《模拟电子技术基础》复习资料答案之一(1)
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模拟电子技术
广西师范大学
电子工程学院
曾庆科
《模拟电子技术》复习资料答案
一、填空题 1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 ； 其电阻率分别受 杂 质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。 2. 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。 3. 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。 4. 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。 5. 在 N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为 P 型半导体。 6. 本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B、Al ，得到 P 型半导体。 7. 本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越_ 多 ，而 少数载流子应是__ 空穴 __，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 8. 半导体中存在着两种载流子：带正电的__ 空穴 __和带负电的 _电子 。 9. N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 10. 杂质半导体分 N 型（电子） 和 P 型（空穴） 两大类。 11. N 型半导体多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P 型半导体多数载流子是 空穴 ， 少数载流子是 电子 。 12. 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子则与 温度 有很大关系。 13. PN 结的主要特性是 单向导电性 。 14. PN 结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称 为 空间电荷区（势垒区） 或 耗尽区（阻挡层） 。 15. PN 结加正向电压时，空间电荷区变 窄 ；PN 结加反向电压时，空间电荷区变 宽 。 16. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为 零 。 17. PN 结两端电压变化时，会引起 PN 结内电荷的变化，这说明 PN 结存在 电容效应 。 18. 二极管是由 一 个 PN 结构成，因而它同样具有 PN 结的 单向导电 特性。 19. 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 I=IS(eU/UT-1) ，其曲线又可分三部分： 正 向特性 、 反向特性 、 击穿特性 。 20. 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小 ，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低 ，击 穿区的交流电阻又比正向区的 小 。 21. 有两个晶体二极管 A 管的β=200，ICEO=200µA；B 管的β=50，ICEO=10µA，其他参数大致相同，相比 之下 B 管的性能较好。 22. 点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流及小功率开关电路 。 23. 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 击穿区 ，所以当 反向电压 大于稳定电压 UZ 时， 它才能产生稳压作用。 24. 变容二极管是利用 PN 结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。 25. 双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电；场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。 26. 三极管有两个 PN 结，即 发射 结和 集电 结，在放大电路中 发射 结必须正偏， 集电 结必 须反偏。 27. 三极管个电极电流的分配关系是 IE= IB+IC 。 28. 三极管有_NPN_型和 __PNP__型，前者在电路中使用的符号是 ______，后者在电路中使用的符号是 ________。 29. 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 重 掺杂，基区宽度要 窄 ；外部条件 是：发射结要 正向 偏置，集电结要 反向 偏置。 30. 处于放大状态的三极管 IC 与 IB 的关系是_IC=β IB _，处于饱和状态的三极管 IC 不受 IB 的控制，_失去_ 了放大作用，处在截止状态的三极管 IC≈0__。
2009.12.28 3
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72. 一般而言， 多级放大电路的输入电阻等于 第一级的输入电阻 ； 输出电阻等于 末级的输出电阻 。 73. 场效应管从结构上可分为 结型场效应管 和 绝缘栅场效应管 两大类；从其导电沟道上可分为 N 沟道和 P 沟道两大类。 74. 场效应管在其输出特性上可分为 饱和（或线性放大，或恒流） 区、 截止 区、 可变电阻 区和 击穿 区四个区域。 75. 场效应管放大电路中，其输入电阻 很高 ，故栅流 IG≈ 0 。 76. 场效应管的共漏组态电路通常称为 源极跟随器 ，它和双极型晶体三极管的共集组态电路具有相似 的特性，即输入电阻 很高 ，输出电阻 很低 ，电压放大倍数 小于近似等于 1，且输入电出电 压的相位 相同 。 77. 场效应管放大电路有_共栅__、__共源__和__共漏__三种连接方式。 78. 在如图二所示的电路中，VT1、VT2 组成两级__阻容__耦合放大电路。其中 VT1 管组成__共射__电路， VT2 管组成___共集___电路，又称__射随器__电路；电路中 C1、C3、C4 称为__隔直耦合__电容，其作 用是__隔断晶体三极管与信号源或负载之间的直流联系，并使信号能顺利通过，即起到耦合信号（传 送交流）的作用__，C2 称为__旁路__电容，其作用是__为发射极电流中的交流成分提供通路，使发射 极电阻（如图二中的 R4）两端的交流压降为零__。
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48. 交流放大电路的基本分析方法有__图解法 和 微变等效电路法__两种。 49. 对于电压放大电路，输入电阻越_大__，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越__小__， 放大电路带负载的能力越强。 50. 影响放大电路工作点稳定的主要因素是 温度 的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入 直流负反馈 。 51. 在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现___饱和 失真，常通过调 整 基极偏置电阻 元件来消除失真。 52. 在单级共射放大电路中（如图一(a)电路所示） ，如果输出信号的波形产生了截止失真，常通过调整__ 基极偏置电阻 Rb 元件来消除失真，且应__减小__其阻值。 53. 在单级共射放大电路中，无论是 NPN 型还是 PNP 型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高 时，容易出现___饱和 失真，过低时容易产生 截止 失真。若采用基极上偏置电阻 Rb 来消除失真， 对于前者应使 Rb 增大 ，对于后者应使 Rb 减小 。 54. 反映双极型晶体三极管（BJT 管）放大能力的参数是 β ，反映场效应管（FET 管）放大能力的参 数是 跨导 gm 。 55. BJT 管是 电流 控制器件，而 FET 管则是 电压 控制器件。 56. 当 BJT 管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在 放大 区；当 BJT 管发射结和集电结均正偏 时，放大电路工作在 饱和 区；当 BJT 管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在 截止 区。 57. 双极型晶体三极管放大电路有 共基 、 共集 和 共射 三种连接方式。 58. 放大电路中的三极管有___共基 、 共集 和 共射 ___三种接法，其中电压、电流放大倍数都比 较大的是__共射__接法。所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以___发射___极作为输入输 出信号的共同参考点。 59. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流 放大倍数； 共集 放大电路的电压放大倍数最低。 60. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路既有电压放大，又有电流放大； 共 集 放大电路只有电流放大，而无电压放大； 共基 放大电路只有电压放大，而无电流放大。 61. 在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选 共集 电路，欲要电压 放大且频率响应好的应选 共基 电路。 62. 共集电极电路的特点是：输入电阻 很大 ，输出电阻 很小 ，电压放大倍数 小于近似等于 1 ， 动态范围 较大 。 63. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共集 放大电路的输入电阻最高；__共集__放大电路 的输出电阻最低。 64. 在共射、 共基和共集三种组态单管放大电路中， 共集和共基 电路输入输出电压同相， 共射 电 路输入输出电压反相。 65. 在共射、 共基和共集三种组态单管放大电路中， 当待处理的信号是电流时， 可采用 共基 放大电路， 利用的是该电路的 输入电阻小、输出电阻大 的特点。 66. 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是： 各级静态工作点相互影 响 、 需要电平配置 和 零点漂移 。 67. 零点漂移一般都是折合到 输入 端来衡量的。若 Au=1000，输出端最大漂移为 50mV，则该放大电 路的漂移为 50µV 。 68. 多级放大器的耦合方式有：直接耦合、 阻容耦合 和 变压器耦合 三种。 69. 多级交流放大电路的极间耦合方式有__直接耦合__、___阻容耦合 和 变压器耦合__三种，在低频 电压放大电路中常采用__阻容__耦合方式，___直接_耦合电路存在零点漂移问题。 70. 多级放大电路中，第一级电压增益为 40dB，第二级电压增益为 20dB，则总电压增益为 60dB ， 折算为电压放大倍数为 1000 倍。 71. 多级放大电路中，第一级电压放大倍数为 100 倍，第二级电压放大倍数为 1000 倍，则总电压放大倍 数为 105 倍，折算为电压增益为 100 dB。
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31. 电流放大系数β的定义是 ≈ IC/IB 。 32. 当 NPN 锗管工作在放大区时，在 E、B、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，_发射极_的电位最低； UBEQ 约等于 0.2V 。 33. 当 PNP 型硅三极管处于放大状态时，在 E、B、C 三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电 位最低。 34. 三极管的反向饱和电流 ICBO 随温度的升高而_升高__，穿透电流 ICEO 随温度升高而__增加__，UBE 随 温度的升高而__下降__，β值随温度的升高而__增加___。 35. 三极管的三个主要极限参数是__PCM___、____ICM____和___反向击穿电压____。 36. 从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区 、 饱和区 、__截止区___和击穿区四个工作 区域。 当三极管工作在__放大___区时， 关系式 IC=βIB 才成立； 当三极管工作在___截止___区时， IC≈0； 当三极管工作在___饱和____区时，UCE≈0。 37. 三极管有三个电极，分别是 集电极 、 发射极 和 基极 。 38. 用直流电压表测得某放大器中 NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为 VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V，则该管工作在_饱和__区。 39. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V，则 从材料看为 锗 管，从结构上看为 PNP 型管，且 A 为 发射 极，B 为 基 极，C 为 集 电 极。 40. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V，则 从结构上看为 PNP 型管， 且 A 为 发射 极， B 为 集电 极， C为 基 从材料看为 硅 管， 极 极。 41. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V，则 从结构上看为 NPN 型管， 且 A 为 集电 极， B 为 发射 极， C为 基 从材料看为 硅 管， 极 极。 42. 在放大状态下，三极管的 1，2，3 三个电极的电流分别为 I1=1.5mA，I2=30µA，I3=1.53mA，则电极 1 为集电极，电极 2 为基极，电极 3 为发射极。β= 50 ，α= 0.98 。 43. 从输出特性上分析单级 PNP 管组成的放大电路， 如果静态工作点在负载线上设置偏高， 有可能导致__ 饱和__失真，从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；工作点设置偏低，则有可能导致_截止__ 失真。 44. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的 。 是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波） 45. 如图一(a)是 NPN 管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是__饱和__失真，解 图一(c)是 截止 失真， 解决办法是将基极偏置电流调 大 。 决办法是将基极偏置电流调 小 ； +VCC Rb RC UO Ui RL 0 t 0 t UO UO
(a)
(b) 图一
(c)
46. 放大电路有两种工作状态，Ui=0 时的直流状态称为___静__态；当有交流信号 Ui 输入时，放大电路的 工作状态称为___动__态，此时，三极管各极电压、电流均有__直流__分量和___交流___分量两部分 叠加而成。 47. 在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的__电容 和 直流电源___视为短路。
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一、填空题 1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 ； 其电阻率分别受 杂 质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。 2. 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。 3. 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。 4. 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。 5. 在 N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为 P 型半导体。 6. 本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B、Al ，得到 P 型半导体。 7. 本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越_ 多 ，而 少数载流子应是__ 空穴 __，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 8. 半导体中存在着两种载流子：带正电的__ 空穴 __和带负电的 _电子 。 9. N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 10. 杂质半导体分 N 型（电子） 和 P 型（空穴） 两大类。 11. N 型半导体多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P 型半导体多数载流子是 空穴 ， 少数载流子是 电子 。 12. 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子则与 温度 有很大关系。 13. PN 结的主要特性是 单向导电性 。 14. PN 结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称 为 空间电荷区（势垒区） 或 耗尽区（阻挡层） 。 15. PN 结加正向电压时，空间电荷区变 窄 ；PN 结加反向电压时，空间电荷区变 宽 。 16. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为 零 。 17. PN 结两端电压变化时，会引起 PN 结内电荷的变化，这说明 PN 结存在 电容效应 。 18. 二极管是由 一 个 PN 结构成，因而它同样具有 PN 结的 单向导电 特性。 19. 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 I=IS(eU/UT-1) ，其曲线又可分三部分： 正 向特性 、 反向特性 、 击穿特性 。 20. 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小 ，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低 ，击 穿区的交流电阻又比正向区的 小 。 21. 有两个晶体二极管 A 管的β=200，ICEO=200µA；B 管的β=50，ICEO=10µA，其他参数大致相同，相比 之下 B 管的性能较好。 22. 点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流及小功率开关电路 。 23. 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 击穿区 ，所以当 反向电压 大于稳定电压 UZ 时， 它才能产生稳压作用。 24. 变容二极管是利用 PN 结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。 25. 双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电；场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。 26. 三极管有两个 PN 结，即 发射 结和 集电 结，在放大电路中 发射 结必须正偏， 集电 结必 须反偏。 27. 三极管个电极电流的分配关系是 IE= IB+IC 。 28. 三极管有_NPN_型和 __PNP__型，前者在电路中使用的符号是 ______，后者在电路中使用的符号是 ________。 29. 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 重 掺杂，基区宽度要 窄 ；外部条件 是：发射结要 正向 偏置，集电结要 反向 偏置。 30. 处于放大状态的三极管 IC 与 IB 的关系是_IC=β IB _，处于饱和状态的三极管 IC 不受 IB 的控制，_失去_ 了放大作用，处在截止状态的三极管 IC≈0__。
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72. 一般而言， 多级放大电路的输入电阻等于 第一级的输入电阻 ； 输出电阻等于 末级的输出电阻 。 73. 场效应管从结构上可分为 结型场效应管 和 绝缘栅场效应管 两大类；从其导电沟道上可分为 N 沟道和 P 沟道两大类。 74. 场效应管在其输出特性上可分为 饱和（或线性放大，或恒流） 区、 截止 区、 可变电阻 区和 击穿 区四个区域。 75. 场效应管放大电路中，其输入电阻 很高 ，故栅流 IG≈ 0 。 76. 场效应管的共漏组态电路通常称为 源极跟随器 ，它和双极型晶体三极管的共集组态电路具有相似 的特性，即输入电阻 很高 ，输出电阻 很低 ，电压放大倍数 小于近似等于 1，且输入电出电 压的相位 相同 。 77. 场效应管放大电路有_共栅__、__共源__和__共漏__三种连接方式。 78. 在如图二所示的电路中，VT1、VT2 组成两级__阻容__耦合放大电路。其中 VT1 管组成__共射__电路， VT2 管组成___共集___电路，又称__射随器__电路；电路中 C1、C3、C4 称为__隔直耦合__电容，其作 用是__隔断晶体三极管与信号源或负载之间的直流联系，并使信号能顺利通过，即起到耦合信号（传 送交流）的作用__，C2 称为__旁路__电容，其作用是__为发射极电流中的交流成分提供通路，使发射 极电阻（如图二中的 R4）两端的交流压降为零__。
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48. 交流放大电路的基本分析方法有__图解法 和 微变等效电路法__两种。 49. 对于电压放大电路，输入电阻越_大__，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越__小__， 放大电路带负载的能力越强。 50. 影响放大电路工作点稳定的主要因素是 温度 的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入 直流负反馈 。 51. 在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现___饱和 失真，常通过调 整 基极偏置电阻 元件来消除失真。 52. 在单级共射放大电路中（如图一(a)电路所示） ，如果输出信号的波形产生了截止失真，常通过调整__ 基极偏置电阻 Rb 元件来消除失真，且应__减小__其阻值。 53. 在单级共射放大电路中，无论是 NPN 型还是 PNP 型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高 时，容易出现___饱和 失真，过低时容易产生 截止 失真。若采用基极上偏置电阻 Rb 来消除失真， 对于前者应使 Rb 增大 ，对于后者应使 Rb 减小 。 54. 反映双极型晶体三极管（BJT 管）放大能力的参数是 β ，反映场效应管（FET 管）放大能力的参 数是 跨导 gm 。 55. BJT 管是 电流 控制器件，而 FET 管则是 电压 控制器件。 56. 当 BJT 管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在 放大 区；当 BJT 管发射结和集电结均正偏 时，放大电路工作在 饱和 区；当 BJT 管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在 截止 区。 57. 双极型晶体三极管放大电路有 共基 、 共集 和 共射 三种连接方式。 58. 放大电路中的三极管有___共基 、 共集 和 共射 ___三种接法，其中电压、电流放大倍数都比 较大的是__共射__接法。所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以___发射___极作为输入输 出信号的共同参考点。 59. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流 放大倍数； 共集 放大电路的电压放大倍数最低。 60. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路既有电压放大，又有电流放大； 共 集 放大电路只有电流放大，而无电压放大； 共基 放大电路只有电压放大，而无电流放大。 61. 在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选 共集 电路，欲要电压 放大且频率响应好的应选 共基 电路。 62. 共集电极电路的特点是：输入电阻 很大 ，输出电阻 很小 ，电压放大倍数 小于近似等于 1 ， 动态范围 较大 。 63. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共集 放大电路的输入电阻最高；__共集__放大电路 的输出电阻最低。 64. 在共射、 共基和共集三种组态单管放大电路中， 共集和共基 电路输入输出电压同相， 共射 电 路输入输出电压反相。 65. 在共射、 共基和共集三种组态单管放大电路中， 当待处理的信号是电流时， 可采用 共基 放大电路， 利用的是该电路的 输入电阻小、输出电阻大 的特点。 66. 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是： 各级静态工作点相互影 响 、 需要电平配置 和 零点漂移 。 67. 零点漂移一般都是折合到 输入 端来衡量的。若 Au=1000，输出端最大漂移为 50mV，则该放大电 路的漂移为 50µV 。 68. 多级放大器的耦合方式有：直接耦合、 阻容耦合 和 变压器耦合 三种。 69. 多级交流放大电路的极间耦合方式有__直接耦合__、___阻容耦合 和 变压器耦合__三种，在低频 电压放大电路中常采用__阻容__耦合方式，___直接_耦合电路存在零点漂移问题。 70. 多级放大电路中，第一级电压增益为 40dB，第二级电压增益为 20dB，则总电压增益为 60dB ， 折算为电压放大倍数为 1000 倍。 71. 多级放大电路中，第一级电压放大倍数为 100 倍，第二级电压放大倍数为 1000 倍，则总电压放大倍 数为 105 倍，折算为电压增益为 100 dB。
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31. 电流放大系数β的定义是 ≈ IC/IB 。 32. 当 NPN 锗管工作在放大区时，在 E、B、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，_发射极_的电位最低； UBEQ 约等于 0.2V 。 33. 当 PNP 型硅三极管处于放大状态时，在 E、B、C 三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电 位最低。 34. 三极管的反向饱和电流 ICBO 随温度的升高而_升高__，穿透电流 ICEO 随温度升高而__增加__，UBE 随 温度的升高而__下降__，β值随温度的升高而__增加___。 35. 三极管的三个主要极限参数是__PCM___、____ICM____和___反向击穿电压____。 36. 从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区 、 饱和区 、__截止区___和击穿区四个工作 区域。 当三极管工作在__放大___区时， 关系式 IC=βIB 才成立； 当三极管工作在___截止___区时， IC≈0； 当三极管工作在___饱和____区时，UCE≈0。 37. 三极管有三个电极，分别是 集电极 、 发射极 和 基极 。 38. 用直流电压表测得某放大器中 NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为 VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V，则该管工作在_饱和__区。 39. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V，则 从材料看为 锗 管，从结构上看为 PNP 型管，且 A 为 发射 极，B 为 基 极，C 为 集 电 极。 40. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V，则 从结构上看为 PNP 型管， 且 A 为 发射 极， B 为 集电 极， C为 基 从材料看为 硅 管， 极 极。 41. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V，则 从结构上看为 NPN 型管， 且 A 为 集电 极， B 为 发射 极， C为 基 从材料看为 硅 管， 极 极。 42. 在放大状态下，三极管的 1，2，3 三个电极的电流分别为 I1=1.5mA，I2=30µA，I3=1.53mA，则电极 1 为集电极，电极 2 为基极，电极 3 为发射极。β= 50 ，α= 0.98 。 43. 从输出特性上分析单级 PNP 管组成的放大电路， 如果静态工作点在负载线上设置偏高， 有可能导致__ 饱和__失真，从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；工作点设置偏低，则有可能导致_截止__ 失真。 44. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的 。 是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波） 45. 如图一(a)是 NPN 管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是__饱和__失真，解 图一(c)是 截止 失真， 解决办法是将基极偏置电流调 大 。 决办法是将基极偏置电流调 小 ； +VCC Rb RC UO Ui RL 0 t 0 t UO UO
(a)
(b) 图一
(c)
46. 放大电路有两种工作状态，Ui=0 时的直流状态称为___静__态；当有交流信号 Ui 输入时，放大电路的 工作状态称为___动__态，此时，三极管各极电压、电流均有__直流__分量和___交流___分量两部分 叠加而成。 47. 在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的__电容 和 直流电源___视为短路。