12半导体二极管
半导体光电二极管的工作原理
半导体光电二极管的工作原理半导体光电二极管是一种基于半导体材料的光电转换器件，它能将光能转化为电能。
其工作原理是基于半导体材料在光照下的光电效应和PN结的整流作用。
半导体光电二极管的基本结构由P型半导体和N型半导体组成，它们通过PN结相互连接。
在PN结的两侧形成了一个电势差，即内建电场。
当外界光照射到PN结上时，光子会激发半导体材料中的自由电子和空穴，使它们跃迁到导带和价带中。
当光子能量大于半导体材料的带隙能量时，光子激发的电子和空穴会产生足够的能量克服内建电场的阻挡，从而形成电流。
这个电流被称为光生电流，它是光电二极管的输出信号。
光生电流的大小与入射光的强度成正比。
与普通的二极管不同，光电二极管的PN结没有外加电压时也能工作，这是因为PN结的内建电场可以阻止电子和空穴的自由扩散，使得光电二极管在无光照时呈现出一个很高的阻抗状态，即反向偏置状态。
当外界光照射到光电二极管时，光子的能量激发了PN结中的载流子，使其产生了电流。
这个电流通过外部电路，可以被接收和测量。
由于光生电流与入射光的强度成正比，因此光电二极管可以用来测量光的强度。
除了光生电流，光电二极管在电压正向偏置时还会产生一个漏电流。
这个漏电流是由于PN结的载流子复合效应和热激发效应导致的。
当光电二极管处于暗态时，即无光照射时，漏电流是存在的，但其大小较小，可以在设计中忽略不计。
由于半导体材料的带隙能量与入射光的波长有关，因此光电二极管的光谱响应范围也是有限的。
不同材料和不同结构的光电二极管对不同波长的光具有不同的响应能力。
根据需要，可以选择合适的光电二极管来测量特定波长范围内的光强度。
半导体光电二极管具有响应速度快、灵敏度高、体积小、功耗低等优点，广泛应用于光通信、光测量、光电检测等领域。
同时，光电二极管也可以作为其他光电器件的基础元件，如光电二极管阵列和光敏三极管等。
总结起来，半导体光电二极管的工作原理是通过光电效应和PN结的整流作用，将入射光转化为电流输出。
半导体激光二极管的工作原理
半导体激光二极管的工作原理好嘞，今天咱们聊聊半导体激光二极管，听起来是不是有点高大上？别担心，其实它就像个科技界的小精灵，虽然名字听起来复杂，但说白了，它就是把电变成光的“魔术师”。
想象一下，你打开电脑，那个亮亮的光点，嘿，就是它在工作！这小家伙的工作原理其实没那么神秘，咱们来一探究竟。
半导体激光二极管，嗯，咱们简称“激光二极管”吧，顾名思义，它是一个用半导体材料做的小盒子。
它的内部有两个区域，一个叫“P型”，另一个叫“N型”。
P型就像个好心的邻居，随时准备分享电子；N型则像个个性十足的朋友，电子在这里跳跃得可欢了。
然后，这两种材料一接触，嘿，就形成了一个叫“结”的地方，聪明吧？在这里，电子和“空穴”（想象成缺少电子的小空位）开始了一场舞蹈，互相碰撞、结合，哇，真是热闹！说到这里，咱们得提提这个“能量”了。
当电子和空穴结合的时候，会释放出能量，以光的形式出现。
就像在迪斯科舞厅里，灯光闪烁，能量满满。
可是，光可不止是亮亮的，它还是单色的，意味着它只有一种颜色。
这也是激光二极管的一个特性，光线不仅亮，还可以精准得像激光笔一样，绝对不含糊。
再说说激光二极管的工作状态。
想象一下，你把电源插上，电流开始流动，激发出那些小电子，开始在P型和N型之间穿梭。
这可不是随便游玩的，电子们可有任务在身，要在“结”的地方跳舞。
只要电流足够，电子就会不断碰撞，产生越来越多的光子，慢慢地，这光子就像雪花一样，越来越多，最后形成了稳定的激光输出。
是不是挺神奇的？这过程中还有个很重要的角色，那就是“增益介质”。
这个增益介质就像是舞台上的聚光灯，能把那些光子聚拢，让激光变得更强、更集中。
在增益介质的帮助下，光子们的能量不断积累，最后形成了那种让人眼花缭乱的激光束。
就像那些疯狂的追星族，越聚越多，最后形成了巨大的光亮。
好啦，咱们再来聊聊激光二极管的应用。
这个小家伙可不止在电脑里混日子，它的身影几乎无处不在。
激光打印机、光纤通信、甚至是医疗设备，激光二极管都有贡献。
SK12肖特基贴片二极管
SK12 THRU SK1200SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 1.0 AmpereMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSNote:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areasRatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.VOLTS VOLTS VOLTSSYMBOLS UNITSAmpAmps Volts V RRM V RMS V DC I (AV)IFSM V F 1.030.00.70Operating junction temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltageMaximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified current at T L (see fig.1)Peak forward surge current8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C Typical junction capacitance (NOTE 1)I R 0.5R θJA C J T J ,T STG88.0110pF C mA Typical thermal resistance (NOTE 2)C/W Storage temperature rangeC-65 to +150-65 to +125-65 to +15010.05.00.450.85Case : JEDEC DO-214AC molded plastic body Terminals : leads solderable per MIL-STD-750,Method 2026Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : AnyWeight :0.002 ounce, 0.07 gramsThe plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0For surface mounted applicationsMetal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiencyBuilt-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed:250 C/10 seconds at terminalsFEATURESMECHANICAL DATASK12SK13SK15SK14SK16SK110SK1820142030213040284050355060426080568010070100900.55Dimensions in inches and (millimeters)DO-214ACSK1150150105150SK12002001402000.950.22.0RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SK12 THRU SK12001.00.80.60.40.20.01 0.1 1 10 1001001010.1REVERSE VOLTAGE,VOLTSt,PULSE DURATION,sec.FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEFIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCENUMBER OF CYCLES AT 60 HzFIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARDFIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVEA V E R A G EF O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M P E R E SJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E , p FP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R E S1001010.10.010.001PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E ST R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ,C /WAMBIENT TEMPERATURE, C 5010.010.10.01FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARDI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SINSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS。
丝印12 的二极管 -回复
丝印12 的二极管-回复[丝印12 的二极管]是什么？丝印12的二极管是一个电子元件，用于控制电流流动方向的装置。
它是一种半导体材料制成的，通常由硅(Si)或锗(Ge)等材料构成。
二极管有两个引脚，一个是阳极(或称为正极或P极)，另一个是阴极(或称为负极或N极)。
通过控制二极管的正向或反向电压，可以实现电流在不同的方向上的流动。
二极管的原理和构造如何？二极管的原理基于PN结的特性。
PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体组成的。
P型半导体的特点是具有空穴（正电荷载体），而N 型半导体的特点是具有自由电子（负电荷载体）。
当将P型半导体和N型半导体连接在一起时，形成了一个PN结，其中P型区域为正极，N型区域为负极。
当二极管处于正向偏置时，即正极连接到P型区域，负极连接到N型区域，电流可以流过二极管。
这是因为在P型区域中，由于空穴的过剩，形成了电子的缺乏。
同时，在N型区域中，由于自由电子的过剩，形成了空穴的缺乏。
因此，在PN结的交界处会有一个电子流动的通道，电流可以顺利通过。
然而，当二极管处于反向偏置时，即正极连接到N型区域，负极连接到P型区域时，电流无法通过二极管。
这是因为在P型区域中，电子的过剩会吸引N型区域的自由电子，形成电子云，在PN结的交界处形成电势垒。
这个电势垒会阻碍电流的流动，使得反向电流非常微弱或几乎没有。
丝印12的二极管的特性和用途是什么？丝印12的二极管是一种常见的标准二极管。
其特性是反向击穿电压较高，正向导通电流较大。
这使得丝印12二极管在电子电路中有广泛的应用。
以下是一些可能的用途：1. 整流器：二极管可以将交流电转换为直流电。
丝印12的二极管可用于整流电路中，将交流电信号转换为直流电。
2. 保护电路：由于二极管具有阻止电流流向反向方向的特性，可以用于保护电路，防止电压过高或过低对电子器件的损坏。
3. 光电器件：丝印12的二极管在一定的条件下可以实现光电转换。
当光照射到二极管上时，可以产生电流信号。
半导体发光二极管工作原理特性及应用
半导体发光二极管工作原理特性及应用半导体发光器件包含半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。
事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP （磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。
因此它具有通常P-N结的I-N 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间邻近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相关于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，因此光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论与实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。
若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
（二）LED的特性1．极限参数的意义（1）同意功耗Pm:同意加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：同意加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所同意加的最大反向电压。
二极管和三极管
不论N型或P型半导体都是中性旳，对外不显电性。
1. 在杂质半导体中多子旳数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子旳数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子旳数量 c （a. 降低、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压旳作用下，P 型半导体中旳电流 主要是 b ，N 型半导体中旳电流主要是 a 。
课后练习Hale Waihona Puke uo = 8V uo = ui
例3: D2
D1
3k 6V
12V
求：UAB 解：取 B 点作参照点
A + UAB –B
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽视管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V
流过
D2
旳电流为
ID2
12 3
D1承受反向电压为－6 V
4mA
在这里， D2 起 钳位作用， D1起 隔离作用。
带着爱好学习：
1、说出你比较感爱好旳一种电子产品或电器
2、想象你生活当中旳一件事，做起来不是 很以便，能够经过电子产品或机械手旳手段 来处理它。并给这个产品命名
经过学习，能够搞清你所选电器旳原理，和元器 件所起旳作用；能够设计出你所想旳产品。
知识点
电子电路旳设计 分析
元器件内部原理、构成 经典电子电路旳计算、分析、
ICBO ICE
N
B
P
RB IBE N
电子技术
电路
电子 技术
基本概念基本定律 电路旳计算措施 暂态电路 交流电旳基本知识
模拟电子 特点 信号是连续旳 技术
数字电子 特点
技术
半导体二极管及其基本应用电路(12)
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1.1 半导体二极管
1）本征半导体中的两种载流子——电子和空穴
在室温下，本征半导体中少数价电子因受热而获得能量 ，摆脱原子核的束缚，从共价键中挣脱出来，成为自由电 子。与此同时，失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留 下了一个空位，这个空位称为空穴。由于本征硅或锗每产 生一个自由电子必然会有一个空穴出现，即电子与空穴成 对出现，称为电子空穴对。
• 1.4.5 激光二极管
• 激光是英文Laser的意译，音译为“镭射”。激光是 由激光器产生的。激光器有固体激光器、气体激光 器、半导体激光器等。半导体激光器是所有激光器 中效率最高、体积最小的一种，而比较成熟且实用 的半导体激光器是砷化镓激光器，即激光二极管。
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• 图1-3-10为倍压整流电路，该电路是用n个整流二极管和n 个电容组成n倍压整流电路。从图1-3-10中a、c两端取出电 压为nU2 ，其中n为偶数；而从b、d两端取出电压为nU2 ， 其中n为奇数。可以根据需要选择输出电压。在电路中，除 了电容C1承受电压为U2外，其他电容上承受的电压均为 2U2，每个整流管的反向电压为2U2。该电路虽可得到较高 的直流输出电压，但它的输出特性很差，所以只适用于负 载电流很小，且负载基本上不变的场合。
• 二极管的主要特性是单向导电。二极管的特性可用伏安特性曲线来描 述。
• 1．二极管的伏安特性曲线 • 二极管的种类虽然很多，但它们都具有相似的伏安特性。所谓二极管
伏安特性曲线就是流过二极管的电流Ｉ与加在二极管两端电压U之间的
关系曲线。图1-1-13 所示为硅和锗二极管伏安特性曲线，
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第 1章
半导体二极管及其基本应用电路
二极管参数
名称:常用半导体二极管的主要参数常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型普通检波二极管&Pound;16 &Sup3;2.5 &Pound;1 &Sup3;40 20 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)150&Sup3;5 &Sup3;150 100&Pound;25 &Sup3;10 &Pound;1 &Pound;10 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)40&Pound;15 &Sup3;10 &Pound;100锗开关二极管&Sup3;150 &Pound;1 30 10 &Pound;3 &Pound;20040 20&Sup3;200 &Pound;0.9 60 40 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;10 &Pound;1 70 50 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;250 &Pound;0.7 60 4070 50硅开关二极管&Sup3;10 &Pound;0.8 A&Sup3;30 B&Sup3;45 C&Sup3;60 D&Sup3;75 E&Sup3;90 A&Sup3;20 B&Sup3;30 C&Sup3;40 D&Sup3;50 E&Sup3;60 &Pound;1.5 &Pound;3&Sup3;20 &Pound;4&Sup3;30 &Pound;1 &Pound;5&Sup3;50 &Pound;1&Sup3;100&Sup3;150&Sup3;200类型整流二极管 2 0.1 &Pound;1 25 L 6006 0.3 &Pound;1 50 L 100010 0.5 &Pound;1 50 L 100020 1 &Pound;1 50 L 100065 3 &Pound;0.8 25 L 100030 1 1.1 50 L 1000 550 1.5 1.4 50 L 1000 10200 3 1.2 50 L 1000 103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数整流电流/A反向工作电压/V最高工作结温/ O CQL1 1 0.05 &Pound;1.2 &Pound;10 130QL2 2 0.1QL4 6 0.3QL5 10 0.5QL6 20 1QL7 40 2 &Pound;15QL8 60 3 4.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度<50 O C稳定电流下稳定电流下环境温度＜10 O C稳定电压/V稳定电流/MA最大稳定电流/MA反向漏电流动态电阻/W电压温度系数/10 -4 / O C最大耗散功率/W2CW51 2.5~3.5 10 71 &Pound;5 &Pound;60 &Sup3;-9 0.252CW52 3.2~4.5 55 &Pound;2 &Pound;70 &Sup3;-82CW53 4~5.8 41 &Pound;1 &Pound;50 -6~42CW54 5.5~6.5 38 &Pound;0.5 &Pound;30 -3~52CW56 7~8.8 27 &Pound;15 &Pound;72CW57 8.5~9.8 26 &Pound;20 &Pound;82CW59 10~11.8 5 20 &Pound;30 &Pound;92CW60 11.5~12.5 19 &Pound;40 &Pound;92CW103 4~5.8 50 165 &Pound;1 &Pound;20 -6~4 12CW110 11.5~12.5 20 76 &Pound;0.5 &Pound;20 &Pound;92CW113 16~19 10 52 &Pound;0.5 &Pound;40 &Pound;112CW1A 5 30 240 &Pound;20 12CW6C 15 30 70 &Pound;8 12CW7C 6.0~6.5 10 30 &Pound;10 0.05 0.2 5.常用半导体三极管的主要参数表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数原型号3AX31测试条件新型号3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D极限参数P CM (MW) 100 100 100 100 T A＝25 O CI CM (MA) 100 100 100 100T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 I C＝1mABV CEO (V) &Sup3;12 &Sup3;12 &Sup3;18 &Sup3;24 I C＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V CB＝-10VI CEO (MA) &Pound;500 &Pound;500 &Pound;300 &Pound;300 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V EB＝-6VH FE 40~150 40~150 30~100 25~70 V CE＝-1V I C＝50mA交流参数 F A (KHz) &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 V CB＝-6V I E＝1mAN F (DB)－&Pound;8－－V CB＝-2V I E＝0.5mA F＝1kHzH Ie (KW) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 V CB＝-6V I E＝1mA F＝1kHzH Re (&Acute;10) &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2H Oe (Ms) &Pound;80 &Pound;80 &Pound;80 &P ound;80H Fe－－－－H FE色标分档管脚表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A 3AX81B测试条件极限参数P CM (MW) 200 200I CM (MA) 200 200T JM ( O C) 75 75BV CBO (V) -20 -30 I C＝4mABV CEO (V) -10 -15 I C＝4mABV EBO (V) -7 -10 I E＝4mA直流参数I CBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V CB＝-6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;700 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V EB＝-6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝-1V I C＝175mAV CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝200mAH FE 40~270 40~270 V CE＝-1V I C＝175mA交流参数 F B (KHz) &Sup3;6 &Sup3;8 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C测试条件极限参数P CM (MW) 125 125 125 125 T A =25 O CI CM (MA) 125 125 125 125T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) -15 -20 -30 -40 I C＝1mABV CEO (V) -6 -12 -18 -24 I C＝2mABV EBO (V) -6 -10 -10 -10 I E＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V CB＝6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;800 &Pound;600 &Pound;400 V CE＝6VI EBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V EB＝6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝6V I C＝100mA V CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝125mAH FE 80~400 40~180 40~180 40~180 V CE＝1V I C＝100mA交流参数 F B (KHz)－－&Sup3;8 F A &Sup3;465 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D极限参数CM (MW)CM (MA)CBO (V) C＝100&Micro;ACEO (V) C＝100&Micro;AEBO (V) E＝100mA直流参数CBO (MA) CB＝10VCEO (MA) CE＝10VEBO (MA) EB＝1.5VBES (V) C＝10mA I B＝1mACES (V) C＝10mA I B＝1mAFE CE＝10V I C＝3mA交流参数T (MHz) CB＝10V I E＝3mA F＝100MHz R L＝5WP (DB) CB＝-6V I E＝3mA F＝100MHzOb (PF) CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表20 3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG12测试条件新型号3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D极限参数P CM (MW) 700 700 700 700I CM (MA) 300 300 300 300BV CBO (V) &Sup3; 40 &Sup3; 60 &Sup3; 40 &Sup3; 60 I C＝100&Micro;ABV CEO (V) &Sup3; 30 &Sup3; 45 &Sup3; 30 &Sup3; 45 I C＝100&Micro;ABV EBO (V) &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 I E＝100mA直流参数I CBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V CB＝10VI CEO (MA) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 V CE＝10VI EBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V EB＝1.5VV BES (V) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 I C＝100mA I B＝10mAV CES (V) &Pound; 0.6 &Pound; 0.6 &Po und; 0.6 &Pound; 0.6 I C＝100mA I B＝10mAH FE &Sup3;30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 V CE＝10V I C＝50mA交流参数 F T (MHz) &Sup3; 150 &Sup3; 150 &Sup3; 300 &Sup3; 300 V CB＝10V I E ＝50mA F＝100MHz R L＝5WK P (DB) &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 V CB＝–10V I E＝50mA F＝100MHz C Ob (PF) &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 V CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表21 9011~9018塑封硅三极管的参数型号(3DG) 9011 (3CX) 9012 (3DX) 9013 (3DG) 9014 (3CG) 9015 (3DG) 9016 (3DG) 9018极限参数P CM (MW) 200 300 300 300 300 200 200I CM (MA) 20 300 300 100 100 25 20BV CBO (V) 20 20 20 25 25 25 30BV CEO (V) 18 18 18 20 20 20 20BV EBO (V) 5 5 5 4 4 4 4直流参数I CBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05I CEO (MA) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5I EBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05V CES (V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35V BES (V) 1 1 1 1 1 1H FE 30 30 30 30 30 30 30交流参数 F T (MHz) 100 80 80 500 600C Ob (PF) 3.5 2.5 4 1.6 4K P (DB) 10H FE色标分档管脚表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ2 3DJ4 3DJ6 3DJ7 3D01 3D02 3D04D~H D~H D~H D~H D~H D~H D~H饱和漏源电流I DSS (MA) 0.3~10 0.3~10 0.3~10 0.35~1.8 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5夹断电压V GS (V) <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï &Pound;Ï1~9Ï &Pound;Ï1~9Ï&Pound;Ï1~9Ï正向跨导G M (MV) >2000 >2000 >1000 >3000 &Sup3;1000 &Sup3;4000 &Sup3;2000最大漏源电压BV DS (V) >20 >20 >20 >20 >20 >12~20 >20最大耗散功率P DNI (MW) 100 100 100 100 100 25~100 100栅源绝缘电阻R GS (W) &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8~10 9 &Sup3;100管脚。
半导体分立元件--二极管
半导体分立元件半导体二极管半导体二极管是用半导体材料（主要是硅或锗的单晶）而制成，故又称为晶体二极管（俗称二极管）。
二极管的主要电性能是“单向导电性”，是一种有极性的二端元件（一种典型的非线性元件）。
二极管在电路中主要用作整流、限幅箱位、检波等，在数字电路中用作开关器件。
基本知识1、二极管。
自然界的物质按其导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。
导体具有良好的导电性能，其电阻率一般小于10-6Ω·m，如铜和银；绝缘体导电能力很差或不导电，其电阻率往往在108Ω·m以上，如橡胶、陶瓷等；而半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如纯净的硅在常温下的电阻率为2×103Ω·m。
半导体材料（如硅和锗）都是4价元素，其最外层的4个价电子与其相邻的原子核组成“共介键”结构，所以在温度极低时（如绝对零度时）半导体不导电，在常温下，纯净的半导体的导电能力也很弱。
2、半导体的主要特点。
半导体与导体和绝缘体相比有两个显著特点：一是其“热敏性”与“光敏性”。
例如当环境温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率会降低一半左右（即导电能力提高一倍），且光线的照射也会明显地影响半导体的导电性能，人们利用半导体的这一性能，就可以制成各种热敏元件（如热敏电阻）、光敏元件（如光敏电阻、光电管）等；其二是半导体的“掺杂性”。
指在纯净的半导体内掺入微量的杂质，半导体的导电能力就急剧增强。
例如在单晶硅中掺入百分之一的某种杂质，其导电能力将增加一百万倍。
人们正是利用半导体的这一独特性质。
做成“杂质半导体”，从而制造出各种不同性质、不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路等。
3、杂质半导体。
（1）N型半导体（电子型半导体）。
在纯净的半导体中掺入5价元素就得到N型半导体。
5价杂质其最外层的5个价电子除与半导体组成共价键外就多余一个电子（自由电子）。
所以N型半导体中自由电子为“多子”，空穴为“少子”。
丝印12 的二极管 -回复
丝印12 的二极管-回复丝印12 的二极管是一种电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它的特点是结构简单，体积小，能够在电路中起到很好的整流作用。
本文将逐步详细解答与丝印12 的二极管相关的问题，以帮助读者了解其工作原理、应用场景等方面的知识。
第一步：概括介绍丝印12 的二极管丝印12 的二极管是一种常见的小功率整流二极管。
它是由硅材料制成的，结构简单，主要由P型半导体和N型半导体构成。
它具有单向导电特性，即只能在一个方向上通电。
一般情况下，丝印12 的二极管会在其正向工作区域内带有较低的电压降，而在反向工作区域时则具有较高的电压阻断能力。
第二步：二极管的工作原理在丝印12 的二极管中，P-N结（即P型和N型半导体之间的界面）是其主要部分。
当二极管处于正向偏置时，即正极接在P型半导体上，负极接在N型半导体上时，N型区被大量粒子注入，从而使得电流可以通过。
而当二极管处于反向偏置时，即正极接在N型半导体上，负极接在P型半导体上时，电流则几乎无法通过。
第三步：丝印12 的二极管的应用场景丝印12 的二极管广泛应用于各种电子设备中，特别是在低功耗和小体积的电路中。
一般来说，它主要用于整流和阻止电流倒流的功能，例如电源变换、逆变器、控制电路等。
此外，丝印12 的二极管还常用于信号检测、电压调整和电流保护等方面，其具有反向电压高、正向电压降低的特点，能够满足这些需求。
第四步：丝印12 的二极管的特性和参数丝印12 的二极管有一些常用的特性和参数，这些参数可以帮助电子设计师选择合适的二极管。
其中最常见的是最大工作电流和最大反向电压。
最大工作电流是指二极管正向电流的最大值，超过这个数值会导致二极管受损。
最大反向电压则是指二极管能够承受的最大反向电压，超过这个电压会导致二极管击穿。
此外，还有一些重要的参数包括正向压降、反向电流、响应时间等。
第五步：如何选择丝印12 的二极管在选择丝印12 的二极管时，需要考虑一些重要的因素。
半导体发光二极管
半导体发光二极管
半导体发光二极管（LED）是一种发射光的电子器件，它把电能转换成光能。
它通常由半导体芯片，两个电极和透镜组成。
LED可以发射从红色到绿色和蓝色的多种光。
它具有良好的省电性能、相对稳定的光谱，耐久性好，可以快速响应，反应时间小于1毫秒，发光颜色、亮度和发光强度可调，可用于控制和信号指示等。
它是近20年来发展迅猛的新型发光元件，应用于各种消费电子产品，如汽车、手机、办公设备、家用电器、手表等，在人们的生活中无处不在。
目前，LED发光二极管是最先进的发光元件，它的发光性能相比传统光源有着多面的优势，在各行各业中得到了广泛的应用。
半导体和二极管
半导体和二极管
半导体和二极管是电子学中的两个重要概念。
半导体是一种材料，其电子特性和导电性介于导体和绝缘体之间。
而二极管则是一种由半导体材料制成的电子器件，其最基本的特点是具有单向导电性。
半导体材料通常是元素周期表中的IV族、V族和VI族元素（如硅、锗、硒、磷、锑等），这些材料通常是固体，并且导电性能介于导体和绝缘体之间。
半导体的导电性可以被人为地调制，这是通过添加杂质（称为掺杂）或者通过外部电压来实现的。
二极管是一种由半导体材料制成的电子器件，其主要组成部分是阴极和阳极。
在二极管的两极之间加上正向电压时（即阳极接正、阴极接负），二极管导通，电流可以通过它。
而当加反向电压时（即阳极接负、阴极接正），二极管截止，电流无法通过。
因此，二极管可以被视为一种单向的电流控制元件。
二极管的种类有很多，包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、光二极管等等。
它们在电路中的作用主要是整流、检波、限幅和钳位等。
例如，硅整流器就是一种利用硅二极管实现整流的装置，它可以将交流电转换为直流电。
此外，二极管还可以用于电源的稳压，以及各种电路的保护等。
总的来说，半导体和二极管是电子学中的重要组成部分，它们在电路设计、电力应用和通信技术等领域都有着广泛的应用。
半导体二极管的结构和分类
半导体二极管的构成的，其基本 特性就是PN结的特性，它的伏安特性曲线形象的反 映了半导体二极管的单向导电性和反向击穿特性。 二极管的伏安特性呈非线性，二极管是非线性器件。
• 二极管的基本结构是一个PN结，将PN结加上欧姆接触电 极和外引线，再用管壳封装起来，就成为一个二极管，如 下图（箭头所指：正向导通，反向截止）：
面接触型的二极管的特点是：PN结面积大，结电容 大，一般只用在低频电路中，常用于整流。国产2CP系列、 2CZ系列的二极管都是面接触型二极管。
平面型二极管的特点是：PN结的面积可大可小。结 面积小的，其结电容也小，国产2CK系列二极管就属于这 种类型，多用在信号检测和数字电路中；结面积大的，其 结电容也大，多用于大功率整流电路中。
二极管的种类很多，可按不同方法进行分类。 （1）按PN结的半导体材料分有：硅（Si）二极管、
锗（Ge）二极管及砷化镓（GaAs）二极管等。 （2）按二极管的内部结构分有：点接触型、面接触 型及平面型等。 三种结构各有特点，其用途也不同。
点接触型二极管的特点是：PN结面积小，因而结电 容小，允许流过的电流小（几十毫安以下），适用于调制 信号的检波。如收音机、通信机等常用的国产 2AP1~2AP7和2AP9~2AP17等2AP系列及2CZ系列的二 极管，都是点接触型锗二极管。
三种二极管的内部结构示意图如下：
（3）按用途不同，二极管可分为检波二极管、整流 二极管、高压整流二极管、稳压二极管、开关二 极管、发光二极管、光电二极管及磁敏二极管等。
二极管的伏安特性曲线
二极管最重要的特性就是单向导电性，可以 用伏安特性来说明。所谓伏安特性是指二极 管两端所加电压与通过它的电流之间的关系， 可用曲线形象地表示出来。如图：
半导体二极管的类型
半导体二极管的类型半导体二极管是一种非常重要的电子元件，广泛应用于电子电路中的整流、开关、放大、保护等功能。
根据不同的工作原理和结构，半导体二极管可以分为多种类型。
1. pn结二极管: pn结二极管是最基本的半导体二极管。
它是由p型半导体和n型半导体组成的。
p型半导体中载流子主要是空穴，n型半导体中载流子主要是电子。
在pn结二极管中，当正向电压施加在p端，而负向电压施加在n端时，就会产生一个电场，阻止电子和空穴的再结合，形成电流。
而当施加的电压方向相反时，就会出现反向击穿现象，此时几乎没有电流通过。
2. 效应二极管: 效应二极管是在pn结二极管的基础上发展起来的。
它是基于场效应晶体管的一种类似于二极管的电子元件。
效应二极管的结构与晶体管的栅极-源极结构类似。
它的导电性能依赖于栅极电源的电压。
当栅极电源施加正向电压时，效应二极管变得导电，当施加负向电压时，效应二极管呈现高阻态。
3. 变容二极管: 变容二极管是一种随着施加的偏压的不同而产生电容变化的二极管。
它的结构类似于 pn结二极管，但是在表面上采用了一层绝缘层。
变容二极管的电容值取决于偏压的大小。
在施加正向偏压时，电容值较小；而在施加负向偏压时，电容值较大。
变容二极管广泛应用于调谐电路中，用于选频和频率变换的功能。
4. 光电二极管: 光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的二极管。
它是基于内部光电效应工作的。
当光照射到光电二极管上时，光电二极管中的载流子会被激发，从而产生电流。
光电二极管广泛应用于光通信、光电检测、光电转换等领域。
5. 快恢复二极管: 快恢复二极管是一种具有快速恢复特性的二极管。
它通过优化结构和材料，将二极管的恢复速度提高到很高的水平。
快恢复二极管能够在高频率和高电压下工作，具有低反向恢复时间和低反向电流等特点。
因此，它被广泛应用于开关电源、逆变器、变频器等高效能电子设备中。
除了以上几种常见的半导体二极管类型外，还有其他一些特殊的二极管。
常用半导体的主要参数
常用半导体二极管的主要参数
表13部分半导体二极管的参数
3.常用整流桥的主要参数
4.常用稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
(1)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(2)9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
6．常用场效应管主要参数
表22常用场效应三极管主要参数。
半导体二极管符号
半导体二极管符号《半导体二极管符号》半导体二极管在电子世界里可是个小明星呢。
你要是看到它的符号，就像看到它的小脸蛋一样，特别有趣。
半导体二极管的符号啊，就像一个小箭头和一条小竖线。
这个小箭头可调皮啦，它总是指向一个方向。
你知道为啥不？这就跟二极管的特性有关啦。
二极管有个特性叫单向导电性，就像一个小门卫，只让电流从一个方向通过。
这个小箭头就像是在给电流指路，说：“嘿，电流小子，你只能从这边走哦。
”那小竖线呢，就静静地在旁边，像是在站岗，确保一切按照规则来。
你要是开始接触电子电路方面的知识，这个二极管符号可就会经常出现在你眼前啦。
比如说在一些简单的电源电路里，二极管符号就会冒出来。
它在那电路里就像一个小小的保护神。
当电源有一些波动，可能会有反向电流想捣乱的时候，二极管就会说：“哼，你别想通过我这里。
”靠着它的单向导电性，把那些不应该存在的反向电流给挡住，就像把坏蛋拒之门外一样。
在那些电路板上，密密麻麻的线路和各种元件符号，二极管符号总是能让人一眼就认出来。
它就像是在一群小伙伴里特别有个性的那个。
有时候看着那些电路板，就感觉像是在看一个小小的城市，每个元件符号都是城市里不同的角色。
二极管符号呢，就是那个坚守岗位、负责交通管制的小交警，指挥着电流这个小市民该往哪里走。
再说说二极管符号在电路图绘制里的事儿。
画图的人画这个符号的时候，就像是在画一个有特殊意义的小标志。
对于那些搞电路设计的人来说，这个符号就像是他们的小密码一样。
他们一看这个符号，就知道这里需要一个二极管来实现特定的功能。
而且不同类型的二极管，虽然都是那个基本的箭头加竖线的符号，但是可能会有一些小的标记或者区别，就像不同性格的人穿着相似的衣服，但是有一些小细节能让你把他们区分开。
从学习的角度看，记住这个二极管符号可不难，但是要真正理解它背后代表的二极管的工作原理和功能，那就得下点功夫啦。
就像认识一个新朋友，你先记住他的样子很容易，但是要深入了解他的性格和习惯，就得花时间相处。
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- 流，从而保证稳压管正常工作。
URUI UZ
IL
UZ RL
保证稳压管有稳
压效果必须：
IR
UR R
UI
UZ R
IZ IRIZ
IZm inIZIZm ax
六、其它类型二极管
1、发光二极管 ⑴具有单向导电性；加正向电压时导通就发光。 导通时电压比普通二极管大。电流越大，发光 越强。注意不要超过极限参数。 ⑵发光的颜色取决于所用材料。
发光二极管符号
2、光电二极管（自学）
谢 谢！
U Z IZ
rZ越小，稳压效果越好； u
u IZmin IZM
（5）温度系数α： U Z T
温度每变化1度稳压值的 变化量。
R IR + IZ UI DZ -
当稳压二极管工作在反向
IL
+ 击穿状态下,工作电流IZ在IZM 和Izmin之间变 化 时 , 其两 端 电
RL
UZ
压近似为常数，所以稳压电路 中必须串联一个电阻来限制电
i
ID iD Q
uD
在Q点附近加上一个微小变 化的量，则可用Q点为切点的直 线近似微小变化时的曲线。
u
UD
rd
uD iD
(动态电阻)
uD
1 iD d i D d[I S (e UT 1)]
rd u D d u D
duD
IS
uD
eUT
ID
UT
UT
rd
UT ID
D
ui
+ ui
-
+-+ uD R uR
V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先 导通现象。
－5V 0V
R D1
D2
D2导通，D1截止。
Si :Uon 0.7V uo Ge :Uon 0.2V
Si : uo 5.7V ?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效
果不好；
i
（3）额定功耗PZM：PZM=UZ
IZM
； UZ
IZM ---最大稳定电流
（4）动态电阻rZ： rZ
i
＋
u
i
u
Uon
Uon
－
（2）正向导通压降为常数（硅管 0.7V；锗管 0.2V），
反向截止电流为零；
两种等效电路：
ＵＤ
＋－
（1） V UD时，I VR V （2）I V Uon
R
＋
Ｉ
R ＵＲ
－
(S i:U o n 0 .7 V ,G e:U o n 0 .2 V )
2、微变等效电路
R
ui
+
D
+
4V UREF
t
ui -
UREF
uo
0
-
-4V
uo
解：（1）ui>UREF时，
UREF
t
uo UREF
（2）ui<安特性
反向特性：
i
当I <IZmin 时，没有稳压效果；
当I > IZmin时，电压变化量很小，
UZ
电压基本稳定只要电流不超过
i