高纯氢氟酸的介绍与生产

高纯氢氟酸的介绍与生产

一、概述

高纯氢氟酸英文名 hydrofluoric acid，分子式 HF，分子量 20.01。为无色透明液体，相对密度 1.15～1.18，沸点 112.2℃，在空气中发烟，有刺激性气味，剧毒。能与一般金属、金属氧化物以及氢氧化物发生反应，生成各种盐类。腐蚀性极强，能侵蚀玻璃和硅酸盐而生成气态的四氟化硅。易溶于水、醇，难溶于其他有机溶剂。

高纯氢氟酸为强酸性清洗、腐蚀剂，可与硝酸、冰醋酸、双氧水及氢氧化铵等配置使用，主要应用于集成电路（IC）和超大规模集成电路（VLSI）芯片的清洗和腐蚀，是微电子行业制作过程中的关键性基础化工材料之一，还可用作分析试剂和制备高纯度的含氟化学品。目前，在国内基本上是作为蚀刻剂和清洗剂用于微电子行业，其它方面用量较少。

二、高纯氢氟酸的分类

国际SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）标准化组织根据高纯试剂在世界范围内的实际发展情况，按品种进行分类，每个品种归并为一个指导性的标准，其中包括多个用于不同工艺技术的等级，具体见下表1。表1 SEMI国际标准等级

C11(Grade5C8 (Grade3C7 (Grade2标C1 (Grade1)C12 (Grade4)SEM(VLSIGrade10 pp1 pp50 pp金属杂1pp01 pp1 pp0.0./控制粒径0.1.0.//2252颗粒，/m

适用适用适用适用适用适用于适应范围m

2μμ＜0.m

09-00.μ.＞12m

.2μμ..08-12m

09m

μ.-.0206m

.8-1.0IC技术的制作IC 技术的制作ICICICIC 技术的制作技术的制作技术的制作技术的制作

系列标准比较国内有的高纯试剂生产企业拥有自己的企业标准，其中，BV

系列标准，具体见BV常见，该标准共分为七个等级。如：北京化学试剂用的就是。下表2 2 国内高纯试剂常用规格表IC

适用于半导体各金属杂质含量尘埃粒子数尘埃粒径品级．

（非金属杂质含量）

低尘埃 5～10μm ＞2700个/100ml ——≥5C

≥3μm(适合中小规模集成电路5μm技≤≤2700个m

/100ml

500ppb级MOS （<1ppb） 5≥μ术用)

＞2μm(属于标准电子级)（相当于ELSSBV—Ⅰ级≥1～ｎ×10ppb

2μm ≤300个/100ml

级）（相≥1.2μ) 属于标准电子级EL级m(BV—Ⅱ级≥2μm ≤200个/100ml 1～ｎ×10ppb

级）当于ELSSs属于超1.2μm(相当于SEMI-C7)(0.8～BV—Ⅲ级≥0.5μm ≤25个/ml ≤10ppb )

或大规模集成电路级VLSIULSI级≤m 个/ml BV—Ⅳ级1ppb m 0.2～0.6μ≤5≥0.5μ≤≥μ0.09～0.2m

0.2μm

0.1ppb

TBD

BV—Ⅴ级目前，因各微电子生产企业对高纯氢氟酸要求的标准不同，可将其划分为四个档次：①低档产品，用于>1.2μmIC工艺技术的制作；②中低档产品，适用于0.8～1.2μmIC工艺技术的制作；③中高档产品，适用于0.2～0.6μmIC工艺技术的制作；④高档产品，适用于0.09～0.2μm和＜0.09μm IC工艺技术的制作。

三、制备方法与工艺

目前国内外制备高纯氢氟酸的常用提纯技术有精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、气体吸收等技术，这些提纯技术各有特性，各有所长。有的提纯技术如亚沸蒸馏技术只能用于制备量少的产品，而有的提纯技术如气体吸收技术可以用于大规模的生产。因此，选择工艺技术路线时应视实际情况而定。另外，由于氢氟酸具有强腐蚀性，采用蒸馏工艺时所使用的蒸馏设备一般需用铂、金、银等贵金属或聚四氟乙烯等抗腐蚀性能力较强的材料来制造。

高纯氢氟酸生产装置流程布置要以垂直流向为主，原料无水氢氟酸和高纯水在上层，氢氟酸的提纯在中层，过滤、包装及储存在底层。因为原料（无水氢氟酸和高纯水）与中间产物可以依靠重力自上而下流动，避免用泵输送，节省能耗，降低生产成本。下面介绍一种精馏、吸收相结合的生产高纯氢氟酸的生产工艺。将无水氢氟酸经过化学预处理后通过给料泵进入高位槽，再通过流量计控制进入精馏塔，通过精馏操作得到精制后的氟化氢气体，并将其送入吸收塔，精馏塔残液定期排放并制成工业级氢氟酸。在吸收塔中，通过加入经过计量后的高纯水，使精馏后的氟化氢气形成高纯氢氟酸，并且可采用控制喷淋密度、气液比等方法使高纯氢氟酸进一步纯化，得到粗产品。随后再经过超净过滤工序，使产品最后在净化室内进行包装得到最保证产品的颗粒合格。进一步混合和得到过滤，

终产品——高纯氢氟酸。具体工艺流程见下图1。

图1：高纯氢氟酸工艺流程图

高纯水

高纯水化学预高位槽高位槽处理AHF冷凝器吸精收馏塔塔粗产品槽残液高纯超净包装过滤氢氟酸

杂质砷是高纯氢氟酸中需要控制的一种重要杂质指标，在氢氟酸原料中砷一般以三价态形式存在，而且AsF与氢氟酸的沸点相差不大，所以仅靠精馏对其3分离的效果不会十分理想。为去除杂质砷，可在精馏过程中，加入适量的强氧化剂（如高锰酸盐等）将三价态的砷进行氧化，使其在精馏过程中沉积于塔釜中而被除去。

四、配套设施

1、分析控制与产品检测

随着微电子行业制作技术的不断发展，对高纯氢氟酸的要求也越来越高——所需控制的颗粒粒径越来越小，金属及非金属杂质含量的要求越来越低（杂质都是微量甚至痕量即ppm甚至ppb/ppt/ppc级），这就要求生产企业须具有与之相匹配的分析控制与产品检测的能力。然而，这些分析控制和产品检测设备价格昂贵，操作技术专业性强且要求较高，一般中小型企业很难承担和管理，因此，最终产品一般都是通过权威测试中心鉴定或直接交给用户试使用与鉴定，以得到客户认可。

电感耦合等离子高频质谱分析(1)制备高纯氢氟酸所应有的测试仪器如下：

仪(ICP—MS)；(2)电感耦合等离子原子发射分析仪(IeP—AES)；(3)原子吸收分