磁导率 初始磁导率
磁导率
磁导率表示物质磁化性能的一个物理量，是物质中磁感应强度B与磁场强度H之比，又成为绝对磁导率。
物质的绝对磁导率和真空磁导率（设为μ0=4*3.14*0.0000001H/m）比值称为相对磁导率，也就是我们一般意义上的磁导率。
对于顺磁质μr＞1，对于抗磁质μr＜1，但它们都与1相差很小（例如铜的μr与1之差的绝对值是0．94×10-5）。
然而铁磁质的μr可以大至几万。
非铁磁性物质的μ近似等于μ0。
而铁磁性物质的磁导率很高，μ>>μ0。
铁磁性材料的相对磁导率μr=μ/μ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000；坡莫合金为20000～200000。
空气的相对磁导率为1.00000004；铂为1.00026；汞、银、铜、碳(金刚石)、铅等均为抗磁性物质，其相对磁导率都小于1，分别为0.999971、0.999974、0.99990、0.999979、0.999982。
所以，铜虽然具有抗磁性，但相对磁导率也有0.99990;纯铁为顺磁性物质，其相对磁导率会达到400以上。
所以用铜裹住铁并不能阻断磁力，而且是远远不能。
在某些特殊情况下，铜的抗磁性就会表现出来，如规格很小的烧结钕铁硼磁体D3*0.8电镀镍铜镍后,磁通量会降低7-8%（当然，这个损失还包括倒角和镍层屏蔽导致的磁损）。
直截了当地讲，磁场无处不在，是不能阻断的。
只不过各种物质导磁性有所差异，如空气、材料、铜、铝、橡胶、塑料等相对磁导率近似为1，它们对磁不感兴趣；而铁磁性材料如铸铁、铸钢、硅钢片、铁氧体、坡莫合金等材料具有良好的导磁性能，因此可用于导磁，也可用于隔磁（本质上还是导磁）。
磁导率英文名称：magnetic permeability 表征磁介质磁性的物理量。
常用符号μ表示，μ为介质的磁导率，或称绝对磁导率。
目录1简介2常用参数3功能4方法原理1简介磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=dB / dH通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0相对磁导率μr与磁化率χ的关系是：μr=1+χ磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
磁导率
磁导率magnetic permeability表征磁介质磁性的物理量。
常用符号μ表示，等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即B(矢量）=μH(矢量）通常使用的是磁介质的相对磁导率μr ，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0磁场强度矢量H磁场强度矢量H是为了磁场的安培环路定理得到形式上简化而引入的辅助物理量。
它的物理意义类似于电位移矢量D。
从定义的操作方面来看，磁感应强度是完全考虑磁场对于电流元的作用，而不考虑这种作用是否受到磁场空间所在的介质的影响，这样磁感应强度就是同时由磁场的产生源与磁场空间所充满的介质来决定的。
相反，磁场强度则完全只是反映磁场来源的属性，与磁介质没有关系。
实际在前面已经说明，这两个概念在实际运用中各有其方便之处。
事实上，H的定义式为: H(矢量）=B(矢量）/μ磁通量magnetic flux表征磁场分布情况的物理量。
通过磁场中某处的面元dS的磁通量dΦ定义为该处磁感应强度的大小B与dS在垂直于B方向的投影dScosθ的乘积，即dΦ =BdScosθ式中θ是面元的法线方向n与磁感应强度B的夹角。
磁通量是标量，θ＜90°为正值，θ＞90°为负值。
通过任意闭合曲面的磁通量ΦB 等于通过构成它的那些面元的磁通量的代数和，即对于闭合曲面，通常取它的外法线矢量（指向外部空间）为正。
磁场的高斯定理指出，通过任意闭合曲面的磁通量为零，即它表明磁场是无源的，不存在发出或会聚磁力线的源头或尾闾，亦即不存在孤立的磁单极。
以上公式中的B既可以是电流产生的磁场，也可以是变化电场产生的磁场，或两者之和。
磁通密度是通过垂直于磁场方向的单位面积的磁通量，它等于该处磁场磁感应强度的大小B。
磁通密度精确地描述了磁感线的疏密。
通量概念是描述矢量场性质的必要手段，通量密度则描述矢量场的强弱。
磁通量和磁通密度，电通量和电通密度都是如此。
在国际单位制（SI）中，磁通量的单位是韦伯（Wb）。
铁粉芯 磁瓦 磁块
铁粉芯磁瓦磁块
铁粉芯、磁瓦和磁块都是磁性材料，常用于电子设备中。
以下是对这三者的介绍：- 铁粉芯：主要成分是氧化铁，价格比较低，饱和磁感应强度在1.4T左右。
磁导率范围从22-100，初始磁导率ui值随频率的变化稳定性好，直流电流迭加性能好，但高频下消耗高。
- 磁瓦：一般采用纯铁粉加入绝缘剂、粘结剂然后挤压成型而成，表面电阻较小，初始导磁率为75以下，拥有很高的饱和磁通密度B，因此常用于功率型的磁环电感的各种开关电源上。
- 磁块：属于软磁铁氧体磁芯，具有电阻高、导磁率偏低的特点，初始导磁率范围在5-1500。
由于这类磁块具有较高的表面电阻（100M以上），因此一般用于中高频电路上。
不同的磁性材料具有不同的特性和适用场景，在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的材料。
初始磁导率详解
功率铁氧体参数详解
1.初始磁导率μi
初始磁导率是磁性材料的磁化曲线始端磁导率的极限值，定义公式为：
H为磁场强度，单位A/m;B为磁感应强度，单位T;初始磁导率与温度和频率有关
初始磁导率的测试是在一个闭合磁路中加入一个很小的磁场，一般要求B=1mT。
要表达的是材料本身的磁性强度。
2.温度为什么会影响初始磁导率
铁氧体磁芯在磁场中被磁化,主要还是烧结后的铁氧体是由小的晶体组成，这种晶体的大小一般在10~20μm的范围内，磁畴就是存在于这些晶体之中。
在没有外磁场作用时，这些磁畴排列的方向是杂乱无章的。
小磁畴间的磁场是相互抵销的，对外不呈现磁性。
当一个外加磁场（H）作用于该材料时，磁畴顺着磁场方向转动，加强了铁氧体内的磁场。
随着外磁场的加强，转到外磁场方向的磁畴
就越来越多，与外磁场同向的磁感应强度就越强
不同的温度下小晶体的稳定性不同，在居里温度以下，温度越高，晶体活性越好,磁畴越容易转动
3.频率影响初始磁导率
随着频率的升高，铁氧体材料有频散和吸收特性，这些频散和吸收包括涡
流损耗，尺寸共振，磁力共振，磁畴共振和自然共振。
磁性材料术语解释及计算公式
磁性材料术语解释及计算公式起始磁导率μi初始磁导率是磁性材料的磁导率（B/H ）在磁化曲线始端的极限值，即μi =01μ× H B ∆∆ ()0→∆H式中μ0为真空磁导率（m H /7104-⨯π） ∆H 为磁场强度的变化率（A/m ）∆B 为磁感应强度的变化率（T ）有效磁导率μe在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以用有效磁导率来表示磁芯的性能。
e μ =AeLe N L 20⋅μ 式中 L 为装有磁芯的线圈的电感量（H ）N 为线圈匝数Le 为有效磁路长度（m ）Ae 为有效截面积 (m 2)饱和磁通密度Bs （T ）磁化到饱和状态的磁通密度。
见图1。
HcH图 1剩余磁通密度Br（T）从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。
见图1。
矫顽力Hc（A/m）从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直至磁感应强度减为零，此时的磁场强度称为矫顽力。
见图1。
损耗因子tanδ损耗系数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和。
tanδ= tanδh + tanδe + tanδr式中tanδh为磁滞损耗系数tanδe为涡流损耗系数tanδr为剩余损耗系数相对损耗因子 tanδ/μi比损耗因子是损耗系数与与磁导率之比：tanδ/μi（适用于材料）tanδ/μe（适用于磁路中含有气隙的磁芯）品质因数 Q品质因数为损耗因子的倒数: Q = 1/ tan δ温度系数αμ( 1/K)温度系数为T1和T2范围内变化时,每变化1K 相应的磁导率的相对变化量:αμ=112μμ-μ.12T T 1- 式中μ1为温度为T1时的磁导率μ2为温度为T2时的磁导率 相对温度系数αμr(1/K)温度系数和磁导率之比，即αμr = 2112μμ-μ.12T T 1- 减落系数 DF在恒温条件下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即 DF = 212121μ1T T log μμ⨯- (T2>T1) μ1为退磁后T1分钟的磁导率μ2为退磁后T2分钟的磁导率居里温度Tc （℃）在该温度时材料由铁磁性（或亚铁磁）转变为顺磁性，见图2。
磁导率介绍
中文名称：磁导率英文名称：magnetic permeability定义：磁介质中磁感应强度与磁场强度之比。
分为绝对磁导率和相对磁导率，是表征磁介质导磁性能的物理量。
磁导率μ等于中B与磁场强度H之比，即μ=B/H通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与μ0之比，即μr=μ/μ0相对磁导率μr与χ的关系是：μr=1+χ磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
对于μr>1；对于μr<1，但两者的μr都与1相差无几。
在大多数情况下,导体的相对磁导率等于1.在中，B与 H 的关系是非线性的磁滞回线，μr不是常量，与H有关，其数值远大于1。
例如，如果空气(非)的磁导率是1，则的磁导率为10，000，即当比较时，以通过磁性材料的是10,000倍。
涉及磁导率的公式：磁场的能量密度=B^2/2μ在（SI）中，相对磁导率μr是无量纲的，磁导率μ的单位是/米（H/m）。
常用的真空磁导率常用参数(1)初始磁导率μi：是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率(2)最大磁导率μm：在初始段以后，随着H的增大，斜率μ=B/H逐渐增大，到某一强度下(Hm)，磁密度达到最大值（Bm），即（3）饱和磁导率μS：基本磁化曲线饱和段的磁导率，μs值一般很小，深度饱和时，μs=μo。
（4）（）磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。
ΔB及△H是在（B1，H1）点所取的增量如图1和图2所示。
（5）微分磁导率，μd∶μd=dB /dH，在（B1，H1）点取微分，可得μd。
可知：μ1=B1/H1，μ△=△B /△H，μd=dB1/dH1，三者虽是在同一点上的磁导率，但在数值上是不相等的。
非磁性材料（如铝、木材、玻璃、自由空间）B与H之比为一个常数，用μ。
来表示非磁性材料的的磁导率，即μ。
=1（在CGS单位制中）或μ。
=4πX10o－7（在RMKS中）。
在众多的材料中，如果自由空间（真空）的μo=1，那△么比1略大的材料称为顺磁性材料（如白金、空气等）；比1略小的材料，称为反磁性材料（如银、铜、水等）。
相对磁导率μ与初始磁导率公式
相对磁导率μ与初始磁导率公式相对磁导率μ与初始磁导率公式1. 介绍相对磁导率μ和初始磁导率公式是电磁学领域中非常重要的概念。
它们与磁场的性质和行为息息相关，对于理解磁性材料的特性和应用具有重要意义。
在本文中，我们将就相对磁导率和初始磁导率公式展开深入探讨，以便读者能够全面理解这些概念的内涵和外延。
2. 相对磁导率μ的概念相对磁导率μ是指磁介质在外加磁场作用下的磁化能力与真空中的磁化能力之比。
通常用μ来表示，其计算公式为：\[ μ = \frac{B}{H} \]其中B为磁介质中的磁感应强度，H为磁场强度。
相对磁导率μ的概念很好地描述了磁介质在外加磁场下的响应情况，对于磁性材料的性质和应用具有重要意义。
3. 初始磁导率公式的解释初始磁导率公式是描述磁化曲线初始斜率的公式，通常用σ表示。
初始磁导率公式的计算公式为：\[ σ = \frac{ΔB}{ΔH} \]其中ΔB为磁感应强度的变化量，ΔH为磁场强度的变化量。
初始磁导率公式反映了磁材料在磁化过程中起始阶段的磁化速率，对于分析磁性材料的磁化特性具有重要意义。
4. 相对磁导率与初始磁导率的关系相对磁导率μ和初始磁导率σ是描述磁性材料磁化特性的重要参数，它们之间存在密切的关系。
一般来说，相对磁导率μ越大，初始磁导率σ也会越大。
这是因为在外加磁场作用下，磁介质中的磁矩更容易被重新排列，从而导致磁感应强度的变化量相对较大。
5. 个人观点在实际应用中，相对磁导率μ和初始磁导率σ的数值对于设计和制造磁性材料的设备具有重要意义。
不同的磁性材料具有不同的相对磁导率和初始磁导率，因此在选择和应用磁性材料时，需要充分考虑这些参数的影响。
在磁性材料的研究领域，相对磁导率和初始磁导率也常常被用作表征材料性能的重要参量。
6. 总结相对磁导率μ和初始磁导率公式是描述磁性材料特性的重要概念，对于理解磁性材料的行为和特性具有重要意义。
通过对相对磁导率和初始磁导率公式的深入探讨，我们可以更好地理解磁性材料的磁化特性及其在各种应用中的作用。
起始磁导率i
起始磁导率μi初始磁导率是磁性材料的磁导率（B/H ）在磁化曲线始端的极限值，即μi =01μ×HB ∆∆ ()0→∆H式中μ0为真空磁导率（m H /7104-⨯π）∆H 为磁场强度的变化率（A/m ） ∆B 为磁感应强度的变化率（T ）有效磁导率μe在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以用有效磁导率来表示磁芯的性能。
e μ =AeLeN L 20⋅μ 式中L 为装有磁芯的线圈的电感量（H ） N 为线圈匝数Le 为有效磁路长度（m ） Ae 为有效截面积 (m 2)饱和磁通密度Bs （T ）磁化到饱和状态的磁通密度。
见图1。
HHc图 1剩余磁通密度Br （T ）从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。
见图1。
矫顽力Hc （A/m ）从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直至磁感应强度减为零，此时的磁场强度称为矫顽力。
见图1。
损耗因子tan δ损耗系数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和。
tan δ= tan δh + tan δe + tan δr 式中tan δh 为磁滞损耗系数 tan δe 为涡流损耗系数 tan δr 为剩余损耗系数相对损耗因子 tan δ/μi比损耗因子是损耗系数与与磁导率之比：tan δ/μi （适用于材料）tan δ/μe （适用于磁路中含有气隙的磁芯）品质因数 Q品质因数为损耗因子的倒数: Q = 1/ tan δ温度系数αμ( 1/K)温度系数为T1和T2范围内变化时,每变化1K 相应的磁导率的相对变化量:αμ=112μμ-μ.12T T 1- 式中μ1为温度为T1时的磁导率 μ2为温度为T2时的磁导率相对温度系数αμr(1/K)温度系数和磁导率之比，即αμr =2112μμ-μ.12T T 1-减落系数 DF在恒温条件下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即DF =212121μ1T T log μμ⨯- (T2>T1) μ1为退磁后T1分钟的磁导率 μ2为退磁后T2分钟的磁导率居里温度Tc （℃）在该温度时材料由铁磁性（或亚铁磁）转变为顺磁性，见图2。
磁导率和自感系数
磁导率和自感系数磁导率和自感系数磁导率μ在各向同性的均匀磁介质中，B与H成正比关系： B=μHμ称为磁介质的磁导率μ=B/H，磁介质的磁导率μ=μ0（1+χm）磁介质的相对磁导率μr =（1+χm）是磁化曲线上任意一点上B和H的比值。
磁导率实际上代表了磁性材料被磁化的容易程度。
在磁化的不同阶段，材料的磁导率也不同，磁导率在最高点称为最大磁导率。
在磁化起始点的磁导率称为初始磁导率，简称初导。
磁导率是软磁材料的另一个非常重要的指标。
相对初始磁导率μi定义为在SI中,磁导率的单位亨[利]每米（H/m），常用T/（A/m），T/（A/cm），但一般用相对磁导率μr来表示。
1（H/m）=T/（A/m)=100T/（A/cm)，在有些资料上用特/奥（斯特）（T/Oe）或高斯/奥（斯特）（Gs/Oe），高斯与奥斯特都是以前的物理量。
1T=10000Gs，1A/m=4πe-3 Oe ，磁导率为1Gs/Oe 的磁介质的相对磁导率为1。
相对磁导率μr是无量纲量。
铁芯损耗角Ψ要使磁性材料有磁感应强度B时，必须要有磁场强度H。
对于交流电，磁感应强度B与磁场强度H并不同步，磁感应强度B总是落后于磁场强度H，落后的角度就是铁芯损耗角。
磁导率和损耗角不是一个常量可以通过铁芯磁化特性曲线查到。
在电流互感器正常工作范围内，磁感应强度B越大，铁芯损耗角越大。
电流互感器额定电流，额定电流比额定电流本意为在此电流下可以长期工作而不会损坏，额定的输入输出电流分别称额定一次电流、额定二次电流，额定一次电流与额定二次电流比值称额定电流比，用Kn表示。
对用户而言通常关心的是额定电流，在微型电流互感器额定电流标称为如：5A/2.5mA 表示额定一次电流5A、额定二次电流2.5mA ，额定电流比为2000 。
额定电流是设计微型电流互感器的主要依据。
电流互感器比差比差也称比值差：比差就是二次电流与实际一次电流按额定电流比折算成的理论二次电流的差值，并用与后者的百分数表示，对于未经过补偿的微型电流互感器的比差均为负值。
磁导率介绍
中文名称：磁导率英文名称：magnetic permeability定义：磁介质中磁感应强度与磁场强度之比。
分为绝对磁导率和相对磁导率，是表征磁介质导磁性能的物理量。
磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=B/H通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0相对磁导率μr与磁化率χ的关系是：μr=1+χ磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
对于顺磁质μr>1；对于抗磁质μr<1，但两者的μr都与1相差无几。
在大多数情况下,导体的相对磁导率等于1.在铁磁质中，B与H 的关系是非线性的磁滞回线，μr不是常量，与H有关，其数值远大于1。
例如，如果空气(非磁性材料)的磁导率是1，则铁氧体的磁导率为10，000，即当比较时，以通过磁性材料的磁通密度是10,000倍。
涉及磁导率的公式：磁场的能量密度=B^2/2μ在国际单位制（SI）中，相对磁导率μr是无量纲的纯数，磁导率μ的单位是亨利/米（H/m）。
常用的真空磁导率常用参数(1)初始磁导率μi：是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率(2)最大磁导率μm：在基本磁化曲线初始段以后，随着H的增大，斜率μ=B/H逐渐增大，到某一磁场强度下(Hm)，磁密度达到最大值（Bm），即（3）饱和磁导率μS：基本磁化曲线饱和段的磁导率，μs值一般很小，深度饱和时，μs=μo。
（4）差分（增量）磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。
ΔB及△H是在（B1，H1）点所取的增量如图1和图2所示。
（5）微分磁导率，μd∶μd=dB /dH，在（B1，H1）点取微分，可得μd。
可知：μ1=B1/H1，μ△=△B /△H，μd=dB1/dH1，三者虽是在同一点上的磁导率，但在数值上是不相等的。
非磁性材料（如铝、木材、玻璃、自由空间）B与H之比为一个常数，用μ。
来表示非磁性材料的的磁导率，即μ。
=1（在CGS单位制中）或μ。
初始通磁量和磁导率
初始通磁量和磁导率
初始通磁量是指在磁场初始建立阶段通过一个闭合曲面的磁通量。
在电磁学中，磁场的变化会导致磁通量的变化，而根据法拉第电磁感应定律，磁通量的变化会引起感生电动势。
磁通量的单位是韦伯（Wb）。
磁导率是描述物质对磁场的响应能力的物理量，通常用希腊字母μ表示。
磁导率是介质中磁感应强度与磁场强度的比值，即B = μH，其中B是介质中的磁感应强度，H是介质中的磁场强度，μ是磁导率。
不同物质的磁导率不同，通常用来描述物质对磁场的吸收和传导能力。
磁导率的单位是亨利每米（H/m）。
从物理角度来看，初始通磁量和磁导率都是描述磁场特性的重要物理量。
初始通磁量描述了磁场建立的初始阶段通过闭合曲面的磁通量，而磁导率则描述了物质对磁场的响应能力。
这两个物理量在电磁学和材料科学中都具有重要的应用价值。
从工程角度来看，了解初始通磁量和磁导率对于设计和应用电磁设备至关重要。
在电路设计、电机制造和磁性材料选型中，需要考虑磁场的建立过程以及材料对磁场的响应特性，因此对初始通磁
量和磁导率有深入的了解可以帮助工程师更好地进行设计和优化。
总的来说，初始通磁量和磁导率是描述磁场特性的重要物理量，对于理论研究和工程应用都具有重要意义。
深入理解这两个物理量
对于推动电磁学和材料科学的发展具有重要意义。
初始磁导率的单位-概述说明以及解释
初始磁导率的单位-概述说明以及解释1.引言1.1 概述磁导率是描述磁性材料对磁场的响应能力的物理量。
它是一个重要的磁性特性，用于衡量材料对外加磁场的感应程度。
在磁场作用下，磁性材料会发生磁化现象，即磁场的引导效应。
磁导率是用来描述这种磁化现象的强度和程度的因子。
磁导率衡量了材料对磁场的响应能力，即表明了磁感应强度和磁场强度之间的关系。
磁导率数值越大，表示材料对外加磁场的响应越强烈，即磁性材料的磁化程度较高。
磁导率的单位通常使用国际单位制中的安培每米（A/m）表示。
在物理学和工程领域中，磁导率的概念被广泛应用于磁性材料的研究和应用中。
通过对磁导率的测量和分析，科学家和工程师可以了解材料在不同磁场中的行为，对材料进行性能评估和优化设计。
总结而言，磁导率是描述磁性材料对磁场响应能力的物理量，它的单位是安培每米（A/m）。
通过磁导率的测量和分析，可以深入研究材料的磁性质，并为材料的设计和应用提供指导。
在接下来的正文中，我们将详细介绍磁导率的单位和其在磁性材料中的应用。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以包括以下内容：在本部分中，将介绍文章的整体结构和各个部分的主要内容。
首先，本文将包括引言、正文和结论三个主要部分。
引言部分将提供对本文主题的概述，说明文章的目的和重要性。
正文部分将深入探讨磁导率的定义、性质以及相关的数学公式和理论知识。
在正文部分中，将着重介绍磁导率的单位，包括国际单位制中的定义、符号以及常用的换算关系。
此外，也将简要介绍一些磁导率单位的历史背景和应用领域。
最后，在结论部分将对本文的主要内容进行总结，并提出一些结论和展望。
值得注意的是，本文将通过详细的解释和实例，为读者提供对磁导率单位的深入理解和应用能力的提升。
同时，本文将采用清晰的逻辑结构和简明扼要的语言，使读者能够轻松理解和消化文章的内容。
通过以上介绍，读者将能够清晰地了解本文的结构和各个部分的内容，为后续的阅读和理解提供指导。
接下来，将进入正文部分，详细介绍什么是磁导率。
磁导率初始磁导率
磁导率初始磁导率如果没有别的因素限制，那么磁导率肯定越高越好。
磁导率高，意味着所需要的线圈圈数可以很少，变压器和电感器的体积可以很小。
但现实是：磁导率越高，磁感应强度越高，而磁芯材料所能工作的磁感应强度围是有限的，所以有时候我们不得不设法减小有效磁导率，以避免磁芯饱和AC滤波器的选择就灵活了.流过电流通常不大,没那么多要求,磁导率可以在10-12K都OK.相同的磁密, 储能密度与磁导率呈反比, 电感如果是储能用, 那么就选低u的. 如果是作磁放, 那得选高u矩磁.变压器, 原则上磁导率用大些, 以利于减小励磁电流, 励磁电流分量并不能传递到次级, 因此要越小越好. 但是也不是盲目的大, 太大也不好, 如磁集成LLC便需要具有相当大的励磁电流. 要求磁导率适中选用较高磁导率的铁氧体磁芯，磁感应强度就会越大，这样所要求的线圈匝数就会越小，变压器体积就会相对更小。
磁导率高了，同样的电感量可以用更小的磁芯；但是，更容易饱和。
所以，要计算选择高μ值的铁氧体，绕制匝数可能会少点，但是得注意电感量以及饱和问题。
如果对质量因素有要求的话，绕线匝数也不是越少越好。
μ高的材料在同样尺寸、同样匝数的情况下，肯定电感量大。
电感量大在大电流的情况下，反向电压就高，磁通密度也就上升了，磁心就容易饱和了软磁材料为什么磁导率越高，能量存储越小E=VB²/2uE=uH²/2容量总会有限，导磁率高，励磁功率就小，用来做变压器是很好的，但作电流泵（flyback）用就不太适合了。
几句话讲明白，电感的能量为什么绝大部分存在气隙中？电路磁路电动势磁动势电阻磁阻电流磁通量的砖不但引出来很多玉，最后还能引出相声段子。
百家争鸣的确好，各抒己见，越辩越明。
73楼greendot给出的式子很好，相当有说服力，为了更清楚明白的表示，我又更调理的写出来了，如下最后一项左侧是磁芯的，右侧是气隙的能量，很明显，只要lg>>MPL/ur，那么绝大部分能量是在气隙中的。
磁导率
磁导率磁导率表示物质磁化性能的一个物理量，是物质中磁感应强度B与磁场强度H之比，又成为绝对磁导率。
物质的绝对磁导率和真空磁导率（设为μ0=4*3.14*0.0000001H/m）比值称为相对磁导率，也就是我们一般意义上的磁导率。
对于顺磁质μr＞1，对于抗磁质μr＜1，但它们都与1相差很小（例如铜的μr与1之差的绝对值是0．94×10-5）。
然而铁磁质的μr可以大至几万。
非铁磁性物质的μ近似等于μ0。
而铁磁性物质的磁导率很高，μ>>μ0。
铁磁性材料的相对磁导率μr=μ/μ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000；坡莫合金为20000～200000。
空气的相对磁导率为1.00000004；铂为1.00026；汞、银、铜、碳(金刚石)、铅等均为抗磁性物质，其相对磁导率都小于1，分别为0.999971、0.999974、0.99990、0.999979、0.999982。
所以，铜虽然具有抗磁性，但相对磁导率也有0.99990;纯铁为顺磁性物质，其相对磁导率会达到400以上。
所以用铜裹住铁并不能阻断磁力，而且是远远不能。
在某些特殊情况下，铜的抗磁性就会表现出来，如规格很小的烧结钕铁硼磁体D3*0.8电镀镍铜镍后,磁通量会降低7-8%（当然，这个损失还包括倒角和镍层屏蔽导致的磁损）。
直截了当地讲，磁场无处不在，是不能阻断的。
只不过各种物质导磁性有所差异，如空气、材料、铜、铝、橡胶、塑料等相对磁导率近似为1，它们对磁不感兴趣；而铁磁性材料如铸铁、铸钢、硅钢片、铁氧体、坡莫合金等材料具有良好的导磁性能，因此可用于导磁，也可用于隔磁（本质上还是导磁）。
磁导率英文名称：magnetic permeability 表征磁介质磁性的物理量。
常用符号μ表示，μ为介质的磁导率，或称绝对磁导率。
目录1简介2常用参数3功能4方法原理1简介磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=dB / dH通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0相对磁导率μr与磁化率χ的关系是：μr=1+χ磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
铁氧体初始磁导率和材料磁导率的关系
铁氧体是一类具有重要应用价值的磁性材料，其磁性能往往受到磁导率的影响。
磁导率是衡量材料对外加磁场响应能力的物理量，是描述材料磁性能的重要参数。
本文将探讨铁氧体的初始磁导率和材料磁导率之间的关系，并对其影响因素进行详细分析。
一、铁氧体的初始磁导率铁氧体是一类由氧化铁和一种或多种金属氧化物组成的混合物，具有良好的磁性能和电磁性能。
在外加磁场的作用下，铁氧体会产生磁化现象，即在外磁场的作用下，材料内部会出现磁矩的定向，导致材料产生磁化。
而初始磁导率就是描述材料在无外磁场作用下，材料自身磁化能力的物理量。
在外磁场作用前，材料内部已有微观磁矩的定向，这种磁矩的定向决定了材料的初始磁导率。
初始磁导率的大小可以反映材料本身的磁化能力，是描述材料磁性能的重要指标。
二、初始磁导率与材料磁导率的关系初始磁导率与材料磁导率之间存在着密切的关系。
材料磁导率是描述材料在外加磁场作用下的磁化能力的物理量，它与初始磁导率有着内在的通联。
材料的磁导率受到多种因素的影响，如晶体结构、化学成分、晶粒尺寸等，而初始磁导率则受到材料自身的磁性能和微观结构的影响。
初始磁导率可以视为材料磁导率的一个重要组成部分，它对材料的整体磁性能起着至关重要的影响。
三、影响初始磁导率的因素1. 材料的晶体结构材料的晶体结构对其初始磁导率有着重要的影响。
晶体结构的不同会导致材料内部磁矩的排列方式和定向不同，从而影响材料的初始磁导率。
一般来说，具有较完整晶体结构的材料，其初始磁导率较高。
而晶界、位错等缺陷会影响材料的磁性能，降低其初始磁导率。
2. 化学成分材料的化学成分对其磁性能有着显著的影响。
不同化学成分的铁氧体具有不同的磁性能，其初始磁导率也会有所不同。
一般来说，具有较高磁导率的铁氧体通常含有较多的铁氧化物，而其他金属氧化物的含量较少。
3. 晶粒尺寸晶粒尺寸是影响材料磁性能的重要因素之一。
晶粒尺寸的大小会影响材料内部磁矩的排列方式和定向，从而影响材料的初始磁导率。
磁导率介绍
简介中文名称：磁导率英文名称：magnetic permeability定义：磁介质中磁感应强度与磁场强度之比。
分为绝对磁导率和相对磁导率，是表征磁介质导磁性能的物理量。
磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=B/H通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0相对磁导率μr与磁化率χ的关系是：μr=1+χ磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
对于顺磁质μr>1；对于抗磁质μr<1，但两者的μr都与1相差无几。
在大多数情况下,导体的相对磁导率等于1.在铁磁质中，B与H 的关系是非线性的磁滞回线，μr不是常量，与H有关，其数值远大于1。
例如，如果空气(非磁性材料)的磁导率是1，则铁氧体的磁导率为10，000，即当比较时，以通过磁性材料的磁通密度是10,000倍。
涉及磁导率的公式：磁场的能量密度=B^2/2μ在国际单位制（SI）中，相对磁导率μr是无量纲的纯数，磁导率μ的单位是亨利/米（H/m）。
常用的真空磁导率常用参数(1)初始磁导率μi：是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率(2)最大磁导率μm：在基本磁化曲线初始段以后，随着H的增大，斜率μ=B/H逐渐增大，到某一磁场强度下(Hm)，磁密度达到最大值（Bm），即（3）饱和磁导率μS：基本磁化曲线饱和段的磁导率，μs值一般很小，深度饱和时，μs=μo。
（4）差分（增量）磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。
ΔB及△H是在（B1，H1）点所取的增量如图1和图2所示。
（5）微分磁导率，μd∶μd=dB /dH，在（B1，H1）点取微分，可得μd。
可知：μ1=B1/H1，μ△=△B /△H，μd=dB1/dH1，三者虽是在同一点上的磁导率，但在数值上是不相等的。
非磁性材料（如铝、木材、玻璃、自由空间）B与H之比为一个常数，用μ。
来表示非磁性材料的的磁导率，即μ。
=1（在CGS单位制中）或μ。
磁导率
磁导率表示物质磁化性能的一个物理量，是物质中磁感应强度B与磁场强度H之比，又成为绝对磁导率。
物质的绝对磁导率和真空磁导率（设为μ0=4*3.14*0.0000001H/m）比值称为相对磁导率，也就是我们一般意义上的磁导率。
对于顺磁质μr＞1，对于抗磁质μr＜1，但它们都与1相差很小（例如铜的μr与1之差的绝对值是0．94×10-5）。
然而铁磁质的μr可以大至几万。
非铁磁性物质的μ近似等于μ0。
而铁磁性物质的磁导率很高，μ>>μ0。
铁磁性材料的相对磁导率μr=μ/μ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000；坡莫合金为20000～200000。
空气的相对磁导率为1.00000004；铂为1.00026；汞、银、铜、碳(金刚石)、铅等均为抗磁性物质，其相对磁导率都小于1，分别为0.999971、0.999974、0.99990、0.999979、0.999982。
所以，铜虽然具有抗磁性，但相对磁导率也有0.99990;纯铁为顺磁性物质，其相对磁导率会达到400以上。
所以用铜裹住铁并不能阻断磁力，而且是远远不能。
在某些特殊情况下，铜的抗磁性就会表现出来，如规格很小的烧结钕铁硼磁体D3*0.8电镀镍铜镍后,磁通量会降低7-8%（当然，这个损失还包括倒角和镍层屏蔽导致的磁损）。
直截了当地讲，磁场无处不在，是不能阻断的。
只不过各种物质导磁性有所差异，如空气、材料、铜、铝、橡胶、塑料等相对磁导率近似为1，它们对磁不感兴趣；而铁磁性材料如铸铁、铸钢、硅钢片、铁氧体、坡莫合金等材料具有良好的导磁性能，因此可用于导磁，也可用于隔磁（本质上还是导磁）。
磁导率英文名称：magnetic permeability 表征磁介质磁性的物理量。
常用符号μ表示，μ为介质的磁导率，或称绝对磁导率。
目录1简介2常用参数3功能4方法原理1简介磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=dB / dH通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0相对磁导率μr与磁化率χ的关系是：μr=1+χ磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
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磁导率初始磁导率如果没有别得因素限制,那么磁导率肯定越高越好。
磁导率高,意味着所需要得线圈圈数可以很少,变压器与电感器得体积可以很小。
但现实就是:磁导率越高,磁感应强度越高,而磁芯材料所能工作得磁感应强度范围就是有限得,所以有时候我们不得不设法减小有效磁导率,以避免磁芯饱与AC滤波器得选择就灵活了、流过电流通常不大,没那么多要求,磁导率可以在10-12K都OK、相同得磁密, 储能密度与磁导率呈反比, 电感如果就是储能用, 那么就选低u得、如果就是作磁放, 那得选高u矩磁、变压器, 原则上磁导率用大些, 以利于减小励磁电流, 励磁电流分量并不能传递到次级, 因此要越小越好、但就是也不就是盲目得大, 太大也不好, 如磁集成LLC便需要具有相当大得励磁电流、要求磁导率适中选用较高磁导率得铁氧体磁芯,磁感应强度就会越大,这样所要求得线圈匝数就会越小,变压器体积就会相对更小。
磁导率高了,同样得电感量可以用更小得磁芯;但就是,更容易饱与。
所以,要计算选择高μ值得铁氧体,绕制匝数可能会少点,但就是得注意电感量以及饱与问题。
如果对质量因素有要求得话,绕线匝数也不就是越少越好。
μ高得材料在同样尺寸、同样匝数得情况下,肯定电感量大。
电感量大在大电流得情况下,反向电压就高,磁通密度也就上升了,磁心就容易饱与了软磁材料为什么磁导率越高,能量存储越小E=VB²/2uE=uH²/2容量总会有限,导磁率高,励磁功率就小,用来做变压器就是很好得,但作电流泵(flyback)用就不太适合了。
几句话讲明白,电感得能量为什么绝大部分存在气隙中？电路磁路电动势磁动势电阻磁阻电流磁通量得砖不但引出来很多玉,最后还能引出相声段子。
百家争鸣得确好,各抒己见,越辩越明。
73楼greendot给出得式子很好,相当有说服力,为了更清楚明白得表示,我又更调理得写出来了,如下最后一项左侧就是磁芯得,右侧就是气隙得能量,很明显,只要lg>>MPL/ur,那么绝大部分能量就是在气隙中得。
这样说好象不就是很严谨,根据H=B/u可以瞧出,u越小磁场强度H越强,而磁芯存储得能量与H 成正比,所以说气隙存储了大部分得能量再引申下,如何从物理得直观来理解？磁路与电路时可以类比得,不妨在这里列出来电路磁路电动势磁动势电阻磁阻电流磁通量电路中V=R*I磁路中, MMF = Rm*Φ我们有个共识,就就是电阻串联电路中,电阻越大,那它消耗得能量也就越大,当然就是相比与跟其串联得电阻。
那在磁路中,同样得适用,就就是磁阻越大,其上得能量也就越大。
磁阻=l(长度)/(ur*u0*Ac)一般情况下,气隙得磁阻>>磁芯得磁阻,所以其上得能量也就越大,所以电感得能量绝大部分存在气隙中。
整个磁路H得值就是一样得,不同得就是B值。
能量大小可以用B-H围成得面积来表征,气息与磁芯就是串联,因此磁通密度一样(姑且)。
相同得delta B, 对应了更多得delta H (气息得u 比磁芯得u要小)。
因此磁场能量几乎都集中在气息这里。
这样理解就是否正确呢？(这就是我以前得理解)加气隙拉扁磁滞回线可以让磁芯得饱与H值大一些,自然就会提高存储能量得能力,至于磁能为什么大部分存在于气隙中,我觉得36楼得解释也差不多,可以作为一种形象得理解,气隙得磁阻大,等效磁路长,自然存储得能量就大了。
公式变型为:W=VB²/2u,似乎更为直观一点V体积,B磁通密度,u磁导率,个人理解,气隙类似于电容中得绝缘体,磁性材料类似于导体,磁场类似于电场。
如果没有气隙,相当于把电容两端短路了。
所以气隙既不存储能量也不传递能量,气隙得作用就就是让磁场保持势能。
以上只就是类比,磁与电区别还就是很大得。
我得理解就是气隙并不能存储能量,毫无疑问,能量肯定就是存储在磁芯中得。
从B/F曲线上可以瞧到,加气隙之后,磁芯允许电流得能量增加了,所以磁芯在不饱与得前提下,能承受更大得电流,因此,存储得能量就大了。
气隙长度远小于端面边长得时候,可近似认为Ae=Ag,那么电感L=Ae/(le/u+lg/u0)。
在合适得工作频率下,铁氧体u在2000u0以上,铁粉心、非晶等磁芯得有效磁导率更高。
那么只要 2000lg> le,气隙里储存得能量就大于磁芯了,如果气隙长度与端面边长差距不太大得时候,考虑边沿磁通,储存在气隙周围得能量就更大了能量:P=VB2/2u,磁通穿过磁芯与中间得气隙,如果忽略边沿磁通,则B处处相等,那么能量之比就等于Pm/Pg=Vmu0/Vgu=lmu0/lgu;考虑边沿磁通时,气隙中间部分B减小,储能减少,但气隙四周储能增加。
气隙越大,或者磁材得磁导率越高,那么存储在气隙里得能量就越多能不能这样理解:磁子(如果有得话)相当于电子,磁场相当于电场,而电场我们又喜欢用水、势等来比较。
磁导率高相当于电导率高也就相当于水流通畅,这样就不会有水得阻塞,当然能量损耗也会小许多;反之,如果河(Ae啊,您们相不相等？)得中央岛礁密布,那么水流就会受到阻塞,就会有摩擦,就会有损耗,同时会把泥沙带到下游,引起更多得摩擦与损耗(哈哈,越想越得意),当然了代价就就是河床也会相应得被抬高(H？磁场？)。
河床高了,水势不就大了？我一直以为这句话就是有问题得,电感得能量不就是存储在气息中得,而就是存储于线圈之中。
也就就是匝数与电流决定了能量得大小,磁性材料得引入唯一得作用就就是减小匝数。
开气隙得目得只有一个,就就是防止磁性材料饱与,如果有一种不会饱与得磁性材料,傻子才会去开气息。
匝数与电流决定了H场,能量就是存在于B场中得。
H与B又就是通过U关联,但因果关系不能混淆。
前者就是原因,后者就是结果~公式:E=0、5*BV2/ U ,意义很明确呵呵,对得就是存储在场中。
公式有误:E=0、5uH2V=0、5B2V/u但就是所有得能量其实都来源于电流,磁性材料不能提供任何额外得能量,否则能量就会无端得增加了。
磁性材料或者气隙只就是提供了磁路得路径电感得储能E=0、5*L*I2 ,恐怕没人有异议,那么0、5*L*I2 =0、5*(L*I)*(I) ≈0、5*(N*B*Ae)*(Hc*lc+Hg*lg)/N ( c:- core, g:- gap ) =0、5*B*Ae*(B*lc/μc + B*lg/μo) =0、5*(B2*Ae*lc/μc +B2*Ae*lg/μo) (A*l = 体积) 前一项就是磁芯得,后一项就是气隙得储能,谁大谁小,不难知道。
E=0、5*L*I2 ,可以瞧出其它条件不变得情况下,气隙越小,电感越大,储能也就越大在恒压源得驱动下,W=1/2*L*I²=1/2*L*(VT/L)²=1/2*(VT)²/L,显然在其她条件一直得情况下,电感越小储能越大,空心线圈得电感小于插入磁芯材料得,储能大。
在恒流源得驱动下,我孤陋寡闻,还真没见过哪个恒流源能够真正驱动电感得。
=0、5*(L*I)*(I) ≈0、5*(N*B*Ae)*(Hc*lc+Hg*lg)/N ( c:- core, g:- gap ) 这两步得数学定义无异议,但在物理概念上,就是否会有问题存在？(我只就是一知半解得猜测)这个问题我觉得上学得时候就就是糊涂得,到现在依然糊涂。
但我有一点明确得知道,所有得磁都就是从电来得、、、电感中存储得能量就就是电场感应出来得能量,磁场根本就就是电场(磁只就是电得另外一种表现方式),所以磁通量=伏秒积。
说无穷大得电感不能储能,其实就是不对得,因为无穷大在集总电路中就是不存在得(或相当于开路,没有这个元器件)。
L=φ/I;φ=V*TW=0、5*L*I*I=0、5*φ*I=0、5*V*I*T搞来搞去,就就是输入功率乘以时间。
磁场得能量到底存储在气隙中还就是存储在磁芯中我觉得根本不重要。
反正输入功率没有消耗到电阻上,所以就没消失。
I=H(设磁路长度与匝数都就是1),您认为I就是电流,我也可以说I就是磁压;您可以说V就是电压,我也可以说V就是磁流。
所以磁场能就就是磁压*磁流*时间。
XW:阿Q总到处撩事儿,不经几回事儿就不知道自己半斤八两……东方:什么事情着急上火啦？XW:说大家不懂数学,这事儿能行吗？东方:qiu2000先生,不要老挑动PK好不好？您这还就是要出东方洋相。
咋整呢？先瞧瞧吧……了空与尚也来过这里。
没有注意,失礼啦。
……东方:大家讲得很好,学习了。
但与尚要东方来摆摆理论。
XW:与尚好像说关于二极管反向恢复时间为零。
东方:那要到关于吸收帖去了。
XW:本话题主要就是认为能量总应该存储在磁芯中,怎么会在气隙里,而且就是大部分？东方:磁场与电场都就是能量得表现形式。
设有一个空气电容器,充电后,能量也就是存储在两个极板当中得间隙中得电场里,而不就是在极板里。
电感也就是这样,能量可以存储在气隙得磁场中。
eric、wentx:个人觉得这段话还就是说得不清白、、、气隙到底储不储能?朴华:呵呵,同感,这书里面有相当一部分理论就是直接搬出来,没有细说得,让读者有时不知所措Blueskyy:能否从数学公式里给出答案XW:公式就是怎样推导出来得呢？要从最基本得推起。
东方:好得。
uL=Ldi/dt ……………………①uL=NdΦ/dt ……………………②∫l Bdlm= μNI (∫l为环路积分 ) ……………③上式就是自感定义、电磁感应定律与安培环路定理,由①、②得Ldi/dt=NdΦ/dt 积分得:LI=NΦ=NBS 即L=NBS/I ……………………④由③式得NI= Blm /μ即B=μNI/lm ……………………⑤把⑤代入④得: L=NμNI/lm ×S/I 即L =μN2 S /lm ……⑥整理得: L=μn2 V ……⑦其中,n就是单位长度匝数,注意⑥式,气隙计算就隐含其中。
lm =μN2 S / L ……⑧【讨论】1、不加气隙,由于铁芯μ很大,导致lm很大,这显然就是不合适得;2、不用铁芯,用空气芯,μ很小了,lm也很小,比如就是1mm,也不方便。
3、用铁芯加气隙。
现在就就是这样。
XW:如果方便,不用铁芯也就是可以得了？东方:就是啊,给空气芯电感也留下一个空间。
XW:怎样从感性上真正理解？东方:好得。
阿Q有信心给我们讲清哈密尔顿圈,我们也要有信心给阿Q讲清气隙得能量！从讨论2、可知,理论上单用空气隙就是可以得,这就明白无误地提醒我们,磁场能量就是可以存储在气隙中得！XW:那磁芯有什么作用？东方:因为一般气隙很小,不能组成闭合磁路,于就是找来磁芯以构成磁通路,当然磁阻越小越好。
就像电炉丝要发热,必须用电线连起来,但能量主要还就是电阻产生！现在就是磁阻存储能量。
磁芯就起着导磁得作用。
xiaoliangyl :E=0、5*L*I2 ,可以瞧出其它条件不变得情况下,气隙越小,电感越大,储能也就越大dog72:其实得出任何结论都就是荒谬得。