光致抗蚀剂
精细化工重点名词解释 【精品】
压敏胶黏剂:压力敏感型胶粘剂，又俗称不干胶。
采用指能压力，它就能使胶粘剂立即达到粘接任何被粘物光洁表面的目的。
非离子表面活性剂：其在水中不电离，其亲水基主要是由具有一定数量的含氧基团（一般是醚基和羟基）构成，稳定性高，不易受强电解质无机盐类存在的影响，与其它类型表面活性剂相容性好，溶解性好。
光致抗蚀剂:又称光刻胶，是利用光化学反应使材料的溶解度发生变化的一种耐蚀刻薄膜材料。
其由聚合物和光敏剂等组成，主要用于印刷业和电子工业中集成电路及半导体器件的细微加工。
精细化学品:能增进或赋予产品特定功能、或本身拥有特定功能的小批量、高纯度化学品。
增溶剂:表面活性剂在水中形成胶束后，不溶或微溶于水的有机化合物进入胶束中，从而使其在溶剂中的“溶解度”显著增大，且溶液呈透明状，这种表面活性剂称作增溶剂。
HLB值:亦称亲水亲油平衡值，是用来表示表面活性剂亲水性或亲脂性的程度。
单离香料。
利用物理或化学方法从天然香料中分离提取出的某一芳香成分，其是单个结构的化合物。
精细化工工艺学：是指从初级原料、次级原料到精细化工产品的加工方法和过程。
其方法和程可以采用化学反应，也可采用复配技术。
但这些方法和过程应该是技术上成熟的、工艺上先进的、经济上合理的、环保上允许的、安全上可靠的。
增塑剂：凡添加到聚合物体系中能使聚合物玻璃化温度降低，塑性增加，使之易于加工的物质均可称为增塑剂。
它们通常是高沸点、较难挥发的液体或低熔点的固体，一般不与聚合物发生化学反应。
增溶：表面活性剂在水溶液中形成胶束后，具有能使不溶或微溶于水的有机化合物的溶解度显著增大的能力，且溶液呈透明状，这种作用称为增溶作用。
日允许摄入量：指每人每日允许摄入量，以每公斤体重摄入的毫克数表示，mg/kg。
502 胶：快干胶的一种，主要成分为α-氰基丙烯酸酯，单组分、无溶剂、使用方便，粘度低，粘接速度快，适用于粘接金属、玻璃、陶瓷等。
三醛胶：指脲醛树脂胶黏剂、酚醛树脂胶黏剂和三聚氰胺甲醛树脂胶黏剂。
光刻胶光致抗蚀剂含感光树脂、增感剂和溶剂
光刻胶光致抗蚀剂含感光树脂、增感剂和溶剂光刻胶是光刻成像的承载介质，其作用是利用光化学反应的原理将光刻系统中经过衍射、滤波后的光信息转化为化学能量，进而完成掩模图形的复制。
目前，集成电路生产中使用的光刻胶一般由聚合物骨架、光致酸产生剂或光敏化合物、溶剂，以及显影保护基团、刻蚀保护基团等其他辅助成分组成。
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。
印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸酯就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。
光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。
硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。
中文名：光刻胶外文名：photoresist别名：光致抗蚀剂成分：感光树脂、增感剂和溶剂分类：负性胶和正性胶硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：光刻胶原理，小孔成像；技术源头，古老的相机；（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
分类：光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
图1 正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比1-丙烯酸金刚烷酯121601-93-21-金刚烷基甲基丙烯酸酯16887-36-8丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯7398-56-34-乙酰氧基苯乙烯2628-16-21,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯216581-76-92-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯249562-06-92-乙基-2-金刚烷基丙烯酸酯303186-14-31,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯81665-82-92-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯254900-07-7甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯[34759-34-72-异丙基-2-金刚烷丙烯酸甲酯297156-50-42-异丙基-2-金刚烷醇丙烯酸酯251564-67-7gamma-丁内酯-3-基异丁烯酸酯130224-95-2N-异丙基甲基丙烯酰胺13749-61-6(9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯583036-99-1(5-氧代四氢呋喃-2-基)甲基丙烯酸甲酯156938-09-91-乙基环戊基甲基丙烯酸酯266308-58-11-异丙基-1-环己醇甲基丙烯酸酯811440-77-42-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯31480-93-0n-butyl2-(bromomethyl)prop-2-enoate170216-64-52-(溴甲基)丙烯酸甲酯4224-69-5甲基丙烯酸-9-蒽甲酯31645-35-92-oxo-2-((2-oxohexahydro-2H-3,5-methanocyclopenta[b]furan-6-yl)oxy)ethylmethacrylate[347886-81-12-乙烯基萘827-54-32-环己基丙烷-2-基甲基丙烯酸酯186585-56-82-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯195000-66-9丙烯酸甲基环戊酯178889-49-1丙烯酸1-乙基环戊酯326925-69-32-氧代四氢呋喃-3-基丙烯酸酯328249-37-24-叔丁氧基苯乙烯95418-58-94-(4-(丙烯酰氧基)丁氧基)苯甲酸69260-42-0甲基丙烯酸-2,2,3,3,4,4,4-七氟代-丁酯13695-31-33-(4-vinylphenyloxy)-1-propene16215-47-7acetic acid,4-ethenylbenzene-1,2-diol57142-64-01-(1-乙氧基乙氧基)-4-乙烯基苯157057-20-01-甲基环己基甲基丙烯酸酯76392-14-82-氧代-2-(2,2,3,3,3-五氟丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯1176273-16-72,5-二甲基己烷-2,5-二基双(2-甲基丙烯酸酯)131787-39-81-甲基环戊基甲基丙烯酸酯178889-45-71-乙基环己基甲基丙烯酸酯274248-09-84-异丙基苯酚4286-23-1(2-oxo-1,3-dioxolan-4-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate13818-44-5乙酸-2-乙烯基苯基酯63600-35-12-(金刚烷-1-基)丁-2-基甲基丙烯酸酯325991-26-21-ethoxyethyl 2-methylprop-2-enoate51920-52-6甲基丙烯酸四氢呋喃-2-基酯15895-80-4oxan-2-yl 2-methylprop-2-enoate52858-59-06-methacryloyl-6-azabicyclo[3.2.0]heptan-7-one1267624-16-73-叔丁氧基苯乙烯105612-79-12-丙烯酸3-(二乙氧基甲基甲硅烷基)丙基酯13732-00-82,3-二羟基丙烯酸丙酯10095-20-22-[(4-乙烯基苯氧基)甲基]环氧乙烷2653-39-63,5-二乙酰氧基苯乙烯155222-48-32-(2,2-二氟乙烯基)双环[2.2.1]庚烷123455-94-7二苯基碘酰氯1483-72-3双［4-(1,1-二甲基乙基)苯基］碘鎓与三氟甲磺酸的盐84563-54-2全氟丁基磺酸三苯基锍盐144317-44-2双(4-叔丁基苯基)氯化碘鎓5421-53-4TBPDPS-PFBS258872-05-81二(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟代丁烷磺酸盐194999-85-4(4-苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸111281-12-0N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸85342-62-7六氟二酐（6FDA)1107-00-29,9-双(3-氟-4-氨基苯基)芴 (FFDA)127926-65-29,9-双(4-氨基苯基)芴（FDA)15499-84-04,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苯 (M-T olidine)84-67-32,2-双(3-氨基-4-羟基苯基) 六氟丙烷83558-87-61,3-双(3-氨基苯氧基)苯 (APB)10526-07-54,4'-双(4-氨苯氧基)联苯(BAPB)13080-85-81,3-双(4-氨苯氧基)苯2479-46-14,4-二氨基联苯-2,2-二羧酸17557-76-52,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚344-48-9ODA 4,4'-二氨基二苯醚101-80-4BAPP 2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷13080-86-9TPE-Q 1,4-双(4-氨基苯氧基)苯3491/12/1BPADA 双酚A型二醚二酐38103-06-9BTDA 3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐2421-28-5BPDA 3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐2420-87-3CBDA 环丁烷四甲酸二酐4415-87-6DABA 3,5-二氨基苯甲酸535-87-5TFMB 2,2'-双(三氟甲基)二氨基联苯341-58-2A-BPDA 2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐36978-41-3BOAFL 9,9-二[(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴47758-37-2TCA 四氢-1H-5,9-甲烷吡喃并[3,4-d]噁英-1,3,6,8(4H)-四酮6053-46-9ODPA 4,4'-氧双邻苯二甲酸酐1823-59-2A-ODPA 3,4'-氧双邻苯二甲酸酐50662-95-8HFBAPP 2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷69563-88-84-溴-N-苯基咔唑1097884-37-13,6-二溴-9-(2-乙基己基)-9h-咔唑173063-52-0N-(2-萘基)-3-溴咔唑934545-80-91-溴-N-苯基咔唑1333002-37-13,6-二叔丁基咔唑37500-95-13,6-二溴咔唑6825-20-31-溴咔唑16807-11-72-溴咔唑3652-90-22-氯咔唑10537-08-32-羟基咔唑86-79-33-溴咔唑1592-95-63,6-二苯基-9H-咔唑56525-79-24-溴-9H-咔唑3652-89-93-苯基-9H-咔唑103012-26-611,12-二氢-12,12-二甲基茚并[1,2-a]咔唑1329054-41-29-(4-溴苯基)咔唑57102-42-810-溴-7H-苯并[c]咔唑1698-16-49-(3-溴苯基)-9H-咔唑185112-61-29-(2-溴苯基)-9H-咔唑902518-11-03-溴-N-苯基咔唑1153-85-13,6-二溴-9-苯基咔唑57103-20-5 3-碘-9-苯基咔唑502161-03-79-(1-萘基)-3-溴咔唑934545-83-2 wyf 01.22。
光刻胶知识简介
光刻胶知识简介光刻胶知识简介:一.光刻胶的定义(photoresist)又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。
经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。
二.光刻胶的分类光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。
②光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶.③光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
三.光刻胶的化学性质a、传统光刻胶：正胶和负胶。
光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。
负性光刻胶。
树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。
从而变得不溶于显影液。
负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。
photoresist
英文是Photo Resist，又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。
经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图）。
光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。
光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。
②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
光刻胶感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。
为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。
由此产生电子束、X 射线和深紫外(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1μm以下。
光刻胶的主要技术参数a、分辨率（resolution）。
区别硅片表面相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
b、对比度（Contrast）。
指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
液体光刻胶标准
液体光刻胶，又称为光致抗蚀剂，是微电子产业中用量最大的光致抗蚀材料，其在紫外光照射后，会发生化学变化，从而在软化、硬化后对特定波长产生阻抗作用。
液体光刻胶是集成电路制造中所需的关键材料之一，其性能和质量直接影响到电子产品的性能和质量。
对于液体光刻胶的标准，首先需要考虑到其性能、稳定性、耐久性等多个方面。
具体来说，标准应该包括以下几个方面：
1. 性能指标：液体光刻胶应具有合适的折射率、光致老化稳定性、化学结构稳定性、耐热性、耐湿性、耐化学药品性等特性，以满足不同应用场景的需求。
2. 质量标准：液体光刻胶应符合相关质量标准，如ISO质量管理体系标准，以确保其生产、储存、运输和使用过程中的质量稳定。
3. 环保标准：液体光刻胶生产和使用过程中应符合环保标准，如无毒无害原材料的使用、废气废水的处理等，以保障生产环境的安全和健康。
4. 安全性：液体光刻胶应具有足够的安全性，在使用过程中应避免对人体和环境造成伤害，如避免误食、避免接触皮肤等。
5. 稳定性测试：液体光刻胶应经过充分的稳定性测试，以确保其在储存和使用过程中的性能稳定，不发生变质、分解等不良现象。
为了实现这些标准，液体光刻胶的生产厂家需要建立完善的质量控制体系，确保原材料的质量和纯度，加强生产过程中的质量控制和检测，确保产品的质量和性能符合标准要求。
同时，厂家还需要加强环保意识的宣传和教育，推广环保生产技术和设备，减少环境污染。
总之，液体光刻胶的标准是保证其性能、稳定性和安全性的重要依据。
只有符合这些标准的液体光刻胶才能满足微电子产业的需求，为电子产品的性能和质量提供有力保障。
光刻胶大全
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）1前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。
正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额（%）2000年收益2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.122.6216.525.2Shipley 139.221.0174.620.3JSR117.617.7138.416.1Shin-Etsu Chemical 70.110.674.28.6Arch Chemicals 63.79.684.19.8其他122.218.5171.620.0总计662.9100.0859.4100.0Source:Gartner Dataquest目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm～0.18µm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
光致抗蚀剂
光致抗蚀剂一. 光致抗蚀剂分类及其机理光致抗蚀剂（简称光刻胶或抗蚀剂）是一种用于光加工工艺中对加工材料表面起临时选择则性保护的涂料，是现代加工工业的重要功能材料之一[1]。
光致抗蚀剂分为两大类：①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解，留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。
正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。
它主要包括：聚乙烯醇肉桂酸酯、聚乙烯氧肉桂酸乙酯、环氧树脂、环化橡胶等等。
②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。
负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。
它主要包括：线性酚醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯等等。
二．光致抗蚀剂的起源光致抗蚀剂的历史可追溯至照相的起源，1826年人类第一张照片诞生就是采用了光致抗蚀剂材料--感光沥青。
在19世纪中期,又发现将重铭酸盐与明胶混合，经曝光、显影后能得到非常好的图形，并使当时的印刷业得到飞速的发展。
二次大战以后，East—man--Kodak公司的Minsk等人研究成功的聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR)为代表的新型感光高分子用于照相制版，从而开创了微电于工业用的光刻胶历史。
1944年德国Kalle公司发表了重氮萘醌的光重排反应，在此基础上，1949年开发了重氮萘醌——线性酚醛树脂系感光材料，即紫外正性光刻胶，成为二十世纪八十年代超大规模集成电路用光致抗蚀剂的主流。
1958年East．man--Kodak的Mu9plot和J．J．Sagura等开发了环化橡胶一双叠氮系负性光刻胶取代了。
1954年该公司开发的聚乙烯醇肉桂酸酯负性光刻胶，现在它仍为负性光致抗蚀剂的主流。
1980年IBM首先发现使用光致产酸剂可使聚合物分子上的特丁氧基脱落，脱悬挂基团反应使憎水聚合物变成亲水性聚合物，这种极性的变化使这种光刻胶可以成正型和负型的两型图像，且光致产酸的量并不随反应的进行而减少，对反应具有加速的作用，故称之为化学增幅型光刻胶[2]。
半导体光致刻蚀剂
半导体光致刻蚀剂
半导体光致刻蚀剂是一种利用光照射来刻蚀半导体的材料。
它通常由光刻胶树脂、增感剂、单体、溶剂和其它助剂组成。
当光照射到光刻胶上时，其溶解度会发生变化，从而将掩膜版图形转移至衬底上。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。
它主要由光刻胶树脂、增感剂（光引发剂+光增感剂+光致产酸剂）、单体、溶剂和其它助剂组成。
不同用途的光刻胶在曝光光源、制造工艺、成膜特性等性能要求不同的情况下，对材料的溶解性、耐刻蚀性和感光性能要求也各不相同。
半导体光致刻蚀剂在半导体制造中起着非常重要的作用，它能够将掩膜版图形转移至衬底上，从而实现半导体的制造。
随着科技的不断进步，对半导体光致刻蚀剂的要求也越来越高，需要不断地进行研发和创新。
A-9000液态光致抗蚀剂(湿膜)操作工艺参数及注意事项
深圳市容大电子材料有限公司S H E N Z H E N R O N G D A E L E C T R O N I C M A T E R I A L C O.,L T D.A-9000液态光致抗蚀剂（湿膜）操作工艺参数及注意事项一、产品介绍A-9000主要由高感光性材料、感光剂、色料、溶剂等组成的一种抗蚀刻抗电镀型油墨，多用于单、双面和多层板外层线路制作，亦可用于内层板线路制作，作业完成后用NaOH去墨，方便不危险。
本产品具有操作范围广及以下优点：A、其为液态，可填充板件表面轻微的凹坑、划痕等缺陷；B、其涂覆层可比干膜薄（可薄至8-10µm），故图形的分辨率比干膜高，可达50µm；C、由于采用曝光显影方式，不会产生传统网印油墨的阴影、渗透等不良现象且不用制作图形网版；D、由于是光聚合反应，所以比传统的油墨的结合性、抗蚀性优良；E、感光后表面硬度可达2H，不易擦伤；F、此油墨通过相关测试是一种环保型产品。
二、操作参数1、开油使用前请搅拌3-5min，必要时亦可加入S-3#或783等相匹配的稀释剂调整粘度，比例控制在3%以下，若使用783等其它稀释剂，使用前需做匹配实验。
2、基板前处理机械研磨或化学处理，让基板干净干燥。
3、涂覆3.1网沙：采用版77-100T白网印刷；3.2 刮刀：采用75-90°刮刀。
4、预烘4.1涂覆静置10-20min后再预烘；±5℃；4.3 时间：第一面：8-12min；第二面：15-20min；两面同烘：20-30min；备注：以上参数为立式烤箱，若为隧道式烤箱需根据机器性能调节温度和时间。
5、曝光5.1 选用功率5KW或7KW水冷式曝光机为佳；2，21级光楔尺控制在7-9级残膜；5.3 曝光机抽真空度要求95%以上；5.4 台面温度控制在18℃左右。
6、显影6.1 显影液浓度：Na2CO30.8-1.2%；6.2 显影液温度：28-32℃；6.3 喷淋压力：/cm2以上；6.4 显影时间：40-60S。
光刻胶中 硫元素
光刻胶中硫元素
光刻胶，又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。
光刻胶通常由感光树脂、增感剂和溶剂组成，其中感光树脂是光刻胶的主要成分，它对光敏感，在光照下会发生化学反应，从而改变其溶解性或物化性质。
硫元素在光刻胶中的应用并不是非常广泛，但在某些特定的光刻胶配方中，可能会添加少量的含硫化合物来调整光刻胶的性能。
例如，一些研究表明，添加含硫化合物可以提高光刻胶的光敏性和抗蚀刻性能，从而提高光刻胶的分辨率和蚀刻精度。
此外，含硫化合物还可以用于调节光刻胶的粘度和流动性，从而改善光刻胶的涂布性能和光刻质量。
需要注意的是，硫元素在光刻胶中的含量通常非常低，一般在几个百分点以下，而且具体的添加量和种类会根据不同的光刻胶配方和应用需求而有所不同。
此外，硫元素在光刻胶中的应用也需要考虑到其对光刻胶其他性能的影响，如光敏性、抗蚀刻性、热稳定性等，以确保光刻胶的综合性能和可靠性。
总的来说，硫元素在光刻胶中的应用相对较少，但在某些特定的情况下，添加适量的含硫化合物可以提高光刻胶的性能和质量。
我国光刻胶技术现状与问题
23、紫外正型光刻胶
紫外正型光刻胶（根据曝光波长的不同分为ｇ线正胶和ｉ线正胶，其中：ｇ线曝 光波长为436nm，ｉ线曝光波长为365nm）中以邻重氮萘醌系正胶为主，它与 负胶相比，具有分辨率高、抗干法蚀刻性强、耐热性好和去胶方便等优点；
其缺点是感光速度慢、粘附性及机械强度较差。 紫外正型光刻胶被广泛应用于分立器件、大规模及超大规模集成电路等的制作
它与紫外光刻胶技术相比有以下主要优点： ①基片上无衍射效应； ②能被聚焦在非常小的点上(0.1)或更小； ③在静电场或磁场作用下移动，很容易在计算机的控制下进行扫描，这一点是现
代技术必需的； ④电子束光刻胶无需使用掩膜版，可在计算机控制下进行“直写”。
33、分子光刻胶的概念
34、我国光刻胶研发历程
感谢观看
按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正型光刻胶、紫外负型 光刻胶)、深紫外光刻胶(包括248nm光刻胶和193nm光刻胶)、极紫外光刻胶 (157nm)、电子束胶、Ｘ—射线胶、离子束胶等。
在紫外正型光刻胶中又根据曝光波长的不同分为ｇ线正胶和ｉ线正胶。
215、国内光刻胶产业化存在的问题
成膜树脂的合成及纯化技术 成膜树脂是光刻胶的主体成分，其生产技术是光刻胶实现产业化的核心技术。目
前国所生产的各种光刻胶的成膜树脂主要来源是进口。现有的合成技术合成的树 脂只能满足低档光刻胶的配制，高档树脂及单体的合成及纯化技术是国内光刻胶 发展的瓶颈之一。
36、国内光刻胶产业化存在的问题2
7、国际上光刻技术与光刻胶发展技术路线图
8、国际上光刻技术与光刻胶发展技术路线图2
9、国际上光刻技术与光刻胶发展技术路线图3
10、ArF浸入式光刻
11、浸入式光刻的原理和效果
光致抗蚀剂剥离液及剥离方法
光致抗蚀剂剥离液及剥离方法
随着工业化的发展，金属材料的使用越来越广泛，但是金属材料在使用过程中容易受到腐蚀的影响，导致使用寿命缩短。
为了解决这个问题，科学家们研发出了一种新型的光致抗蚀剂剥离液及剥离方法。
光致抗蚀剂是一种新型的防腐蚀材料，它可以在金属表面形成一层保护膜，防止金属受到腐蚀的影响。
但是，当需要更换或修理金属材料时，这层保护膜就成为了一个障碍。
传统的剥离方法需要使用化学剂或机械力量，这样会对金属材料造成一定的损伤，同时也会对环境造成污染。
为了解决这个问题，科学家们研发出了一种新型的光致抗蚀剂剥离液及剥离方法。
这种剥离液是一种特殊的液体，它可以通过光照射来激活，从而使保护膜分解，从而达到剥离的效果。
这种剥离方法不需要使用化学剂或机械力量，对金属材料的损伤非常小，同时也不会对环境造成污染。
这种光致抗蚀剂剥离液及剥离方法的研发，为金属材料的使用和维护提供了新的思路和方法。
它不仅可以提高金属材料的使用寿命，还可以减少对环境的污染，具有非常重要的意义。
光致抗蚀剂剥离液及剥离方法是一种非常有前途的新型技术，它可以为金属材料的使用和维护提供更加便捷和环保的方法。
相信在不
久的将来，这种技术将会得到更加广泛的应用和推广。
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2．聚乙烯醇肉桂酸酯光敏抗蚀剂 两个分子的交联聚合，称为“光二聚作用交联”。 它的光交联固化原理如下：
O C O ( CH CH2 ) n CH CH
在光的作用下，肉桂酸基的双键被打开，然后相邻的两个 分子的肉桂酸基被打开的双键互相交联：
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用抗蚀剂借助于“光化学法”或“丝网漏印法”把电路图 形转移到覆铜箔板上，再用蚀刻的方法去掉没有抗蚀剂保 护的铜箔，剩下的就是所需的电路图形，这种电路图形与 所需要的电路图形完全一致，称为正像。这种图形转移称 为“正像图形转移”。
用“丝网漏印法”把抗蚀剂印在覆铜箔板上，没有抗蚀剂 保护的铜箔部分是所需的电路图形，抗蚀剂所形成的图形 便是“负像”。这种工艺称为“负像图形转移”。
O N2 R R O N N R O N N hv O
R
N2
C R
O H2O R
H COOH
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（2）对—重氮醌类 在干燥的情况下，对—重氮醌的光分解是以自由基的形式 参加反应的，生成化学活性很强的碳烯，然后继续键合生 成聚苯醚：
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此外，还有另外两种交联方式。即在增感剂的作用下， 肉桂酸基的双键打开形成自由基，然后以如下的形式交 联
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5.1.3光分解型光敏抗蚀剂
光分解型抗蚀剂是由含有受光照后容易发生分解的基团如 重氮基、重氯醌基和叠氮基等基团的树脂构成。 1．重氮盐光敏抗蚀剂 重氮盐类光敏抗蚀剂是由重氮化合物和高分子化合物组成， 或者是分子上引入了重氮基的高分子化合物构成。
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（2）光化学固化机理
一般认为它们的光化学反应大致可分为两步：
1. 在光的作用下，六价铬离子与胶体发生氧化还原反应， 被还原为三价铬离子，胶体氧化。 2. 三价铬离子具有很强的络合作用，它与胶体中具有独 对电子的羧基（COOH）、亚胺基（ＮＨ）中的氧和氮 原子形成配位键，使胶体分子之间互相交联变成不溶性的 网状结构而固化。
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（３）重铬酸盐光敏抗蚀剂的暗反应 已配好的重铬酸盐光敏抗蚀胶，置于暗处存放一段时间后， 它的粘度逐渐增大，颜色也变得较深，制好的感光版固化 后，显影溶解也比较困难，这种现象称为暗反应。 另一致命的弱点是制版废水中的六价铬离子对环境的严重 污染问题，所以这种光敏抗蚀剂已逐渐被淘汰。但由于它 具有较高的分辨力（600行／毫米）和衍射能力，在激光 全息摄影技术中，又可发挥它的长处。因而又受到了重视。
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从加工工艺的角度来分，它们可以分为正性胶和负性胶两 类； 以光化学反应机理来分，它们又可分为光交联型、光分解 型和光聚合型三大类； 从外部形态，它们还可以分为液体光致抗蚀剂和干膜抗蚀 剂两种。 液体光致抗蚀剂能制作出分辨率很高的电路图形。而干膜 抗蚀剂却具有操作工艺简便，能适用于电镀厚层的要求。
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重氮基的光分解反应随反应条件而变，在水溶液中光解 生成正碳离子，它立即和水反应得到酚：
芳香族重氮盐的光分解反应是以自由基的形式进行的：
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低分子重氮盐的稳定性差，在实际应用中是将重氮盐（如 重氮二苯胺）与甲醛或聚甲醛进行缩聚，制成重氮树脂。 它在光照作用下，发生分解反应，改变了它的亲水性：
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图形转移 1.重铬酸盐光敏抗蚀剂
（1）组成
一部分是光敏剂。为可溶性重铬酸盐类的一种，如它的钠、 钾和铵盐。其中尤以铵盐的感光度和水溶性最好。 另一部分是高分子化合物。有水溶性动、植物胶和合成胶 三种，其中动、植物胶易受潮、发霉变质。而聚乙烯醇则 没有这些缺点，现在工业上大多使用它作为重铬酸光敏抗 蚀剂的胶体。
由于这种树脂是低分子的聚合物，其分子量小，制成的膜 强度差，所以它主要用于制备PS版。
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2．重氮醌光敏抗蚀剂
（1）邻—重氮醌类 邻—重氮醌化合物在光解时，先生成芳基正碳离子，放出 氮气，同时发生重排，形成茚酮，在有微量水存在的情 况下，茚酮发生水解，最后得到含五元环的茚酸：
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5.1光致抗蚀剂的分类与作用机理
5.1.1 概述
感光性树脂在吸收光量子后，引发化学反应，使高分子内 部或高分子之间的化学结构发生变化，从而导致感光性高 分子的物性发生变化。 光致抗蚀剂（光刻胶） 光固化染料（光固化抗蚀油墨） 光固化阻焊油墨 光固化耐电镀油墨 干膜抗蚀剂（抗蚀干膜） 光固化表面涂敷保护剂
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第5章
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现代印制电路原理和工艺
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1
2 3
5.1光致抗蚀剂的分类与作用机理
5.2丝网制版用液体光敏抗蚀剂
5.3丝印印料光敏抗蚀剂
4
5．4干膜抗蚀剂
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图形转移 印制电路制作过程中，很重要的一道工序就是用 具有一定抗蚀性能的感光树脂涂覆到覆铜板上， 然后用光化学反应或“印刷”的方法，把电路底 图或照像底版上的电路图形“转印”在覆铜箔板 上，这个工艺过程就是“印制电路的图形转移工 艺”简称“图形转移”。 图形转移后所得到的电路图形分为“正像”和 “负像”。
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图形转移 5.1.2光交联型光敏树脂
光交联型光敏抗蚀剂在光化学反应中，两个或两个以上的 感光性高分子能够互相连接起来。
它们的组成有两种形式：
1. 感光性化合物和高分子化合物的混合物； 2. 带有感光性基团的高分子。