半导体封装技术 PPT

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半导体封装技术 PPT
PKG及L/F的变迁
1990
2000
2005
QFN
SOP,TSOP
QFP,TQFP DIP
BGA
Leadframe
Substrate
Stacked CSP W.L.CSP
Flip Chip BGA
Single Cavity
Single Cavity
Map Cavity
Matrix Cavity
❖效果
上模
➢因注胶一致性好,可减少冲金丝及针孔的发生。
➢大幅度增加了基板设计的自由度从而降低成本
➢可严防基板背面溢料的产生
中模
下模
Floating Die
❖课题:克服BGA基板的问题
➢ 溢料 ➢ 料筒部位残胶 ➢ 多层基板的通用问题 ➢ 基板龟裂
Adjustment block
❖TOWA浮动式模具(模板厚度可调)
Chip Solder bump
Flip Chip Package
结束
PKG及其封装技术的运用
Packages
Structure
Necessary Mold Technology
Current Mold Method Future Mold Method
Vacuum
Release Film
Transfer Underfill
Top Gate
Floating Die
SOP / QFP
150
100
STD molding
F-M molding
50
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Moisture(wt%)
Comparison of organic gas volume (Based on GC peak area)
大家学习辛苦了,还是要坚持
继续保持安静
Release Film Molding
Transfer molding
Transfer molding





μBGA
Potting






BOC
QFN
Heart-Sink BGA
Flip Chip
Wafer Level CSP


Transfer molding

Potting

Potting

(Capillarity action)
❖效果
➢ 可防止树脂的溢漏和溢料的产生 ➢ 脱模时可降低对基板的冲击以保护球体粘胶、 防止PKG与基板脱落 ➢ 模具无需脱模杆和镶件
抽气口
脱模薄膜
QFN的PKG塑封状况比较
采用脱模薄膜时
不采用脱模薄膜时
Top Gate Mold
❖适用范围(PKG)
➢细长型金丝(φ20μm以下 L5mm以上) ➢基板上不允许设置浇道的特殊PKG (如EBGA,BOC等)
Compression molding










Adhesion Tape















Fine Mold(F-M塑封)
❖特点
➢ 采用减压罐,短时间内达到高真空状态 ➢ 消除针孔 (将产生针孔的水蒸气及气体瞬时间排出) ➢ 采用特殊的密封薄膜
FM塑封
普通塑封
真空塑封与普通塑封状况下针孔数量的比较
➢在晶片偏大,而球体偏小时无法进行封装
➢树脂的可靠性低 ➢树脂成本明显偏高 ➢包封体边框形状变形
Cringe Needle Liquid resin
Substrate
❖TOWA的局部封装技术
➢F-M塑封技术 ➢采用脱模薄膜的塑封技术 ➢可调式出气口的设置 ➢晶片反面扶持机构的采用 ➢防止低粘度树脂溢漏的模杆设计 ➢可确保基板稳定性的浮动式模具结构
Number of voids/100PKG
100
STD molding
10
F-M molding
80
8
Organic gas
60
6
40
4
20
2
0
0
ABCDEFGH I JK
Various compounds
树脂内部含水量不同状况下针孔发生数量的比较
200
Number of voids/100PKG
➢采用托盘式弹簧装置 ➢汽缸式 ➢马达駆動方式方式(自动测量模板厚度)
可根据目的、Байду номын сангаас途自由选择
Main cavity
Holder base
Worm gear
Spur gear Servo motor
Transfer Underfill Mold(TUF)
❖传统滴浇方式存在的问题
➢注胶时间过长
➢树脂在常温下的有效时间极短
Matrix Cavity
Map Unit Cavity
TOWA主导设备示意图
Flip Chip Bonding System “FC-BⅢ” Solid BGA Sawing System “SB-S”
Auto Molding System “Y-PS”
➢ PKG表面亚光加工处理 ➢ 小口径料饼多冲杆模塑封系统的开发 ➢ 只需更换模具及工装即可实现多品种生产的创新设计 ➢ 塑封系统的模组化设计 ➢ 真空塑封技术的开发(F-M: Fine Molding)
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