磁场强度的测量和屏蔽效率的计算
什么是磁场如何计算磁场的强度
什么是磁场如何计算磁场的强度磁场是一种物理现象，指的是在空间中由磁体或电流所产生的力场。
磁场具有方向和大小，被用来描述物体受到磁力作用的性质。
在物理学中，磁场的强度通常用标量或矢量表示。
磁场的强度，即磁场的大小，可以通过不同的方法来计算。
下面将介绍两种常见的计算磁场强度的方法。
第一种方法是利用安培定律来计算磁场强度。
安培定律是描述通过电流所产生的磁场的规律。
根据安培定律，一个长度为l、载流量为I的直导线所产生的磁场强度H与电流I和导线距离r的关系是：H = (μ0 * I) / (2 * π * r)其中，μ0为真空中的磁导率，其数值为4π × 10^-7 N/A^2。
根据这个公式，我们可以计算任意位置距离直导线的磁场强度。
第二种方法是利用毕奥-萨伐尔定律来计算磁场强度。
毕奥-萨伐尔定律描述了由电流所产生的磁场的规律。
根据毕奥-萨伐尔定律，一个长度为l、载流量为I的直导线所产生的磁场强度B与电流I、导线距离r以及与导线垂直的单位矢量n的关系是：B = (μ0 * I) / (2 * π * r) * sin(θ)其中, θ为磁场方向与导线方向之间的夹角。
根据这个公式，我们可以计算任意位置距离直导线的磁场强度，并考虑磁场方向与导线的夹角。
需要注意的是，上述的公式适用于直导线产生的磁场，如果是其他形状的磁体或者电流分布不均匀的情况，则需要使用不同的计算方法来求解磁场强度。
另外，对于一些特殊的磁体，如长直导线、无限长螺线管和无限长磁矩等，也有特定的计算公式可以使用。
对于这些特殊情况，可以根据具体问题选择合适的公式进行计算。
在实际应用中，我们可以使用磁场强度计来测量磁场的强度。
磁场强度计是一种仪器，可以测量磁场的强度并将其以数值的形式表示出来。
通过使用磁场强度计，我们可以直接获取到磁场强度的数值，而无需进行复杂的计算。
总结起来，磁场是由磁体或电流所产生的力场，其强度可以通过安培定律或毕奥-萨伐尔定律来计算。
磁场的计算和测量方法
磁场的计算和测量方法磁场是我们生活中常见的一种物理现象，它可以通过计算和测量来揭示其特性和行为。
在本文中，我们将探讨磁场的计算和测量方法，并深入了解其原理和应用。
一、磁场的计算方法磁场的计算方法有多种，其中最常见的是通过安培定律和比奥-萨伐尔定律来计算。
安培定律表明，磁场的大小与电流强度成正比，与距离成反比。
因此，我们可以通过测量电流和距离来计算磁场的强度。
具体而言，我们可以使用安培表来测量电流，并使用磁感应强度计来测量距离。
然后，根据安培定律的公式B = μ0 * I / (2πr)，其中B表示磁场强度，μ0表示真空中的磁导率，I表示电流强度，r表示距离，我们可以计算出磁场的数值。
此外，还有一种常见的计算方法是通过磁通量和磁场的关系来计算。
磁通量是磁场穿过一个平面的总磁场量，可以通过使用磁感应强度计和测量平面面积来计算。
然后，根据比奥-萨伐尔定律的公式Φ = B * A * cosθ，其中Φ表示磁通量，B表示磁场强度，A表示平面面积，θ表示磁场与平面法线的夹角，我们可以计算出磁场的数值。
二、磁场的测量方法除了计算方法外，我们还可以使用各种仪器和设备来测量磁场。
其中最常见的是磁感应强度计和霍尔效应传感器。
磁感应强度计是一种用于测量磁场强度的仪器，它包含一个磁场感应元件和一个指示器。
当磁感应元件暴露在磁场中时，它会产生一个电压信号，指示器会根据该信号显示磁场的强度。
这种仪器的优点是简单易用，适用于实验室和工业环境中的磁场测量。
另一种常用的磁场测量方法是使用霍尔效应传感器。
霍尔效应是一种基于磁场对电流的影响而产生的电势差现象，可以通过将霍尔效应传感器放置在磁场中来测量磁场的强度。
传感器会产生一个电压信号，该信号与磁场的强度成正比。
这种方法的优点是精确度高，适用于需要高精度测量的应用，如磁共振成像和磁力计。
除了这些仪器和设备，还有其他一些测量方法，如磁力计和磁化强度计。
磁力计是一种用于测量磁场力的仪器，它可以通过测量磁场对物体施加的力来确定磁场的强度。
磁场测量实验中的磁感应强度计算方法
磁场测量实验中的磁感应强度计算方法磁场是物理学中一个重要的概念，它存在于我们周围的世界中。
我们可以通过磁感应强度来了解磁场的性质和特征。
磁感应强度的计算方法在磁场测量实验中起着重要的作用。
磁感应强度是描述磁场强弱的物理量，用符号B表示，其单位是特斯拉(T)。
在实际测量中，我们可以使用霍尔效应来计算磁感应强度。
霍尔效应是指当一段导体中有电流流过时，如果将一个垂直于电流方向和磁场方向的磁场施加在导体上，就会在导体两侧产生一定的电压。
这个电压被称为霍尔电压，它与磁感应强度之间存在着一定的关系。
在进行磁场测量实验时，我们可以采用霍尔效应测量磁感应强度。
首先，我们需要将待测的磁场施加在一个导体上，并使电流通过导体。
然后，在导体两侧安装一对霍尔元件，使其中一个霍尔元件垂直于电流方向，另一个霍尔元件垂直于磁场方向。
这样，当磁场施加在导体上时，两个霍尔元件之间就会产生霍尔电压。
霍尔电压的大小与磁感应强度成正比，而与电流强度和材料本身的特性有关。
因此，在计算磁感应强度时，我们需要先测量到霍尔电压，然后根据实验条件和霍尔元件的特性曲线来计算磁感应强度。
为了准确测量霍尔电压，我们还需要注意一些实验细节。
首先，我们需要保持实验条件的稳定性，避免外界干扰因素对测量结果的影响。
其次，我们需要选择合适的霍尔元件，以确保其在给定条件下的线性响应范围。
此外，我们还需要校准实验仪器，以确保测量结果的准确性和可靠性。
在进行磁感应强度计算时，我们可以利用霍尔元件的特性曲线来进行。
特性曲线是指在给定电流和磁场条件下，霍尔电压与磁感应强度之间的关系曲线。
通过测量不同磁感应强度下的霍尔电压，我们可以绘制出特性曲线，并通过插值和外推来计算其他磁感应强度下的霍尔电压。
最后，根据实验数据和特性曲线，我们可以计算出磁感应强度的数值。
磁感应强度的计算方法在磁场测量实验中具有重要的意义。
它不仅可以帮助我们了解磁场的性质和特征，还可以用于其他相关领域的研究和应用。
屏蔽效能的计算
近场高频磁场，应采用高导电率金属，因频率较高时，磁 损将增加，高磁导率材料的屏蔽效果并不理想。
远场电磁屏蔽应采用高导电率金属并良好接地。
实践表明，低频磁场是在线监测中最难屏蔽的，主要因为，
为解决强磁场下，屏蔽材料的磁饱和问题，可采用双 层屏蔽。
H0
H1
H2
低导磁率 高饱和强度材料
高导磁率 低饱和强度材料
另一种较常用的复合屏蔽，是在高导磁材料表面涂覆 高导电材料。
这种屏蔽材料对高频和低频电磁干扰都有比较理想 的屏蔽效能。
硅钢 铜 镍
§ 6.1.3 孔缝屏蔽
屏蔽效能的计算，通常认为屏蔽体是一个完全封闭的金 属壳。但实际上任何屏蔽箱体都存在必要的穿孔和缝隙。
L
L1
CY1
CX
CY2
E
NE
L2
(a) 电源滤波器外观
(b) 等效电路
1. 插入损耗
金属板的综合屏蔽效能可表示为：
SE = A + R + B (dB)
（6-3）
A — 吸收损耗；R — 反射损耗； B — 多重反射修正因子。
1. 吸收系数 A
A 0.131t frr (dB)
（6-4）
t — 金属板厚度(mm)； f—辐射频率； r—金属板相对导磁率； r—金属板相对导电率。
为了避免走线引入附加电感，连接旁路和去耦电容器 的引线要尽量短直。
§ 6.2.3 电源滤波器
由于在现场，电源是许多设备公用的，同时公共电源通常也无屏蔽 措施。所以在线监测设备的电源线是引入传导干扰的主要来源。
磁场感应强度计算公式
磁场感应强度计算公式磁场感应强度（MagneticFieldInduction，简称MFI）是物理学家、工程师和科学家所研究的一个重要概念，它是衡量磁场在特定位置上的能量密度和磁密度的指标。
MFI的测量和计算可以帮助现代科技了解和掌握磁场中磁能量的数量及流动方向，并有助于进行磁场强度测量及模拟。
MFI的计算公式如下：MFI =感应强度/磁阻值，其中，磁感应强度是指物体表面上磁场力在两个点之间的平均值，而磁阻值是指在给定表面上被测量的恒定绝缘分布情况下的磁场能量的流动率，即能量的流动。
下面介绍一种磁感应强度的测量方法：用单磁体和形变器来测量。
在这种测量方法中，首先要准备一个单磁体，然后，用这个单磁体与形变器接触，并在形变器上施加压力，以使磁场能量流向磁体，然后，通过检测磁场能量的变化，来估计磁场的强度。
另一种磁感应强度的测量方法是用磁感应仪来测量。
该仪器是根据磁力计技术，可以检测某种特定频率的磁场能量的变化。
通过磁感应仪，可以对磁场的强度进行准确的测量，而不受物体表面形态的影响。
MFI的计算可以帮助科学家们更好地理解磁场的特性，从而帮助他们研制新型磁元件或设计新型磁技术。
例如，由于某些特定的物质或元素会影响磁场的强度从而影响磁元件的性能，若能准确计算出MFI，则可以更准确地判断出该物质对磁元件的影响，从而改进磁元件的性能。
同时，磁感应强度的计算也可用于磁场强度的模拟。
通过精确测量磁场在特定位置的MFI，可以利用计算机模拟磁场的力学行为，从而估算某些磁体在空间中某个特定点上的磁场强度等情况，可以有效地提升磁技术的精度和准确性。
总之，磁感应强度计算公式是一个重要的概念，它可以帮助科学家或研究人员更好地理解磁场的特性，并可用于磁场强度的测量和模拟。
本文简要介绍了这一概念的计算公式，并介绍了两种磁感应强度测量方法，希望本文能为大家对于磁感应强度计算公式的理解提供所需的相关信息。
常见的磁场计算公式是哪些
常见的磁场计算公式是哪些磁场是物质周围产生的一种物理现象，它可以通过一些数学公式来描述和计算。
在物理学中，有一些常见的磁场计算公式，它们可以帮助我们理解和分析磁场的性质。
本文将介绍一些常见的磁场计算公式，并对它们进行简要的解释和应用。
1. 磁场强度的计算公式。
磁场强度是描述磁场强度的物理量，通常用符号H表示。
在真空中，磁场强度与磁感应强度之间的关系可以通过以下公式来描述：H = B/μ。
其中，H表示磁场强度，B表示磁感应强度，μ表示真空中的磁导率。
这个公式告诉我们，磁场强度和磁感应强度成正比，而比例系数是真空中的磁导率。
2. 磁感应强度的计算公式。
磁感应强度是描述磁场强度的物理量，通常用符号B表示。
在磁场中，磁感应强度与磁场强度之间的关系可以通过以下公式来描述：B = μH。
其中，B表示磁感应强度，μ表示磁导率，H表示磁场强度。
这个公式告诉我们，磁感应强度和磁场强度成正比，而比例系数是磁导率。
3. 安培环定理。
安培环定理是描述磁场分布的一个重要定理，它可以通过以下公式来表示：∮B·dl = μ0I。
其中，∮B·dl表示磁感应强度B沿闭合曲线的环流积分，μ0表示真空中的磁导率，I表示通过闭合曲线的电流。
这个公式告诉我们，闭合曲线上的磁感应强度的环流积分等于通过闭合曲线的电流乘以真空中的磁导率。
4. 洛伦兹力的计算公式。
洛伦兹力是描述磁场对电荷的作用力的物理量，它可以通过以下公式来计算：F = qvBsinθ。
其中，F表示洛伦兹力，q表示电荷量，v表示电荷的速度，B表示磁感应强度，θ表示电荷速度与磁感应强度之间的夹角。
这个公式告诉我们，洛伦兹力与电荷量、电荷速度、磁感应强度以及它们之间的夹角都有关。
5. 毕奥-萨伐尔定律。
毕奥-萨伐尔定律是描述磁场对电流产生的力的定律，它可以通过以下公式来表示：F = ILBsinθ。
其中，F表示毕奥-萨伐尔力，I表示电流强度，L表示电流元的长度，B表示磁感应强度，θ表示电流元的方向与磁感应强度之间的夹角。
实验指导书1-屏蔽部件的屏蔽效能测试实验指导书
屏蔽部件的屏蔽效能测试实验指导书一、实验目的理解屏蔽的分类，加强对屏蔽效能概念理解，掌握屏蔽效能测试原理及方法。
二、实验原理屏蔽效能是同一地点无屏蔽存在时的电磁场强度与加屏蔽体后的电磁场强度之比。
（一）屏蔽效能计算方法后前P PSE lg 10=()12SE A A dB =－其中：SE 为屏蔽效能，P 前和A 1为自由空间校准接收功率值，P 后和A 2为屏蔽后接收到的接收功率值。
测量原理图如图1所示。
图1屏蔽效能测试原理图 （二）屏效测试使用天线测试频段 频率范围 标准测试天线 低频段100Hz~30MHz环形天线三、实验仪器1.电磁屏蔽室（含屏效测试窗口）2信号源SP1642B，信号源MG3694A；3.测试天线组：KSTM-1013环形天线，KSTM-2213对称振子天线，KSTH-0508微波喇叭天线（各一对）；4. 安捷伦N9020A微波频谱分析仪；5.测试电缆1#、2#、3#及附件；6.被试屏蔽材料样件。
四、实验内容及步骤实验内容：（一）磁场屏效测试（1）测试频点：250 kHz 、1MHz、30MHz（4）加屏蔽体后的测试。
（二）电场屏效测试（1）测试频点：300MHz、1GHz 。
（3）自由空间测试。
（4）加屏蔽体后的测试。
（三）平面波屏效测试（1）测试频点：4GHz、6GHz 。
（4）加屏蔽体后的测试。
测试具体步骤（以磁场频效测试为例）：1．按原理图连接测试系统，经检查系统连接正常后，将信号发生器的电源插头插入220V电源，按下“电源”开关，将信号源预热30分钟；2．自由空间测试，将信号源输出频率依次调为实验内容中的测试频点，输出功率为+20dBm；在每个频率点下，在频谱仪中读出接收到的相应频率点处的功率电平幅度dBm值记为A1；3．加屏蔽体后的测试，保持信号源输出功率不变，通过频谱仪读出有屏蔽时接收到的相应频率点处的功率电平dBm值记为A2；注：应保证受试屏蔽样件与屏蔽室测试窗口安装法兰的电连续，尤其注意安装螺栓的均匀紧固，减小安装孔缝对测试结果的影响。
磁场强度计算
一、引言磁场是自然界中普遍存在的物理现象之一，广泛应用于物理学、工程学、地质学、医学等领域。
磁场强度是描述磁场强弱和方向的物理量，对于理解磁场的性质和应用具有重要意义。
本文将介绍磁场强度的概念、计算方法及其应用。
二、磁场强度的概念磁场强度（Magnetic Field Intensity）用符号H表示，单位为安培每米（A/m）。
磁场强度是描述磁场强弱和方向的物理量，其方向与磁感应强度B的方向相同，但大小不同。
磁场强度与磁感应强度之间的关系如下：H = B / μ₀其中，B为磁感应强度，单位为特斯拉（T）；μ₀为真空磁导率，其值为4π×10⁻⁷T·m/A。
三、磁场强度的计算方法1. 磁场强度H的计算公式根据磁场强度与磁感应强度的关系，可以推导出磁场强度H的计算公式。
以下是一些常见的计算公式：（1）均匀磁场中，磁场强度H的计算公式为：H = F / (IL)其中，F为磁场力，单位为牛顿（N）；I为电流，单位为安培（A）；L为导体长度，单位为米（m）。
（2）磁感应强度B已知时，磁场强度H的计算公式为：H = B / μ₀2. 磁场强度H的数值计算（1）利用磁场强度H的计算公式进行数值计算以均匀磁场中磁场强度H的计算为例，已知磁场力F为5N，电流I为2A，导体长度L为0.5m，则磁场强度H的计算如下：H = F / (IL) = 5 / (2×0.5) = 5A/m（2）利用磁场强度H与磁感应强度B的关系进行数值计算已知磁感应强度B为0.1T，真空磁导率μ₀为4π×10⁻⁷ T·m/A，则磁场强度H的计算如下：H = B / μ₀ = 0.1 / (4π×10⁻⁷) ≈ 7.96×10⁵ A/m四、磁场强度的应用1. 磁场强度在工程领域的应用（1）电机、变压器等电气设备的设计与制造磁场强度是电机、变压器等电气设备设计制造中必须考虑的物理量。
磁场参数计算公式 (2)
磁场参数计算公式一、磁场强度与磁感应强度计算公式1、磁场强度与磁感应强度定义磁场强度是线圈安匝数的一个表征量，反映磁场的源强弱。
磁感应强度则表示磁场源在特定环境下的效果。
打个不恰当的比方,你用一个固定的力去移动一个物体,但实际对物体产生的效果并不一样,比如你是借助于工具的,也可能你使力的位置不同或方向不同.对你来说你用了一个确定的力.而对物体却有一个实际的感受,你作用的力好比磁场强度,而物体的实际感受好比磁感应强度。
2、磁场强度与磁感应强度区别磁场强度和磁感应强度均为表征磁场性质（即磁场强弱和方向）的两个物理量。
由于磁场是电流或者说运动电荷引起的，而磁介质（除超导体以外不存在磁绝缘的概念，故一切物质均为磁介质）在磁场中发生的磁化对源磁场也有影响（场的迭加原理）。
因此，磁场的强弱可以有两种表示方法：在充满均匀磁介质的情况下，若包括介质因磁化而产生的磁场在内时，用磁感应强度B表示，其单位为特斯拉T，是一个基本物理量；单独由电流或者运动电荷所引起的磁场（不包括介质磁化而产生的磁场时）则用磁场强度H表示，其单位为A/m2，是一个辅助物理量。
具体的，B决定了运动电荷所受到的洛仑兹力，因而，B的概念叫H 更形象一些。
在工程中，B也被称作磁通密度（单位Wb/m2）。
在各向同性的磁介质中，B与H的比值即介质的绝对磁导率μ。
3、磁场强度计算公式：H = N × I / Le式中：H为磁场强度，单位为A/m；N为励磁线圈的匝数；I为励磁电流（测量值），单位位A；Le为测试样品的有效磁路长度，单位为m。
4、磁感应强度计算公式：B = Φ / (N × Ae)式中：B为磁感应强度，单位为Wb/m^2；Φ为感应磁通（测量值），单位为Wb；N为感应线圈的匝数；Ae为测试样品的有效截面积，单位为m^2。
二、磁通量与磁通密度相关公式：1、Ф = B * S（1）Ф：磁通(韦伯)；B ：磁通密度(韦伯每平方米或高斯)，1韦伯每平方米=104高斯S：磁路的截面积(平方米)2、B = H * μ（2）μ：磁导率(无单位也叫无量纲)；H：磁场强度(伏特每米)3、H = I*N / l （3）I ：电流强度(安培)；N ：线圈匝数(圈T)；l ：磁路长路(米)4、当电源电压做正弦变化时，主磁通也做正弦交变，设其瞬时值为：wt m sin Φ=Φ 带入公式dtd Ne Φ-=得感应电动势的瞬时值为 wt wN dtd Ne m cos Φ-=Φ-= 则感应电动势的有效值为： m m m m fN fN wN e E Φ-=Φ-=Φ-==44.42222π 其中f 为交流电频率，N 为线圈匝数。
研究磁场中磁感应强度和磁场强度的计算方法
● 04
第4章 磁场中的回路和磁通 量
磁场中的磁通量 概念
磁通量是描述磁场通 过某一闭合曲面的总 磁力线数。根据磁通 量的计算公式$Phi B cdot A$，其中 $Phi$为磁通量， $B$为磁感应强度， $A$为面积。
磁场中的安培环路定理
描述磁感应 强度分布规
律
安培环路定理
计算磁感应 强度
02 推动磁场应用和发展
进一步推动磁场在各个领域的应用和发展， 提高磁场技术的应用水平，推动相关产业的 发展 03
● 02
第2章 磁场强度的计算方法
磁场强度的计算 方法
磁场强度是描述一个 磁场产生的能力和方 向性的物理量。计算 磁场强度的基本公式 为H B/μ，其中H为 磁场强度，B为磁感 应强度，μ为磁导率。 磁场强度的计算方法 涉及多方面内容，从 基本的定义到复杂场 景下的数值模拟都是 重要的研究领域。
通过叠加原理计 算复杂场景下的
磁场强度
磁场强度的数值模拟
有限元分析
有限元分析是一种常用的 数值模拟方法 可以准确地得到磁场强度 在空间中的分布
计算机模拟
利用计算机模拟方法 可以快速得到磁场强度的 数值解
模拟精度
模拟方法的精度影响磁场 强度计算的准确性 需要选择合适的模拟方法 来获得精确的结果
实验验证
结论推导
根据分析结果推 导结论
数据分析
利用统计学方法 对数据进行分析
结果展示和讨论
在图中，展示了磁场 中磁感应强度和磁场 强度的关系。实验数 据的讨论重点在于分 析数据背后的物理规 律，探讨数据之间的 联系，为进一步研究 提供了依据。
结论与展望
01 实验总结
总结磁感应强度和磁场强度的测量结果
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法电磁屏蔽室（EMC）是一种专门用于测试电子设备对电磁干扰容忍度的实验室。
其内部有特殊的金属屏蔽结构，可以屏蔽外部电磁波干扰，以保证实验结果的准确性。
然而，电磁屏蔽室的屏蔽效能需要得到精确的测量，本文将介绍电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法。
一、屏蔽效能的定义屏蔽效能是指电磁屏蔽室内部对外部电磁波的屏蔽能力。
通常使用衰减（dB）来表示，即单位长度内电磁波功率的减少量。
例如，衰减10dB表示电磁波功率降低了10倍。
二、屏蔽效能的测量方法1. 磁场测量法磁场测量法是一种常用的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室内放置一组磁场探头，分别测量屏蔽室内外的磁场强度，并计算出屏蔽效能。
由于磁场的传播特性与电场不同，因此该方法适用于低频电磁波的屏蔽效能测量。
2. 频域扫描法频域扫描法是一种基于电场测量的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室内放置一组电场探头，分别测量不同频率下的电场强度，并计算出相应的屏蔽效能。
该方法适用于高频电磁波的屏蔽效能测量。
3. 平面波激励法平面波激励法是一种基于传输线理论的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室外部放置一组电磁波发生器，并将发生器输出的电磁波通过传输线输入到电磁屏蔽室内部，然后测量屏蔽室内部的电磁波功率，并计算出相应的屏蔽效能。
该方法适用于电磁波频率较高的情况。
三、屏蔽效能的评价屏蔽效能的评价通常采用以下两种指标：1. 透过波比透过波比是指电磁波穿过电磁屏蔽室时的衰减量。
该指标越大，说明屏蔽效能越好。
2. 反射波比反射波比是指电磁波在电磁屏蔽室内部被反射的程度。
该指标越小，说明屏蔽效能越好。
四、注意事项在进行电磁屏蔽室屏蔽效能测量时，需要注意以下事项：1. 测量前需要将电磁屏蔽室内部的杂物清理干净，以保证测量结果的准确性。
2. 测量时需要保证电磁屏蔽室内部没有电子设备运行，以避免干扰测量结果。
3. 不同测量方法的适用范围不同，需要根据具体情况选择合适的测量方法。
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法一、简介电磁屏蔽室的屏蔽效能测量是检测电磁屏蔽室对外部电磁场的屏蔽效果的重要手段，其目的是为了判定电磁屏蔽室是否能够达到预期的屏蔽效能。
二、屏蔽效果的测量原理屏蔽效能的测量是利用电磁屏蔽室内部的电压池及电流池在外部电磁场的作用下产生的失真电压与失真电流，使用示波器来测量电压与电流的正常电压和电流，从而计算出屏蔽室内的失真电压和失真电流，从而计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
三、测量方法1、准备工作：安装相应的测试设备，如示波器、屏蔽室内部的电压池及电流池，外部电磁场生成装置等。
2、测量步骤：（1）用示波器记录电压池及电流池内的正常电压与电流；（2）打开外部电磁场生成装置，记录放电后屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流；（3）计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
四、实际测量在实际测量中，主要采用的方法是幅度法、相位法和峰值法。
它们的具体测量步骤如下：（1）幅度法：①首先，设定一定的频率。
②然后，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
③将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，记录屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流，然后计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
（2）相位法：①首先，设定一定的频率，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
②然后，将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，记录屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流，并计算它们的相位差，最后计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
（3）峰值法：①首先，设定一定的频率，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
②然后，将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，计算屏蔽室内失真电压与失真电流的峰值，然后计算出屏蔽室内屏蔽效能。
五、总结电磁屏蔽室的屏蔽效能的测量是植基于外部电磁场对其内部的影响，通过测量电压池及电流池内的正常电压与电流，以及外部电磁场影响下的失真电压与失真电流计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
低频磁场屏蔽效能计算公式
低频磁场屏蔽效能计算公式引言。
在现代社会中，我们经常会接触到各种电子设备，例如手机、电脑、电视等等。
这些电子设备产生的电磁辐射对人体健康可能会造成一定的影响。
因此，研究电磁辐射的屏蔽效能就显得尤为重要。
本文将介绍低频磁场屏蔽效能的计算公式，帮助人们更好地评估和控制电磁辐射对人体的影响。
低频磁场屏蔽效能计算公式。
低频磁场屏蔽效能是指材料对低频磁场的屏蔽能力。
在实际应用中，我们通常使用屏蔽效能来评估材料的屏蔽性能。
低频磁场屏蔽效能的计算公式如下：SE = 20log(μ/μ')。
其中，SE表示屏蔽效能，μ表示未屏蔽时的磁导率，μ'表示屏蔽后的磁导率。
磁导率是材料对磁场的响应能力，是衡量材料屏蔽性能的重要参数。
通过这个公式，我们可以计算出材料的屏蔽效能，进而评估材料对低频磁场的屏蔽能力。
应用举例。
为了更好地理解低频磁场屏蔽效能的计算公式，我们可以通过一个具体的应用举例来说明。
假设我们有一种材料，其未屏蔽时的磁导率为1.5，屏蔽后的磁导率为0.5。
根据上面的公式，我们可以计算出这种材料的屏蔽效能为20log(1.5/0.5) ≈9.54dB。
这意味着这种材料对低频磁场的屏蔽效能约为9.54dB，屏蔽能力较强。
影响因素。
低频磁场屏蔽效能受到多种因素的影响，主要包括材料的磁导率、材料的厚度、磁场的频率等。
首先，磁导率是衡量材料对磁场响应能力的重要参数，磁导率越大，材料的屏蔽效能越高。
其次，材料的厚度也会影响屏蔽效能，一般来说，材料的厚度越大，屏蔽效能越高。
最后，磁场的频率也会对屏蔽效能产生影响，不同频率下材料的屏蔽效能可能会有所不同。
实际应用。
低频磁场屏蔽效能的计算公式在实际应用中具有重要意义。
首先，通过计算屏蔽效能，我们可以评估材料对低频磁场的屏蔽能力，选择合适的材料来保护人体免受电磁辐射的影响。
其次，我们可以通过计算屏蔽效能来优化材料的设计，提高材料的屏蔽性能。
最后，通过计算屏蔽效能，我们可以对不同材料的屏蔽性能进行比较，选择最适合的材料来满足特定的应用需求。
高中物理实验测量磁场强度
高中物理实验测量磁场强度磁场强度是物理学中的重要概念，对于许多物理实验和应用具有重要意义。
高中物理实验中测量磁场强度是一项基础实验，可以通过多种方法和仪器来进行测量。
本文将介绍几种常见的方法，以及实验步骤和注意事项。
一、磁力计法测量磁场强度磁力计是一种常用的测量磁场强度的仪器，可以通过测量磁场对一定长度的导线产生的力来获得磁场强度的数值。
实验步骤如下：1. 准备一根长度为L的导线，并将其固定在充满磁场的区域内。
2. 将一磁力计放置在导线附近，并调整其位置，使其与导线垂直。
3. 测量磁力计对导线的作用力，并记录下来。
4. 通过力的大小和导线长度，计算出磁场强度B。
二、霍尔效应测量磁场强度霍尔效应是一种基于电磁感应现象的方法，可以通过测量材料中产生的霍尔电动势来计算磁场强度。
实验步骤如下：1. 准备一个霍尔元件，将其放置在磁场中。
2. 连接霍尔元件的正负极，接通电源，使电流通过霍尔元件。
3. 测量霍尔电动势，并记录下来。
4. 通过霍尔电动势的大小和已知的样品特性参数，计算出磁场强度B。
三、电桥法测量磁场强度电桥法是一种利用电路的平衡原理来测量磁场强度的方法，可以通过测量电路的平衡状态来反推磁场强度的数值。
实验步骤如下：1. 搭建一个电桥电路，其中包括一个磁场产生器和一个传感器。
2. 调整磁场产生器的输出，使电桥电路达到平衡状态。
3. 测量电桥电路的参数，包括电桥平衡条件下的电势差和已知电阻的数值。
4. 根据电桥平衡条件，计算出磁场强度B。
实验中需要注意的事项：1. 在每次实验前，确保仪器和实验设备的正常工作。
2. 尽量保持实验环境的稳定，避免外界干扰影响实验结果。
3. 仔细测量实验中的各项参数，尽量减小误差。
4. 多次重复测量，取平均值，提高测量结果的准确性。
总结：通过磁力计法、霍尔效应和电桥法等方法，可以准确测量磁场强度的数值。
在实验中，需要仔细操作和注意事项，以获得准确可靠的结果。
这些实验不仅对于理解磁场强度的概念有帮助，还可以培养学生的实验技能和科学精神。
磁场强度的计算公式
磁场强度的计算公式磁场是物质通过特定方式形成的一种现象，它具有方向和大小。
磁场强度是描述磁场特性的物理量，用以表示磁场对一个磁质点的作用力大小。
磁场强度的计算需要根据特定条件和公式进行。
在正常条件下，并且距离磁源足够远的情况下，磁场强度（B）的计算公式为：B = μ0 * (I / 2πr)其中，B代表磁场强度，μ0代表真空磁导率，它的数值约为4Π × 10 ^ -7 Tm / A。
I表示电流强度，单位为安培（A）。
r是距离磁源的距离，单位为米（m）。
需要注意的是，这个计算公式是基于电流通过一条直线导线产生的磁场，适用于细长导线。
对于其他形状和分布情况，计算磁场强度就需要应用更加复杂的公式和方法。
在具体计算磁场强度时，可以根据需求采取不同方法。
例如，如果已知电流强度和距离，可以直接将这些值代入公式进行计算。
另一种常用的方法是利用安培环定律，根据电流通过的不同空间结构建立不同的积分形式，然后通过积分得到磁场强度。
当然，在实际应用中，还存在很多其他因素影响磁场强度的计算。
例如，当磁场源为电流通过的线圈时，公式中的I就表示线圈所带的电流。
此外，还应考虑磁性材料的磁化程度对磁场强度的影响。
磁场强度的计算对理论研究和工程应用有重要意义。
在电磁学和磁学等领域的研究中，磁场强度的准确计算是推导电磁现象特性和构建模型的基础。
在实际应用中，计算磁场强度常常与电动机、发电机、变压器等磁性设备的设计和优化密切相关。
总之，磁场强度的计算公式及其应用方法是理解和分析磁场特性的基础。
科学家和工程师可以根据不同条件和需求选择适当的计算方法，以获得准确的磁场强度数值，并据此进行进一步的研究和应用。
电磁屏蔽反射效率计算公式
电磁屏蔽反射效率计算公式1. 电磁屏蔽反射效率计算公式电磁屏蔽是一种常见的技术，用于减少电场和磁场的干扰以及减少电磁辐射的泄漏。
在这个过程中，反射效率非常重要，因为它决定了电磁波在材料表面的反射情况。
本文将介绍电磁屏蔽反射效率的计算公式和背后的物理原理。
2. 反射系数在讨论反射效率之前，我们需要了解反射系数。
反射系数是指材料表面反射的电磁波功率与入射电磁波功率的比值。
反射系数可以表示为：$$\Gamma = \frac{P_r}{P_i}$$其中，$P_r$是反射功率，$P_i$是入射功率。
当电磁波从空气射入屏蔽材料时，一部分电磁波被反射回来，另一部分被透射进入屏蔽材料。
因此，我们可以将反射系数分解为两个部分：$$\Gamma = \Gamma_e + \Gamma_m$$其中，$\Gamma_e$表示电场反射系数，$\Gamma_m$表示磁场反射系数。
通常情况下，$\Gamma_e$和$\Gamma_m$是相等的。
3. 电磁屏蔽反射效率电磁屏蔽反射效率是指入射电磁波功率中被反射的功率与入射电磁波功率的比值。
电磁屏蔽反射效率可以表示为：$$R = \frac{P_r}{P_i}$$其中，$P_r$是反射功率，$P_i$是入射功率。
电磁屏蔽反射效率可以通过电磁波在屏蔽材料上的功率流密度计算得出。
当电磁波在屏蔽材料上传播时，部分电磁波被反射回来，部分电磁波被折射和吸收。
因此，功率流密度可以表示为：$$S = E^2 / 2 \eta_0$$其中，$E$是电场强度，$\eta_0$是真空中的电磁阻抗。
在材料表面，反射的功率可以表示为：$$P_r = R_r S_i$$其中，$R_r$是反射系数，$S_i$是入射功率流密度。
入射功率流密度可以表示为：$$S_i = E_i^2 / 2 \eta_0$$其中，$E_i$是入射电场强度。
因此，电磁屏蔽反射效率可以表示为：$$R = R_r = \frac{E_r^2}{E_i^2}$$其中，$E_r$是反射电场强度。
计算磁场强度的公式
计算磁场强度的公式磁场强度（Magnetic Field Strength）是描述磁力的物理量，通常用符号B表示，其单位是特斯拉（Tesla，T）。
磁场强度的计算公式取决于磁场的性质和几何形状。
下面将介绍几种常见的磁场强度计算公式。
1.点电流产生的磁场：当通过一根直线电流I的导线时，可以使用安培环路定理（Ampere's Circuital Law）来计算磁场强度。
对于距离导线r远的一个点P，其磁场强度可以通过以下公式计算：B=(μ0*I)/(2π*r)其中μ0是真空中的磁导率，其值约为4π×10^-7特斯拉·米/安培。
2.直线无限长导体产生的磁场：当有一根直线、无限长的导体时，可以通过垂直于导线的距离r来计算磁场强度。
磁场强度的公式如下：B=(μ0*I)/(2π*r)此公式与点电流产生的磁场强度公式相同，因为实际上可以将无限长导体视为由无数个点电流组成。
3.磁场线圈产生的磁场：当有一根平面线圈通电时，可以通过其半径r和电流I来计算磁场强度。
其计算公式如下：B=(μ0*N*I)/(2*R)其中N是线圈的匝数，R是线圈的半径。
4.球形磁铁产生的磁场：当有一个球形磁铁时，可以通过其磁矩m和距离r来计算磁场强度。
其计算公式如下：B=(μ0*m)/(4*π*r^3)其中磁矩m是通过磁场中心的矢量定义为m=I*S，其中I是电流，S 是通过垂直于电流方向的面积。
5.无限长螺线管产生的磁场：当有一根无限长的螺线管通电时，可以通过其匝数N、电流I和距离r计算磁场强度。
其计算公式如下：B=(μ0*N*I)/(2*R)其中R是无限长螺线管的半径。
上述是几种常见情况下的磁场强度计算公式，通过这些公式可以计算给定磁场环境下的磁场强度。
不同的磁场形状和尺寸将影响磁场强度的分布，因此在具体问题中需要根据实际情况选择适当的计算公式。
此外，对于复杂的磁场分布情况，如非均匀磁场或带有铁磁材料的磁场，可能需要进一步采用数值方法或模拟方法进行计算。
用电磁感应实验测量磁场强度的步骤
用电磁感应实验测量磁场强度的步骤电磁感应是指磁场和电场产生相互作用，从而引起电势差和电流的现象。
利用电磁感应实验可以测量磁场强度，以下是测量磁场强度的步骤：1. 实验准备在进行实验之前，需要准备以下实验器材：- 一个直流电源- 一个带有刻度的螺线管- 一个磁场强度测量仪器（例如霍尔效应传感器）- 一根绝缘导线- 一个万用表- 磁体（可以是永磁体或电磁铁）2. 搭建电路将直流电源的正极接到螺线管的一端，负极接到绝缘导线的末端。
将螺线管的另一端与霍尔效应传感器连接，然后将传感器连接到万用表。
确保电路连接良好，无短路或断路现象。
3. 测量磁场强度将磁体靠近螺线管，使其与螺线管的轴线平行。
通过调节电流大小，使螺线管中的电流稳定，此时霍尔效应传感器会检测到由磁场引起的电势差。
通过万用表可以读取霍尔效应传感器测得的电势差数值。
4. 记录数据测量完毕后，需将读取到的电势差数值记录下来。
同时，还应记录磁体与螺线管之间的距离以及电流的数值。
这些数据将用于计算磁场强度。
5. 计算磁场强度根据电磁感应的基本原理，可以通过下述公式计算磁场强度：B = V / (K * r * I)其中，B表示磁场强度，V表示测得的电势差，K为校准系数，r为磁体与螺线管之间的距离，I为通过螺线管的电流。
6. 重复实验为了提高实验数据的准确性，应该进行多次实验并取平均值。
可以通过改变电流的大小、磁体与螺线管之间的距离等方式进行多次测量。
通过以上步骤，可以用电磁感应实验测量磁场强度。
在进行实验时需要注意保持实验环境的稳定，避免干扰因素对实验结果的影响。
同时，要注意操作安全，避免触电或其他意外事故的发生。
磁场强度计算公式
磁场强度计算公式1 定义：磁场强度磁场强度又称作磁场强矩，是指由某种磁物体或磁体产生的磁场，以特定的力描述的规定标准。
磁场强度存在于磁性物体之间的各种作用，通过磁场测量仪可以对磁场数值进行测量，以获取关于磁场强度的知识。
2 计算公式一般情况下，现代低强度磁场可用Gauss(G)或Ampere/Meter(A/m)来测量，其中Gauss常用于磁性磁体，而Ampere/Meter常用于水平磁场或其他低强度磁场。
根据式:H = ∇（m/ μ0），其中H为磁场强度，m为磁体密度，μ0为真空感知率，∇为梯度算子；同时，磁场强度H也可根据磁通量φ和磁体周围形状(S)计算：H = φ/ S磁场的单位根据地理环境的不同，有Gauss(G)、Tesla(T)、Ampere/Meter(A/m)等不同单位，相互之间的换算公式为：1T = 104 G 、1G = 1×10-4T 、1T = 109N/A 、1A/m = 10-4T3 其他注意事项测量磁场强度是有一定要求的，例如对测量仪器的精度有较高要求；测量时要尽量避免强直线电流，即电流的球形分布；磁场强度的测量结果受多种因素的影响，如磁体的质量、形状、大小、方向、匝间距离、电流大小等，都会对测量结果产生不同程度的影响。
此外，在测量过程中需要尽量避免两个磁体重叠，以确保测量结果的准确性；针对磁性物体的测量，也要确保测量仪器使用正确，避免其产生误差。
综上所述，磁场强度是指由某种磁物体或物体产生的磁场，在测量磁场强度时必须尊重其计算公式，以准确测量磁场值，此外也要注意测量环境，避免多种因素对磁场测量产生误差。
而在测量结果改变时，要同时谨慎分析原因，以避免测量误差的出现。
磁场强度的测量和屏蔽效率的计算
磁场强度的测量和屏蔽效率的计算C.1 一般原则C.1.1 磁场强度指标（1） GB/T2887和GB50174中规定，电子计算机机房内磁场干扰环境场强不应大于800A/m。
注：本磁场强度是指在电流流过时产生的磁场强度，由于电流元IΔs产生的磁场强度可按下式计算：H = IΔs/4πr2 （C.1）距直线导体r处的磁场强度可按下式计算：H = I/2πr （C.2）磁场强度的单位用A/m表示，1A/m相当于自由空间的磁感应强度为1.26μT。
T（特斯拉）为磁通密度B的单位。
Gs是旧的磁场强度的高斯CGS单位，新旧换算中，1Gs约为79.5775A/m，即2.4Gs 约为：191A/m，0.07Gs约为5.57A/m。
（2） GB/T17626.9中规定，可按下表规定的等级进行脉冲磁场试验：（3） GB/T2887中规定，在存放媒体的场所，对已记录的磁带，其环境磁场强度应小于3200A/m；对未记录的磁带，其环境磁场强度应小于4000A/m。
C.1.2 信息系统电子设备的磁场强度要求1971年美国通用研究公司R.D希尔的仿真试验通过建立模式得出：由于雷击电磁脉冲的干扰，对当时的计算机而言，在无屏蔽状态下，当环境磁场强度大于0.07G S时，计算机会误动作；当环境磁场强度大于2.4G S时，设备会发生永久性损坏。
按新旧单位换算，2.4 G S约为191A/m，此值较C.1.1的（1）中800A/m低，较表C.1中3等高，较4等低。
注：IEC62305-4（81/238/CDV）文件中给出在适于首次雷击的磁场（25K H2）时的1000-300-100A/m值及适用于后续雷击的磁场（1MH2）时的100-30-10A/m指标。
C.1.3 磁场强度测量一般方法（1）雷电流发生器法IEC 62305-4提出的一个用于评估被屏蔽的建筑物内部磁场强度而作的低电平雷电电流试验的建议。
（2）浸入法GB/T17626.9规定了在工业设施和发电厂、中压和高压变电所的在运行条件下的设备对脉冲磁场骚扰的抗扰度要求，指出其适用于评价处于脉冲磁场中的家用、商业和工业用电气和电子设备的性能。
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磁场强度的测量和屏蔽效率的计算
C.1 一般原则
C.1.1 磁场强度指标
（1） GB/T2887和GB50174中规定，电子计算机机房内磁场干扰环境场强不应大于800A/m。
注：本磁场强度是指在电流流过时产生的磁场强度，由于电流元IΔs产生的磁场强度可按下式计算：
H = IΔs/4πr2 （C.1）
距直线导体r处的磁场强度可按下式计算：
H = I/2πr （C.2）
磁场强度的单位用A/m表示，1A/m相当于自由空间的磁感应强度为1.26μT。
T（特斯拉）为磁通密度B的单位。
Gs是旧的磁场强度的高斯CGS单位，新旧换算中，1Gs约为79.5775A/m，即2.4Gs 约为：191A/m，0.07Gs约为5.57A/m。
（2） GB/T17626.9中规定，可按下表规定的等级进行脉冲磁场试验：
C.1 脉冲磁场试验等级
（3） GB/T2887中规定，在存放媒体的场所，对已记录的磁带，其环境磁场强度应小于3200A/m；对未记录的磁带，其环境磁场强度应小于4000A/m。
C.1.2 信息系统电子设备的磁场强度要求
1971年美国通用研究公司R.D希尔的仿真试验通过建立模式得出：由于雷击电磁脉冲的干扰，对当时的计算机而言，在无屏蔽状态下，当环境磁场强度大于0.07G S时，计算机会误动作；当环境磁场强度大于2.4G S时，设备会发生永久性损坏。
按新旧单位换算，2.4 G S约为191A/m，此值较C.1.1的（1）中800A/m低，较表C.1中3等高，较4等低。
注：IEC62305-4（81/238/CDV）文件中给出在适于首次雷击的磁场（25K H2）时的1000-300-100A/m值及适用于后续雷击的磁场（1MH2）时的100-30-10A/m指标。
C.1.3 磁场强度测量一般方法
（1）雷电流发生器法
IEC 62305-4提出的一个用于评估被屏蔽的建筑物内部磁场强度而作的低电平雷电电流试验的建议。
（2）浸入法
GB/T17626.9规定了在工业设施和发电厂、中压和高压变电所的在运行条件下的设备对脉冲磁场骚扰的抗扰度要求，指出其适用于评价处于脉冲磁场中的家用、商业和工业用电气和电子设备的性能。
（3）大环法
GB12190规定了屏蔽室屏蔽效能的测量方法，主要适用于各边尺寸在1.5m～15m之间的长方形屏蔽室。
（4）交直流高斯计法
GB/T 2887中5.8.2条“磁场干扰环境场强的测试”中指出可使用交直流高斯计，在计算机机房内任一点测试，并取最大值。
C.1.4 屏蔽效率的计算
屏蔽效率的测量一般指将规定频率的模拟信号源置于屏蔽室外时，接收装置在同一距离条件下在室外和室内接收的磁场强度之比，可用下式表示：
S H = 20Lg（H0/H1） (C.3)
式中：
H0—没有屏蔽的磁场强度
H1—有屏蔽的磁场强度
S H—屏蔽效率（能），单位为dB。
屏蔽效率与衰减量的对应关系参见表C.2：
C 2 屏蔽效率与衰减量的对应表
C.2 测量方法和仪器
C.2.1 雷电流发生器法
试验原理见图C.1所示，雷击电流发生器原理见图C.2所示。
C 1 雷电流发生器法测试原理图
连接的接地体
图中：1—磁场测试仪2—雷击电流发生器
图C.2 雷电流发生器原理图
在雷电流发生器法试验中可以用低电平试验来进行，在这些低电平试验中模拟雷电流的波形应与原始雷电流相同。
IEC 标准规定，雷击可能出现短时首次雷击电流i f （10/350μs ）和后续雷击电流i s （0.25/100μs ）。
首次雷击产生磁场H f ，后续雷击产生磁场H s ，见图C.3和图C.4：
C.3 首次雷击磁场强度（10/350μs ）上升期的模拟
C
U ： 电压典型值为数10kv C ：电容典型值为数10nF
C.4 后续雷击磁场强度（0.25/100μs）上升期的模拟
磁感应效应主要是由磁场强度升至其最大值的上升时间规定的，首次雷击磁场强度H f可用最大值H f/max（25KHz）的阻尼振荡场和升至其最大值的上升时间T p/f (10μs、波头时间 )来表征。
同样后续雷击磁场强度Hs可用Hs/max（1MHz）和Tp/s（0.25μs）来表征。
当发生器产生电流i o/max为100kA，建筑物屏蔽网格为2m时，实测出不同尺寸建筑物的磁场强度如表C.3：
GB/T17626.9（idt IEC 61000-4-9）对设备进行脉冲磁场抗扰度试验中规定：
受试设备（EUT）可放在具有确定形状和尺寸的导体环（称为感应线圈）的中部，当环中流过电流时，在其平面和所包围的空间内产生确定的磁场。
试验磁场的电流波形为6.4/16μs的电流脉冲。
试验过程中应从x、y、z三个轴向分别进行。
由于受试设备的体积与格栅形大空间屏蔽体相比甚小，此法只适于体积较小设备的测试和在矮小的建筑物屏蔽测量时可参照使用。
具体方法见GB/T17626.9。
C.2.3 大环法
GB12190《高性能屏蔽室屏蔽效能的测量方法》规定了高性能屏蔽室相对屏蔽效能的测试和计算方法，主要适用于1.5～15.0m之间的长方形屏蔽室，采用常规设备在非理想条件的现场测试。
为模拟雷电流频率，在测试中应选用的常规测试频率范围为100Hz～20MHz，模拟干扰源置于屏蔽室外，其屏蔽效能计算公式如本标准附录C.3式。
测试用天线为环形天线，并提出下列注意事项：
（1）在测试之前，应把被测屏蔽室内的金属（及带金属的）设备，含办公用桌、椅、柜子搬走。
（2）在测试中，所有的射频电缆、电源等均应按正常位置放置。
大环法可根据屏蔽室的四壁均可接近时而采用优先大环法或屏蔽室的部分壁面不可接近时而采用备用大环法。
现将备用大环法简要介绍如下：
（1）发射环使用频段I（100Hz～200kHz）的环形天线。
（2）当屏蔽室的一个壁面是可以接近时，将磁场源置于屏蔽室外，并用双绞线引至可接近的壁，沿壁边布置发射环，环的平面与壁面平行，其间距应大于25cm。
可将发射环固定在壁面上。
（3）磁场源由通用输出变压器、常闭按纽开关、具有1W输出的超低频振荡器、热电偶电流表组成。
（4）屏蔽室内置检测环，衰减器和检测仪，其中检测环的直径为300mm。
（5）当检测仪采用高阻选频电压表时，
S H = 20Lg（V0/V1）（C.4）
C.2.4 其他测量方法
C.2.4.1 以当地中波广播频点对应的波头做为信号源，将信号接收机分别置于建筑物内和建筑物外，分别测试出信号强度E0和E1。
用下式计算出建筑物的屏蔽效能：
S E = 20lg（E0/E1）（C.5）测试时，接收机应采用标准环形天线。
当天线在室外时，环形天线设置高度应为0.6m～0.8m，与大的金属物，如铁栏杆，汽车等应距1m以外。
当天线在室内时，其高度应与室外布置同高，并置在距外墙或门窗3～5m远处。
室内布置与大环法的要求相同。
用本方法可测室内场强（A2）和室外场强（A1）,屏蔽效能为其代数差（A1－A2）。
C.2.4.2 可使用专门的仪器设备（如EMP-2或EMP-2HC等脉冲发生器）进行与备用大环法相似的测试，其区别于备用大环法的内容有：
（1）脉冲发生器置于被测墙外约3m处。
发生器产生模拟雷电流波头的条件，如10μs、0.25μs及2.6μs、0.5μs。
发生器的发生电压可达5kV～8 kV，电流4～19kA。
（2）从被测建筑物墙内0.5m起，每隔1m直至距内墙5～6m处每个测点进行信号电势的测量。
如被测房间较深，在5～6m处之后可每隔2m（或3m、4m）测信号电势一次，直至距被测墙体对面墙的0.5m处。
平移脉冲发生器，在对应室内测量的各点处测量无屏蔽状况的信号电势。
各点的屏蔽效能为：
E = 20lg（e0/e1）（C.6）
式中： e0—无屏蔽处信号电势； e1—有屏蔽处信号电势。
建筑物的屏蔽效能应是各点的平均值。