iG5 Nissin Implanter离子注入机简介

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7500mm 7400mm
iG5
Weight: 100ton
<Next Generation>
Component
Compare iG5 with iG4
Ion Source
Analyzing Magnet Process Chamber Platen Profile Monitor PFG Transfer Chamber VAC Robot
Single Platen
均一性測定
Beam形状
搬送系
Dual Platen GV,Platen動作次數是減少1/2,長壽命 2片基板交互注入
可抑制基板温度 真空Pump
TMP Cry
再生是必要 PH3/BF3吸着
iG6/iG5 ion Source
iG6/iG5 Magnet
Performance
Ion Energy Beam Current P B Mass Resolution Dose Range Glass Size TACT Minimum n+1E15 p+1E15 Capacity by N+1E15/P+1E15/LDD/Vth Glass Area Productivity P、B 5~100keV 0.1~500μA/cm 0.1~500μA/cm M/ΔM≧4~10 ≧3.6E10ions/cm2 730x920mm 42.4sec/sheet 79sec/sheet 79sec/sheet 8,540sheet/mon 0.6716m2/sheet 5735m2/mon
Introduction of Company’s Business Activities Agu, 2013
<Next Generation>
Compare iG5 with iG4
Layout
2950mm
3450mm
3800mm
8195mm 5000mm
iG4
Weight: 36ton
12100mm 12500mm
僅Filament更換 洗浄/再使用 長壽命
Profile Monitor (Multi Faraday)
電極/絶縁物 壽命
Beam Monitor
大部分消耗品 短壽命
Dose Cup Profiler Cup Dose Cup及Profiler Cup的補正是必要
補正不要
補正誤差的可能性 由於是大型Cup測定精度不安定 各Scan毎次測定 ≦0.5秒 長軸730 x 短軸10~20cm 低電流密度 数lot毎次測定 每個基板的均一性不明 測定時間長 長軸730 x 短軸2~5cm 為了高電流密度取得 基板温度上昇 静電破壊
Compare ~Layout~
Nissin Ion Competitor
iBiblioteka Baidu4
Gen 4
iG5
Gen 5
装置比較
iG4/iG5 Ion Source Bucket Competitor IHC Gen 5 (Dual Source) IS一式交換
大電流產生容易
IS Maintenance Filament
iG4
Load lock Chamber
iG5
<Next Generation>
Compare iG5 with iG4
iG4v4 iG5 P、B 5~80keV 1~700μA/cm 0.3~1000μA/cm M/ΔM≧4~15 ≧7.5E10ions/cm2 1300x1500mm 48sec/sheet 72sec/sheet 59sec/sheet 9,135sheet/mon 1.95m2/sheet 17,813m2/mon
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