电光相位调制

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电光调q原理

电光调q原理

电光调q原理
电光调Q原理是一项基于量子力学原理的科技理论,它的主要应用领域是光电子学和通信技术。

该原理旨在通过改变光子的能量和动量来实现光信号的调制和解调。

电光调Q原理的核心是利用电场对光子的相位进行调制,从而实现光信号的调制。

具体来说,当光子经过电场时,它的相位会受到影响,从而改变它的能量和动量。

这种相位调制的方式可以通过电调Q 器实现。

电调Q器是一种电光调制器,它将电信号转换为光信号,并利用电场调制光子的相位。

电光调Q原理的另一个应用是光通信。

在光通信中,光信号通过光纤传输。

由于光纤的传输距离有限,因此需要对光信号进行调制来增强信号的传输距离。

电光调Q原理可以通过改变光子的相位来实现光信号的调制,从而增强光信号的传输距离。

总之,电光调Q原理是一种基于量子力学原理的科技理论,它的应用领域包括光电子学和通信技术。

它通过改变光子的能量和动量来实现光信号的调制和解调,具有很大的实用价值。

- 1 -。

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

应用领域与优势
应用领域
相位调制器广泛应用于光纤通信、光学传感、光学测量 等领域。
优势
相位调制器具有调制速度快、调制效率高、易于集成等 优点。
04
电光调制器强度调制器相位调制器EOM 比较
工作原理比较
电光调制器 (EOM)
通过施加电场改变晶体的折射率,从而实现 光的调制。
强度调制器 (IM)
通过改变光的传输损耗或反射系数,实现对 光强的控制。
类型与分类
类型
电光调制器可分为泡克耳斯调制器和 双折射调制器等。
分类
根据调制方式的不同,电光调制器可 分为单级调制器和双级调制器等。
应用领域与优势
应用领域
强度调制器广泛应用于光纤通信、光信息处理、光谱分析等 领域。
优势
电光调制器具有调制速度快、调制效率高、稳定性好等优点 ,能够实现高速、高精度、高稳定性的光信号调制。
特性。
IM
结构简单、易于集成、低成本; 但调制速度相对较慢,且带宽受限 。
PM
调制速度高、带宽大、易于实现高 精度相位编码;但插入损耗较大, 且对温度和波长敏感。
05
电光调制器强度调制器相位调制器EOM 发展前景
技术发展趋势
集成化与小型化
随着微纳加工技术的发展,电光调制器将趋向于集成化和微型化, 以提高稳定性和降低成本。
相位调制器 (PM)
通过改变光的相位,实现对光束相位的控制 。
应用领域比较
EOM
主要用于高速光通信、光信号处理和光传感等领 域。
IM
广泛应用于光开关、光限幅器和光放大器等器件 。
PM
适用于光学干涉、光学相位编码和光学相干检测 等领域。
优缺点比较

电光调制实验

电光调制实验

电光调制实验电光调制实验是一种基于光及电的实验,主要是利用外加电场对光的介质介电常数及折射率发生变化的特性,从而实现对光的调制,达到信息传输的目的。

本文将对电光调制实验的原理、实验过程、实验结果以及应用进行详细介绍。

一、实验原理电光调制实验的基本原理是电-光双向转换。

光通过透明的介质之后会导致光的相位差,从而产生偏振旋转。

当外加电场时,通过电光效应,电场可以改变介质的折射率和吸收系数,从而影响光的速度和偏振方向。

在调制过程中,可以控制电场的强度和方向,从而实现光信号的编码、传输和解码。

二、实验材料实验材料主要包括:1.激光器2.半波片3.光偏振器4.电光晶体5.电源6.光探测器三、实验过程在实验开始前,首先将激光器打开并调节其输出功率,以保证激光器的正常工作。

2.半波片和光偏振器的使用。

将半波片和光偏振器连接在激光器的输出端上,并根据需要调整偏振方向和入射角度。

将电光晶体固定在一个平台上,将光束通过电光晶体,并调整电光晶体的入射角度以使其与光束共面。

4.电源的使用。

将电源连接到电光晶体上,并根据需要调整电场的强度和方向。

将光探测器放置在光束的另一端,并记录光信号的强度、频率和相位。

四、实验结果通过电光调制实验,研究者可以获得以下结果:1.光信号的编码和解码。

通过电光调制实验,可以将信息编码成光的信号并传输,然后通过解码技术将信息从光信号中提取出来。

2.光调制的幅度、相位和频率。

通过电光调制实验,可以通过调节电场的强度和方向来改变光的幅度、相位和频率,从而实现对光信号的调制。

3.光传输的性能。

通过电光调制实验,可以研究光传输的性能,包括传输距离、传输带宽、光损耗等特性。

这些研究能够指导光通讯技术的应用和发展。

五、应用电光调制实验的应用非常广泛。

一些典型的应用包括:1.光通讯。

2.光储存。

在光储存中,电光调制技术也是非常重要的。

通过电光调制实验,可以实现将信息储存在光中,然后可以随时读取出来。

3.光计算。

电光调制系数的计算公式

电光调制系数的计算公式

电光调制系数的计算公式
电光调制效应是光信号与外加电场相互作用时产生的现象。

当光信号
通过其中一种材料时,如果该材料具有电光效应,那么外加电场可以改变
材料的折射率,进而改变光信号的传播速度和相位。

在光纤通信中,光信
号的调制是指利用外加电场改变光信号的相位或强度,从而实现对光信号
的传输、放大、检测和处理等操作。

r=Δφ/E
其中,r表示电光调制系数,Δφ表示单位电场下光信号相位的变化,E表示电场强度。

以下以锂铌酸锂晶体为例,介绍电光调制系数的具体计算方法。

1.计算相位变化Δφ
锂铌酸锂晶体的电光调制系数可以通过计算光慢化因子和电光延迟调
制系数的乘积得到,即:
Δφ = λ * neff * r33 * V / L
其中,λ表示光波长,neff表示等效折射率,r33表示锂铌酸锂晶
体的电光延迟调制系数,V表示外加电场的电压,L表示调制区域的长度。

2.计算电光调制系数r
锂铌酸锂晶体的电光调制系数可以通过测量锂铌酸锂晶体的电光延迟
调制系数和折射率的乘积,并除以锂铌酸锂晶体的电压和长度来计算,即:r=r33*Δn/(V*L)
其中,Δn表示由于外加电场而导致的折射率变化。

以上是锂铌酸锂晶体的电光调制系数的计算方法,其他材料的计算方法可能会有所不同。

需要注意的是,电光调制系数是一个强度相关的参数,即该系数与电场强度的大小有关。

因此,在实际应用中,我们需要根据具体的电场强度来计算电光调制系数。

另外,不同材料的电光调制系数也会有差异,因此在实际应用中需要根据材料的特性来选择合适的调制材料。

高调制深度低半波电压谐振型电光相位调制技术简介

高调制深度低半波电压谐振型电光相位调制技术简介

谐振型电光功能器件简介——谐振电光相位调制器一、引言光电功能器件是指具有特定的光学、电学及光电相互转换效应的器件,是现代信息科学技术领域的支柱之一。

电光调制器及光电探测器是非常重要的光电功能器件,是锁定反馈、光电信息转化、光通讯、光电信息调制等领域中的关键器件,尤其在PDH(Pound-Drever-Hall, 简记为PDH)稳频锁定技术中发挥不可替代的作用[2]。

PDH技术广泛应用于大科学装置前沿研究、量子光学、光通信等领域[3-6];利用电光相位调制器[7]进行激光相位调制是实现标准PDH稳频锁定的首要过程,光电探测则可将携带的微弱调制信号及谱峰信号等信息进行光电转化为电信号,后续经过比例积分微分等电路进行反馈控制,以便实现稳定锁定及稳频等目标。

铌酸锂(LiNbO3)晶体以其较高的电光系数已经在光子学器件、各种电光调制器、脉冲激光系统光谱整形、量子光学等方面应用广泛。

传统商用宽带电光调制器将驱动电压直接加载在电光晶体两端,以实现电光相位或振幅调制等[7],这种调制器半波电压(Vπ)较高,调制深度较低且需要较高驱动电压。

在制备超稳激光以及超窄线宽激光等场合中需要将激光锁定在超稳腔上,由于超稳腔的精细度较高,一般至少在十几万以上,这就需要注入超稳腔的光功率极低,一般为微瓦级及以下,同时需要电光相位调制器具有较高调制深度以得到高信噪比误差信号并进行锁定,而且电光相位调制中的剩余振幅调制一直是影响超稳激光稳定性的关键因素之一。

然而,电光相位调制中的剩余振幅调制一直是影响超稳激光稳定性的关键因素之一。

在2016年,山西大学郑耀辉课题组利用单端楔形LiNbO3晶体分离不同偏振出射激光,可以有效抑制剩余振幅调制,提高量子光源稳定性;中科院国家授时中心张首刚团队在2016年,利用布鲁斯特角切割的电光调制晶体抑制剩余振幅调制,制备了超稳激光;在2019年,中国科学院精密测量科学与技术创新研究院陈李生团队利用声光相互作用理论解释剩余振幅调制产生机理,并实验测试了不同形状电光晶体抑制剩余振幅调制效果;在国外,美国佛罗里达大学Dooley通过在双端切角的晶体上分区域施加电压抑制电光相位中的剩余振幅调制;德国Qubig公司研发了谐振型电光调制器,Vπ为4.2 V@780 nm,Q值为76,谐振频率为20 MHz,为超稳激光等领域提供关键器件。

光的相位调制原理

光的相位调制原理

光的相位调制原理
光的相位调制是指通过改变光的相位来实现信息的调制和传输。

光的相位是指光波的起始位置相对于某一参考点的偏移量,可以用角度来表示。

光的相位调制可以通过以下几种原理实现:
1. 电光效应:通过将光束经过电场调制器,利用电场的作用使光的相位发生变化。

常见的电光调制器有电光晶体和电光调制器。

2. 磁光效应:通过将光束经过磁场调制器,利用磁场的作用使光的相位发生变化。

常见的磁光调制器有磁光晶体和磁光调制器。

3. 波导相位调制:在光波导管内部通过改变电场的分布来改变光的相位。

常见的波导相位调制器有电极调制器和波导极耦合调制器。

通过以上的相位调制原理,可以实现光的相位的控制和调制,进而实现调制和传输信息。

电光调制器原理

电光调制器原理

电光调制器原理电光调制器是一种能够将电信号转换为光信号的重要光电器件,其原理是利用外加电场的作用来改变光的折射率,从而实现对光信号的调制。

电光调制器在光通信、光传感、光存储等领域具有广泛的应用,下面将详细介绍电光调制器的原理及其工作过程。

电光调制器主要由电光材料、电极和光波导构成。

电光材料是电光调制器的关键部件,其具有在外加电场作用下改变折射率的特性。

电极则是为了施加外加电场,而光波导则是用来传输光信号。

当外加电场施加到电光材料上时,电光材料的折射率发生变化,从而改变光的传播速度和相位,实现对光信号的调制。

电光调制器的工作原理可以通过三种方式来实现,直接调制、间接调制和外调制。

直接调制是指直接在光波导中施加电场,通过改变光的折射率来实现光信号的调制。

间接调制是指利用电光材料的特性,将光信号和调制信号通过耦合器耦合在一起,通过调制信号改变光的折射率,从而实现光信号的调制。

外调制是指将光信号和调制信号分开传输,通过外部器件将调制信号转换为电场,再作用于电光材料,实现光信号的调制。

电光调制器的工作过程可以简单描述为,首先,将光信号输入到光波导中,然后施加外加电场到电光材料上,通过改变折射率来调制光信号,最后通过光波导输出调制后的光信号。

在实际应用中,电光调制器通常与其他光学器件结合使用,如激光器、光放大器、光滤波器等,以实现更复杂的光通信系统。

电光调制器的性能参数包括调制带宽、调制深度、驱动电压、插入损耗等。

调制带宽是指电光调制器能够支持的最高调制频率,调制深度是指调制信号对光信号的影响程度,驱动电压是施加到电光材料上的电压大小,插入损耗是指光信号在通过电光调制器时的损耗程度。

这些性能参数直接影响着电光调制器在实际应用中的性能和效果。

总之,电光调制器作为光通信领域的重要器件,其原理和工作过程至关重要。

通过对电光调制器原理的深入了解,可以更好地应用和优化电光调制器,推动光通信技术的发展和应用。

电光相位调制器偏置电压

电光相位调制器偏置电压

电光相位调制器偏置电压
电光相位调制器是一种常用的光学调制器,用于光通信系统和光纤传感器,广泛应用于光通信、互联网、光纤传感、高速数据存储等领域。

其中偏置电压就是调节电光相位调制器的一项重要参数。

首先,了解电光相位调制器偏置电压的意义。

在电光相位调制器中,偏置电压也就是直流电压,指的是电光调制器的只有直流电压而没有光信号时的状态。

偏置电压的大小会对电光调制器进行相位调制时的工作点产生影响。

因此,选择正确的偏置电压可以提高电光调制器的调制性能。

其次,了解如何设置偏置电压。

在设置偏置电压时,需要进行以下步骤。

首先,将电光相位调制器连接到电路中。

然后,调整电光相位调制器的直流电压,即偏置电压,使其工作在所需的工作点,以便更好地调制光信号。

此时,需要根据不同的电光相位调制器的特性来进行实验,可以使用示波器来监控输出光信号的幅度和相位,以确定最佳的偏置电压。

最后,注意偏置电压的稳定性。

电光调制器的偏置电压必须始终保持稳定不变,这对于获得可靠的光信号和准确的性能非常重要。

在电路中加入稳压电源和偏压控制器可以帮助保持偏置电压恒定。

综上所述,偏置电压对电光相位调制器的性能影响很大,因此必须正确设置。

在设置偏置电压时,需要注重偏置电压的稳定性,以保证输出的光信号稳定准确。

掌握这些步骤,可以帮助工程师有效调节电光相位调制器的偏置电压,从而提高其性能。

电光调制实验报告小结

电光调制实验报告小结

电光调制实验报告小结引言电光调制是一种利用电场来调制光的相位和强度的技术,在通信领域有着广泛的应用。

本实验旨在通过搭建电光调制系统并进行实验验证,探究电场对光调制的影响,实验结果对理解和应用电光调制技术具有重要意义。

实验方法1. 实验材料:激光器、调制器、接收器、电源等。

2. 搭建电光调制系统:将激光器的输出光传入调制器中,通过调制器内的电场对光进行调制,调制完的光被接收器接收。

3. 测量和记录实验数据:测量接收器接收到的光强,并记录输入的电场强度。

实验结果分析实验1:电场对光强的影响在电场未加之前,接收器检测到的光强为I0。

在电场加上不同的电压后,记录对应的光强I,并计算光强的变化率ΔI/I0。

实验结果如下:电场强度(V/m) 光强变化率ΔI/I0-0 0100 0.2200 0.4300 0.6400 0.8500 1从实验结果可以看出,电场的增大对光强的调制效果逐渐增强。

当电场为0时,光强不受到电场的影响;当电场增加到500 V/m时,光强变为原来的2倍,光强的调制效果达到最大。

实验2:电场对光相位的影响在电场未加之前,激光器的输出相位作为参考相位。

在电场加上不同的电压后,测量和记录光的相位,并计算相位的偏移Δφ。

实验结果如下:电场强度(V/m) 相位偏移Δφ-0 0100 0.2π200 0.4π300 0.6π400 0.8π500 π从实验结果可以看出,电场的增大对光相位的调制效果逐渐增强。

当电场为0时,光相位不受到电场的影响;当电场增加到500 V/m时,光相位经历了一个完整的π的偏移。

实验3:光强和相位的联合调制效果通过同时加上电场和光的相位调制器,记录不同电场强度下的光强和相位变化情况。

实验结果如下:电场强度(V/m) 相位偏移Δφ光强变化率ΔI/I0-0 0 0100 0.2π0.2200 0.4π0.4300 0.6π0.6400 0.8π0.8500 π 1从实验结果可以看出,电场和光的相位调制器的联合调制效果是光强和相位调制的叠加效果。

1.2 电光调制

1.2 电光调制

获得线性调制的方法
1,在调制晶体上除了施加信号电压外,再附加一个Vλ/4的 固定偏压;
• 缺点,增加电路的复杂性,工作点的稳定性也差
2,在调制器的光路上插入一个1/4波片,其快慢轴与晶 体主轴X成45角,从而使Ex′﹑Ey′二分量间产生π/2的固定 位相差.
总的相位差: ∆ϕ = 调制器的透过率: T =
π
2

I π ∆ϕm = sin 2 [ + sin ωm t ] Ii 4 2
Vm π sin ω m t = + ∆ϕ m sin ω m t Vπ 2
1 = [1 + sin(∆ϕm sin ωm t )] 2 1 ∞ = + ∑ J 2 n +1 (∆ϕm )sin[(2n + 1)ωm t ] 2 n=0
由此可见,一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的 关系是非线性的.
(1)当晶体加以直流电压VD 时:out = I in sin 2 π VD I
2Vπ
Iout/Iin和VD 的曲线不 是线性关系,易发生 畸变,在Vπ/2附近有一 段近似线性部分,波 形畸变小。
电光调制特性曲线
电场→晶体束缚电荷重新分布→介电常数变化 →晶体离子晶格微小形变→
n = n0 + γ E + hE + L
2
∆n = n − n0
γ,h为常数
线性电光效应,泡克耳斯(Pockels)效应 二次电光效应,克尔(Kerr)效应
1、电致折射率变化(折射率椭球)
x2 y2 z 2 未加电场: + + = 1 2 2 nx ny nz2
以KDP晶体为例:

电光调制ppt课件

电光调制ppt课件

实现线性调制的判据为
m 1rad
此时的透过率为
m

Vm V
1rad
T

I Io

1 2
[1

m
sin
mt ]
输出的强度调制波是调制信号的线性复现
20
电光调制的基本原理及公式推导-相位调制
工作原理: 电光相位调制器由起偏器和电光晶体组成
起偏器的偏振方向平行于晶体的感应主轴(x'或y' ),此时入射晶体 的线偏振光不再分解成沿x’和y’ 两个分量,而是沿着x’或y’轴
KDP的纵向运用中 特性阻抗 Zm 与驱动功率Pdri
V

2n03 63
Z m 1/ c(1/ CC0 )1/ 2
式中:c为真空中的光速 C为电极每单位长度的电容 C0为用空气代替所有波导材料的电极每单位长度电容。
要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。
24
电光调制器的技术参数
x2 y2 z2 1 n12 n22 n32 1.x,y,z为介质的主轴方向,在晶体内沿着主轴方 向的电位移D和电场强度E是互相平行的; 2. n1、n2、n3为折射率椭球x,y和z方向的折射率(主折射率)。
折射率椭球方程可以描述光波在晶体中的传播特性。
3
电光调制的基本原理及公式推导
KDP为四方晶系,负单轴晶体,n1 n2 n0,n3 ne 电光张量为
其定义为:
L

10 10
lg(Imax lg(Iin /
/ Iin I max
) )
Imax Iin Iin Imax
30
电光调制器的技术参数
8.品质因数 品质因数即驱动电压与电极长度的乘积( V L )。

2电光相位调制

2电光相位调制

2. 电光相位调制图1所示的是一电光相位调制的原理图,它由起偏器和电光晶体组成。

外电场不改变出射光的偏振状态,仅改变其相位,相位的变化为L n cx c x ''∆-=∆ωϕ (3.2-11) 输出光场为])s i n 21(c o s [633L t E r n n c t A E m m o o c c c o ωωω--= 则上式可写成)sin cos(t m t A E m c c out ωωϕ+= (3.2-12)3.电光调制器的电学性能对电光调制器来说,总是希望获得高的调制效率及满足要求的调制带宽。

下面分析一下电光调制器在不同调制频率情况下的工作特性。

电光调制器的等效电路如图2所示。

其中,V s 和R s 分别表示调制电压和调制电源内阻,C 0为调制器的等效电容,R e 和R 分别为导线电阻和晶体的直流电阻。

由图可知,作用到晶体上的实际电压)()/1(1)/1(1000R R R R C i R R R R V C i R R R C i R V V e s e s s e s s ++++=+++⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=ωωω 在低频调制时,一般有e s R R R +>>,0C i ω也较小,因此信号电压可以有效地加到晶体上。

但是,当调制频率增高时,调制晶体的交流阻抗变小,当10)(->C R ω时,大部分调制电压就降在R s 上,调制电源与晶体负载电路之间阻抗不匹配,这时调制效率就要大大降低,甚至不能工作。

实现阻抗匹配的办法是在晶体两端并联一电感L ,构成一个并联谐振回路,其谐振频率为1020)(-=LC ω,另外再并偏振器调制光 图1 电光相位调制原理图联一个分流电阻R L ,其等效电路如图39所示。

当调制信号频率0ωω=m 时,此电路的阻抗就等于R L ,若选择R L >>R s ,就可使调制电压大部分加到晶体上。

但是,这种方法虽然能提高调制效率,可是谐振回路的带宽是有限的。

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

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平方电光效应
电场引起的折射率变化与电场 强度的平方成正比。
电光效应的物理机制
与晶体的内部结构、电子云分 布和能带结构有关。
电光调制器的工作原理
01
调制信号输入
将需要调制的信号输入到电光调制 器中。
光学调制
折射率的变化导致光波的相位和振 幅发生变化,从而实现调制。
03
02
电场作用
通过施加电场,改变晶体的折射率 。
04
EOM(电光调制器)原理
EOM的基本结构和工作原理
基本结构
EOM通常由电光晶体和电极组成。电光 晶体具有特殊的电光效应,当施加电压 时,能够改变其折射率,从而改变光的 传播方向或振幅。电极用于施加电信号 。
VS
工作原理
在EOM中,当电信号施加到电光晶体上 时,由于电光效应,电光晶体的折射率发 生变化,导致通过的光的相位或偏振态发 生改变。这种相位或偏振态的变化可以通 过检测器检测,从而实现对光的调制。
相位调制器的应用
光纤通信系统
相位调制器在光纤通信系统中有着广泛的应用。通过将信息编码为光波的相位变化,可以实现高速、 大容量的光纤通信系统。相位调制器可以提高通信系统的传输速率和传输距离,同时降低噪声和干扰 的影响。
光学干涉仪
相位调制器在光学干涉仪中也有着重要的应用。通过将光波的相位变化引入干涉仪中,可以实现对光 波干涉图样的控制和测量。相位调制器可以提高干涉仪的测量精度和稳定性,广泛应用于光学测量、 光学传感等领域。
强度调制器
广泛应用于高速光信号处 理、光强调制、光功率控 制等领域。
相位调制器
广泛应用于光学干涉、光 学成像、量子通信等领域 。
优缺点的比较

电光调制技术

电光调制技术

2015-4-1
14
KDP晶体横向电光调制的主要缺点是存在自然双折射 引起的相位延迟,这意味着在没有外加电场时,通过晶体 的线偏振光的两偏振分量之间就有相位差存在,当晶体因 温度变化而引起折射率n0和ne的变化时,两光波的相位差 发生漂移。 在KDP晶体横向调制器中,自然双折射的影响会导致 调制光发生畸变。甚至使调制器不能工作。所以,在实际 应用中,除了尽量采取一些措施(如散热、恒温等)以减小 晶体温度的漂移之外,主要是采用一种“组合调制器”的 结构予以补偿。 常用的补偿方法有两种:一种方法是,将两块几何尺寸几 乎完全相同的晶体的光相互成90o串接排列,
2 L 3 1 nx n3 L n0 ne L 2 n0 r63 U d
2
2015-4-1
(34)
13
由此可知,KDP晶体的r63 横向电光效应使光波通过晶体 后的相位差包括两项:
第一项是与外加电场无关的晶体本身的自然双折射引起 的相位延迟,这一项对调制器的工作没有什么贡献,而 且当晶体温度变化时,还会带来不利的影响,因此应设 法消除(补偿)掉; 第二项是外加电场作用产生的相位延迟,它与外加电压U 和晶体的尺寸(L/d)有关,若适当地选择晶体尺寸,则 可以降低其半波电压。
Um sin mt m sin mt 2 U 2
式中,△φm = Um/U (相当于25式中的 △φ )是相应于外 加调制信号最大电压Um的相位延迟。其中Um sinωmt 是外加 调制信号电压。
2015-4-1 7

因此,调制的透过率可表示为 Io m 2 T sin sin m t Ii 2 4 1 1 sin m sin m t 2 利用贝塞尔函数恒等式将上式 sin 得
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电光相位调制
一.调制的分类
1. 内调制:在激光形成过程中,以调制信号的规律去改变激光振荡
的某一参数。

即用调制信号控制着激光的形成。

优点:调制效率高。

缺点:a.由于调制器放在腔内,等于增加腔内的损耗,降低了输出功率。

b.调制器带宽受到谐振腔通带的限制
2.外调制:把调制器放在激光器的外面
优点:a. 因为调制器和激光形成无关,不影响激光器的输出功率。

b.调制器的带宽不受谐振腔通带的限制。

缺点:调制效率低。

二.脉冲调制的类型:
脉冲调幅(PAM);脉冲强度调制(PIM);脉冲调频(PFM);
脉冲调位(PPM);脉冲调宽(PWM);脉冲编码调制(PCM)。

三.电光相位调制器
相位调制即是用调制信号的规律来改变激光振荡的相位角。

四.电光调制器的电学性能
只有在光波通过晶体的渡越时间 d=nl/c内,认为调制信号电压在晶体各处的分布相等,才能保证光波在各部分获得的相位延迟相同。

调制信号频率越低则电压变化越慢,容易满足上式。

一般使晶体的
尺寸小于调制信号在晶体中的1/2波长。

五.电光调制器的等效电路图
调制器的并联谐振回路
六.实物图
KG-PM系列10G电光相位调制器
七.主要特性:低插入损耗;高调制带宽;低半波电压;高损伤光功率。

八.应用领域:光纤传感;光纤通信、激光相干合成;相位延迟(移向器);量子通信;ROF系统
九.技术指标:。

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