长位置;具有二面凹角S面次之;最
不利的生长位置是A。
由此可以得出以 下结论:晶体在理想 情况下生长时,质点 优先沿三面凹角位生 长一条行列,而后在 二面凹角处生长另一 行列,在长满一层面 网后,质点则在光滑 表面A位形成一个二 维核,提供新的三面 凹角和二面凹角,再 开始生长第二层面网.
3.周期性键链(PBC)理论 1955年哈特曼(P.Hartman)和珀多克 (N.G.Perdok)等从晶体结构的几何特点和 质点能量两方面来探讨晶面的生长发育。他们 认为在晶体结构中存在着一系列周期性重复的 强键链,其重复特征与晶体中质点的周期性重 复相一致,这样的强键链称为周期键链 (periodic bond chain,简写为PBC)。晶 体平行键链生长,键力最强的方向生长最快。 据此可将晶体生长过程中所能出现的晶面划分 为3种类型。即F面、S面和K面。
5.结晶速度 快速生长会导致晶体形态偏离平衡状态,也会形成骸 晶、枝晶,快速生长还可以导致成核速度大,使得结晶中心 增多,晶体长得细小。反之,结晶速度小,则晶体生长得粗 大。如岩浆在地下缓慢结晶,则生长成粗粒晶体组成的深 成岩,如花岗岩;但在地表快速结晶则生长为由细粒晶 体甚至隐晶质组成的喷出岩,如流纹岩。结晶速度还影响 晶体的纯净度,快速结晶的晶体往往不纯,包裹了很多杂质。 影响晶体生长的外部因素还有很多,如晶体析出的先 后次序也影响晶体形态,先析出者有较多自由空间,晶形完 整,成自形晶;较后生长的则形成半自形晶或它形晶。
3.涡流(重力的影响) 在生长着的晶体周围,溶液中的溶质向晶体黏附, 其本身浓度降低以及晶体生长放出热量,使溶液密度 (浓度)减小。由于重力作用,轻溶液上升,远处的重 溶液补充进来,从而形成了涡流。涡流使物质供给不均 匀,有方向性,同时晶体所处的位置也有所不同,如悬浮 在溶液中的晶体下部易获得溶质的供应,而贴着基底的 晶体底部得不到溶质等等,因而生长形态特征不同。 4.粘度 溶液的粘度也影响晶体的生长。粘度的加大,将 妨碍涡流的产生,溶液的供给只有以扩散的方式来进行, 晶体在物质供给十分困难的条件下生成。由于晶体的 棱角部分比较容易接受溶质,生长得较快,晶面的中心 生长得慢,甚至完全不长,从而形成骸晶.例石盐在高度 过饱和溶液中快速生长下形成骸晶。
五 晶面的发育
1.布拉维法则 1855(1866,1885)年,布拉维(法国人) 根据晶体上不同晶面的相对生长速度与面网上 结点的密度成反比的推论导出的。该法则阐明 了晶面发育的基本规律。 晶体上的实际晶面平行于面网密度大的面 网,即实际晶体通常由面网密度大的面网所包 围。
右图为一格子构造的切面,AB、 CD、BC为3个晶面的迹线,相应 的面网密度是AB>CD>BC,质 点优先堆积图(a)1的位置,次之 是2,最后是3的位置。显然,晶面 BC将优先生长,CD次之,而AB 则落在最后。
六
影响晶体生长形态的外因
1.温度 在不同的温度下,同种物质的晶体,其不同晶面的 相对生长速度有所改变,从而影响晶体形态,如方解石 (CaCO3)在较高温度下生成的晶体呈扁平状,而在地表 水溶液中形成的晶体则往往是细长的。石英和锡石矿 物晶体亦有类似的情况。 2.杂质 溶液中杂质的存在可以改变晶体上不同面网的表 面能,所以其相对生长速度也随之变化而影响晶体形态。 例如,在纯净水中结晶的石盐是立方体,而在溶液中有 少量硼酸存在时则出现立方体与八面体的聚形。锡石 含Nb、Ta{111}发育,不含Nb、Ta{110}发育,
当晶面上结点密度大时,面网间 距也大,面网对外来质点的引力小, 生长速度慢,晶面横向扩展,最终 保留在晶体上;而晶面上结点密度 小时,面网间距也小。面网对外来 质点引力大,生长速度快,横原理
1885年皮埃尔· 居里(P.Curie)首先提出:在晶体与 其母液处于平衡条件下,对于给定的体积而言,晶体所发育 的形状(平衡形)应使晶体本身具有最小的总表面自由能,即
可以提供晶体生长条件信息的各式各样的螺旋纹。