变压器介损及电容量测试

变压器介损及电容量测试
4 各种电桥的的原理 数字电桥：数字电桥的测量回路还是一个桥。 R3 、 R4 两端的电压经过 A/D 采样送到计算机。 进一步可求得试品介损和电容量。 数字电桥的最大优势在于：可 以实现自动测量，可以补偿所有 原理性误差，没有复杂的机械调 节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。
介损仪接线
高压端 低压绕组 Cx端 －
接线法
其它应 接地部位
反接法 高、中压绕组
中压绕组－高、低压绕组及地
高压绕组－中、低压绕组及地
中压绕组
高压绕组
－
－ － － －
反接法 高、低压绕组
反接法 中、低压绕组 反接法 反接法 反接法 低压绕组 高压绕组 中压绕组
高、中压绕组－低压绕组及地 高、中压绕组 中、低压绕组－高压绕组及地 中、低压绕组 高、低压绕组－中压绕组及地 高、低压绕组
5 试验项目
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6 试验数据分析 不同温度下的tanδ值一般按下式换算
tan δ2 tan δ1 1.3 式中tanδ1、tanδ2分别为温度t1、t2时的 tanδ值 将所测得的tanδ换算到同一温度，并与出厂、 交接、历年数值进行比较；与同型设备、同一设 备相间比较。比较结果均不应有明显差异。
电压等级（kV）
交 接 时 大 修 后 运 行 中 充油型 油纸电容型
20～35
2.5 0.7
110
1.0 0.7
220～500
1.0 0.5
胶纸电容型
充油型 油纸电容型
1.5
3.0 1.0
1.0
1.5 1.0
1.0
1.5 0.8
胶纸电容型
充油型 油纸电容型 胶纸电容型
2.0
3.5 1.0 3.0
1.5
变压器介损及电容量测试
1 试验目的 某台变压器的套管，正常tanδ值为0.5%，而 当受潮后tanδ值为3.5%，两个数据相差7倍；而 用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。 由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高 的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预 防性试验中都得到了广泛的应用。
1.5 1.0 1.5
1.0
1.5 0.8 1.0
变压器介损及电容量测试
7 判断标准 电容型套管的tanδ和电容值 电容型套管的电容值与出厂值或上一次试验值 的差别超出±5时％，应查明原因。 套管末屏对地的介损不应大于2%。
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8 影响tanδ的因素 试验电压的影响 良好绝缘的tanδ不随电压的升高而明显增加。 若绝缘内部有缺陷，则其tanδ将随试验电压的升 高而明显增加。
U ＝ R3 U n 1 I cn Un ; I cx Ux ;U I cn ; Zx＝ R4 R3 jCn R4 jCn I cx Ux
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5 试验项目 绕组连同套管的tanδ和电容值 电容型套管的tanδ和电容值
变压器介损及电容量测试
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4 各种电桥的的原理 QS1电桥：调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b 两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。
Rx C4 R3 ; Cx R4 Cn; tanδ ωRxCx ωR4C4 Cn R3
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4 各种电桥的的原理 M型电桥：将试品改为并联模型。注意到Ir与 Uw (IcnR4 IcxR3)2 (IrR3)2 Icx、Icn差90度。 调节R4使Uw最小。这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3， Ir Uw tan δ 因此 Icx IcnR4 由于a、b间电压没有完全 抵消，因此M型电桥也称为 不平衡电桥。Uw测量的是绝 对值，小介损时电压很低， 难以保证测量精度。
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9 介损异常处理 检查试验接线是否正确、接触是否良好； 排除干扰影响； 将瓷套表面擦干净； 调整试验引线与试品的夹角，尽量接近90度； 采用不同试验方法。
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1 试验目的 介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介 损，它是在交流电压作用下，电介质中的电流有 功分量与无功分量的比值，是一个无量纲的数。 它反映电介质内单位体积中能量损耗的大小，它 与电介质的体积尺寸大小无关。测量介质损耗因 数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电 力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试 设备贯通和未贯通的局部缺陷。
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2 试验的局限性 有的设备，尽管测得的总体绝缘的介损tanδ 值很小（从总体平均来看），但是局部缺陷的损 失可能很大而不能发现。
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3 介损仪的种类 西林电桥（QS1、QS3型高压交流平衡电桥） M型介质试验器（2500伏介质试验器，不平衡 电桥） 新型全自动抗干扰电桥（济南泛华电桥、金迪 电桥、泛科电桥、康申电桥等等）
外壳
外壳
高、中压绕组－低压绕组、铁芯、 夹件
高、低压绕组－中压绕组、铁芯、 夹件
高、中压绕组
高、低压绕组
低压绕组、铁 芯、夹件
中压绕组、铁 芯、夹件
正接法
正接法
外壳
外壳
中、低压绕组－高压绕组、铁芯、 夹件
中、低压绕组
高压绕组、铁 芯、夹件
铁芯、夹件
正接法
正接法
外壳
外壳
高、中、低压绕组－铁芯、夹件 高、中、低压绕组
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5 试验项目 电容型套管的tanδ和电容值 如果电容型套管末屏对地绝缘电阻小于1000 MΩ，应测量末屏对地的tanδ。 套管末屏接介损测试仪高压端，与被试套管相 连的所有绕组端子短接后接介损测试仪屏蔽端， 加压2kV，采用反接屏蔽法测量。
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5 试验项目
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5 试验项目 电容型套管的tanδ和电容值 拆开套管末屏接地片（线） 与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损 测试仪高压端，其余绕组端子均接地，套管末屏 接介损测试仪，正接线测量 施加电压10kV
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5 试验项目
5 试验项目 绕组连同套管的tanδ和电容值 一次引线全部拆开 将被试绕组短接接地充分放电 被试绕组需首末端短接后加压 施加电压 绕组电压10kV以上：10kV 绕组电压10kV以下：Un 介损仪的高压屏蔽端均悬空
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5 试验项目
测量部位
低压绕组－高、中压绕组及地
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5 试验项目
测量部位
高压绕组－中、低压绕组、铁芯、 夹件
介损仪接线
高压端 高压绕组 Cx端
接线法
接地 部件
外壳
中、低压绕组、 正接法 铁芯、夹件
中压绕组－高、低压绕组、铁芯、 夹件
低压绕组－高、中压绕组、铁芯、 夹件
中压绕组
低压绕组
高、低压绕组、 正接法 铁芯、夹件
高、中压绕组、 正接法 铁芯、夹件
t2 t1 10
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7 判断标准 绕组连同套管的tanδ和电容值 20℃时tanδ不大于下列数值 500kV：0.6%； 110～220kV：0.8%； 35kV：1.5%
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7 判断标准 电容型套管的tanδ和电容值 20℃时的tanδ值不应大于下表数值：
高、中、低压绕组Biblioteka Baidu地
高、中、低压 绕组
－
反接法
－
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5 试验项目
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5 试验项目 绕组连同套管的tanδ和电容值 不拆一次引线 将被试绕组短接接地充分放电。 被试绕组需首末端短接后加压。 施加电压 绕组电压10kV以上：10kV 绕组电压10kV以下：Un