3单晶硅制备工艺
单晶硅的制造工艺流程
单晶硅的制造工艺流程一、原料准备。
1.1 硅石选取。
咱单晶硅制造啊，首先得选好原料。
硅石那可是基础中的基础，就像盖房子的砖头一样重要。
咱得找那些纯度比较高的硅石，不能随便拉来一块就用。
这硅石就像是参加选美比赛的选手，得经过咱严格的筛选才行。
那些杂质多的硅石，就像混在好人堆里的坏蛋，得把它们剔除掉。
1.2 提纯到多晶硅。
有了好的硅石之后呢，就得把它变成多晶硅。
这一步就像是把铁矿石炼成铁一样，是个很关键的过程。
要通过各种化学方法，把硅石中的硅元素提炼出来，让它变得更纯。
这个过程可不容易，就像爬山一样，得一步一个脚印，每个环节都不能出错。
要是出了岔子，那后面的单晶硅质量可就没保障了。
二、单晶硅生长。
2.1 直拉法。
直拉法是制造单晶硅很常用的一种方法。
咱就想象一下，有一个熔炉，里面装着多晶硅原料，就像一口装满宝贝的大锅。
然后把籽晶放进去，这个籽晶就像是一颗种子，单晶硅就从这颗种子开始生长。
慢慢地把籽晶往上拉，就像钓鱼一样，多晶硅就会在籽晶的基础上不断生长，最后形成一根长长的单晶硅棒。
这过程中啊，温度、提拉速度等因素都得控制得恰到好处，就像厨师做菜时掌握火候一样，差一点都不行。
2.2 区熔法。
还有区熔法呢。
这个方法有点像接力比赛。
通过加热一小段多晶硅，让硅熔化后再结晶，然后一点一点地往前推进这个熔化结晶的过程，就像接力棒一棒一棒地传下去，最后形成单晶硅。
这个方法能制造出更高纯度的单晶硅，但是操作起来也更复杂，就像走钢丝一样，得小心翼翼的。
三、加工处理。
3.1 切割。
单晶硅棒有了之后，就得进行切割。
这就好比把一根大木头锯成小木板一样。
不过这切割可不像锯木头那么简单，要用专门的切割设备，像金刚线切割之类的。
切割的厚度、精度都有很高的要求，要是切得不好，那可就浪费了之前那么多的心血，就像把一块好玉给雕坏了一样，让人痛心疾首。
3.2 打磨抛光。
切割完了还不行，还得打磨抛光。
这就像是给单晶硅做美容一样，让它的表面变得光滑平整。
单晶硅生产工艺流程
单晶硅生产工艺流程单晶硅是一种高纯度硅（多晶硅）材料，是制造集成电路的重要原料。
以下是单晶硅的生产工艺流程。
1. 原料制备：首先，需要准备高纯度的硅原料。
通常采用冶金法制备多晶硅，将精矿硅石经过矿石选矿、冶炼、纯化等步骤制备出多晶硅。
2. 多晶硅熔制：将多晶硅粉末加入石英坩埚中，并在高温下进行熔制。
在熔化过程中，控制温度、气氛和熔体搅拌以确保硅坯的高纯度和均匀性。
3. 单晶种植：在多晶硅熔体上方放置一个降温导管，通过控制温度差和降温速度，使熔体下降到导管底部形成硅棒。
在降温过程中，导管缓慢抬升，形成一个空心的硅棒。
4. 拉制单晶硅棒：将形成的硅棒放入拉扯机中，通过旋转和拉伸的方式，逐渐将硅棒拉长，并形成所需的直径和长度。
在拉制过程中，需要控制拉速、温度和拉伸力，以确保单晶硅的高纯度和均匀性。
5. 切割晶片：将拉制好的硅棒进行切割，得到所需的硅片。
通常使用金刚石刀盘或线锯进行切割。
切割后的硅片会留下切割痕迹，需要经过后续的抛光处理。
6. 抛光处理：将切割好的硅片进行机械抛光，去除切割痕迹和表面缺陷，使硅片表面光滑均匀。
抛光过程中需要使用磨料和化学溶液，控制抛光时间和速度，以确保硅片的质量和精度。
7. 清洗和包装：对抛光后的硅片进行清洗，去除表面的杂质和污染物。
清洗后，对硅片进行质量检验，确保硅片符合要求。
最后，将合格的硅片进行包装，以防止污染和损坏。
以上是单晶硅的生产工艺流程。
随着电子行业的不断发展，单晶硅的需求也在不断增加，因此，精确控制生产工艺对保证硅片的质量和性能至关重要。
在生产过程中，需要严格控制原料的纯度、温度和处理参数，以确保产品的一致性和稳定性。
单晶硅全厂生产工艺有哪些
单晶硅全厂生产工艺有哪些单晶硅是目前应用非常广泛的半导体材料，用于制造集成电路、太阳能电池等产品。
单晶硅的生产工艺主要包括下列几个步骤：1. 初级生产阶段在单晶硅的生产过程中，首先需要进行初级生产阶段的工艺。
这一阶段主要包括矽矿的选矿、还原精炼和产出矽锭。
•选矿：通过选矿技术，从矿石中提取矽石，为后续工艺提供原料。
•还原精炼：将提取的矽石经过还原反应、精炼过程，制备成熔融硅。
•产出矽锭：将熔融硅注入单晶矽棒中，经过液相晶体生长（Czochralski法或Floating Zone法），得到矽锭。
2. 中间生产阶段在得到矽锭之后，需要进行中间生产阶段的工艺，包括矽片锯切、薄膜涂覆和光刻等过程。
•矽片锯切：将单晶矽锭切割成薄片，厚度通常在100至200微米之间。
•薄膜涂覆：在矽片表面涂覆一层光敏胶，为后续光刻制程做准备。
•光刻：利用光刻技术，在光敏胶上照射UV光，形成芯片的图案。
3. 后期工艺阶段最后一阶段是后期工艺阶段，主要包括离子注入、蒸发沉积和衬底去除等工艺步骤。
•离子注入：通过离子注入技术，向矽片中注入杂质原子，改变材料的电子结构。
•蒸发沉积：在矽片表面蒸发沉积材料，用于制备多层结构或特殊涂层。
•衬底去除：将矽片背面的衬底（通常为氧化硅）去除，得到单晶硅片。
通过以上的生产工艺步骤，单晶硅可以成功生产用于半导体和太阳能电池等产品的材料。
不同的工艺步骤需要精密的操作和严格的控制，以确保单晶硅的质量和性能符合要求。
在不断的工艺优化和创新下，单晶硅的生产工艺也在不断发展和完善，以满足不同领域的需求。
3单晶硅制备工艺
抽真空
1、检查通水情况正常后，才能启动机械泵。循环水压力0.2-0.25MPa。 2、启动泵时，需点动两、三次后，再开泵。真空阀必须慢慢20%40%，保持约1分钟左右后，再完全打开。不经点动直接开泵和过快地 打开球阀都是错误的操作方法。 3、真空度优于1Pa以内，才能开始检漏，泄漏率低于0.5Pa/5分钟，方 可通气加热。 4、通氩气: 通气压力0.5 MPa，氩气流量40L/min，炉压1000-1200。 根据 具体的工艺要求，这三项参数可在以下范围内进行调整： 通气压力0.25-0.65 MPa，氩气流量20-50 L/min，炉压600-3000Pa。
清理炉膛注意事项：
1、 拿石墨件的时候必须戴上线手套，严禁赤手接触。使用吸尘管道 时，要注意防止管道被烫化在石墨件上。石墨件较烫时，不能 戴薄膜手套。 2、 所有石墨器件必须彻底打扫干净。干净的标准是：容易拿出来的 石墨部件：导流筒、上下保温盖、副保温筒、三瓣埚、石墨埚 托，必须打扫到全部露出石墨的本色，特别是不能留有黄色的 挥发物。不容易拿出来的石墨件：加热器、主保温筒、炉底护 盘等，在大清的时候打扫，仍然要求打扫到露出石墨的本色。 3、 所有炉子内壁打扫干净，不能留有任何挥发物。包括副室炉筒、 两个抽气口、主窥视孔。 4、 在进行以上打扫时，必要时可以使用砂纸打磨。凡是用砂纸打磨 过的地方，最后必须清理干净。 5、 每隔8炉左右对炉子进行一次大清。大清范围：所有石墨件；炉 膛内壁；真空管道
母合金
拉制一定型号和电阻率的硅单晶，要选用适当的惨杂 剂。五族元素常用作单晶硅N型掺杂剂，主要有磷、 砷、锑。三族元素常用作单晶硅P型掺杂剂，主要有 硼、铝、镓。 所谓母合金就是杂质元素与硅的合金。常用硅磷和硅 硼两种，杂质浓度一般大于1018原子/CM3。
单晶硅生产工艺[资料]
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单晶硅生产工艺[资料]单晶硅生产工艺单晶硅生产工艺一、单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
单晶硅圆片按其直径分为 6 英寸、8 英寸、12 英寸(300 毫米)及 18 英寸(450 毫米)等。
直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。
但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。
单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。
直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。
直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
目前晶体直径可控制在Φ3~8 英寸。
区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。
目前晶体直径可控制在Φ3~6 英寸。
外延片主要用于集成电路领域。
由于成本和性能的原因，直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广。
在 IC 工业中所用的材料主要是 CZ 抛光片和外延片。
存储器电路通常使用 CZ 抛光片，因成本较低。
逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在 IC 制造中有更好的适用性并具有消除 Latch,up 的能力。
单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。
单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过 2000 亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及 99%以上的集成电路用硅。
二、硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。
日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。
中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为 2.5、3、4、5 英寸硅锭和小直径硅片。
单晶硅的工艺流程
单晶硅的工艺流程
单晶硅是一种非常重要的半导体材料，广泛用于制造太阳能电池、集成电路等高科技产品中。
下面将介绍单晶硅的工艺流程。
单晶硅的制备主要分为以下几个步骤：
1. 矽源材料准备：以石英为主要原料，经过破碎、洗涤等工艺处理，得到高纯度的二氧化硅（SiO2）粉末。
2. 熔融石英：将高纯度二氧化硅粉末与硼酸、陶瓷颗粒等添加剂混合，装入石英坩埚中，通过高温熔化形成熔池。
3. 制取单晶种子：在石英坩埚上方的熔池表面，引入单晶硅种子棒。
种子棒通过旋转和升降动作，让熔池中的熔液附着在棒上，形成单晶硅颗粒。
4. 拉扩晶体：通过旋转、升降等运动，将单晶硅颗粒逐渐拉伸并扩展成一根完整的晶体。
在这个过程中，需要控制温度、引入定向凝固等技术，以保证晶体的纯度和结构完整性。
5. 切割晶体：将拉扩出的单晶硅晶体切割成片，通常使用金刚石锯片进行切割。
切割后的晶片称为硅片。
6. 表面处理：将硅片进行表面处理，通常使用化学气相沉积（CVD）等技术，对表面进行清洁、极细加工等处理，以便
后续工序的制造需要。
7. 清洗和检测：对硅片进行严格的清洗和检测，确保硅片的质量和性能指标符合要求。
涉及的检测项目包括晶格缺陷、杂质浓度、电阻率、表面平整度等。
8. 制作器件：根据具体需求，将硅片制作成太阳能电池、集成电路等不同的器件。
这些器件的制作过程包括光刻法、离子注入、扩散等工艺步骤，具体流程根据不同的器件类型而有所不同。
以上就是单晶硅的主要工艺流程。
通过以上工艺步骤的连续进行，我们可以得到高质量的单晶硅材料，并在此基础上制造出各种半导体器件，推动信息技术、能源等领域的发展进步。
单晶硅棒拉制工艺流程
单晶硅棒拉制工艺流程一、单晶硅生产1. 原料准备：将高纯度的二氧化硅颗粒和氧气置于石棉炉中进行还原反应，生成高纯度的硅气体SiH4。
2. 气相沉积：将SiH4气体输送至石棉炉中，通过化学气相沉积(CVD)的方法，在高温环境下使得硅原子逐渐沉积在单晶硅硅片上。
3. 晶体生长：通过将硅片置于高温石棉炉中，使其逐渐形成单晶体。
4. 切割：将单晶硅片切割成小块，供后续的拉丝工艺使用。
二、单晶硅条准备1. 清洗：将单晶硅块进行去除表面杂质的清洗处理，以保证后续工艺的纯净度。
2. 熔融：通过将分别混合硅块放入石棉炉中进行高温熔融，使硅块达到适当的液态状态。
3. 拉丝：将熔融的硅块通过拉丝机械拉制成细长的单晶硅条。
4. 弯曲：将拉制的单晶硅条进行适当的弯曲处理，保证后续加工的顺畅性。
三、单晶硅棒拉制1. 大气氧化：将单晶硅棒通过高温处理和氧化处理，使其表面形成硅氧化物保护层，以防止外界杂质对单晶硅的影响。
2. 涂覆液位控制：将单晶硅棒通过涂覆技术进行表面处理，以保证拉制过程中的精确控制。
3. 加热处理：将硅棒通过加热处理，使其达到适当的软化状态，以便后续的拉丝工艺。
4. 拉丝：将加热处理后的硅棒通过拉丝机进行拉制，并且在拉制过程中不断调整温度和拉力，以保证拉丝的顺利进行。
5. 晶棒抽拉：将拉制后的硅棒进行顶部拉制，使得硅棒逐渐变细，同时保证拉制的均匀性和纯净度。
6. 切割：将拉制好的单晶硅棒进行适当的切割，得到符合要求的单晶硅片。
四、单晶硅棒清洗和包装1. 清洗：将单晶硅片进行去除表面杂质的清洗处理，以保证其最终产品的纯净度。
2. 检测：对清洗后的单晶硅片进行严格的质量检测，确保产品的质量和规格符合要求。
3. 包装：对通过检测的单晶硅片进行适当的包装，并进行标签贴标，以便产品的追踪和管理。
以上就是单晶硅棒拉制工艺流程的详细步骤，通过这些步骤，我们可以得到高质量的单晶硅产品，满足各种行业的需求。
单晶硅和多晶硅的制作工艺
单晶硅和多晶硅的制作工艺
单晶硅和多晶硅的制作工艺主要包括以下步骤：
单晶硅的制作工艺：
提纯：从石英砂中提炼出冶金级硅，并将其提纯和精炼，以去除杂质。
拉晶：使用单晶硅生长炉，通过直拉法生产单晶棒。
滚磨：采用外圆磨床滚磨外径，以获得精确的硅片直径。
切片：使用切割机将晶棒切割成一定厚度的薄晶片。
倒角：采用倒角机增加硅片边缘机械强度，减少颗粒沾污。
研磨：使用双面研磨机，去除硅片表面损伤层并达到微米级别的平整度。
抛光：使用抛光机将硅片表面达到纳米级别的平整度。
最终检测：使用检测设备来检测成品的尺寸和电学性能等是否达到预期。
多晶硅的制作工艺：
铸锭：由石英砂加工的冶金级硅精炼而来，先被铸成硅锭。
切片：将硅锭切割成片，从而加工成多晶硅硅片。
请注意，多晶硅也可作为生产单晶硅的原料。
单晶硅生产工艺流程图
单晶硅生产工艺流程图单晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光伏等领域。
单晶硅的生产工艺流程十分复杂，需要经过多道工序才能得到高纯度的单晶硅产品。
下面将详细介绍单晶硅生产的工艺流程图。
1. 原料准备。
单晶硅的生产原料主要是二氧化硅，通常采用石英砂作为原料。
首先需要对石英砂进行粉碎、洗涤等处理，以去除杂质和提高纯度，得到符合要求的原料。
2. 熔炼。
将经过处理的石英砂放入熔炉中进行熔炼，加入适量的碳素材料作还原剂，通过高温熔炼使石英砂融化成液态硅。
在熔炼过程中，需要控制温度、气氛等参数，以确保熔炼得到的硅液纯度高、成分均匀。
3. 晶体生长。
将熔融的硅液逐渐冷却，形成硅棒。
然后利用拉棒法或者悬浮区法等方法，将硅棒逐渐拉长，形成单晶硅棒。
在晶体生长过程中，需要严格控制温度梯度和拉速，以获得高质量的单晶硅。
4. 切割。
将生长好的单晶硅棒进行切割，得到符合要求尺寸的硅片。
切割过程需要考虑硅片的厚度、表面质量等因素，确保切割得到的硅片质量良好。
5. 清洗。
对切割得到的硅片进行清洗，去除表面的污染物和杂质。
清洗过程通常包括酸洗、碱洗、去离子水清洗等步骤，以确保硅片表面干净。
6. 晶圆制备。
将清洗好的硅片进行化学机械抛光，得到表面光滑、平整的硅片，即晶圆。
晶圆制备过程需要控制抛光厚度、表面粗糙度等参数，以满足半导体制造的要求。
7. 掺杂和扩散。
对晶圆进行掺杂和扩散处理，改变硅片的电学性质。
掺杂通常采用离子注入或者热扩散的方法，使硅片形成P型或N型半导体材料。
8. 沉积。
在晶圆表面沉积一层绝缘层或金属层，用于制作电子器件的绝缘层或导线。
沉积过程通常采用化学气相沉积或物理气相沉积的方法。
9. 光刻。
利用光刻技术，在晶圆表面覆盖一层光刻胶，然后通过光刻机将图案投影到光刻胶上，形成光刻图案。
光刻图案用于制作电子器件的导线、晶体管等结构。
10. 腐蚀和离子注入。
利用腐蚀技术，去除光刻图案未覆盖的部分材料，形成电子器件的结构。
单晶生产工艺流程
单晶生产工艺流程
单晶的生产工艺流程包括以下几个步骤：
1.提纯原料：为了得到高纯度的多晶硅，需要将硅石与碳质还原剂进行高温还原，得到粗硅。
2.制备多晶硅：将粗硅进一步提纯，得到高纯度的多晶硅。
3.拉制单晶：将高纯度的多晶硅放入单晶炉中，加热至熔化，然后通过控制温度、压力等参数，使硅液逐渐
结晶成单晶硅棒。
4.加工处理：将单晶硅棒进行切割、研磨、抛光等加工处理，得到符合要求的单晶硅片。
5.品质检测：对单晶硅片进行各种品质检测，如尺寸、厚度、翘曲度、电阻率等，确保产品符合要求。
6.包装出货：将合格的单晶硅片进行包装，然后出货给客户。
以上是单晶生产工艺流程的大致步骤，具体操作可能会因生产设备、工艺参数等因素而有所不同。
单晶硅的生产过程
单晶硅的生产过程单晶硅是目前最为常用的太阳能电池材料之一，其生产过程包括原料准备、炼铁、冶炼、副产品处理、净化、晶体生长、切割、清洗和包装等几个关键步骤。
首先，原料准备是单晶硅生产的第一步。
原料主要有矽石、石英粉、木炭和盐酸等。
其中，矽石是含有二氧化硅的矽矿石，经过破碎、研磨和筛分等处理，将其制成细粉末。
接下来是炼铁过程。
将铁矿石经过冶炼，得到纯净的铁水。
在冶炼过程中，使用高温燃烧炉将铁矿石、焦炭和石灰石等原料一起煅烧，得到铁水。
然后是冶炼过程。
将炼铁得到的铁水与硅粉末和木炭等原料一起加热，使其反应生成硅单质。
这个过程采用的是湿法冶炼，即将原料混合后在高温、高压条件下进行反应，得到的是气态的三氯化硅。
副产品处理是单晶硅生产过程中的一个步骤，主要是指对副产品进行处理。
在冶炼过程中，除了得到气态的三氯化硅外，还会产生其他副产品，如氯化铁、硅酸等。
这些副产品需要经过特殊的处理和回收利用。
净化是单晶硅生产中的一个关键过程，主要是为了去除气态三氯化硅中的杂质。
在净化过程中，将气态三氯化硅经过冷凝、洗涤等步骤，将其中的杂质去除，得到较为纯净的硅气体。
晶体生长是单晶硅生产的核心过程。
在晶体生长过程中，通过将纯净的硅气体放置在一定条件下，利用温度差和化学反应，使硅气体逐渐凝固成为纯净的单晶硅。
这个过程需要严格的温度和湿度控制，以及特殊的设备和工艺。
切割是将生长好的单晶硅切割成合适的大小，以便用于太阳能电池等器件生产。
切割过程中，通过使用切割设备，如钢丝锯或激光切割等，将单晶硅锯成较薄的片状。
清洗是为了保证最终产品的干净和纯净，主要是将切割好的单晶硅片进行清洗。
清洗过程中，通过使用酸洗、去离子水等方法，将表面的杂质和污染物去除，以便后续工艺的进行。
最后是包装过程。
将清洗好的单晶硅片进行包装，以便运输和使用。
通常情况下，单晶硅片会被放置在塑料袋或泡沫盒中，然后放入箱子中进行包装。
总之，单晶硅的生产过程包括原料准备、炼铁、冶炼、副产品处理、净化、晶体生长、切割、清洗和包装等多个环节。
单晶硅生产工艺
单晶硅生产工艺单晶硅生产工艺一、单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
单晶硅圆片按其直径分为 6 英寸、8 英寸、12 英寸（300 毫米）及 18 英寸（450 毫米）等。
直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。
但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。
单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。
直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。
直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
目前晶体直径可控制在Φ3~8 英寸。
区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。
目前晶体直径可控制在Φ3~6 英寸。
外延片主要用于集成电路领域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。
在 IC 工业中所用的材料主要是 CZ 抛光片和外延片。
存储器电路通常使用 CZ 抛光片，因成本较低。
逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在 IC 制造中有更好的适用性并具有消除 Latch－up 的能力。
单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。
单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过 2000 亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及 99%以上的集成电路用硅。
二、硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。
日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。
中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为 2.5、3、4、5 英寸硅锭和小直径硅片。
简述直拉法制备单晶硅棒的工艺流程
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单晶硅棒生产工艺流程
单晶硅棒生产工艺流程单晶硅棒是半导体材料中的重要组成部分，广泛应用于电子、光电子、太阳能等领域。
本文将介绍单晶硅棒的生产工艺流程。
1. 原料准备单晶硅棒的制备主要原料是高纯度的硅源材料，通常为硅金属。
硅金属经过精细选矿、精炼等工艺步骤，得到纯度高达99.9999%以上的多晶硅块。
2. 多晶硅块制备多晶硅块是单晶硅棒的前体材料。
多晶硅块的制备主要通过化学气相沉积法或熔融法。
•化学气相沉积法：将硅源材料在高温下与气体反应，生成气相中的单质硅，然后在合适的载体上沉积形成多晶硅块。
这种方法制备的多晶硅块纯度高，晶界清晰，适用于制备高质量的单晶硅棒。
•熔融法：将硅源材料加热至高温熔化，然后缓慢冷却形成多晶硅块。
这种方法制备的多晶硅块晶界不够清晰，纯度相对较低，适用于生产一般质量要求的单晶硅棒。
3. 钨舟片的准备钨舟片是单晶硅棒制备过程中用于承载硅源材料的重要工具。
钨舟片的制备包括以下步骤：•钨化处理：将碳化钨粉末与粘结剂混合后，涂覆在合适的基材上，经过高温处理形成钨化合物，提高其耐高温性能。
•钨舟片成型：将钨化处理后的基材加工成适合的形状和尺寸，用于承载多晶硅块和硅源材料。
4. 单晶生长设备与工艺单晶硅棒的制备主要依靠单晶生长设备，常见的包括Czochralski法和区域熔融法。
•Czochralski法：将多晶硅块放入石英坩埚中，加热至高温后，通过控制单晶硅棒形成界面的温度梯度，使多晶硅块熔化并通过慢速拉升形成单晶硅棒。
•区域熔融法：将多晶硅块放入石英坩埚中，通过将一个小区域加热至高温使其熔化，然后通过拉伸来形成单晶硅棒。
该方法适用于大直径单晶硅棒的制备。
5. 单晶硅棒的切割与加工制备得到的单晶硅棒需要经过切割与加工工艺，得到特定尺寸和形状的硅片，以用于后续的半导体器件制备。
常见的切割与加工工艺包括：•硅棒切割：使用金刚石切割盘将单晶硅棒切割成薄片，通常厚度为数百微米到几米。
•抛光：通过机械研磨和化学抛光等工艺，将切割得到的硅片进行表面处理，获得光滑的表面。
单晶硅的制造工艺流程
单晶硅的制造工艺流程一、原料准备。
1.1 硅石的选取。
咱单晶硅制造啊，首先就得选好原料。
这硅石可不是随便抓一把就行的。
得找那种纯度比较高的硅石，就像找对象似的，得精挑细选。
那些杂质太多的硅石啊，就像“歪瓜裂枣”，是不能要的。
这硅石可是整个单晶硅制造的基础，基础打不好，后面就都是白搭。
1.2 硅石的提纯。
选好硅石后，就得进行提纯。
这就好比给一块璞玉进行雕琢，得把那些杂质都去除掉。
提纯的方法有不少，像化学提纯之类的。
这个过程就像是给硅石来一场“大清洗”，把那些不该有的东西都赶走，让硅石变得纯净起来。
二、多晶硅的制备。
2.1 反应过程。
有了提纯后的硅石，接下来就是制备多晶硅。
这个过程就像是一场神奇的化学魔术。
把硅石和一些其他的物质放在一起反应，就像把各种食材放在一起烹饪一样。
在特定的温度、压力等条件下，让它们发生反应，产生多晶硅。
这时候的多晶硅啊，就像是一群刚刚集结起来的小士兵，虽然还不是我们最终想要的单晶硅，但也是很重要的一步。
2.2 多晶硅的精炼。
多晶硅生产出来后，还得进行精炼。
这精炼就像是给小士兵们进行严格的训练，把那些还不够好的地方再完善一下。
去除里面残留的杂质，让多晶硅的纯度更高。
这就好比打铁还需自身硬，多晶硅自身纯度高了，才能更好地进行下一步转化为单晶硅的过程。
三、单晶硅的生长。
3.1 直拉法。
说到单晶硅的生长方法，直拉法是很常用的一种。
想象一下，就像从一锅浓汤里把最美味的那块肉挑出来一样。
把多晶硅放在一个特殊的坩埚里，加热到熔化状态，然后用一个籽晶慢慢拉出来。
这个过程就像是从母体里孕育出一个新生命一样神奇。
籽晶就像是一个种子，在合适的条件下，单晶硅就围绕着这个种子慢慢生长起来。
3.2 区熔法。
还有区熔法来生长单晶硅呢。
这方法也有它的独特之处。
就像是给一块布料进行局部的精细加工一样。
通过局部加热多晶硅，让硅进行熔化和结晶，一点点地形成单晶硅。
这个过程需要精确的控制，就像走钢丝一样，容不得半点马虎，不然长出来的单晶硅质量就不行了。
单晶硅生产工艺
单晶硅生产工艺
单晶硅（monocrystallinesilicon）是一种由单个晶体组成的非常精细的化学物质，由大量硅原子分子组成，因其自身高度稳定的性能，常用于工业生产中。
本文着重介绍单晶硅的生产工艺。
首先，该过程的原料需要是芯片级别的硅，可以是片状的硅或者粉末状的硅，或者可以是事先在实验室制备好的粉末。
接着，将这些原料放入壳体中，即实验室中特制的高纯硅和高纯碳混合物，采用低萃取技术，利用温差控制熔融硅和碳的形成，最后将整个晶体从容器中剥离出来。
然后，该工艺的下一步是成形加工，该过程需要采用电铸技术，将晶体模具固定在电源上，加热晶体，即将高温下的晶体加温至设定温度，加热时间根据晶体的尺寸确定。
最后，将晶体从模具中倒出，将晶体形状成所需要的尺寸，完成该加工过程。
最后，单晶硅生产工艺还需要做一系列的终检，该步骤是单晶硅生产过程中必不可少的环节，在终检过程中需要检测单晶硅的硅度，表面的品质，厚度和尺寸等检测指标，为确保最终的单晶硅质量，终检过程必须严格按照规定进行。
总而言之，单晶硅生产工艺需要经历多个步骤，首先根据单晶硅的需求制备原料，其次采用低温技术将晶体分离出来，然后需要经过成形加工的步骤，最后是一系列的终检步骤，确保生产出的单晶硅质量。
单晶硅生产过程中，加工技术和终检要求都是十分严格的，对于如何正确的生产出高纯度的单晶硅，确保生产产品质量，是遵循高标
准的过程中必须实行的。
以上就是单晶硅生产工艺的介绍，单晶硅在工业生产中得到广泛应用，它的生产工艺也是复杂而又繁琐的，要求生产者严格按照生产要求和终检指标，实行高精度的生产，以确保生产产品的质量。
第四五讲-单晶硅制备
坩埚
单晶炉中所使用的坩埚，由石英坩 埚和石墨坩埚两种。石英坩埚放置 在石墨坩埚中，多晶硅原料放置在 石英坩埚中。
导流筒
导流筒主要是用来隔断热场内部 和外部，使外部的温度大大小于 内部，从而起到加快单晶拉速的 作用，同时也起到导流的作用。
加热器
加热器连接石墨电极，石墨电极连 接炉体电极。电流通过电极传到加 热器，并利用电流穿过加热器所产 生的热量，达到熔融多晶硅和持续 提供热量的作用。
拉晶过程中的保护气流
2、利用热场形成温度梯度 热场（hot zone)是由高纯石墨部件和保温材料（碳毡）组成。 ➢ 石墨加热器：产生热量，熔化多晶硅原料， 并保持熔融硅状态；
➢ 石墨部件：形成氩气流道，并隔离开保温 材料；
➢ 保温材料：保持热量，为硅熔液提供合适 的温度梯度。
单晶热场温度分布
3 晶转、晶升、埚转和埚升
4、 石英坩埚
两个检查步骤
主要检查事项： ➢ 1未熔物； ➢ 2白点和白色附着物； ➢ 3杂质（包括黑点）； ➢ 4划伤和裂纹； ➢ 5气泡； ➢ 6凹坑和凸起； ➢ 7坩埚重量。
1 未熔物：不允许有未熔物存在；
2 白点数量：
Item 22′
>13.0mm 0
6.0~13.0mm 2
3 黑点数量：
这是指正晶向的情况。如果籽晶的晶向偏高度较大，或者 安装固定籽晶时发生了较大偏 离，生长出来的单晶，对称 性就差一些，相邻棱线之间的夹角有宽有窄，不但影响成 晶率，均匀性变差，晶向偏离大，切片也受影响。
单晶炉拉晶籽晶
规格 直径（mm） 长度(mm) 位错 晶向偏差
方籽晶 圆籽晶
10×10或 12×12
3 、自动控制
1 ）温度自动控制
单晶硅片制作流程
单晶硅片制作流程1.硅矿采矿和选矿：通过采矿从地下或露天矿山中取得含有硅的矿石，然后进行选矿，去除其中的杂质和次要元素。
2.冶炼：将选矿后的硅矿经高温还原反应，与还原剂（如焦炭）一起放入电炉中进行冶炼。
在高温下，硅矿会与还原剂结合生成纯度较高的金属硅。
3.提纯：通过化学或物理方法将金属硅继续提纯。
常见的提纯方法有溴化法、三氯化法和氯化氢法等。
其中，溴化法是最常用的提纯方法。
在溴化法中，将金属硅与液态溴反应，可以去除残留的杂质。
4.原料配置：将提纯后的金属硅与适量的引红剂、氧化剂和其他金属掺杂剂混合，配置出成为单晶硅生长的原料。
5.晶体生长：在晶体生长炉中，将原料配置池中的硅熔池恒温保持在高温，利用自动控制系统控制硅熔池的浓度和温度。
然后，在熔池的表面引入一个硅碘化物源，通过制备成形、吹制或挤压等方式，将熔池中的硅熔液拉出一根硅棒，该棒为自然形状。
6. 切割：将生长出来的硅棒根据晶片所需的厚度进行切割。
常见的切割方法是采用金刚石锯片，将硅棒切割成厚度约为0.3-0.5mm的硅片。
7.清洗：将切割好的硅片进行清洗处理，以去除表面的杂质和污染物，并保证硅片的纯度和表面质量。
清洗过程一般涉及酸洗、碱洗和水洗等环节。
8.表面处理：对清洗后的硅片进行表面处理，如陶瓷涂层、抛光和蚀刻等。
这些处理可以改善硅片的光学性能和机械性能。
9.检测和测试：对制作好的单晶硅片进行完整性检测和性能测试。
常见的测试项目包括厚度测量、表面平整度检测、光学透过率测量、电性能测试等。
10.打包和出货：将通过检测合格的单晶硅片进行分类和打包，然后出货给下游客户或应用领域，如半导体行业、太阳能行业等。
以上是单晶硅片制作的主要流程，整个过程需要精细和严格的控制，以确保单晶硅片的纯度和质量。
不同的厂家和生产工艺可能会有一些细节上的区别，但整体上流程是基本相同的。
单晶硅生产工艺流程
单晶硅生产工艺流程单晶硅是一种用途广泛的材料，被广泛应用于太阳能电池、半导体器件和光学传感器等领域。
单晶硅的生产工艺流程主要包括硅源净化、单晶生长、切割加工和磨光等步骤。
下面将详细介绍单晶硅的生产工艺流程。
第一步：硅源净化单晶硅的生产以多晶硅为原料。
多晶硅经过净化步骤，去除杂质，得到高纯度的硅块。
常用的硅源净化方法有氯化法和转炉法。
氯化法是最常用的方法之一，先将多晶硅切割成块状，然后放入氯气或氧氯化氢气氛中，在800°C至1000°C的温度下发生氯化反应，将杂质与氯化气体形成挥发物，从而净化硅源。
转炉法是另一种常用的方法，多晶硅块放入高温转炉中，在高温下加热，挥发出杂质和杂质气体。
这种方法适合生产大尺寸的硅块。
第二步：单晶生长净化后的硅块通过单晶生长技术，实现从多晶到单晶的转化。
目前主要的单晶生长技术有区熔法和悬浮液法。
区熔法是最早被广泛采用的方法。
它的原理是将净化后的硅块放入石英坩埚中，通过电阻加热使硅块熔化，然后通过缓慢降温和控制升温速率使硅块逐渐结晶为单晶。
悬浮液法是一种比较新的单晶生长技术。
将净化后的硅块放入铂铱舟中，然后将硅块悬浮在熔融的硅溶液中，通过控制溶液的温度和降温速率，使硅溶液晶化为单晶。
第三步：切割加工生长出来的单晶硅块经过切割加工，将其切割成适合使用的片状。
切割加工的主要方法是钻石线锯切割法。
通过涂覆金刚石磨损料的钢丝锯线，在涂有磨损料的锯片的帮助下，将单晶硅块切割成薄片，这些薄片被称为硅片。
硅片的厚度（也称为片厚）通常为200至300微米，但也可以根据具体应用需求进行调整。
第四步：磨光在切割成薄片后，硅片还需要进行磨光，以使其表面平整度达到要求。
硅片磨光的主要目的是去除切割过程中产生的缺陷和凹凸不平，使硅片表面能够达到洁净、光滑且平整的要求。
磨光过程分为粗磨、中磨和精磨。
常用的磨光方法包括化学机械研磨（CMP）、机械磨光（lapping）和抛光（polishing）等。
单晶硅生长的工艺流程
单晶硅生长的工艺流程
单晶硅生长的工艺流程主要包括以下几个步骤：
1. 制备硅单晶种子
将高纯度多晶硅加热至熔点，使其中的杂质浮起，用特殊的设备从上端抽取到纯净的硅熔体，然后使用旋转器旋转并拉扯出来，即可得到具有较高晶格定向性的硅单晶种子。
2. 准备硅熔体
在特殊的反应炉中，将硅石和氧化铝等原料加入到高温高压的反应环境中，使它们发生互相作用，生成硅熔体。
3. 单晶硅生长
将硅单晶种子放入硅熔体中，并逐渐上升和旋转，依次凝固、生长出单晶硅，这个过程被称为“拉曼”过程。
同时，通过恰当的加热和冷却控制，可以获得所需的硅单晶形态和尺寸。
4. 硅单晶切成片
将生长好的硅单晶锯成晶片，用于制备太阳能电池和其他半导体器件。
5. 优化和制备半导体器件
对硅单晶晶片进行表面抛光、清洗等处理，采用化学蚀刻、光刻、离子注入、渗透等工艺优化晶体结构，然后通过印刷、焊接、封装等过程制备成各种半导体器件。
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母合金
拉制一定型号和电阻率的硅单晶，要选用适当的惨杂 剂。五族元素常用作单晶硅N型掺杂剂，主要有磷、 砷、锑。三族元素常用作单晶硅P型掺杂剂，主要有 硼、铝、镓。 所谓母合金就是杂质元素与硅的合金。常用硅磷和硅 硼两种，杂质浓度一般大于1018原子/CM3。
石英坩埚
石英坩埚是单晶制备过程中熔硅的容器，有透明和不 透明之分，均为Si02制成。 石英坩埚要求:薄厚均匀一致，内壁光滑无气泡。泡、 黑点，纯度高。
第四节 拉晶过程
一：清炉 二：装料 三：抽空 四：熔化硅 五：引晶 六：缩颈 七：放肩与转肩 八：等直径生长和收尾 九：停炉
清炉
1、穿戴好劳保防护用品，认真阅读交接班记录，准备好拆炉工具。检查电控柜， 确认各开关处于关闭状态后，才能送电控柜电源。拆炉前先查看真空度并作记录。 2、停加热6-8小时后，才能充气拆炉。充气前先拧松副室门螺栓。充气完后，打 开副室门，提升晶体。 3、在晶体下方摆放好取晶框后，撤掉防护木板或托晶盘，然后降下晶体，晶体离 取晶框底部还有3-5mm距离时，停止下降，严禁使晶体接触到取晶框（会导致上 轴钢丝绳因跳槽而损坏）。剪断细颈前，一人扶住取晶框，另一人用手抓住重锤 或连杆（禁止抓籽晶），然后剪断细颈；剪断细颈后逐步释放重锤，控制好重锤 的旋转和晃动，防止钢丝绳跳槽或籽晶磕碰损伤。 4、戴上高温隔热手套，将导流筒、保温盖取出冷却。将废石英、埚底料取出，然 后将三瓣石墨埚取出冷却。最后再将主室炉筒升起到最高位，然后旋转出来（离 开热系统）。 5、拆开抽空管道上的盲板，清洗管道内的挥发物。清洗完成后，装盲板时，注意 将密封处擦干净,密封圈装好。
绝缘体 导体 半导体
电子能量 导带
电子能量
电子能量 导带 禁 带
禁 带 价带
带导 重叠能带 价带
价带
绝缘体 导体 半导体 价电子分布于价带内，价带与导带之间存在一个禁带宽度，禁带宽度具有很高的能级而产生一 个禁带（通常大于2eV）是绝缘体。 价带与导带重叠，电子移动只需要很小的能量，是导体。介于绝缘体与导体之间的禁带能级， 就是半导体。硅的禁带宽度是1.12eV，半导体的禁带宽度处于中等程度。
抽真空
1、检查通水情况正常后，才能启动机械泵。循环水压力0.2-0.25MPa。 2、启动泵时，需点动两、三次后，再开泵。真空阀必须慢慢20%40%，保持约1分钟左右后，再完全打开。不经点动直接开泵和过快地 打开球阀都是错误的操作方法。 3、真空度优于1Pa以内，才能开始检漏，泄漏率低于0.5Pa/5分钟，方 可通气加热。 4、通氩气: 通气压力0.5 MPa，氩气流量40L/min，炉压1000-1200。 根据 具体的工艺要求，这三项参数可在以下范围内进行调整： 通气压力0.25-0.65 MPa，氩气流量20-50 L/min，炉压600-3000Pa。
熔化硅
手动方式：用一个小时的时间，均匀的分三次将功率加到最高 功率95kw。在高温的前两个小时内，可适当的再升高功率到95100 kw之间，以便尽快的把料烘跨，防止挂边、架桥、溅料。 自动方式：检查熔化参数，投自动化料一旦料已经跨下，并且 没有挂边的危险时，要及时的将功率降低到90-95 kw之间，过 高的化料功率不利于成晶。在料全部熔完之前，还剩余少量小 料块时，适当预降功率到60-70 kw之间，以防止跳料，减少每 一个化料步骤的时间。
2.单晶硅的概念
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶 核，如果些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结 合起来便结晶成单晶硅。
3 单晶硅的生长
单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔 法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法 生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电 路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制 在Φ 3~12英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件 领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电 一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电 路领域。
第二节:备料
1 .多晶硅 2 .籽晶 3 .母合金（掺杂剂） 4 .石英坩埚
多晶硅
生长直拉单晶硅所用的高纯多晶硅原料必须符合的条件： 结晶致密、金属光泽好、断面颜色一致，没有明暗的温度圈和氧化夹层，纯度要 求高。 多晶硅分级技术标准
等级 基磷含量/ ㎝3 基磷电阻Ωcm 优级 1*1013 ≥450 一级 1.5*1013 ≥300 二级 3*1013 ≥150 三级 7.5*1013 ≥60 等外 4.6*1014 ≥10
引晶
一、预热籽晶 下降籽晶到液面3~5毫米预热两到三分钟。 二、合适的引晶温度 与溶液接触后，籽晶周围出现一片白色结晶，而其越来越大，温度偏低，应立即升温。 与溶液接触后，籽晶周围马上出现光圈，而且籽晶也熔硅的接触越来越小，光圈抖动厉害， 温度偏高，立即降温。 温度过高的情况出现有两种可能： 1、实际加热功率偏高，应适当降低加热功率 2、由于熔硅和加热器保温系统热惰性引起的 合适的引晶温度是籽晶和熔硅接触后，籽晶周围逐渐出现光圈，最后光圈变圆。 这种方式是 用经验和现象来判断引晶温度。 三、判断是否是单晶 熔接好后，缓慢提拉籽晶。晶体出现三个均匀分布的白点为（111）晶向单晶，出现四个对 称分布的白点为（100）晶向单晶，或两个对称分布的白点为（110）晶向单晶。 四、原理：籽晶相当于在硅熔体中加入了一个定向晶核，使晶体按晶核的晶向定向生长，制 得所需晶向的单晶。同时晶核使晶体能在过冷度较小的熔体中生长，避免自发晶核的形成。
基硼含量/ ㎝3 基硼电阻Ωcm
2.6*1013 ≥4500
5*1013 ≥2600
8.5*1013 ≥1500
1.1*1014 ≥1000
4.0*1014 ≥30
原料腐蚀酸配比及腐蚀时间
名称 还原多晶硅 回炉多晶硅 籽晶 酸配比(HF:HNO3) 1：6~1：7 1：5~1：7 1：6~1：7 说明 腐蚀液侵没多晶硅，搅拌时不外露即可，冒出 大量棕黄色气体NO2时，用高纯水冲洗 同上 旧籽晶如有氧
① 加热器石墨螺钉是否紧固。 ② 托杆与下轴连接是否稳固、对中。 ③ 确认石墨埚托及三瓣埚是否完好可用。 ④ 托杆和石墨埚托、石墨埚托与三瓣埚 托 之间的止口连接必须吻合良好：作到 旋转滑动自如。
装料
1、检查所备多晶料及母合金与报告单相符后，才能开始装料。 2、戴好薄膜手套检查石英坩埚问题（破损、裂纹、气泡、黑点） 后，将坩埚放入三瓣石墨埚内，尽量装水平。装坩埚时要防止将 坩埚外壁的石英渣子带入埚内。 3、装好坩埚，须另换薄膜手套后，才能装料。 4、装料的原则，从纵向来说，小块的料放在坩埚底部；最大块的 料放中部，中等大小的料放在最上面；从径向来说，大块的放在 四周，小块的放在中心。必要时，要把大块的料敲小，尽量利用 好埚内空间，否则到最后可能料装不下。 5、中下部门的料可以装得紧凑些并且贴近埚壁，但应该是自然堆 砌，而不是硬挤。上部的料块，仍可轻轻靠在埚壁上。
直拉单晶硅制备工艺
第一节：半导体硅的概念 第二节：备料 第三节：生长条件 第四节：拉晶过程 第五节：拉晶过程中的异常情况及处理 第六节：单晶硅的电阻率和掺杂计算 第七节：单晶硅的物理检测
为何选择硅？
1 硅的丰裕度 2 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 3 更宽的工作温度范围 4 氧化硅的自然生成 硅是地球第二丰富的元素，占到地壳成分的25﹪，硅能 够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的 成本。硅的熔点1416±4℃，更高的熔点使硅可以承受更 高的工艺，增加半导体的应用范围和可靠性。
第一节：半导体硅的概念
1.硅的物理性质; 硅的化学符号：Si 原子量：28 原子序号：14 熔点1416±4℃ 沸点3145℃ 晶体结构金刚石， 20℃固态密度：2.33g/㎝3 ，1420℃液态密度2.54 g/㎝3）， 电子迁移率1350±100㎝3，空穴迁移率:480±15㎝3 硅是四价元素，呈灰色，金属光泽，性质：脆弱， 比重较小，硬度较大。 2.硅是一种半导体材料，通常的工业硅不具备半导体性能，但当硅纯度 达到一定水平是就显示出优异的半导体性能。（提纯的意义） 3.晶体与非晶体 晶体:由原子、分子或离子在空间按一定规律排列组成空间排列具有周 期性和对称性。宏观性质：1 晶体具有规则的外形 2 具有一定的熔点 3 晶体各向异性 非晶体：没有固定熔点，各向同性。
注意：
1、减少料块与埚边的接触面积，以防止挂边； 2、在料块互相之间的相对位置方面，要预估 料块在跨料后，是否会架桥，然后进行相应的 调整； 3、装最上面部分时，小块的料不要靠在埚壁 上（挂上后难以被烤下）； 4、不论是上、中、下哪个部位，料块尖锐部 位不能直接对着坩埚壁。
6、装完料降坩埚时，注意不要超过下限（不是设备下限 位， 而是热场配时确定的安全下限），防止造成短路。 7、装导流筒时要戴上薄膜手套，以防手沾污多晶料及导流筒， 并且要避免导流筒撞上多晶料块。装好后要检查料块与导流筒 之间的距离，能否允许转动坩埚，不能转动的，要在交班本上 注明并口头向下一班交接。 8、检查无误后，擦净主炉室、副炉室密封面，合上炉盖，打 开副室门，关上闸板阀。用高速气流对副室（包括副室圆筒）、 籽晶、重锤等进行吹拂。籽晶夹头装到重锤上时不能拧得过紧， 整个拆炉、装料过程中，籽晶不能有任何磕碰、损伤，对是否 损伤有疑问时，应更换新籽晶。 9、装好并停稳籽晶后，关好副室门，抽空。
母合金
1：6~1：7
碎块容易氧化，腐蚀应缓慢
石英坩埚
1：10