黄光生产简介

DUV pellicle不能跟 I line pellicle共用 否則會使pellicle霧 化


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光罩簡介 Mask Naming Rule S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE


Fixed character : byte 24 Vendor code : byte 25 ~ 26 alphabet only DP : DNP, TP : Toppan, MH : Melco, TC : Toppan Chunghwa TM :Taiwan Mask CORP.
代碼
51 58 85 73 64 63 72 64 54 93 67 79 67
layer
BS 1B 1B2 BL 2B 1S 3S CP 1C 1M 1T 2M PI
代碼
83 90 78 91 75 76 96 53 55 56 61 62 98
ADI check時也會用到
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光罩簡介 Mask Naming Rule S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE
1F/TG/BS/1B/BL/2B/1S/1C/1M
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0.15um:BS/1B/1S/1C 0.18/0.165um:TG/BS/1B/BL/1C
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光阻簡介-ARC抗反射層
黃光有上Barc的layer及使用機台及TC
Tech
0.18um/0.165um
Layer
TG/BS/1B/BL/1C
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Pattern Surface
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光罩簡介
光罩種類： Binary Mask Half Tone Mask 又稱PSM （Phase Shift Mask） 目前大部分光罩都屬於Binary Mask ， 除了1F (51) 、BS（83）、1B（90）、2B（75）、1C（55） 這五枚光罩為Half Tone Mask 相偏移光罩（Phase Shift Mask，PSM）主要是在光罩上某些地方加 上一層相移轉層（Phase-Shift Layer），以提高曝光的明暗對比。 利用相偏移光罩不需改變其曝光光源、光阻技術、即能達到增強曝光 機台之解像能力或增加其曝光成像之焦深。
光源
在Stepper對準/曝光, 將光罩上 之電路圖形轉移至晶片的光阻上.
Fly eyes Condenser Lens Reticle Mask Projection Reduction Lens
光罩
圖案鉻膜(不透光) 光阻受曝光部位, 產生光化學作用
未曝光之光阻 為光阻圖形區
光阻 晶片 平台
正光阻
λ λ
1) Vapor prime
2) Spin coating
3) Soft bake
4) Alignment and exposure
5) Postexposure bake
6) Develop
7) Hard bake
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8) Develop inspect MFG
光阻簡介
在黃光微影製程中,光阻是一種液態有機化合物,經過紫外光照射之後. 能和顯影液起化學反應作用，而被去除不必要的部份或是去除想要去 除的部份，光阻可分二種, 一種為正光阻, 一種為負光阻. 正光阻在曝 光後被光照射的部份可以被顯影液給去除，而其他的光阻將不會被顯 液給去除。而負光阻則相反,是被光照射的部份不會被顯影液給去除， 而其餘不被光所照射的區域將會被顯影液所移除。簡單說正光阻為分 解反應 (見光死), 負光阻為聚合反應
已曝光之光阻會被顯影液顯影, 未曝光區域留下所需之電路圖形.
負光阻
未曝光之光阻會被顯影液顯影, 已曝光區域留下所需之電路圖形.
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黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
生產流程
黃光工程 製版處理 Photo Process
Photo Process
OK Overlay Check OK
Rework
黃光區生產簡介
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簡介大綱
一. 黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產 流程 二. 光罩及光阻簡介 三. 下線刻號作業簡介 四. 黃光主機台生產簡介 五. 黃光Overlay生產簡介 六. 黃光PQC生產簡介(含ADI/SEM) 七. 黃光Polymide生產簡介 八. 黃光生產特色及注意事項 九. Q&A
使用光阻的目的:
將光罩定義的線路圖形轉印到wafer上. 保護底層的材質在後續的製程中不被破壞(如 IMP,ETCH)
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光阻簡介
曝光光源
光阻種類
曝光 顯影
正光阻
光罩 曝光光源照射區域 光阻 薄膜 底材
1
2
負光阻
蝕刻及去光阻
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光阻簡介-ARC抗反射層
先進微影解像技術-光阻技術 1:抗反射層 抗反射層 (Anti-Reflective Coating， ARC)
0.15um:1F/TG/BL/2B 0.18/0.165um:2B/1S
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百度文库
光阻簡介-ARC抗反射層
抗反射層 (Anti-Reflective Coating， ARC)
表層抗反射層TARC
光阻 Resist 底層抗反射層 BARC
光阻 Resist
晶片 wafer
晶片 wafer
TARC
NG
對準檢查 重合檢查
Overlay check
顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection)
OK
ADI
NG
顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement (After Photo)
OK
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SEM CD
NG
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光罩及光阻簡介
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黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
黃光的技術很複雜, 但基本的原理很簡單,與照相的原理很類似:
黃光原理
Light Source
首先先在晶片上塗上一層光阻(感光材料, 作用如同底片)來自光源的 平行光, 經過光罩後, 便投射在光阻上. 因為光罩上有圖案(由鉻膜 形成的不透光區域),而沒有鉻膜的地方，光線就會穿透玻璃到達晶片 上的光阻，這就是曝光(Exposure) 曝光後被光照到光阻會產生化學變化, 再來就是顯影, 藉由顯影的過 程, 將不要的光阻去除, 只留下所需的圖形
功能:
抗反射層可有效減少光學近接效應修正技術(Optical Proximity Correction ，OPC)，減少因光阻駐波效應而使光阻圖形變差，如 此可增加解像能力。
類別: 表層抗反射層( Top ARC ) ---TARC 底層抗反射層( Bottom ARC ) --- BARC 1.有機 PHOTO(PJ2*) 2.無機 T/F(DR*)
※以上每項簡介課目將以:機台簡介、run貨方式、產能狀況、生產注意事項 作串聯
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黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
.半導體四大製程技術分別為擴散、薄膜沈積、微影製程及蝕刻. 所以當 晶片在完成薄膜沈積後,在進行蝕刻或離子植入前都必須經過微影製程這 道步驟. 微影製程的主要功用是依照積體電路設計者的需求, 將各層次的線路圖, 一層一層的完整忠實的以光阻成像在晶片(Wafer/Chip)上, 以作為後續製 程的圖版. 積體電路(Integrated Circuit, IC)製程中所強調的次微米, 如 0.5μm 微米(Micrometer),0.25微米, 0.18微米代表的是積體電路的設計規則中 最小的線路距離(通常指兩條相鄰線路中心點距離的一半(1/2pitch). 距 離越小, 表示線路越密集, 也就是所謂的積集度越高.



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光罩簡介 機台對光罩倍率使用限制
機台種類 光罩倍率 PX3*/PU031 4x PW* 2x PU*/PX0*/PX1*/PX2* 5x
※不同倍數的光罩不能在不同的機台種類混用
光罩小姐從 共用機台取 下光罩
光罩使用程序
將光罩移入 指定機台並 作登入 OK Run貨前機台會先 作particle check NG 光罩小姐 記錄移動 情形至系 統中 將光罩取下作 particle清除 機台開始 使用光罩 run貨
TC
0.25hr
Tool
PJ202/PJ203/PJ204
負責主機 台TE要求 使用光罩 通知光罩 小姐
光罩小姐從 stocker取下 光罩
※移動光罩應注機台是否已有正在run的貨準備要用該枚光罩
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光阻簡介
Common Photo Resist ARC Relacs
HMDS
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光阻簡介
UV Light HMDS Resist Mask






byte 3 ~ 18

01 ~ 99, no alphabet ex: 51=1F, 54=TG…..
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光罩簡介 Mask Naming Rule S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE


Minor reversion code : byte 21 A ~ Z (I,Q,O can’t be used ), alphabet only minor pattern or layout change Wafer process reversion code : byte 22 EB shield slit specification Q: N/A, S: 5um, T: 10um, R:15um, U:20um Aligner-TEG code : byte 23 Specify exposure tool related information ex : L,M,N,P-- DUV pellicle, G,H,J,K -- i-line pellicle ex : G -- for 5X Nikon, H -- for 2X Canon…... alphabet only


Aligner -combination code : byte 1 F: 6” Stepper S : 6” Scanner Major-reversion code : byte 2 A ~ Z (I,Q,O can’t be used ) , alphabet only A : with TEG, B : without TEG Product name : max 14 characters Reduction ratio : Y : 6” 5X , P : 6” 4X , T : 6” 2X Fixed character No. of process layer : byte 19 ~ 20
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光罩簡介 光罩名稱 FA2S28D20AY 79AQG DP02 光罩名稱：FA2S28D20AY
工程代碼：79(Layer編號)
副 番：AQG
製造番號：DP02
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光罩簡介
PHOTO Mask 代碼 Table
layer
1F 2F 1I 3I 4I 1D 2I 1G1 1G 1N 1P 2N 2P



Series No. : byte 27 ~ 28 01 ~ 99, no alphabet Mask writer : byte 29 ~ 30 EB : MEEBS, CE : ALTA, JX : JEOL Fixed character : byte 31 Remark : byte 32 ~ 36
光罩及光阻簡介
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光罩簡介 Mask = Reticle 光罩用途: 光罩上面有線路圖形，將光罩上之線路圖形轉移 到晶片的光阻上。 光罩外觀 Substrates：Quartz 石英(QZ) 6“ Size： Glass Surface
0.25 “ 0.25 “
Pellicle Surface
OTC (On Top Coating)
Bottom ARC (BARC)
底層抗反射層
底層抗反射層(BARC):抗反射層塗於光阻之 下, 晶圓之上,可以強烈吸收微影照射之光強 度,降低反射, 即降低光阻側壁輪廓之擺動比 主阻佳。例:BARC:DUV42N9
表層抗反射層
表層抗反射層(TARC):抗反射層塗於光阻之 上, 晶圓之下, 主要是降低多層反射及光阻之 駐波效應, 不過其效果不如底層抗反射層 (TARC)佳。例:OTC(AZ-50,TSP5A)