纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

相关主题

亚阈值特性

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｉｑｕｅ，２０１６，４２（１２）：１９ — ２２，２６．
ＡｍｏｄｅｌｏｆｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｕｒｒｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｆｏｒｔｈｅｎａｎｏｓｃａｌｅＭＯＳＦＥＴ
ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
纳米级ＭＯＳＦＥＴ亚阈值区电流特性模型
王丹丹，王军，王林
（西南科技大学信息工程学院，四ＪＩｌ绵阳６２１０１０）
摘
ห้องสมุดไป่ตู้
要：基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）器件结构，从基本的漂移扩散方程出发，分别建立
ｄｉｆｆｕｓｉｏｎｅｑｕａｔｉｏｎ。ｔｈｅｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｄｒａｉｎｃｕｒｅｎｔｍｏｄｅｌａｎｄｇａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｍｏｄｅｌｗｅｒｅｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ．Ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ，ｔｈｅｒｆｅｑｕｅｎｃｙａｎｄｂｉａｓｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅｉＳｅｘｐｌｉｃｉｔｌｙｉｎｃｌｕｄｅｄｉｎｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｍｏｄｅｌｓ．Ｔｈｒｏｕｇｈｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅａｎａｌｙｓｉｓｓｈｏｗｅｄｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｄｒａｉｎｃｕｒｅｎｔｍｏｄｅｌｗｉｔｈｔｈｅｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙｏｆｓｃａｌｉｎｇａｎｄｇａｔｅｃｕｒｅｎｔｈａｓｆｏｌｌｏｗｅｄａｎｄｒｅｆｑｕｅｎｃｙ —ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ．Ｍｅａｎｗｈｉｌｅｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｏｆｔｈｅｍｏｄｅｌａｒｅ
中文引用格式：王丹丹，王军，王林．纳米级ＭＯＳＦＥＴ亚阈值区电流特性模型［Ｊ］．电子技术应用，２０１６，４２（１２）：１９ — ２２，２６．英文引用格式：ＷａｎｇＤａｎｄａｎ，ＷａｎｇＪｕｎ，ＷａｎｇＬｉｎ．ＡｍｏｄｅｌｏｆｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｕｒｒｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｆｏｒｔｈｅｎａｎｏｓｃａｌｅＭＯＳＦＥＴ［Ｊ］．
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂａｓｅｄｏｎｎａｎｏ — ｍｅｔａｌ —ｏｘｉｄｅ —ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｉｆｅｌｄ —ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｆＭＯＳＦＥＴ１ｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｓｔａｒｔｉｎｇｆｒｏｍｔｈｅｂａｓｉｃｄｉｒｆｔ —
了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性，栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿
真结果与实验结果进行了比较，验证了模型准确性。
关键词：纳米级金属氧化物场效应晶体管；亚阈值区；漏极电流；栅极电流；频率依赖性
中图分类号：ＴＮ３８６．１文献标识码：ＡＤＯＩ：１０．１６１５７／ｉ．ｉｓｓｎ．０２５８ — ７９９８．２０１６．１２．００４
ＷａｎｇＤａｎｄａｎ，ＷａｎｇＪｕｎ，ＷａｎｇＬｉｎ（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｉｒｎｇ，ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｍｉａｎｙａｎｇ６２１０１０，Ｃｈｉｎａ）