核辐射测量原理复习.docx

名词解释：

1.光电效应：光子被原子吸收后发射轨道电子的现象。

2.康普顿效应：光子与轨道电子相互作用使得光子只改变方向而不损失能量。

3.电子对产生效应：当 r 光子能量大于 1.02Mev 时， r 光子经过与之相互作用的原子核附件时，与

原子核发生电磁相互作用， r 光子消失而产生一个电子和一个正电子。

4.电子吸附效应：电子在运动过程中与气体分子碰撞时可能被分子俘获，形成负离子，这种现象

称为电子吸附效应。

5.复合：电子和正离子相遇或者负离子和正离子相遇能复合成中性原子或中性分子。

6.漂移：电子和正离子在电场的作用下分别向正、负电极方向运动，这种定向运动叫做漂移运动。

7.平均电离能：带电离子在气体中产生一对离子所需的平均能量称为平均电离能。

8.轫致辐射：快速电子通过物质时，原子核电磁场使电子动量改变并发射出电磁辐射而损失能量，这种电磁辐射就是轫致辐射。

9.截面：单位面积单位时间粒子与靶核发生相互作用的概率。

10.活化：原子核吸收中子后，变成同一种元素的另一种核素，这种现象叫做活化。

11.真符合计数：时间上有关的事件产生的脉冲引起的符合计数称为真符合计数。

12.偶然符合计数：在时间上没有必然联系的事件产生的脉冲引起的符合计数称为偶然符合计数。

13.衰变常数：表示某种放射性核素的一个核在单位时间内进行衰变的概率。

14.碘逃逸峰：当 r 射线在 NaI(Tl) 晶体表面发生光电效应时，碘的 KaX射线很容易逃逸出晶体，形成一个碘逃逸峰。（ 28.61KeV）

15.本征效率：探测器记录到的射线数与入射到探测器灵敏体积内的γ光子数的比。

16.辐射损失率：电子在物质中通过单位长度路径，由于轫致辐射而损失的能量为辐射损失率。

17.电离损失率：入射粒子因原子的激发和电离在单位路径上引起的能量损失。

18.能量分辨率：探测器微分脉冲幅度分布谱中的特征峰半高宽与峰值所对应的脉冲幅度之比：

V Fw

2.355

E0

V

探测效率：

记录到的脉冲数记录到的脉冲数

源

源发射的光子数本征入射到探测器灵敏区体积内的光子数

19.仪器谱：

20.能谱：记录粒子能量和单位能量间隔内计数的谱。

21.全能峰：入射γ射线能量全部损失在探测器灵敏体积内时，探测器输出的脉冲形成的谱峰。

22.逃逸峰：若高能γ射线与探测器物质发生电子对效应时，湮没辐射光子中的一个或者两个逃离探测器。

23.特征峰：若光电效应发生在表面，光电子被打出后，探测介质原子发射的特征 X 射线可能逃出探测器，形成 E=能量的峰，称为特征峰。

24.总效率：全谱内的计数与源发射的γ光子数之比。

25.峰总比：全能峰内的计数与全谱内的计数之比。

26.峰康比：全能峰中心道最大计数与康普顿连续谱平坦部分内平均计数之比。

27.源效率：记录到的脉冲数与源发射的γ光子数之比。

全能峰的计数

28. 源峰效率：sp

放射源放出的光子

29.湮灭辐射峰：对较高能量的γ射线，当探测器周围的物质发生电子对产生效应时，湮没辐射产

生的两个γ光子中，若其中一个进入探测器中就会产生一个能量为 511KeV的光电峰和康普顿连续谱，这个光电峰就是湮没辐射峰。

30.玻尔兹曼常数： 8.31/6.02 × =1.38 ×J/K

31.电离：带电粒子进入物质时和物质原子的轨道电子发生库伦相互作用，使入射带电粒子的能量

转移给电子。若电子获得的能量较少，不足以克服原子的束缚，只是从较低能量状态上升到较高能量状态，则原子被激发。

32.激发：带电粒子进入物质时和物质原子的轨道电子发生库伦相互作用，使入射带电粒子的能量

转移给电子。若电子获得了足够能量，将完全脱离原子的束缚而成为自由电子，则原子失去电子成为正离子，即原子被电离。

33.死时间：从脉冲的开始形成到计数管内电场恢复到能再维持放电的电场，这一段时间称为计数

管的死时间。

34.恢复时间：从失效时间至电场恢复到能产生正常脉冲幅度所需的时间称为恢复时间。

35.分辨时间：计数管一次计数后恢复到再次计数的时间间隔。

36.渡越时间：光子到达光阴级的瞬间至阳极输出脉冲达到某一指定值之间的时间间隔。

37.时间分辨：探测器对两组相继发生的事件可以分辨开来的最小时间间隔，用时间谱的半高宽表

示。

填空题：

1.α粒子与物质相互作用的形式主要有以下两种：弹性散射、电离和激发。

2.γ射线与物质相互作用的主要形式有以下三种：康普顿散射、光电效应、电子对效应。

3.β射线与物质相互作用的主要形式有以下四种：激发与电离、轫致辐射、弹性散射、正电子

淹灭。

4. 由 NaI(Tl) 组成的闪烁计数器，分辨时间约为：零点几、几、十几、几十、几百μ s；Ｇ-Ｍ计数管的分辨时间大约为：几百μs。

5.电离室、正比计数管、 G-M计数管输出的脉冲信号幅度与初始电离产生的离子对数成正比。（与真别阈有关）

6.半导体探测器比气体探测器的能量分辨率高，是因为：其体积更小、其密度更大、其电离能

更低、其在低温下工作使其性能稳定、气体探测器有放大作用而使其输出的脉冲幅度离散性增大。

7. 由 ZnS(Ag)组成的闪烁计数器，一般用来探测α射线的能量和强度。

8.由 NaI(Tl) 组成的闪烁计数器，一般用来探测γ射线的能量和强度。

9.电离室一般用来探测带电粒子射线的能量和强度。

10. 正比计数管一般用来探测α、β、γ、X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、

能量和强度。

11.Ｇ - Ｍ计数管一般用来探测α、β、带电粒子射线的强度。

12.Ｇ - Ｍ计数管的输出脉冲幅度与入射粒子的种类无关。

13.金硅面垒型半导体探测器一般用来探测γ射线的能量和强度。

14.Si(Li) 半导体探测器一般用来探测γ射线的能量和强度。

15.HPGe半导体探测器一般用来探测γ射线的能量和强度。

16.对高能γ射线的探测效率则主要取决于探测器的有效体积。

17.对低能γ射线的探测效率则主要取决于探测器材料的有效原子系数。

18.Ｇ - Ｍ计数管的输出信号幅度与入射射线的能量无关。

19.带电粒子的能量损失率又叫物质的阻止本领。

20.γ射线与物质的主要作用方式有光电效应、康普顿散射、电子对效应。

21.死时间是指计数管一次计数后恢复到再次计数的时间间隔。

22.电离室按工作方式可分为脉冲电离室和累积电离室。

23.典型的气体探测器有电离室、正比计数管、 G— M计数管。

24.测量α射线一般选用 ZnS(Ag) 闪烁体。（ NaI(Tl) 闪烁体、 ZnS(Ag)闪烁体、塑料闪烁体 )

25.放射性活度的测量方法一般有绝对测量法和相对测量法。

26. 在 NaI(T1) 中 2MeVγ射线相互作用的光电效应、康普顿效应和电子对效应的截面比为 1：20：2，入射到 NaI(T1) 中的 2MeVγ射线的脉冲幅度谱给出的峰总比是大于 1/23 。（大于、小于、等于）

27.6MeV的α粒子穿过其厚度为其射程 1/3 的物质后，能量减小，强度不变。

28. 进行放射性测量中，样品计数率的大小为100cps, 若要求计数率的相对统计误差不大于1%，则最短测量时间应为100s。

29.重带电粒子的能量损失率与物质的原子序数和材料有关。

30.光电子的能量等于入射γ射线能量减去散射γ射线的能量。

31. 20MeV电子入射到 Cu(Z=29)靶上，其辐射能量损失率和电离能量损失率之比为0.725。