2018年度-华南理工大学模拟电子技术随堂练习进步标准答案
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2018-华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案
第1章常用半导体器件
当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。
1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。
A.带负电
B.带正电
C.不带电
参考答案:C
2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。
A.变窄
B.变宽
C.不变
参考答案:B
3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大
B.不变
C.减小
参考答案:C
4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是()。
参考答案:C
5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V,最小值为0V
B.最大值为40V,最小值为+10V
C.最大值为10V,最小值为-40V
D.最大值为10V,最小值为0V
参考答案:D
6.
稳压管的动态电阻rZ是指()。
A.稳定电压与相应电流IZ之比
B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值
C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值
参考答案:B
7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极
B.PNP管的发射极
C.NPN管的发射极
D.NPN管的基极
8.参考答案:B
8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.NPN型硅管
D.PNP型硅管
参考答案:A
第2章基本放大电路
当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。
1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流
( )。
A.反向
B.近似等于零
C.不变
D.增大
参考答案:B
2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。
A.发射结反偏,集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏、集电结反偏
参考答案:C
3.晶体管的电流放大系数是指()。
A.工作在饱和区时的电流放大系数
B.工作在放大区时的电流放大系数
C.工作在截止区时的电流放大系数
参考答案:B
4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。
A. B.
C.
参考答案:B
5.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()。
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
参考答案:B
6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
参考答案:B
7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约
为()。
A.0V
B.+2V
C.-2V
D.-1V
参考答案:C
8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。
A.1mA./V
B.0.5mA./V
C.-1mA./V
D.-0.5mA./V
参考答案:A
9.如图示放大电路中接线有错误的元件是()。
A.RL
B.RB
C.C1
D.C2
参考答案:B
10.放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。
A.适当增加RB2,减小RB1
B.保持RB1不变,适当增加RB2
C.适当增加RB1,减小RB2
D.保持RB2不变,适当减小RB1
参考答案:C
第2章基本放大电路
当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。
11.图示电路,已知晶体管,,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到
1.5mA.,RB应取()。
A.480kW
B.120kW
C.240kW
D.360kW
参考答案:A
12.电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于()。
A.6V
B.0V
C.0.6V
D.5.3V
参考答案:A
13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q'需使()。
A.偏置电阻RB增大
B.集电极电阻RC减小
C.偏置电阻RB减小
参考答案:C
14.单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的()。
参考答案:A
15.对放大电路进行动态分析的主要任务是()。
A.确定静态工作点Q
B.确定集电结和发射结的偏置电压
C.确定电压放大倍数和输入,输出电阻ri,r0。
参考答案:C
16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示,其输入和输出电压波形如图2所示,造成这种失真的原因是()。
A.管子的值太小
B.电路电源电压太高
C.偏置电阻太小
D.偏置电阻太大