12半导体二极管
半导体光电二极管的工作原理
半导体光电二极管的工作原理半导体光电二极管是一种基于半导体材料的光电转换器件，它能将光能转化为电能。
其工作原理是基于半导体材料在光照下的光电效应和PN结的整流作用。
半导体光电二极管的基本结构由P型半导体和N型半导体组成，它们通过PN结相互连接。
在PN结的两侧形成了一个电势差，即内建电场。
当外界光照射到PN结上时，光子会激发半导体材料中的自由电子和空穴，使它们跃迁到导带和价带中。
当光子能量大于半导体材料的带隙能量时，光子激发的电子和空穴会产生足够的能量克服内建电场的阻挡，从而形成电流。
这个电流被称为光生电流，它是光电二极管的输出信号。
光生电流的大小与入射光的强度成正比。
与普通的二极管不同，光电二极管的PN结没有外加电压时也能工作，这是因为PN结的内建电场可以阻止电子和空穴的自由扩散，使得光电二极管在无光照时呈现出一个很高的阻抗状态，即反向偏置状态。
当外界光照射到光电二极管时，光子的能量激发了PN结中的载流子，使其产生了电流。
这个电流通过外部电路，可以被接收和测量。
由于光生电流与入射光的强度成正比，因此光电二极管可以用来测量光的强度。
除了光生电流，光电二极管在电压正向偏置时还会产生一个漏电流。
这个漏电流是由于PN结的载流子复合效应和热激发效应导致的。
当光电二极管处于暗态时，即无光照射时，漏电流是存在的，但其大小较小，可以在设计中忽略不计。
由于半导体材料的带隙能量与入射光的波长有关，因此光电二极管的光谱响应范围也是有限的。
不同材料和不同结构的光电二极管对不同波长的光具有不同的响应能力。
根据需要，可以选择合适的光电二极管来测量特定波长范围内的光强度。
半导体光电二极管具有响应速度快、灵敏度高、体积小、功耗低等优点，广泛应用于光通信、光测量、光电检测等领域。
同时，光电二极管也可以作为其他光电器件的基础元件，如光电二极管阵列和光敏三极管等。
总结起来，半导体光电二极管的工作原理是通过光电效应和PN结的整流作用，将入射光转化为电流输出。
半导体激光二极管的工作原理
半导体激光二极管的工作原理好嘞，今天咱们聊聊半导体激光二极管，听起来是不是有点高大上？别担心，其实它就像个科技界的小精灵，虽然名字听起来复杂，但说白了，它就是把电变成光的“魔术师”。
想象一下，你打开电脑，那个亮亮的光点，嘿，就是它在工作！这小家伙的工作原理其实没那么神秘，咱们来一探究竟。
半导体激光二极管，嗯，咱们简称“激光二极管”吧，顾名思义，它是一个用半导体材料做的小盒子。
它的内部有两个区域，一个叫“P型”，另一个叫“N型”。
P型就像个好心的邻居，随时准备分享电子；N型则像个个性十足的朋友，电子在这里跳跃得可欢了。
然后，这两种材料一接触，嘿，就形成了一个叫“结”的地方，聪明吧？在这里，电子和“空穴”（想象成缺少电子的小空位）开始了一场舞蹈，互相碰撞、结合，哇，真是热闹！说到这里，咱们得提提这个“能量”了。
当电子和空穴结合的时候，会释放出能量，以光的形式出现。
就像在迪斯科舞厅里，灯光闪烁，能量满满。
可是，光可不止是亮亮的，它还是单色的，意味着它只有一种颜色。
这也是激光二极管的一个特性，光线不仅亮，还可以精准得像激光笔一样，绝对不含糊。
再说说激光二极管的工作状态。
想象一下，你把电源插上，电流开始流动，激发出那些小电子，开始在P型和N型之间穿梭。
这可不是随便游玩的，电子们可有任务在身，要在“结”的地方跳舞。
只要电流足够，电子就会不断碰撞，产生越来越多的光子，慢慢地，这光子就像雪花一样，越来越多，最后形成了稳定的激光输出。
是不是挺神奇的？这过程中还有个很重要的角色，那就是“增益介质”。
这个增益介质就像是舞台上的聚光灯，能把那些光子聚拢，让激光变得更强、更集中。
在增益介质的帮助下，光子们的能量不断积累，最后形成了那种让人眼花缭乱的激光束。
就像那些疯狂的追星族，越聚越多，最后形成了巨大的光亮。
好啦，咱们再来聊聊激光二极管的应用。
这个小家伙可不止在电脑里混日子，它的身影几乎无处不在。
激光打印机、光纤通信、甚至是医疗设备，激光二极管都有贡献。
SK12肖特基贴片二极管
SK12 THRU SK1200SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 1.0 AmpereMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSNote:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areasRatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.VOLTS VOLTS VOLTSSYMBOLS UNITSAmpAmps Volts V RRM V RMS V DC I (AV)IFSM V F 1.030.00.70Operating junction temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltageMaximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified current at T L (see fig.1)Peak forward surge current8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C Typical junction capacitance (NOTE 1)I R 0.5R θJA C J T J ,T STG88.0110pF C mA Typical thermal resistance (NOTE 2)C/W Storage temperature rangeC-65 to +150-65 to +125-65 to +15010.05.00.450.85Case : JEDEC DO-214AC molded plastic body Terminals : leads solderable per MIL-STD-750,Method 2026Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : AnyWeight :0.002 ounce, 0.07 gramsThe plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0For surface mounted applicationsMetal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiencyBuilt-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed:250 C/10 seconds at terminalsFEATURESMECHANICAL DATASK12SK13SK15SK14SK16SK110SK1820142030213040284050355060426080568010070100900.55Dimensions in inches and (millimeters)DO-214ACSK1150150105150SK12002001402000.950.22.0RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SK12 THRU SK12001.00.80.60.40.20.01 0.1 1 10 1001001010.1REVERSE VOLTAGE,VOLTSt,PULSE DURATION,sec.FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEFIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCENUMBER OF CYCLES AT 60 HzFIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARDFIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVEA V E R A G EF O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M P E R E SJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E , p FP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R E S1001010.10.010.001PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E ST R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ,C /WAMBIENT TEMPERATURE, C 5010.010.10.01FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARDI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SINSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS。
丝印12 的二极管 -回复
丝印12 的二极管-回复[丝印12 的二极管]是什么？丝印12的二极管是一个电子元件，用于控制电流流动方向的装置。
它是一种半导体材料制成的，通常由硅(Si)或锗(Ge)等材料构成。
二极管有两个引脚，一个是阳极(或称为正极或P极)，另一个是阴极(或称为负极或N极)。
通过控制二极管的正向或反向电压，可以实现电流在不同的方向上的流动。
二极管的原理和构造如何？二极管的原理基于PN结的特性。
PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体组成的。
P型半导体的特点是具有空穴（正电荷载体），而N 型半导体的特点是具有自由电子（负电荷载体）。
当将P型半导体和N型半导体连接在一起时，形成了一个PN结，其中P型区域为正极，N型区域为负极。
当二极管处于正向偏置时，即正极连接到P型区域，负极连接到N型区域，电流可以流过二极管。
这是因为在P型区域中，由于空穴的过剩，形成了电子的缺乏。
同时，在N型区域中，由于自由电子的过剩，形成了空穴的缺乏。
因此，在PN结的交界处会有一个电子流动的通道，电流可以顺利通过。
然而，当二极管处于反向偏置时，即正极连接到N型区域，负极连接到P型区域时，电流无法通过二极管。
这是因为在P型区域中，电子的过剩会吸引N型区域的自由电子，形成电子云，在PN结的交界处形成电势垒。
这个电势垒会阻碍电流的流动，使得反向电流非常微弱或几乎没有。
丝印12的二极管的特性和用途是什么？丝印12的二极管是一种常见的标准二极管。
其特性是反向击穿电压较高，正向导通电流较大。
这使得丝印12二极管在电子电路中有广泛的应用。
以下是一些可能的用途：1. 整流器：二极管可以将交流电转换为直流电。
丝印12的二极管可用于整流电路中，将交流电信号转换为直流电。
2. 保护电路：由于二极管具有阻止电流流向反向方向的特性，可以用于保护电路，防止电压过高或过低对电子器件的损坏。
3. 光电器件：丝印12的二极管在一定的条件下可以实现光电转换。
当光照射到二极管上时，可以产生电流信号。
半导体发光二极管工作原理特性及应用
半导体发光二极管工作原理特性及应用半导体发光器件包含半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。
事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP （磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。
因此它具有通常P-N结的I-N 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间邻近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相关于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，因此光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论与实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。
若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
（二）LED的特性1．极限参数的意义（1）同意功耗Pm:同意加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：同意加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所同意加的最大反向电压。
二极管和三极管
不论N型或P型半导体都是中性旳，对外不显电性。
1. 在杂质半导体中多子旳数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子旳数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子旳数量 c （a. 降低、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压旳作用下，P 型半导体中旳电流 主要是 b ，N 型半导体中旳电流主要是 a 。
课后练习Hale Waihona Puke uo = 8V uo = ui
例3: D2
D1
3k 6V
12V
求：UAB 解：取 B 点作参照点
A + UAB –B
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽视管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V
流过
D2
旳电流为
ID2
12 3
D1承受反向电压为－6 V
4mA
在这里， D2 起 钳位作用， D1起 隔离作用。
带着爱好学习：
1、说出你比较感爱好旳一种电子产品或电器
2、想象你生活当中旳一件事，做起来不是 很以便，能够经过电子产品或机械手旳手段 来处理它。并给这个产品命名
经过学习，能够搞清你所选电器旳原理，和元器 件所起旳作用；能够设计出你所想旳产品。
知识点
电子电路旳设计 分析
元器件内部原理、构成 经典电子电路旳计算、分析、
ICBO ICE
N
B
P
RB IBE N
电子技术
电路
电子 技术
基本概念基本定律 电路旳计算措施 暂态电路 交流电旳基本知识
模拟电子 特点 信号是连续旳 技术
数字电子 特点
技术
半导体二极管及其基本应用电路(12)
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1.1 半导体二极管
1）本征半导体中的两种载流子——电子和空穴
在室温下，本征半导体中少数价电子因受热而获得能量 ，摆脱原子核的束缚，从共价键中挣脱出来，成为自由电 子。与此同时，失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留 下了一个空位，这个空位称为空穴。由于本征硅或锗每产 生一个自由电子必然会有一个空穴出现，即电子与空穴成 对出现，称为电子空穴对。
• 1.4.5 激光二极管
• 激光是英文Laser的意译，音译为“镭射”。激光是 由激光器产生的。激光器有固体激光器、气体激光 器、半导体激光器等。半导体激光器是所有激光器 中效率最高、体积最小的一种，而比较成熟且实用 的半导体激光器是砷化镓激光器，即激光二极管。
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• 图1-3-10为倍压整流电路，该电路是用n个整流二极管和n 个电容组成n倍压整流电路。从图1-3-10中a、c两端取出电 压为nU2 ，其中n为偶数；而从b、d两端取出电压为nU2 ， 其中n为奇数。可以根据需要选择输出电压。在电路中，除 了电容C1承受电压为U2外，其他电容上承受的电压均为 2U2，每个整流管的反向电压为2U2。该电路虽可得到较高 的直流输出电压，但它的输出特性很差，所以只适用于负 载电流很小，且负载基本上不变的场合。
• 二极管的主要特性是单向导电。二极管的特性可用伏安特性曲线来描 述。
• 1．二极管的伏安特性曲线 • 二极管的种类虽然很多，但它们都具有相似的伏安特性。所谓二极管
伏安特性曲线就是流过二极管的电流Ｉ与加在二极管两端电压U之间的
关系曲线。图1-1-13 所示为硅和锗二极管伏安特性曲线，
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第 1章
半导体二极管及其基本应用电路
二极管参数
名称:常用半导体二极管的主要参数常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型普通检波二极管&Pound;16 &Sup3;2.5 &Pound;1 &Sup3;40 20 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)150&Sup3;5 &Sup3;150 100&Pound;25 &Sup3;10 &Pound;1 &Pound;10 &Pound;250 &Pound;1 F H (MHz)40&Pound;15 &Sup3;10 &Pound;100锗开关二极管&Sup3;150 &Pound;1 30 10 &Pound;3 &Pound;20040 20&Sup3;200 &Pound;0.9 60 40 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;10 &Pound;1 70 50 &Pound;2 &Pound;150&Sup3;250 &Pound;0.7 60 4070 50硅开关二极管&Sup3;10 &Pound;0.8 A&Sup3;30 B&Sup3;45 C&Sup3;60 D&Sup3;75 E&Sup3;90 A&Sup3;20 B&Sup3;30 C&Sup3;40 D&Sup3;50 E&Sup3;60 &Pound;1.5 &Pound;3&Sup3;20 &Pound;4&Sup3;30 &Pound;1 &Pound;5&Sup3;50 &Pound;1&Sup3;100&Sup3;150&Sup3;200类型整流二极管 2 0.1 &Pound;1 25 L 6006 0.3 &Pound;1 50 L 100010 0.5 &Pound;1 50 L 100020 1 &Pound;1 50 L 100065 3 &Pound;0.8 25 L 100030 1 1.1 50 L 1000 550 1.5 1.4 50 L 1000 10200 3 1.2 50 L 1000 103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数整流电流/A反向工作电压/V最高工作结温/ O CQL1 1 0.05 &Pound;1.2 &Pound;10 130QL2 2 0.1QL4 6 0.3QL5 10 0.5QL6 20 1QL7 40 2 &Pound;15QL8 60 3 4.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度<50 O C稳定电流下稳定电流下环境温度＜10 O C稳定电压/V稳定电流/MA最大稳定电流/MA反向漏电流动态电阻/W电压温度系数/10 -4 / O C最大耗散功率/W2CW51 2.5~3.5 10 71 &Pound;5 &Pound;60 &Sup3;-9 0.252CW52 3.2~4.5 55 &Pound;2 &Pound;70 &Sup3;-82CW53 4~5.8 41 &Pound;1 &Pound;50 -6~42CW54 5.5~6.5 38 &Pound;0.5 &Pound;30 -3~52CW56 7~8.8 27 &Pound;15 &Pound;72CW57 8.5~9.8 26 &Pound;20 &Pound;82CW59 10~11.8 5 20 &Pound;30 &Pound;92CW60 11.5~12.5 19 &Pound;40 &Pound;92CW103 4~5.8 50 165 &Pound;1 &Pound;20 -6~4 12CW110 11.5~12.5 20 76 &Pound;0.5 &Pound;20 &Pound;92CW113 16~19 10 52 &Pound;0.5 &Pound;40 &Pound;112CW1A 5 30 240 &Pound;20 12CW6C 15 30 70 &Pound;8 12CW7C 6.0~6.5 10 30 &Pound;10 0.05 0.2 5.常用半导体三极管的主要参数表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数原型号3AX31测试条件新型号3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D极限参数P CM (MW) 100 100 100 100 T A＝25 O CI CM (MA) 100 100 100 100T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 &Sup3;30 I C＝1mABV CEO (V) &Sup3;12 &Sup3;12 &Sup3;18 &Sup3;24 I C＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V CB＝-10VI CEO (MA) &Pound;500 &Pound;500 &Pound;300 &Pound;300 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 &Pound;12 V EB＝-6VH FE 40~150 40~150 30~100 25~70 V CE＝-1V I C＝50mA交流参数 F A (KHz) &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 &Sup3;500 V CB＝-6V I E＝1mAN F (DB)－&Pound;8－－V CB＝-2V I E＝0.5mA F＝1kHzH Ie (KW) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 V CB＝-6V I E＝1mA F＝1kHzH Re (&Acute;10) &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2 &Pound;2.2H Oe (Ms) &Pound;80 &Pound;80 &Pound;80 &P ound;80H Fe－－－－H FE色标分档管脚表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A 3AX81B测试条件极限参数P CM (MW) 200 200I CM (MA) 200 200T JM ( O C) 75 75BV CBO (V) -20 -30 I C＝4mABV CEO (V) -10 -15 I C＝4mABV EBO (V) -7 -10 I E＝4mA直流参数I CBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V CB＝-6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;700 V CE＝-6VI EBO (MA) &Pound;30 &Pound;15 V EB＝-6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝-1V I C＝175mAV CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝200mAH FE 40~270 40~270 V CE＝-1V I C＝175mA交流参数 F B (KHz) &Sup3;6 &Sup3;8 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C测试条件极限参数P CM (MW) 125 125 125 125 T A =25 O CI CM (MA) 125 125 125 125T JM ( O C) 75 75 75 75BV CBO (V) -15 -20 -30 -40 I C＝1mABV CEO (V) -6 -12 -18 -24 I C＝2mABV EBO (V) -6 -10 -10 -10 I E＝1mA直流参数I CBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V CB＝6VI CEO (MA) &Pound;1000 &Pound;800 &Pound;600 &Pound;400 V CE＝6VI EBO (MA) &Pound;25 &Pound;20 &Pound;12 &Pound;6 V EB＝6VV BES (V) &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 &Pound;0.6 V CE＝6V I C＝100mA V CES (V) &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 &Pound;0.65 V CE＝V BE V CB＝0 I C＝125mAH FE 80~400 40~180 40~180 40~180 V CE＝1V I C＝100mA交流参数 F B (KHz)－－&Sup3;8 F A &Sup3;465 V CB＝-6V I E＝10mAH FE色标分档管脚表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D极限参数CM (MW)CM (MA)CBO (V) C＝100&Micro;ACEO (V) C＝100&Micro;AEBO (V) E＝100mA直流参数CBO (MA) CB＝10VCEO (MA) CE＝10VEBO (MA) EB＝1.5VBES (V) C＝10mA I B＝1mACES (V) C＝10mA I B＝1mAFE CE＝10V I C＝3mA交流参数T (MHz) CB＝10V I E＝3mA F＝100MHz R L＝5WP (DB) CB＝-6V I E＝3mA F＝100MHzOb (PF) CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表20 3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG12测试条件新型号3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D极限参数P CM (MW) 700 700 700 700I CM (MA) 300 300 300 300BV CBO (V) &Sup3; 40 &Sup3; 60 &Sup3; 40 &Sup3; 60 I C＝100&Micro;ABV CEO (V) &Sup3; 30 &Sup3; 45 &Sup3; 30 &Sup3; 45 I C＝100&Micro;ABV EBO (V) &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 &Sup3; 4 I E＝100mA直流参数I CBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V CB＝10VI CEO (MA) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 V CE＝10VI EBO (MA) &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 &Pound; 0.5 V EB＝1.5VV BES (V) &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 &Pound; 1 I C＝100mA I B＝10mAV CES (V) &Pound; 0.6 &Pound; 0.6 &Po und; 0.6 &Pound; 0.6 I C＝100mA I B＝10mAH FE &Sup3;30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 &Sup3; 30 V CE＝10V I C＝50mA交流参数 F T (MHz) &Sup3; 150 &Sup3; 150 &Sup3; 300 &Sup3; 300 V CB＝10V I E ＝50mA F＝100MHz R L＝5WK P (DB) &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 &Sup3; 6 V CB＝–10V I E＝50mA F＝100MHz C Ob (PF) &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 &Pound; 10 V CB＝10V I E＝0H FE色标分档管脚表21 9011~9018塑封硅三极管的参数型号(3DG) 9011 (3CX) 9012 (3DX) 9013 (3DG) 9014 (3CG) 9015 (3DG) 9016 (3DG) 9018极限参数P CM (MW) 200 300 300 300 300 200 200I CM (MA) 20 300 300 100 100 25 20BV CBO (V) 20 20 20 25 25 25 30BV CEO (V) 18 18 18 20 20 20 20BV EBO (V) 5 5 5 4 4 4 4直流参数I CBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05I CEO (MA) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5I EBO (MA) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05V CES (V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35V BES (V) 1 1 1 1 1 1H FE 30 30 30 30 30 30 30交流参数 F T (MHz) 100 80 80 500 600C Ob (PF) 3.5 2.5 4 1.6 4K P (DB) 10H FE色标分档管脚表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ2 3DJ4 3DJ6 3DJ7 3D01 3D02 3D04D~H D~H D~H D~H D~H D~H D~H饱和漏源电流I DSS (MA) 0.3~10 0.3~10 0.3~10 0.35~1.8 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5夹断电压V GS (V) <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï <Ï1~9Ï &Pound;Ï1~9Ï &Pound;Ï1~9Ï&Pound;Ï1~9Ï正向跨导G M (MV) >2000 >2000 >1000 >3000 &Sup3;1000 &Sup3;4000 &Sup3;2000最大漏源电压BV DS (V) >20 >20 >20 >20 >20 >12~20 >20最大耗散功率P DNI (MW) 100 100 100 100 100 25~100 100栅源绝缘电阻R GS (W) &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8 &Sup3;10 8~10 9 &Sup3;100管脚。
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- 流，从而保证稳压管正常工作。
URUI UZ
IL
UZ RL
保证稳压管有稳
压效果必须：
IR
UR R
UI
UZ R
IZ IRIZ
IZm inIZIZm ax
六、其它类型二极管
1、发光二极管 ⑴具有单向导电性；加正向电压时导通就发光。 导通时电压比普通二极管大。电流越大，发光 越强。注意不要超过极限参数。 ⑵发光的颜色取决于所用材料。
发光二极管符号
2、光电二极管（自学）
谢 谢！
U Z IZ
rZ越小，稳压效果越好； u
u IZmin IZM
（5）温度系数α： U Z T
温度每变化1度稳压值的 变化量。
R IR + IZ UI DZ -
当稳压二极管工作在反向
IL
+ 击穿状态下,工作电流IZ在IZM 和Izmin之间变 化 时 , 其两 端 电
RL
UZ
压近似为常数，所以稳压电路 中必须串联一个电阻来限制电
i
ID iD Q
uD
在Q点附近加上一个微小变 化的量，则可用Q点为切点的直 线近似微小变化时的曲线。
u
UD
rd
uD iD
(动态电阻)
uD
1 iD d i D d[I S (e UT 1)]
rd u D d u D
duD
IS
uD
eUT
ID
UT
UT
rd
UT ID
D
ui
+ ui
-
+-+ uD R uR
V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先 导通现象。
－5V 0V
R D1
D2
D2导通，D1截止。
Si :Uon 0.7V uo Ge :Uon 0.2V
Si : uo 5.7V ?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效
果不好；
i
（3）额定功耗PZM：PZM=UZ
IZM
； UZ
IZM ---最大稳定电流
（4）动态电阻rZ： rZ
i
＋
u
i
u
Uon
Uon
－
（2）正向导通压降为常数（硅管 0.7V；锗管 0.2V），
反向截止电流为零；
两种等效电路：
ＵＤ
＋－
（1） V UD时，I VR V （2）I V Uon
R
＋
Ｉ
R ＵＲ
－
(S i:U o n 0 .7 V ,G e:U o n 0 .2 V )
2、微变等效电路
R
ui
+
D
+
4V UREF
t
ui -
UREF
uo
0
-
-4V
uo
解：（1）ui>UREF时，
UREF
t
uo UREF
（2）ui<安特性
反向特性：
i
当I <IZmin 时，没有稳压效果；
当I > IZmin时，电压变化量很小，
UZ
电压基本稳定只要电流不超过
i