【CN109888030A】晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910160490.4
(22)申请日 2019.03.04
(71)申请人 常州时创能源科技有限公司
地址 213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇
吴潭渡路8号
(72)发明人 杨立功 袁丽娟 王伟亮
(51)Int.Cl.
H01L 31/0236(2006.01)
H01L 31/18(2006.01)
(54)发明名称
晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方
法
(57)摘要
本发明公开了一种晶体硅表面类倒金字塔
绒面结构的制备方法，先通过预处理在硅片表面
形成一层氧化铝颗粒层，再对预处理后的硅片进
行碱制绒，得到类倒金字塔绒面结构；所述氧化
铝颗粒层主要由分散的氧化铝颗粒组成。本发明
晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，既
适用于单晶硅片，又适用于多晶硅片，能在硅片
表面形成均匀、细小、密集的类倒金字塔绒面结
构，且不需要银、铜等贵金属离子的催化，可降低
制绒成本，减少环境污染，更利于晶体硅太阳电
池的工艺稳定，
具有较好的实用价值。权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 109888030 A 2019.06.14
C N 109888030
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109888030 A
1.晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，先通过预处理在硅片表面形成一层氧化铝颗粒层，再对预处理后的硅片进行碱制绒，得到类倒金字塔绒面结构；所述氧化铝颗粒层主要由分散的氧化铝颗粒组成。
2.根据权利要求1所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，所述氧化铝颗粒的粒径为0.5～50μm。
3.根据权利要求1所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，所述氧化铝颗粒层的厚度为0.5～80μm。
4.根据权利要求1、2或3所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，所述预处理采用涂刷工艺、液流喷射工艺或气流喷射工艺；
所述涂刷工艺包括如下步骤：将含有氧化铝颗粒的悬浮液涂刷至硅片表面，再经加热烘干，在硅片表面形成氧化铝颗粒层；
所述液流喷射工艺包括如下步骤：将含有氧化铝颗粒的悬浮液喷射至硅片表面，再经加热烘干，在硅片表面形成氧化铝颗粒层；
所述气流喷射工艺包括如下步骤：将含有氧化铝颗粒的气体喷射至硅片表面，在硅片表面形成氧化铝颗粒层。
5.根据权利要求4所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，所述悬浮液由氧化铝颗粒分散于水中制得，悬浮液中氧化铝颗粒的质量浓度为0.5%～15%。
6.根据权利要求4所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于：
所述涂刷工艺中，加热烘干的温度为200～600℃，加热烘干的时间为5～30min；
所述液流喷射工艺中，喷射压力为0.05～2Mpa，喷射时间为1～120s，加热烘干的温度为200～600℃，加热烘干的时间为5～30min；
所述气流喷射工艺中，喷射压力为0.05～2Mpa，喷射时间为1～120s。
7.根据权利要求1所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，所述碱制绒采用碱性制绒液对硅片进行制绒。
8.根据权利要求1所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，所述硅片为单晶硅片或多晶硅片。
9.根据权利要求1所述的晶体硅表面类倒金字塔绒面结构的制备方法，其特征在于，采用碱性制绒液对预处理后的硅片进行碱制绒，且碱性制绒液中含有制绒添加剂。
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