NAND详解

AP U2 CPU
UA RT AP Block RF Block
AP U1
EBU_WR
RF U1
RF U25 Power Supply
VS_D
Address&Data Bus EBU_RD
Radio U22 Baseband
寫操作
讀操作
數據交換
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~END~
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N88 Memory Application
Memory Module Function Block (N88)
AP U18 Power Supply
PP3V0_NAND
PP1.8V
AP U12 Serial Flash
SI&S0
FWE Address&Data Bus FRE
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RAM&ROM Introduce
二、ROM(READ Only Memory，只读存储器) ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件 正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行 修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输 出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。 根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种： 1.MASK ROM（掩模型只读存储器） 2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器） 3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器） 4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存 储器） 5.Flash Memory（快闪存储器）
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Flash Memory Define & Application
2.2便携存储(USB Flash Disk)，也称为闪存盘。闪存盘是一种采用USB接口 的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,它采用的存储介质为闪存 (Flash Memory),是采用USB接口和闪存(Flash Memory)技术结合的方 便携带外观精美时尚的移动存储器。 闪存盘是以Flash Memory为介质，所以具有可多次擦写、速度快而且防 磁、防震、防潮的优点。闪存盘一般包括闪存(Flash Memory)、控制芯 片和外壳。闪盘采用流行的USB接口，体积只有大拇指大小，重量约20 克，不用驱动器，无需外接电源，即插即用，实现在不同电脑之间进行文 件交流，存储容量从16MB～2GB不等，满足不同的需求。闪盘产品都是 通过整合闪存芯片、USB I/O控制芯片而成的产品，其产品特性大都比较 相似，只是外壳设计、捆绑软件和附加功能上有所差别。闪盘的附加功能 种类很多，比如：数据加密、系统启动功能、内置 E-mail 收发软件和聊 天工具等等。 闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电 脑上的USB接口就可独立地存储读写数据。
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Nor & Nand Flash Technology compare
2.Nor & Nand 技朮特點
大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适 合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, Execute In Place)，这样应用程 序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效 益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且 写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和 需要特殊的系统接口。 各項性能指標比較詳見附檔。
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Flash Memory Define & Application
1.2 Nand flash & Nor flash NAND闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页 和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND的存储块大小为8到32KB），这种结构最大的优点在于容 量可以做得很大，超过1GB容量的NAND产品相当普遍，NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。NAND闪存的缺点在于读 速度较慢，它的I/O端口只有8个，比NOR要少多了。这区区8个 I/O端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上NAND闪存的逻辑为 电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数 据坏块将无法修正，可靠性较NOR闪存要差。NAND闪存被广 泛用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数 字设备中。
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Flash Memory Define & Application
1.Define
闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它 也属于内存器件的一种。不过闪存的物理特性与常见的内存 有根本性的差异：目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都 属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保 持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则 是一种不挥发性(Non-Volatile)内存，在没有电流供应的条件 下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特 性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
3. Nor & Nand Flash Technology compare 4. N88 Memory Application
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RAM&ROM Introduce
一、RAM (Random Access Memory，随机存取存储器) 1.RAM的特点是：开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中， 并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一 旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
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MemeryModule Explanation
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Agenda
1. RAM&ROM Introduce 2. Flash Memory Define & Application
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Flash Memory Define & Application
2.Application
Flash memory主要應用與数码闪存卡和闪存盘(USB Flash Disk)﹕ 2.1数码相机、MP3播放器、掌上电脑、手机等数字设备是闪存最主要的市场。 前面提到，手机领域以NOR型闪存为主、闪存芯片被直接做在内部的电路板 上，但数码相机、MP3播放器、掌上电脑等设备要求存储介质具备可更换性， 这就必须制定出接口标准来实现连接，闪存卡技术应运而生。闪存卡是以闪 存作为核心存储部件，此外它还具备接口控制电路和外在的封装，从逻辑层 面来说可以和闪盘归为一类，只是闪存卡具有更浓的专用化色彩、而闪盘则 使用通行的USB接口。由于历史原因，闪存卡技术未能形成业界统一的工业 标准，许多厂商都开发出自己的闪存卡方案。目前比较常见的有CF卡、SD 卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick记忆棒。
2.根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种： 01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器） 02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器） 03.VRAM（Video RAM，视频内存） 04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器 05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器） 06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储 器） 07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器） 08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器） 09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器） 10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器 11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器） 12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器） 13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器） 14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器） 15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器） 16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器） 17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器) 18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
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Nor & Nand Flash Technology compare
1.Nor & Nand 技朮歷史
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年 首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统 天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调 降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升 级。