半导体技术2009年第4期摘要(精)

半导体激光器的研究进展

半导体激光器的研究进展摘要：本文主要述写了半导体激光器的发展历史和发展现状。

以及对单晶光纤激光器进行了重点描述，因其在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值，近年来成为新型固体激光源研究的热点。

一、引言。

激光是20 世纪以来继原子能、电子计算机、半导体之后人类的又一重大发明。

半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心，涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术，所需知识综合了几何光学、物理光学、半导体电子学、热力学等学科。

半导体激光历经五十余年发展，作为一个世界前沿的研究方向，伴随着国际科技进步突飞猛进的发展，也受益于各类关联技术、材料与工艺等的突破性进步。

半导体激光的进步在国际范围内受到了高度的关注和重视，不仅在基础科学领域不断研究深化，科学技术水平不断提升，而且在应用领域上不断拓展和创新，应用技术和装备层出不穷，应用水平同样取得较大幅度的提升，在世界各国的国民经济发展中，特别是信息、工业、医疗和国防等领域得到了重要应用。

本文对半导体激光器的发展历史和现状进行了综述，同时因单晶光纤激光器在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值，本文也将对其做重点描述。

二、大功率半导体激光器的发展历程。

1962 年，美国科学家宣布成功研制出了第一代半导体激光器———GaAs同质结构注入型半导体激光器。

由于该结构的激光器受激发射的阈值电流密度非常高，需要5 × 104～1 ×105 A /cm2，因此它只能在液氮制冷下才能以低频脉冲状态工作。

从此开始，半导体激光器的研制与开发利用成为人们关注的焦点。

1963 年，美国的Kroemer和前苏联科学院的Alferov 提出把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙半导体之间，构成异质结构，以期在窄带隙半导体中产生高效率的辐射复合。

随着异质结材料的生长工艺，如气相外延( VPE) 、液相外延( LPE) 等的发展，1967年，IMB 公司的Woodall 成功地利用LPE 在GaAs上生长了AlGaAs。

件没有消耗

件没有消耗无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。

由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。

随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

消耗电能极少仅为电子管的十分之一或几十分之一。

它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。

一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

不需预热一开机就工作。

例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。

电子管设备就做不到这一点。

开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面。

显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。

结实可靠比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。

另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。

晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。

编辑本段出现意义晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。

正因为晶体管的性能如此优越，晶体管诞生之后，便被广泛地应用于工农业生产、国防建设以及人们日常生活中。

1953年，首批电池式的晶体管收音机一投放市场，就受到人们的热烈欢迎，人们争相购买这种收音机。

接着，各厂家之间又展开了制造短波晶体管的竞赛。

此后不久，不需要交流电源的袖珍“晶体管收音机”开始在世界各地出售，又引起了一个新的消费热潮。

由于硅晶体管适合高温工作，可以抵抗大气影响，在电子工业领域是最受欢迎的产品之一。

从1967年以来，电子测量装置或者电视摄像机如果不是“晶体管化”的，那么就别想卖出去一件。

轻便收发机，甚至车载的大型发射机也都晶体管化了。

另外，晶体管还特别适合用作开关。

它也是第二代计算机的基本元件。

人们还常常用硅晶体管制造红外探测器。

就连可将太阳能转变为电能的电池——太阳能电池也都能用晶体管制造。

半导体加工工艺流程文献综述范文

半导体加工工艺流程文献综述范文半导体加工工艺流程是一个相当复杂但又极具魅力的领域。

一、晶圆制造。

1.1 原料准备。

晶圆是半导体的基础。

硅是最常用的原料，就像盖房子的砖头一样重要。

从沙子中提炼出硅，这个过程就像是从矿石里淘金，经过多道工序，把硅提纯到极高的纯度。

纯度不够的硅就像掺了沙子的面粉，做不出好面包，对于半导体来说那是绝对不行的。

1.2 晶体生长。

这一步就像是培育一颗超级种子。

通过提拉法或者区熔法等技术，让硅原子按照特定的晶格结构排列起来，形成单晶硅棒。

这晶体就像是精心雕琢的艺术品，每一个原子的排列都得恰到好处，容不得半点马虎。

二、光刻。

2.1 光刻胶涂覆。

光刻胶就像是给晶圆穿上的一层特殊外衣。

把光刻胶均匀地涂覆在晶圆表面，这要求就像给蛋糕抹奶油一样平整光滑。

如果光刻胶涂得不好，后续的图案就没法精准地印上去，整个工序就会乱了套，就像衣服没穿好，出门就会闹笑话一样。

2.2 曝光。

这是光刻的关键步骤。

通过掩模版，就像一个精准的模板一样，利用紫外线等光源对光刻胶进行曝光。

这就好比用印章在白纸上盖章，要把图案精准地印在光刻胶上。

曝光的精度那可是差之毫厘谬以千里，稍微有点偏差，整个芯片的电路就会乱成一锅粥。

2.3 显影。

显影就像是冲洗照片一样。

把曝光后的晶圆放到显影液里，没被曝光的光刻胶就会被溶解掉，留下来的光刻胶图案就是我们想要的电路图案。

这个过程得小心翼翼，要是显影过度或者不足，那前面的努力就都白费了，真是竹篮打水一场空。

三、蚀刻。

3.1 干蚀刻。

干蚀刻就像是用一把非常精细的刻刀，在晶圆表面进行雕刻。

它通过等离子体等技术，把不需要的部分去除掉，只留下光刻胶保护下的部分。

这就要求刻刀得非常锋利而且精准，不然就会刻坏了不该刻的地方，那可就成了成事不足败事有余。

3.2 湿蚀刻。

湿蚀刻是利用化学溶液来进行蚀刻的方法。

这有点像把东西泡在特殊的药水里，让不需要的部分慢慢溶解掉。

湿蚀刻也得把握好度，不然就会把该留下的也给溶解了，那就好比是捡了芝麻丢了西瓜。

半导体技术

半导体技术半导体技术是一项关乎现代科技进展的重要领域，它扮演着桥梁的角色，将电子学、微电子学、材料科学和物理学等多个学科联系在一起。

半导体器件的发展促进了信息技术的革新，给人们的生活带来了前所未有的便利。

在本文中，我们将探讨半导体技术的起源、发展以及对各个领域的影响。

半导体技术的起源可以追溯到19世纪，当时科学家开始对电的性质进行研究。

尽管人们对电流和电压的了解有限，但是众多的实验观察使人们对这个领域产生了浓厚的兴趣。

到了20世纪初，半导体的研究引起了科学家们的特别关注。

1920年代，德国科学家沃尔夫·弗朗克和格斯塔夫·赖纳发现了硅和锗是能够导电的，但导电性相比于金属来说要弱得多。

这项突破引发了对半导体材料研究的热潮。

随着半导体技术的发展，晶体管成为了该领域的核心。

1947年，《贝尔实验室学报》上由美国物理学家约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利合作发表了一篇题为“关于两点型内脏半导体放大器”的论文，他们成功地制造出第一个晶体管。

晶体管的发明，使人们首次能够通过控制电流来放大和开关信号。

这一发现引领了整个电子行业的进步，也为计算机的发展奠定了基础。

1954年，贝尔实验室的科学家威廉·肖克利发明了第一个硅太阳能电池，开创了太阳能发电新纪元。

这一发现后来在航天和能源领域起到了重要的推动作用。

此外，半导体技术还应用于光电子学领域，如激光、光纤通信等。

通过半导体材料的特殊性质，人们能够更好地控制和利用光的性质，从而推动了光通信和光存储技术的发展。

半导体技术也对电子设备的发展起到了决定性的影响。

集成电路的出现大大提升了电子设备的性能和可靠性。

通过将成千上万个晶体管等电子元件集成到一个芯片上，人们实现了更小、更快、更强大的电路。

这推动了计算机、手机、平板电脑等电子产品的革新。

此外，半导体技术还被应用于电子储存器件中，如固态硬盘和闪存，这些设备具有更高的读写速度和更大的存储容量，使人们能够更方便地存储和访问数据。

磁性半导体_绝缘体_磁性半导体构成的隧道结的物理性质

1.2 隧道磁致电阻（TMR）效应
在前面所提到的磁致电阻效应最早是在 Fe/Cr/Fe 三明治结构或者这种磁性多层膜结构中观察到的，然而, 于 1975 年, M. Julliere[7]在 Phys. Lett 上的一篇文章里首次报导了一种所谓的隧道磁致电阻效应, 在铁磁体/绝缘层/铁磁体中, 发现在两铁磁体磁化方向平行和反平行时隧道结的电阻存在着差异, 并给出了如下的磁致电阻公式：
La0.67 Sr0.33 MnO3 / SrTiO3 / La0.67 Sr0.33 MnO3 组成的隧道结中发现了高达 83%的
TMR, 而且在室温下, 也有较大的 TMR。隧道磁致电阻效应也有很好的应用前景。隧道巨磁电阻结比较容易制成电子器件, 所需的饱和外磁场较小(几十到几百高斯), 有着较高的室温磁电阻值, 这些都使得它能很快地投入到应用之中, 在 IBM 等公司中, 由隧道磁电阻效应制作的感应磁头和磁存储器件等已经投入了市场。在 FM/I/FM 隧道结中, 隧道磁致电阻效应很强烈地取决于两铁磁层的磁化方向的排列, 这与磁性多层膜中的巨磁电阻（GMR）效应在现象上有类似之处, 都是属于自旋极化电子输运过程, 但是两者的机制是不同的。巨磁电阻效应是源于铁磁/非磁界面和铁磁体内部的自旋相关散射过程, 而隧道磁阻效应来自于自旋相关的隧道过程。在 GMR 的输运过程中, 由于 s 电子的有效质量要远小于 d 电子的有效质量, 所以 s 电子在总电流中占据了主要作用，而在隧穿过程中, 由于隧穿主要在费米面附近发生, 而 d 电子在费米面附近的电子数要远大于 s 电子在费米面附近的电子数, 所以 d 电子对于隧穿电导也起到了重要的贡献。
1
第一章
绪论
TMR
G 2 PP G 1 PP

半导体材料的应用及发展探析(精)

半导体材料的特性分类及应用发展任聪（武汉大学计算机学院计算机科学与技术 2009301500133）摘要：二十一世纪，半导体材料及其应用已经成为衡量一个国家经济发展，科技进步和国防实力的重要标志，半导体产品广泛用于生活生产之中。

本文对半导体材料的特性性能，分类应用，制备方法和发展方向作出简要解析。

关键词：半导体材料硅材料半导体半导体特性制备方法低维半导体材料化合物半导体材料引言：20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；70年代光纤通讯技术迅速发展并逐步形成高新技术产业，是人类进入信息时代；超晶格概念的提出及其半导体超晶格，量子阱材料的诞生，改变了光电器件的发展，纳米技术的发展与运用使得半导体进入纳米时代。

然而半导体材料的价值仍在于它的光学，电学及其他各种特性，自硅出现在很长时间内，硅仍将是大规模集成电路的主要材料，如在军事领域中应用的抗辐射硅单体（NTD ）, 高效太阳能电池用硅单体，红外CCD 器件用硅单体的等。

随着半导体技术的发展和半导体材料的研究，微电子技术朝着高密度，高可靠性方向发展，各种各样新的半导体材料出现，而 GaAs和InP 基材料等还是化合物半导体及器件的主要支柱材料。

与此同时以硅材料为核心的当代微电子技术趋向于纳米级，到达这一尺寸后，一些列来自期间工作原理和工艺技术本身的物理限制以及制造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题，为满足人类社会不断增长的对更大信息量的需求，近年来新的半导体材料制备方法出现，新的制备方法的研究与发展极有可能触发当前国际前沿研究热点，从而引起新的技术革命。

中国半导体材料经过40多年的研究与发展，已具备了相当的基础，特别是在改革开放后，中国的半导体材料和半导体技术获得明显发展，除满足国内需求外，一些材料已经进入国际市场，然而综观中国半导体产业链的全局，上端的设计，制造业较弱，尤其凸显的瓶颈部位式设计与材料设备业，但是可以相信整个发展大路上市顺利的，中国半导体材料应该掌握自主知识产权，系统技术的开发人才，规模化产业化生产，尽快在材料设备业发展。

2009年第二期技术论文摘要

“半导体技术”2009年第2期摘要”趋势与展望P101- AlGaN/GaN HFET 的2DEG和电流崩塌研究（Ⅱ）P107- 外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响P113- 电子封装技术的最新进展技术专栏（新型半导体材料）P119- NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性P123- 氧化压对纳米ZnO薄膜光致发光特性的影响P127- 高介电常数HfO2 栅介质的制备及性能P131- Mn X Ge1-X薄膜结构磁性和输运特性的研究P135- 温度起伏对ZnO纳米晶体形貌的影响P139- Sol-Gel法制备ZnO纳米点阵结构P142- Si3N4纯化层质量分析研究P146- 300nm厚Cu膜的表面分形特征与电学性能P150-磁控溅射Cu膜的织构与残余应力P153- 在柔性衬底上制备透明导电薄膜ZnO:ZrP158- 喇曼光谱研究硅烷体积分数对Si薄膜结构的影响P161- 非金属基导热材料对HPLED散热性能影响P165- 掺杂VO2 薄膜的制备及其光电性质封装、测试与设备P168- CVD设备气流不稳定因素分析及解决方案集成电路设计与开发P172- 低功耗UHF RFID 标签基带处理器的ASIC实验P177- Au 纳米晶MIS结构存储性能研究P181- 用于MEMS微电容检测的全差分放大器P185- 超低相位噪声LC压控振荡器的设计P189- C波段CMOS射频前端电路设计与实现P193- X波段介质振荡器的设计趋势与展望P101- AlGaN/GaN HFET 的2DEG和电流崩塌研究（Ⅱ）李效白（专用集成电路国家重点实验室，石家庄050051）P107- 外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响王光伟（天津工程师范大学电子工程系，天津300222）摘要：综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。

研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素，如场强及分布等。

半导体技术

ｌｍｐｐｍｐｄＣＷ：ＹＡＧａｅｔａｕｅＮｄｌｓｒｗｉｈ
பைடு நூலகம்５０・０１３
种硅基集成ＰＲ微芯片的传热数值Ｃ
分析＝ｕｒａｓｌｉｎｏｅｔｒｎ— Ｎｍｅｉｌｉａｏｆａａｓｃｍｕｔｈｔ
Ｏｏ０３６６８２５１０・２０
种新颖的温度压强同时区分测量的光纤Ｂａｇ光栅传感器＝ｏｅｉｆｅｒｇＡｎｖｌｎｉｒ —ｂ
Ｂｒｇｒｔｇｓｎｏｒｔｍｐｒｔｒｎａｇｇａｎｅｓｒｆｅｅａｕｅａｄｉｏ
ｈｈｐｗｒｏｔｕ刊，中］房明星（ｉｏｅｕｐｔ［ｇ／北京工业大学激光工程研究院，北京１０２）００２，李强，姜梦华，左铁钏，／强激光与粒子束．０５１（１．ｌ４～一２Ｈ，７１）６４Ｄ一
ａａｖｌ［，中］黄小军（ｗｔ１ｅ刊ｔｅ／中国工程物理研究院激光聚变研究中心，绵阳６１０）翰生，魏晓峰，王晓东，曾２９０，彭小明，周凯南，郭仪，刘兰琴，王逍，
维普资讯
２Ｏｂ．，Ｎ．Ｏ６Ｖ１２ｏ６１国家自然科学基金资助（０３１０１３４）１
００Ｏ３６６８１５０・２１０
工程与技术科学环境能力强等突出优势．在介绍调制吸收光谱基本原理的基础上详细介绍了仪器的性能特点和组成结构．实验显示该仪器具有小于 ±１％的线性误差和长时间稳定性．现场应用证实了该仪器优越的工业环境适府性和高可靠性．图６表

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(5)

在精确的区域组装，具有可控的定向。另一个改并善新兴的器件、连和封装技术的关键材料因素是：互对内置界面特性进行特征分析和控制。随着特征接近纳米量级，基础的热动力学稳定性方面的考虑和涨落，可能会限制具有严格的尺寸分布和可控的有用材料特性的纳米材料的制造能力。
改善的计量和建模工具，以指导这些新兴的纳米材料的强健综合方法的演进。很多新兴材料的成功依
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赖于能够生成有用的纳米结构的强健的综合方法，并具有可控的成分、态、组集成的专用特性，形一和与制造技术的兼容性。
困难和挑战
计量、建模和环境、安全和保健的需求，以支持这些
材料及其可能的应用。尽管这些新兴材料有潜力作
为未来技术需求的可能的解决方案，但是仍然需要取得更大的进展，才有可能用于未来的技术。
除了重新构建 “ 兴材料研究 ” 章以专注于新一应用之外，还增加了几种新的应用和材料。用于新兴器件研究的材料包括：替代性沟道材料（ “ 包括对
择性刻蚀、洁及淀积工艺的定向自装配材料。清互连
材料包括对可能的超薄铜阻挡层和低Ｋ层问介质
材料的考察，以扩展铜互连，以及单壁和多壁碳纳米管，于通孑和互连放置的单晶纳米线。用Ｌ装配和封装

试分析氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理

试分析氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理摘要:本文对p型掺杂ZnO晶体的电子布局、差分电荷、电子结构、电子态密度进行了分析,对ZnO材料p型掺杂精细结构进行了计算。

所有计算都是以密度泛函理论框架下的第一原理为基础。

通过计算得出:在能隙中掺杂V族元素的氧化锌材料引入了深受主能级,载流子局域在甲带顶附近。

而通过加入激活施主的共掺杂技术得出,由于受主能级向低能方向移动,从而形成了浅受主能级。

关键词:氧化锌第一性原理电子结构半导体技术p型共掺杂技术ZnO(氧化锌)是一种新型的化合物半导体材料Ⅱ-Ⅵ宽禁带(Eg=3.37eV)。

在常温常压下其是一种非常典型的直接宽禁半导体材料,稳定相是六方纤锌矿结构,其禁带宽度所对应紫外光波长,有希望能够开发出蓝绿光、蓝光、紫外光等等多种发光器件。

1 理论模型与计算方法(1)理论模型。

六方纤锌矿结构是理想的氧化锌,对称性C6v-4,属于P63mc空间群,晶格常数c= 0.521 nm,γ=120°,a=b=0.325 nm,α=β=90°。

其中c/a较理想的六角柱紧堆积结构的1.633稍小为1.602。

其它方向的氧ZnO 键长为0.197 nm,只有c轴方向为0.199 nm,其晶胞由锌的六角密堆积与氧的六角密堆积反向套够而成。

本文所有的及孙模型都是以超晶胞为基础的模型。

从图1中我们可以看出,在氧化锌中的配位体是一个三角锥,锥顶原子和中心原子的键长与锥面三个原子的键长相比要稍大,其棱长小于底面边长。

所以,ZnO4四面体为晶体中O2-配位多面体,O与Zn2+配位情况基本相同。

此外,如图2所示,为各种掺杂ZnO 的超晶胞晶体结构模型。

(2)计算方法。

由MS3.2软件中的Castep软件包来完成本文所有的计算工作。

该软件是密度泛函方法的从头算量子力学程序为基础:将离子势用赝势利用总能量平面波赝势方法代替,通过平面波基组展看电子波函数,电子至电子相互作用的相关势和交换由(GGA)广义梯度近似或(LDA)局域密度近似进行校正,当前在材料计算机模式试验中,该软件是最重要也是最先进的理论模拟方法。

无氰镀金的应用前景与局限性

无氰镀金的应用前景与局限性发布时间：2021-05-25T10:14:49.027Z 来源：《基层建设》2021年第2期作者：陆永权[导读] 摘要：电子工业使用的镀金可以大致分为两类：软金和硬金。

软金用于电路金属化和粘接半导体芯片，而硬金则是电连接器、机电继电器和印制电路板上不可缺少的接触材料。

中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽省合肥市 230011 摘要：电子工业使用的镀金可以大致分为两类：软金和硬金。

软金用于电路金属化和粘接半导体芯片，而硬金则是电连接器、机电继电器和印制电路板上不可缺少的接触材料。

传统的镀软金和硬金的溶液中含有氰化络合物［Au(CN)2］-作为金的来源，在电镀过程中释放出游离的氰化物离子。

游离氰化物不但毒性很强，而且会侵蚀用来描绘电路图案和粘接垫的光阻剂。

由于这些原因，无氰镀金用于镀软金，而硬金只能在氰化物镀液中获得。

本文综述了软金的无氰电镀和化学镀无氰工艺的研究现状。

关键词：无氰镀金应用前景探究。

引言无氰电镀工艺在我国一直受到业界的关注。

从环保和人身安全方面考虑，无氰电镀也被列为国家重点支持的技术项目。

无氰电镀工艺的发展取得了一定的成绩，促进了电镀工艺的发展。

由于氰化物电镀具有良好的综合性能，在某些领域很难取代，而无氰电镀工艺又会带来新的环境问题。

最佳无氰电镀工艺在综合性能方面应等于或优于氰化电镀工艺。

在电子工业中，镀金被广泛应用于半导体器件的电气触点和线接头垫的表面，以利用高电导率、高可靠性和高耐腐蚀性的特点。

近年来，随着电子器件的飞速发展，“高密度封装技术”的发展已成为必然，镀金技术有望顺应这一趋势，在新的环境下保持高可靠性。

传统的氰化物镀金溶液含有氰化钾（I）、氰酸钾（CN）2，作为金的来源，已经用于电解和化学镀。

氰化物镀液具有长期的成功历史，它具有良好的稳定性，能够生产具有优良物理性能的金层。

然而，氰化物具有毒性，并且有侵蚀用于描绘电路图案的正极光阻膜的倾向。

半导体晶圆化学镍金UBM工艺与设备-刘勇

8 （总第 179 期）Dec． 2009
EPE 电子工业专用设备 Equipment for Electronic Products Manufacturing
·封装工艺与设备·
1 钝化层清洗洗 4 退锌
5 二次浸锌
2 铝层蚀刻 3 一次浸锌 6 化学镀镍
备的化学槽体采用 PVDF 材料，管道采用 Teflon 材料，泵体、阀门、管道等也采用防腐耐温部件。需要有金属构件的部件也要用 Teflon 材料包裹。
步骤 1-5 属于前处理工艺，前处理的质量和效果直接影响到化学镍 / 金 UBM 的质量和化学镍槽的使用寿命，在整个工艺中应引起足够的重视。
3.2 设备的结构布局根据化学镍 / 金 UBM 的工艺流程确定设备的
结构和布局，包括钝化层清洗槽，铝层蚀刻槽，浸锌槽，褪锌槽，化学镍槽，浸金槽。产品进出每一个化学槽都要经过一水洗槽，将晶圆上的残留药液冲洗干净，防止化学槽间的交叉污染。产品自上料区由自动机械手抓取，按照设定的工艺程序，自动进出每个化学槽体。图 3 为一半导体晶圆化学镍 / 金 UBM 自动生产线。
3.1 设备材料的选择考虑到化学镀镍的自催化特性和半导体晶圆
的生产要求，选择的材料应符合的要求：(1) 耐强酸碱腐蚀；(2) 在 100 ℃内不老化变形；(3) 材料表面光滑平整，无毛刺，粗糙的表面容易引起化学镍的沉积，同时也不利于槽体的清洗；(4) 材料本身不具有对化学镀镍产生催化的成分。根据以上要求，设
求及设备内部结构。在 200 mm 的半导体晶圆上成功制作 5 μm 化学镍 / 金 UBM 和 18 μm 化学
镍金凸点。在光学显微镜、表面轮廓仪和 SEM 下检测了化学镍 / 金镀层的表面形貌。通过 EDX

电子行业的半导体技术资料

电子行业的半导体技术资料随着科技的迅猛发展，电子行业在全球范围内取得了巨大的成功。

而在电子行业中，半导体技术起着举足轻重的作用。

本文将探讨电子行业中的半导体技术，并介绍一些相关的资料。

一、什么是半导体技术半导体技术是电子行业中的一项关键技术，它涉及到对半导体材料的研究、制造和应用。

半导体材料在电子器件中起到导电或隔离电流的作用，因此被广泛应用于电子行业中的各种设备和产品，如电脑、手机、电视等。

半导体技术的长期发展使得电子设备在体积、性能和功耗方面都得到了极大的提升。

它不仅改变了人们的生活方式，也推动了其他行业的发展。

二、半导体技术资料的重要性在半导体技术的发展过程中，准确的技术资料是不可或缺的。

这些技术资料包括对半导体材料的理论研究、制造工艺、设备使用说明等。

只有准确的技术资料，才能帮助工程师和科研人员了解半导体技术的最新进展，促使他们在研发和生产过程中作出正确的决策。

对于电子行业中的从业者和学生来说，掌握半导体技术的资料也至关重要。

它们不仅能为他们提供学习的资源，还能帮助他们更好地应用半导体技术并解决实际问题。

三、半导体技术资料的主要内容半导体技术资料涉及的内容广泛而复杂。

以下是一些常见的半导体技术资料的主要内容：1. 半导体材料特性：包括对不同半导体材料的物理特性、电学特性等的介绍和分析。

2. 半导体器件制造工艺：详细介绍半导体器件的制造过程，如光刻、薄膜沉积、离子注入等。

3. 半导体器件设计原理：解释半导体器件的工作原理和设计方法，如晶体管、二极管等。

4. 技术规范和标准：列出半导体器件的规范和标准，确保生产过程和产品的质量。

5. 半导体设备使用手册：提供半导体设备的操作手册和维护指南，帮助工程师正确操作和维修设备。

四、获取半导体技术资料的途径现在，获取半导体技术资料已经变得相对容易。

以下是一些常见的获取途径：1. 学术期刊和会议论文：通过阅读学术期刊和会议论文，可以了解到最新的半导体技术研究成果。

微波功率器件及其电路

微波功率器件及其电路
党冀萍
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】1994()4
【摘要】简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。

【总页数】5页(P17-20)
【关键词】微波功率器件;电路
【作者】党冀萍
【作者单位】石家庄电子工业部第13研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN385
【相关文献】
1.2012年IEEE国际功率半导体器件（电力电子器件）及功率集成电路会议综述[J], 胡冬青
2.一种宽带雷达发射机大功率微波器件驻波保护电路 [J], 蒋千
3.微波功率器件的滤波器测试电路 [J], 罗卫军;陈晓娟;刘果果;刘新宇;王晓燕;方测宝;郭伦春;王晓亮
4.微波功率器件的扇形线测试电路(英文) [J], 罗卫军;陈晓娟;梁晓新;马晓琳;刘新宇;王晓亮
5.安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪仪器表征全部功率器件参数——Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷 [J],
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半导体技术论文高分子材料论文半导体材料的发展现状(精)

半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。

本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。

关键词半导体材料;多晶硅;单晶硅;砷化镓;氮化镓1 前言半导体材料是指电阻率在107Ω·cm~10-3Ω·cm，界于金属和绝缘体之间的材料。

半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料[1]，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。

电子信息产业规模最大的是美国和日本，其2002年的销售收入分别为3189亿美元和2320亿美元[2]。

近几年来，我国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，2002年销售收入以1.4亿人民币居全球第3位，比上年增长20%，产业规模是1997年的2.5倍，居国内各工业部门首位[3]。

半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。

半导体材料的种类繁多，按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体;按组成元素分为一元、二元、三元、多元等;按晶态可分为多晶、单晶和非晶;按应用方式可分为体材料和薄膜材料。

大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料，这些称为“体材料”;相对应的“薄膜材料”是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的，具有显著减少“体材料”难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结，能用于制造三维电路等优点。

许多新型半导体器件是在薄膜上制成的，制备薄膜的技术也在不断发展。

薄膜材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。

在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓、砷化铟、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料[4]。

半导体技术

组成。

该文主要讨论了采用重心估算（CCP）傅立叶相位偏转法（FPS）计算光点的位置。

此外，为了验证上述理论的可行性，该研究利用计算机软件模拟并讨论了噪声信号对上述2种光电估算法的影响。

数值仿真结果显示信号中的直流分量和背景噪声对CCM方法的仿真精度的影响要比FPS大；当光斑分别为艾里图样和高斯图样时，CCM方法和FPS方法的计算精度基本相同。

图13表3参97、半导体技术O471，TN301 2009040640 SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响/ 戴振清，杨克武，杨瑞霞(河北科技师范学院)// 半导体技术. ―2009，34（3）. ―232～235.对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响，与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。

发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下，能级分裂的影响很小可忽略不计，其他条件下均需考虑能级分裂因素。

随掺杂浓度的增加，能级分裂的影响增强；随温度的升高，能级分裂影响的整体趋势下降，但存在峰值。

当杂质能级深度发生变化时，能级分裂的影响显得比较复杂；曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动，能级越浅峰就越小；并且在高于某一温度时，随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强。

图5表0参12O471.1 2009040641 体各向异性场对界面自旋波存在条件的影响/ 关玉琴，萨茹拉，赵春旺(内蒙古工业大学物理系)// 固体电子学研究与进展. ―2009，29（1）. ―5～9.以海森伯模型为基础，只考虑最近邻相互作用，在计入外磁场和非周期性边界条件下，应用界面重参数化（IR）方法，讨论了体各向异性场对界面自旋波存在条件的影响，结果发现：不管耦合多弱都会存在声学-声学型界面自旋波；若存在能隙，随着各向异性场的变化还会存在声学-光学型界面自旋波和光学-声学型界面自旋波。

图6表0参18O471.1 2009040642 自旋对量子点中束缚磁极化子性质的影响/ 李志新，肖景林(河北科技师范学院数理系)// 固体电子学研究与进展. ―2009，29（1）. ―10～13，121.采用线性组合算符和幺正变换方法，研究了自旋对量子点中弱耦合束缚磁极化子性质的影响。

新型功率半导体SiC器件技术综述

新型功率半导体SiC器件技术综述与传统功率半导体相比，碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等新一代功率半导体具有高频、损耗较小的特点，其应用有助于开发新一代高效率、高开关频率、高结温、高功率密度的电力电子变流器。

本文讲述了传统功率半导体发展以及特性，详细介绍了碳化硅（SiC））的材料特性与发展，以及新型功率半导体在新能源汽车，轨道交通领域的应用。

标签：碳化硅；碳化硅MOSFET；功率半导体Abstract Compared with the traditional power semiconductors，silicon carbide （SiC）and gallium nitride（GaN）such as a new generation of power semiconductors has the characteristics of high working frequency，its application will help to develop a new generation of high efficiency，high switching frequency，high junction temperature，high power density of the power electronics converter. In this paper，the development and characteristics of traditional power semiconductors are described，and then the material properties and development of silicon carbine（SiC）and the application of new power semiconductors are introduced in detail. Finally，the application of the new power devices in electric vehicle，rail transportation is introduced.keywords：Silicon carbide（SiC），Silicon carbide MOSFET，power device1 引言功率半导体器件（Power Semiconductor Device），也可以叫做电力半导体器件，或者电力电子器件，属于电力电子技术的范畴。

矿产

矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。

如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。

㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。

(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。

如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。

对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。

二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。

2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。

㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。

2、矿产品价格稳定性及变化趋势。

三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。

2、矿区矿产资源概况。

3、该设计与矿区总体开发的关系。

㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。

2、矿床开采技术条件及水文地质条件。

矿产

矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。

如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。

㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。

(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。

如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。

对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。

二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。

2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。

㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。

2、矿产品价格稳定性及变化趋势。

三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。

2、矿区矿产资源概况。

3、该设计与矿区总体开发的关系。

㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。

2、矿床开采技术条件及水文地质条件。