英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7

英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7

2013年5月20日，德国纽必堡讯英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适用于连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）、双管正激（TTF）和太阳能升压拓扑等硬开关拓扑，典型应用包括太阳能、服务器、电信设备和UPS（不间断电源）。650V击穿电压还使C7适用于需要额外安全裕度的应用。

C7延续了高品质超结CoolMOS技术12年创新发展之路，进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。英飞凌高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts指出，凭借CoolMOS C7一流的品质因数（RDS （on）*EOSS），我们的客户可以设计出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率转换系统。

C7系列提供全球最低导通电阻，TO247封装可以到19m?，TO220

和D2PAK可以到45m?。如今，C7的快速开关性能可使客户服务器PFC级首次实现100 kHz以上的开关频率，同时达到钛级能效。这可降低对无源组件的空间要求，从而提高功率密度。