英飞凌高效开关电源系统解决方案
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高体二极管可靠性 低反向恢复电荷 (Qrr)
益处
便于控制的开关特性 与C3相比具有更高的轻载效率
CoolMOSTM 品质,高可靠性体二极管
突出的可靠性,品质保证 与之前的几代CoolMOSTM 产品相比,价格更优
Copyright © Infineon Technologies 2009. All rights reserved.
提供Bulk voltage ok 信 号
2012/8/21
RVB2
ROSC
CICOMP
CVCC
VCC
频率设置和外置频率同步
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 ICE3PCS01G
CoolMOS C6/E6
2012/8/21 Copyright © Infineon Technologies 2009. All rights reserved. Page 10
英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 CoolMOS C6
特征
低导通电阻在指定单位面积 (Ron * A)
低储存在输出电容上的能量 (Eoss)
DBYP RNTC LBoost VCC DB
PGND GATE VCC P-DSO-14 VSENSE OVP BOP VB_OK
VREF VBTHL_EN
90 ~ 270 Vac
Line Filter
RGD CE RCS1 RGS
CB
RBVS1
RBVS4
RBVS2
RBVS5
RBVS3 DBRO1 DBRO2 QRel RRel
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2012/8/21
英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 CoolMOS/SiC diode
SiC Gen5 IDH05G65C5
第五代SiC 二极管
CoolMOS C6/E6 IPP60R190C6
RBVS6
RCS2
PCL 门槛: -0.2V
+/-2% R 误差
RBRO1
BRO2
VB_OK
CS
GATE
PGND
VSENSE
OVP
PWM Feedback
BOP RBRO3 CBRO SGND Vref RVB1 BOFO VBTHL/EN OSC ICOMP VCC
RBOFO1
RBOFO2
二次OVP保护,进一步加强 系统可靠性
PWM Feedback
Current Loop + PWM Generation
Gate Driver
BOP
Ramp Profile Ave(Iin) at ICOMP
VIN
RBOFO1
Sigmadelta ADC
GATE
Nonlinear Gain Notch Filter
RBRO3
CBRO SGND
RBVS5
RBVS3
GND
Βιβλιοθήκη Baidu
RBVS6
DBRO1
DBRO2 QRel RRel RBRO1 RBRO2 VB_OK
RCS2
CS
GATE
PGND
VSENSE
OVP
PWM Feedback
BOP RBRO3 CBRO SGND Vref RVB1 RVB2 ROSC CICOMP CVCC BOFO VBTHL/EN OSC ICOMP VCC
Vref RVB1
BOFO VBTHL/EN OSC ICOMP VCC
Av(IIN) RBOFO2
PI Filter
2.5V
VSENSE
t
500ns
RVB2
ROSC
CICOMP
CVCC
VCC
OLP
C2a
0.5V
Gate Drive
C1a
OVP OVP Q R Q S 2.5V 2.7V
t
C1b
2012/8/21
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 ICE3PCS01G
负载 效率
DBRO2 90 ~ 270 Vac DBRO1
轻载 96%
半载 96.5%
VDD
满载 96%
BOFO ISENSE SGND ICOMP P-DSO-14
VREF VBTHL_EN
90 ~ 270 Vac
Line Filter
RGD CE RCS1 RGS
CB
RBVS1
RBVS4
RBVS2
RBVS5
RBVS3 DBRO1 DBRO2 QRel RRel RBRO1 RBRO2 VB_OK CS GATE PGND VSENSE OVP
RBVS6
RCS2
LBoost
Current sense R 90 ~ 270 from LLC Vac
BOFO1
BOFO Line Filter
RBOFO2
0.5V
C6
Blanking time H2L 5ms L2H 40ms CE
VCC
RGD RGS
VSENSE CB
RBVS2
RCS1
RBOFO3
RBVS3
RBVS2
减小电压过冲 高可靠性,易于设计 快速的恢复时间高可靠性,易于设计 基本无电流失真 高性能
Bulk voltage OK 信号
节省防浪涌继电器的检测电路或PWM IC控制电路 低成本
可调的低门槛的VB_OK信号 提高设计的弹性
二次OVP保护 低成本
各种保护功能
可以降低工作量
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 CoolMOS C6
高压230Vac 效率 98.5
97.5
eta [%]
96.5
95.5
SPP20N60C3 BT1 normS Rg5 IPP60R190C6 BT1 normS Rg5 IPP60R190C6 BT1 normS Rg0
94.5 0 50 100 150 Pout[W]
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 ICE3PCS01G
为了应对全球变暖,电脑产业拯救气候计划,由谷歌和英特尔在2007年开始,寻求从计算机的操作,以减 少全球二氧化碳排放量到2010年每年540万吨.
www.climatesaverscomputing.org Climate Saver 白金 90% 92% 89% 80+ Jul 08 – Jun 09 July 09 – Jun 10 July 10 – Jun 11
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 ICE3PCS01G
负载 效率 轻载 96% 半载 96.5% 满载 96%
BOFO ISENSE SGND ICOMP FREQ
DBYP RNTC LBoost VCC DB
PGND GATE VCC P-DSO-14 VSENSE OVP BOP VB_OK
金
87% 90% 87% 银 85% 88% 85% 铜 82% 85% 82% 80+ 80% 80% 80%
>= 20%
>= 20%
>= 80%
>= 20%
>= 80%
100%
100%
100%
100%
服务器产品80+ 白金牌方案要求在20%, 50% 和 100%负载,230Vac输入线电压情况下效率达到 91% , 94% and 90%.
全负载范围提升PFC系统效率
精确的频率设定 可以最优化EMI滤波器, 减低成本,提升效率 精确的电压调整率 优化功率级, 提升效率 可调整的 boost 跟踪功能 提升低压,轻载的效率 0.2V 峰值电流限制 减小电流采样电阻的损耗,提升效率
负载跳变时实现快速动态响应
2012/8/21 Copyright © Infineon Technologies 2009. All rights reserved. Page 14
200
250
300
350
英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 第五代SiC二极管
SiC主要特征:
• •
由于基本上没有反向恢复电荷与存储电荷,开关损耗极小 开关特性独立于正向电流,开关速度和温度
SiC 益处:
• • •
提升效率 允许使用更小的MOSFET 由于可以提升和效率,可以节省成本和体积 要求 提升功率密度 改善EMI 增强系统可靠性
• •
与Si 材料的二极管相比具有明显优势,在目标市场 (服务器,通信,太阳能,UPS)具有强大的市场 占有率。
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 CoolMOS C6
Set date
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 CoolMOS C6
引脚电感 dv/dt 触发震荡
英飞凌高效开关电源系统解决方案
王进 英飞凌系统应用工程师
高效开关电源系统解决方案
议程
背景介绍 英飞凌PFC解决方案,提升PFC效率 英飞凌LLC解决方案,提升LLC效率 英飞凌低待机损耗辅助电源解决方案 总结
2012/8/21
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高效开关电源系统解决方案
议程
背景介绍 英飞凌PFC解决方案,提升PFC效率 英飞凌LLC解决方案,提升LLC效率 英飞凌低待机损耗辅助电源解决方案 总结
2012/8/21
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Yellow: 待机电源
ICE2QR2280Z
Blue: LLC 谐振半桥变换器 ICE2HS01G IPP60R190C6 IPP015N04N brown: DC-DC 变换器 BSC030N03LS BSC050N03LS TDA21106
2012/8/21
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英飞凌开关电源解决方案
PFC 部分 第五代SiC二极管
1. - 所有第五代SiC二极管产品Vbr = 650V 2. - 英飞凌提供市场上提供最为多样的 650V SiC 二极管
3. - 最大额定电流由16A (G2) 提升到 40A
4. - 高间隔尺度以确保最适合具体的设计需求 5. -引入3 种新封装,共5种封装,
TO220 R2L TO220 FP TO247 D2PAK R2L ThinPAK 8x8
命名
2A 3A 4A 5A
6A
8A 9A 10A 12A 16A 20A 30A
IDH02G65C5 IDH03G65C5 IDH04G65C5 IDH05G65C5 IDH06G65C5 IDH08G65C5 IDH09G65C5 IDH10G65C5 IDH12G65C5 IDH16G65C5 IDH20G65C5
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英飞凌开关电源解决方案
演示板一览
Red: Pink:
输入EMI电路和整流 桥 CCM PFC ICE3PCS01G IPP60R190C6 IDT05S60C
PGND GATE VCC VSENSE OVP BOP VB_OK
BOP
RBRO1 RBRO2 RBRO3 CBRO
FREQ
20uA
DBYP RNTC C7
Blanking time L2H 30us H2L 1us
VBulk
2.3/ 2.5V
DB
RBVS1
VREF VBTHL_EN
RBVS1 RBVS4
MOSFET 分解 封装寄生参数– TO-220
外置在板耦合电容 Cgd-ext
管脚 + 门极引线电感
谐振回路
D
Cgd
G
Rg ext
谐振回路
Rg int Cgs
Cds
S
di/dt 触发震荡
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RBOFO1
RBOFO2
VCC
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PFC 部分 ICE3PCS01G
负载 效率 轻载 96% 半载 96.5% 满载 96%
BOFO ISENSE SGND ICOMP FREQ
益处
便于控制的开关特性 与C3相比具有更高的轻载效率
CoolMOSTM 品质,高可靠性体二极管
突出的可靠性,品质保证 与之前的几代CoolMOSTM 产品相比,价格更优
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ROSC
CICOMP
CVCC
VCC
频率设置和外置频率同步
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PFC 部分 ICE3PCS01G
CoolMOS C6/E6
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PFC 部分 CoolMOS C6
特征
低导通电阻在指定单位面积 (Ron * A)
低储存在输出电容上的能量 (Eoss)
DBYP RNTC LBoost VCC DB
PGND GATE VCC P-DSO-14 VSENSE OVP BOP VB_OK
VREF VBTHL_EN
90 ~ 270 Vac
Line Filter
RGD CE RCS1 RGS
CB
RBVS1
RBVS4
RBVS2
RBVS5
RBVS3 DBRO1 DBRO2 QRel RRel
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PFC 部分 CoolMOS/SiC diode
SiC Gen5 IDH05G65C5
第五代SiC 二极管
CoolMOS C6/E6 IPP60R190C6
RBVS6
RCS2
PCL 门槛: -0.2V
+/-2% R 误差
RBRO1
BRO2
VB_OK
CS
GATE
PGND
VSENSE
OVP
PWM Feedback
BOP RBRO3 CBRO SGND Vref RVB1 BOFO VBTHL/EN OSC ICOMP VCC
RBOFO1
RBOFO2
二次OVP保护,进一步加强 系统可靠性
PWM Feedback
Current Loop + PWM Generation
Gate Driver
BOP
Ramp Profile Ave(Iin) at ICOMP
VIN
RBOFO1
Sigmadelta ADC
GATE
Nonlinear Gain Notch Filter
RBRO3
CBRO SGND
RBVS5
RBVS3
GND
Βιβλιοθήκη Baidu
RBVS6
DBRO1
DBRO2 QRel RRel RBRO1 RBRO2 VB_OK
RCS2
CS
GATE
PGND
VSENSE
OVP
PWM Feedback
BOP RBRO3 CBRO SGND Vref RVB1 RVB2 ROSC CICOMP CVCC BOFO VBTHL/EN OSC ICOMP VCC
Vref RVB1
BOFO VBTHL/EN OSC ICOMP VCC
Av(IIN) RBOFO2
PI Filter
2.5V
VSENSE
t
500ns
RVB2
ROSC
CICOMP
CVCC
VCC
OLP
C2a
0.5V
Gate Drive
C1a
OVP OVP Q R Q S 2.5V 2.7V
t
C1b
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PFC 部分 ICE3PCS01G
负载 效率
DBRO2 90 ~ 270 Vac DBRO1
轻载 96%
半载 96.5%
VDD
满载 96%
BOFO ISENSE SGND ICOMP P-DSO-14
VREF VBTHL_EN
90 ~ 270 Vac
Line Filter
RGD CE RCS1 RGS
CB
RBVS1
RBVS4
RBVS2
RBVS5
RBVS3 DBRO1 DBRO2 QRel RRel RBRO1 RBRO2 VB_OK CS GATE PGND VSENSE OVP
RBVS6
RCS2
LBoost
Current sense R 90 ~ 270 from LLC Vac
BOFO1
BOFO Line Filter
RBOFO2
0.5V
C6
Blanking time H2L 5ms L2H 40ms CE
VCC
RGD RGS
VSENSE CB
RBVS2
RCS1
RBOFO3
RBVS3
RBVS2
减小电压过冲 高可靠性,易于设计 快速的恢复时间高可靠性,易于设计 基本无电流失真 高性能
Bulk voltage OK 信号
节省防浪涌继电器的检测电路或PWM IC控制电路 低成本
可调的低门槛的VB_OK信号 提高设计的弹性
二次OVP保护 低成本
各种保护功能
可以降低工作量
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PFC 部分 CoolMOS C6
高压230Vac 效率 98.5
97.5
eta [%]
96.5
95.5
SPP20N60C3 BT1 normS Rg5 IPP60R190C6 BT1 normS Rg5 IPP60R190C6 BT1 normS Rg0
94.5 0 50 100 150 Pout[W]
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为了应对全球变暖,电脑产业拯救气候计划,由谷歌和英特尔在2007年开始,寻求从计算机的操作,以减 少全球二氧化碳排放量到2010年每年540万吨.
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PFC 部分 ICE3PCS01G
负载 效率 轻载 96% 半载 96.5% 满载 96%
BOFO ISENSE SGND ICOMP FREQ
DBYP RNTC LBoost VCC DB
PGND GATE VCC P-DSO-14 VSENSE OVP BOP VB_OK
金
87% 90% 87% 银 85% 88% 85% 铜 82% 85% 82% 80+ 80% 80% 80%
>= 20%
>= 20%
>= 80%
>= 20%
>= 80%
100%
100%
100%
100%
服务器产品80+ 白金牌方案要求在20%, 50% 和 100%负载,230Vac输入线电压情况下效率达到 91% , 94% and 90%.
全负载范围提升PFC系统效率
精确的频率设定 可以最优化EMI滤波器, 减低成本,提升效率 精确的电压调整率 优化功率级, 提升效率 可调整的 boost 跟踪功能 提升低压,轻载的效率 0.2V 峰值电流限制 减小电流采样电阻的损耗,提升效率
负载跳变时实现快速动态响应
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PFC 部分 第五代SiC二极管
SiC主要特征:
• •
由于基本上没有反向恢复电荷与存储电荷,开关损耗极小 开关特性独立于正向电流,开关速度和温度
SiC 益处:
• • •
提升效率 允许使用更小的MOSFET 由于可以提升和效率,可以节省成本和体积 要求 提升功率密度 改善EMI 增强系统可靠性
• •
与Si 材料的二极管相比具有明显优势,在目标市场 (服务器,通信,太阳能,UPS)具有强大的市场 占有率。
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PFC 部分 CoolMOS C6
引脚电感 dv/dt 触发震荡
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背景介绍 英飞凌PFC解决方案,提升PFC效率 英飞凌LLC解决方案,提升LLC效率 英飞凌低待机损耗辅助电源解决方案 总结
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ICE2QR2280Z
Blue: LLC 谐振半桥变换器 ICE2HS01G IPP60R190C6 IPP015N04N brown: DC-DC 变换器 BSC030N03LS BSC050N03LS TDA21106
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PFC 部分 第五代SiC二极管
1. - 所有第五代SiC二极管产品Vbr = 650V 2. - 英飞凌提供市场上提供最为多样的 650V SiC 二极管
3. - 最大额定电流由16A (G2) 提升到 40A
4. - 高间隔尺度以确保最适合具体的设计需求 5. -引入3 种新封装,共5种封装,
TO220 R2L TO220 FP TO247 D2PAK R2L ThinPAK 8x8
命名
2A 3A 4A 5A
6A
8A 9A 10A 12A 16A 20A 30A
IDH02G65C5 IDH03G65C5 IDH04G65C5 IDH05G65C5 IDH06G65C5 IDH08G65C5 IDH09G65C5 IDH10G65C5 IDH12G65C5 IDH16G65C5 IDH20G65C5
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输入EMI电路和整流 桥 CCM PFC ICE3PCS01G IPP60R190C6 IDT05S60C
PGND GATE VCC VSENSE OVP BOP VB_OK
BOP
RBRO1 RBRO2 RBRO3 CBRO
FREQ
20uA
DBYP RNTC C7
Blanking time L2H 30us H2L 1us
VBulk
2.3/ 2.5V
DB
RBVS1
VREF VBTHL_EN
RBVS1 RBVS4
MOSFET 分解 封装寄生参数– TO-220
外置在板耦合电容 Cgd-ext
管脚 + 门极引线电感
谐振回路
D
Cgd
G
Rg ext
谐振回路
Rg int Cgs
Cds
S
di/dt 触发震荡
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RBOFO1
RBOFO2
VCC
2012/8/21
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负载 效率 轻载 96% 半载 96.5% 满载 96%
BOFO ISENSE SGND ICOMP FREQ