最新集成电路设计练习题
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集成电路设计练习题2009
1、说明一个半导体集成电路成本的组成。
2、简述CMOS工艺流程。简述CMOS集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。
3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?简述CMOS工艺技术的发展趋势。
4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?
5、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx 其中,x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出,要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程。
6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路,你觉得应该具备哪些方面的知识?
7、描述你对集成电路设计流程的认识。
8、集成电路前端设计流程,后端设计流程,相关的工具。
9、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.
10、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。
11、简述半定制数字电路的设计流程。
12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。
13、什么是集成电路的设计规则。
14、同步电路和异步电路的区别是什么?
15、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=AB+C(D+E)
16、在CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管还是N 管,为什么?
17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管,N阱的阱电位的连接有什么要求?
18、名词解释:VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA
19、画出CMOS与非门的电路,并画出波形图简述其功能。
20、latch与register的区别,为什么现在多用register。行为级描述中latch如何产生的。
21、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。
22、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal, poly and diffusion in traditional CMOS process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
23、Please show the CMOS inverter schematic, layout and its cross section with P-well process. Plot its transfer curve (V out-Vin). And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve?
24、Please draw the transistor level schematic of a CMOS 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。
25、To design a CMOS inverter with balance rise and fall time, please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?
27、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)
28、目前集成电路产业发展到IP/Soc阶段,你是怎么理解IP复用技术的?
29、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要,请问:a) 你所知道的可编程逻辑器件有哪些?
b) 试用VHDL或VERILOG描述8位D触发器逻辑。
30、评价数字集成电路设计质量的指标有哪些?他们分别用什么来表示(或衡量)?
31、你认为目前数字集成电路设计中亟待解决的问题有哪些?为什么?
32、MOSFET本征寄生电容的来源是什么。计算一个具有以下参数的NMOS管零偏置时所有相关电容的值。
33、特征尺寸的不断缩小对MOS管的工作特点和性质以及间接的对数字电路设计指标等有什么影响。
34、工艺尺寸的缩小对互连线有什么影响?
35、集成电路的导线引哪些寄生参数效应,他们对电路的特性有什么影响?
36、叙述静态CMOS的重要特性。
37、降低电源电压对CMOS管稳定性有何影响。
38、推导反相器一阶传播延时的表达式(一阶分析),说明减小一个门的传播延时的方法。
39、讨论晶体管尺寸与能耗之间的关系。
40、
41、对于由N个反相器组成的具有固定输入和输出电容的反相器链,为使通过反相器链的延时最小,如何确定反向器链的尺寸及级数。
42、
43、CMOS电路的功耗与哪些因素有关,如何降低电路的功耗?
44、
45、如何降低大扇入电路的延时?
46、
47、逻辑门的动态功耗可以通过减小它的实际电容和开关活动性来降低,降低开关活动性的设计技术有哪些?
48、
49、动态逻辑门有哪些特性?
50、时序逻辑电路(锁存器和寄存器)有静态和动态两类,试对这两类电路进行比较。
51、流水线是优化时序电路的一种重要方法,NORA-CMOS逻辑形式的流水线结构有哪些特性。
52、一般数字信号处理器由哪些模块构成,对各模块进行简要说明。
53、说明模拟和验证的区别。
54、
55、什么是Setup 和Holdup时间?setup和holdup时间,区别
56、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。