半导体三极管及其放大电路练习及答案
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半导体三极管及其放大电路
一、选择题
1.晶体管能够放大的外部条件是_________
a 发射结正偏,集电结正偏
b 发射结反偏,集电结反偏
c 发射结正偏,集电结反偏
答案:c
2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________
a 发射结正偏,集电结正偏
b 发射结反偏,集电结反偏
c 发射结正偏,集电结反偏
答案:a
3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________
a 0.1V
b 0.5V
c 0.7V
答案:b
4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________
a 0.1V
b 0.3V
c 0.5V
答案:b
5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____
a 40
b 50
c 60
答案:c
6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________
a 越好
b 越差
c 无变化
答案:a
7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________
a 高
b 低
c 一样
答案:a
8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________
a 增大
b 减小
c 不变
答案:a
9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________
a 升高
b 降低
c 不变
答案:b
10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。
a 发射极
b 基极
c 集电极
答案:c
11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________
a 右移
b 左移
c 不变
答案:b
12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________
a 上移
b 下移
c 不变
答案:a
12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________
a 不变
b 减小
c 增大
答案:c
12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________
a 两者无关
b 有关
c 无法判断
答案:a
15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说确的是________
a 晶体管一定被烧毁
b 晶体管的PC=PCM
c 晶体管的β一定减小
答案:c
16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________
a 输入电阻
b 输出
c 电压放大倍数
答案:b
17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________
a NPN 型锗管
b PNP 型锗管
c PNP 型硅管
答案:b
18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________
a 处于饱和状态
b 放大状态
c 截止状态
d 已损坏
答案:c
19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________
a 同相
b 反相
c 相差 90 度
答案:b
20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真
a 饱和
b 截止
c 饱和和截止
答案:a
21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______
a 输入电阻太小
b 静态工作点偏低
c 静态工作点偏高
答案:c
23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______
a 输出功率
b 静态工作点
c 交流参数
答案:c
25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案:a
26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______
a 晶体管的电流放大系数太大
b 电源电压太高
c 晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案:c
27. 在放大电路中,直流负反馈可以 ________
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点
答案:c
28. 可以放大电压,但不能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案:c
29. 射极输出器无放大 _________ 的能力。
a 电压
b 电流
c 功率
答案:a
30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是 _______ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案:b
31. 与空载相比,接上负载后,放大电路的动态围一定_______
a 不变
b 变大
c 变小
答案:c
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kΩ的负载后输出电压降为3V,则此电路的输出电阻为_______
a 0.5kW
b 1kW
c 2kW
答案:b
35. 在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路。
a 阻容耦合
b 变压器耦合
c 直接耦合
答案:c