碳化硅相关介绍

碳化硅相关介绍
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

碳化硅又称碳硅石。

在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。

可以称为金钢砂或耐火砂。

碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。

目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。

碳化硅包括黑碳化硅和绿碳化硅，其中：黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。

其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。

绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。

其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。

常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体，一种是绿碳化硅，含SiC 97%以上，主要用于磨硬质合金工具。

另一种是黑碳化硅，有金属光泽，含SiC 95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料。

分子结构图
碳化硅性质
分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。

工业用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。

在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供开采的矿源。

纯碳化硅是无色透明的晶体。

工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。

碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。

α-SiC 由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。

β-SiC 于2100℃以上时转变为α-SiC。

碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。

炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。

α-SiC图片
①黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。

②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。

此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。

碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。

低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。

此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。

碳化硅的硬度很大，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。

碳化硅用途
(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。

(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。

碳化硅主要有四大应用领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。

目前碳化硅粗料已能大量供应, 不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。

(3)高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。

主要用途：用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。

太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。

LED芯片到底板的散热（蓝宝石和碳化硅衬底的比较）
LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量。

而LED本身的热容量很小，所以必须以最快的速度把这些热量传导出去，否则就会产生很高的结温。

为了尽可能地把热量引出到芯片外面，人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。

为了改善LED芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热更好的衬底材料。

早期的LED只是采用Si硅作为衬底。

后来就改为蓝宝石作为衬底。

但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，（在100°C时约为25W/（m-K）），为了改善衬底的散热，Cree公司采用碳化硅硅衬底，它的导热性能（490W/（m-K））要比蓝宝石高将近20倍。

而且蓝宝石要使用银胶固晶，而银胶的导热也很差。

而碳化硅的唯一缺点是成本比较贵。

目前只有Cree公司生产以碳化硅为衬底的LED。

图3：蓝宝石和碳化硅衬底的LED结构图
采用碳化硅作为基底以后，的确可以大为改善其散热，但是其成本过高，而且有专利保护。

最近国内的厂商开始采用硅材料作为基底。

因为硅材料的基底不受专利的限制。

而且性能还优于蓝宝石。

唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方
法是在中间加一层氮化铝（AlN）作缓冲。

LED芯片封装以后，从芯片到管脚的热阻就是在应用时最重要的一个热阻，一般来说,芯片的接面面积的大小是散热的关键，对于不同的额定功率，要求有相应大小的接面面积。

也就表现为不同的热阻。

几种类型的LED的热阻如下所示：
早期的LED芯片主要靠两根金属电极而引出到芯片外部，最典型的就是称为ф5或F5的草帽管，它的散热完全靠两根细细的金属导线引出去，所以散热效果很差，热阻很大，这也就是为什么这种草帽管的光衰很严重的原因。

此外，封装时采用的材料也是一个很重要的问题。

小功率LED通常采用环氧树脂作为封装材料，但是环氧树脂对400-459nm的光线吸收率高达45%，很容易由于长期吸收这种短波长光线以后产生的老化而使光衰严重，50%光衰的寿命不到1万小时。

因而在大功率LED中必须采用硅胶作为封装材料。

硅胶对同样波长光线的吸收率不到1%。

从而可以把同样光衰的寿命延长到4万小时。

下面列出各家LED芯片公司所生产的各种型号LED的热阻
由表中可见，Cree公司的LED的热阻因为采用了碳化硅作基底，要比其他公司的热阻至少低一倍。

大功率LED为了改进散热通常在基底下面再放一块可焊接的铜底板以便焊到散热器上去。

这些热阻实际上都是在这个铜底板上测得的。

是不是碳化硅就是LED衬底的最佳选择呢，不是这样，任何事物都会有创新和发展的，最近台湾的钻石科技开发出了钻石岛外延片(DiamondIslandsWafer，DIW)做为生产超级LED 的基材。

这种LED的热阻可以低至<5°C/W。

用它制成的超级LED可发出极强的紫外光，其强度不因高温而降低，反而会更亮。

其结构图如图4所示。

图4：采用类钻碳(DiamondLikeCarbon，DLC)的镀膜可以大大改善LED的散热
图5：用DLC镀膜和铝结合可以比其它结构的LED有更好的散热特性而且采用紫外线来激发各种荧光粉也可以得到所需要的各种颜色的LED。

而且荧光粉不是采用和环氧树脂或硅胶混合的方法而是直接涂于芯片表面还可以避免由于环氧树脂和硅胶的老化而产生的光衰。