石斛育苗方法

石斛的育苗方法主要有两种：

方法一：种子试管育苗

取石斛成熟未开裂蒴果，经表面消毒灭菌后，将种子播于1/2MS培养基平板上，置25℃~28℃，加光培养。

约1～2周，种子便开始萌发，转入装有固体培养基的试管内继续培养。

经3～4次转管，当幼苗长出4～5片真叶并具有3～4条1～2厘米长的根时，即可炼苗后移栽。

方法二：霍山石斛栽培

时间：霍山石斛的栽培时间一般在每年的春秋两季。

温度：培养温度25°C～28°C。

光照：每天光照9～10小时，光照强度1800～1900 lx。

水分：在栽培过程中，水分管理是关键环节之一。

以上就是石斛育苗的主要方法。