4三极管讲义及放大电路
第4章 三极管及放大电路基础1
与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数
扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
三极管及基本放大电路教案
三极管及基本放大电路教案课程名称：三极管及基本放大电路课程时长：2小时课程对象：高中物理学生教学目标：1.了解三极管的基本结构和工作原理。
2.理解三极管的放大特性和应用。
3.掌握基本放大电路的设计和计算方法。
教学准备：1.三极管和相关电路的实物模型。
2. PowerPoint演示文稿。
3.实验器材和电路板。
教学过程：Step 1: 引入（10分钟）a.向学生解释现在我们要学习的内容：三极管及其在基本放大电路中的应用。
b.显示三极管的实物模型，并解释它的基本结构。
c.引导学生思考：三极管是如何工作的？我们为什么要学习它？Step 2: 三极管的工作原理（20分钟）a. 使用PowerPoint演示文稿，详细解释三极管的工作原理，包括发射极、基极和集电极之间的关系。
b.引导学生观察示意图，并帮助学生理解电流流动的过程。
c.通过演示实物模型，展示三极管的工作原理。
Step 3: 三极管的放大特性（20分钟）a.解释三极管的放大特性，包括电压放大系数、电流放大系数和功率放大系数。
b.使用示意图和示波器显示放大效果，帮助学生更好地理解放大特性。
Step 4: 三极管基本放大电路设计（30分钟）a.介绍基本放大电路的种类，如共射放大电路、共基放大电路和共集放大电路。
b. 使用PowerPoint演示文稿和实物模型，逐步讲解这些电路的特点和设计方法。
c.通过示波器演示放大效果，让学生亲自动手设计和制作一个基本放大电路。
Step 5: 实验演示（20分钟）a.分发实验器材和电路板，组织学生进行实验演示。
b.引导学生观察实验现象，记录数据，并帮助学生分析实验结果。
Step 6: 总结与提问（10分钟）a.对本节课的内容进行总结，并再次强调三极管的重要性和应用。
b.提问学生关于三极管和基本放大电路的问题，并进行讨论。
课后作业：1.复习本节课内容，整理笔记。
2.阅读相关教科书内容，进一步理解三极管的工作原理和应用。
3.设计一个简单的基本放大电路，并计算电流和电压放大系数。
三极管及放大电路基础教案
三极管及放大电路基础教案章节一：三极管概述教学目标：1. 了解三极管的定义、结构和工作原理。
2. 掌握三极管的类型和符号。
教学内容：1. 三极管的定义：三极管是一种半导体器件，具有放大电信号的功能。
2. 三极管的结构：三极管由发射极、基极和集电极组成。
3. 三极管的工作原理：通过基极控制发射极和集电极之间的电流。
4. 三极管的类型：NPN型和PNP型。
5. 三极管的符号：NPN型三极管符号为“N”，PNP型三极管符号为“P”。
教学活动：1. 讲解三极管的定义、结构和工作原理。
2. 展示三极管的实物图和符号图。
3. 引导学生通过实验观察三极管的工作状态。
章节二：放大电路基础教学目标：1. 了解放大电路的定义和作用。
2. 掌握放大电路的基本组成和原理。
教学内容：1. 放大电路的定义：放大电路是一种通过反馈作用放大电信号的电路。
2. 放大电路的作用：放大微弱的信号，使其具有足够的功率驱动负载。
3. 放大电路的基本组成：电源、三极管、输入电阻、输出电阻和反馈电阻。
4. 放大电路的原理：通过三极管的放大作用，实现电信号的放大。
教学活动：1. 讲解放大电路的定义、作用和基本组成。
2. 展示放大电路的原理图和实际电路图。
3. 引导学生通过实验观察放大电路的工作状态。
章节三：三极管的放大特性教学目标：1. 了解三极管的放大特性。
2. 掌握三极管的放大原理。
教学内容：1. 三极管的放大特性：三极管的放大能力与基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系。
2. 三极管的放大原理：通过基极电流的控制，实现发射极和集电极之间电流的放大。
教学活动：1. 讲解三极管的放大特性和放大原理。
2. 分析三极管放大电路的输入和输出特性曲线。
3. 引导学生通过实验观察三极管的放大特性。
章节四：三极管放大电路的设计与应用教学目标：1. 了解三极管放大电路的设计方法。
2. 掌握三极管放大电路的应用。
教学内容：1. 三极管放大电路的设计方法：根据输入和输出信号的要求，选择合适的三极管、电阻等元件，设计合适的电路。
(完整版)三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
三极管及放大电路—多级放大电路(电子技术课件)
ሶ
20 ሶ = 20 1
=1
3.单级放大器频率特性
下限频率fL
上限频率fH
通频带BW = fH - fL≈fH
4.两级相同放大器的幅频率特性
绘制多级放大电路的
频率特性曲线时，只要将
各级对数频率特性在同一
横坐标上频率所对应的电
压增益相加，即为幅频特
性。
5.两级相同放大器的相频率特性
绘制多级放大电路的相
频特性曲线时，只要将各级
对数频率特性在同一横坐标
上频率所对应的相位差相加
，即为相频特性。
多级放大电路组成及耦合方式
2.6.1 多级放大电路组成及耦合方式
一、多级放大电路的组成
多级放大电路的组成框图如图所示，第一级的输入为电路总的输入，前级输出
工作点的相互影响。
直接耦合的两级共射放大电路
常用的解决电路形式
（a）
（b）
（a）采用电阻Re2提高VT2发射极电位，从而提高VT1集电极电位，避免
VT1进入饱和区。
（b）采用电阻R、稳压管VZ构成稳压电路，提高VT2发射极电位，从而
提高VT1集电极电位，避免VT1进入饱和区。
常用的解决电路形式
（c）
=
(−1)
总电压放大倍数为：
1 2
AU =
=
∙
∙⋯
= AU1 ∙ AU2 ∙ ⋯ ∙ AUN
1
1 1
(−1)
二、多级放大电路的级间耦合方式
多级放大器级间耦合方式一般有：阻容耦合，变压器耦合，直接耦合三种。
1.阻容耦合
前级输出信号通过电容、下
级输入电阻，传递到下一级的连
三极管及放大电路基础
IC(mA ) 4
3
2
1 36
截止区
100A 80A
IB= 60A 40A 20A 0 9 12 VCE(V)
IC RC
IB B C
VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
（1-13）
特点:VBE＜死区电压, IB≤0≈0, IC ≤ICEO≈ 0,VCE ≈EC
这时三极管C 、 E端相当于: 一个断开的开关。
过大，温升过高会烧坏三极管。所以要求：
PC =IC VCE≤PCM 6.集-射极反向击穿电压V(BR)CEO ——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向 电压。
（1-22）
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
IC ICM
ICVCE=PCM
安全工作区
O
V(BR)CEO
VCE
（1-23）
八、晶体管参数与温度的关系
IC RC
IB B
C VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
如何判断是否截止？
若：VBE ≤0(死区电压)
或 VC＞VE ＞VB 三极管可靠截止
IC
VCE
C RC
E
EC
（1-14）
(3) 放大区：IC=IB区域 , 发射结e正偏，集电结c反偏 特点: IC=IB , 且 IC = IB , VCE＝EC－IC RC
（1-29）
三极管在电路中的应用
1、放大电路 对三极管放大电路的分析，包括静态分 析和动态分析两部分。 也就是直流方面的分析和交流方面的分 析 直流方面的分析主要是判断三极管是否 有合适的直流工作条件 交流方面的分析主要是判断放大电路是 否能够正常的放大信号。
4三极管及讲义放大电路
C iC1
PN
BN
E iC1(mA) 4 3
2
80A 60A 40A
C iC2
B
N
P P
E
80A 60A 40A 20A IB=0
-12 -9 -6
4 3 2 1
-3 vCE(V)
1
20A IB=0
3 6 9 12 vCE(V)2I0B=A0
vCE(V)
40A 60A
80A
iC2(mA)
四、主要参数
___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
2.集-基极反向饱和电流ICBO
I ICBO CE N P N
E IE
从基区扩 散到集电
E区 被C的收电集子，，
形成ICE。
BJT 内部载流子的传输过程：（1）、E区向B区注入电子,形成IE （2）、电子在B区复合，形成IB （3）、 C区收集电子，形成IC
三、 V-I特性曲线及结 论
iB
A
RB
V vBE
iC mA
EC V vCE
E PNP型三极管
二、IE， IB， IC 电流形成
进入P区的电子
少部分与基区的
空穴复合，形成
C
电流IB ，多数扩
散到集电结。
B
N
P
IB
N
三极管及其放大电路
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.3 .BJT的特性曲线
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间 的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部 表现。
工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特 性曲线。
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
以共射放大电路为例：
输入特性：iBf vBEvCE 常 数 输出特性： iCf vCEiB常数
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
输出特性曲线可以划分为三个区域： 饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
25℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏，Jc正偏。
电压增益2＝ 0lgAV dB 电流增益2＝ 0lgAI dB
由于功率与电压（或电流）的平方成比例， 因此功率增益表示为：
功率增益＝10lgAP
【 AP
Po 】 Pi
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.2.2
+
VS
-
R
＝
i
Vi I i
输入电阻Ri
I i
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
2.3 共射基本放大电路
共射基本放大电路组成
放大的外部条件
输入回 路
输出回 路
两个回路 正确的直流偏置
ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻
RC为集电极偏置电
阻
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
第四章三极管及放大电路基础
N
P
N
IE
I EN
e
I
EP
Re
VEE
b IB
IC c
VCC
Rc
+ +
载流子运动过程
(2) 复合（基区参杂浓度很低）
发射区的电子注入基区后，少数将与基区的空穴复合掉， 形成IBN。
N
P
N
IE
I
EN
IC
e
c
Re
VEE
b IB
VCC
Rc
+ +
载流子运动过程
(3) 收集（集电区面积大）
因为集电结反偏，收集扩散到集 集电区及基区的少数载流子形成
4. 放大作用
IE +iE e
c IC +iC
+
vI -
VEB+vEB
b IB +iB
+ vO RL
1k -
VEE
VCC
图 03.1.05 共基极放大电路
若 vI = 20mV 使 iE = -1 mA， 当 = 0.98 时， 则 iC = iE = -0.98 mA， vO = -iC• RL = 0.98 V，
3DKG23 250W 30A
注：*为 f
VRCBO V
20 40 45 40 300 25 400
VRCEO V 12 24
30 250 15 325
VREBO V
4
I C BO μA
≤6 ≤6 0.1 0.35 ≤2mA ≤0.1
fT MHz *≥ 8 *≥ 8 100
300 8
4.1 BJT
动态是放大的对象和预期的结果
三极管放大电路工作原理及功能分析
电流放大功能
总结词
三极管放大电路能够将输入信号的电流幅度按一定比例放大，输出信号的电流幅 度远大于输入信号。
详细描述
除了电压放大作用外，三极管还能实现电流放大。在三极管的工作区域内，基极 输入信号的微小变化会引起集电极输出信号的较大变化，从而实现电流的放大。
功率放大功能
总结词
三极管放大电路能够将输入信号的功率按一定比例放大，输出信号的功率远大于输入信 号。
03
CATALOGUE
三极管放大电路的功能分析
电压放大功能
总结词
三极管放大电路能够将输入信号的电压幅度按一定比例放大，输出信号的电压 幅度远大于输入信号。
详细描述
三极管具有电压放大作用，即基极输入信号的微小变化会引起集电极输出信号 的较大变化。通过合理设置电路参数，三极管可以实现对输入信号的电压放大 。
性能指标。
确定合适的静态工作点
要点一
总结词
静态工作点是三极管放大电路的重要参数，其设置是否合 适直接影响到电路的性能和稳定性。
要点二
详细描述
静态工作点需要根据输入信号的幅度和频率进行选择，通 常需要通过实验和调试来确定最佳的工作点。同时，还需 要考虑三极管的安全工作区，避免因工作点设置不当导致 三极管烧毁。
02
CATALOGUE
三极管放大电路的工作原理
电流放大过程
电流放大
动态范围
三极管通过基极电流的控制，实现集 电极电流的放大，从而实现电流放大 的功能。
三极管在放大不同幅值的信号时，能 够保持较为稳定的放大倍数，从而实 现宽动态范围的电流放大。
电流控制
三极管内部存在三个电极，其中基极 电流的控制作用最为显著，通过改变 基极电流的大小，可以实现对集电极 和发射极电流的调节。
三极管放大电路-PPT..
多级放 大器常 用的耦 合方式
1.阻容耦合
阻容耦合就是利用电容作为耦合和隔直流元件。
阻容耦合方式
• 阻容耦合的
• 优点是:
• 前后级直流通路彼此隔开，每一级的静态工作点 都相互独立。便于分析、设计和应用。
• 缺点是:
• 信号在通过耦合电容加到下一级时会大幅度衰减 。在集成电路里制造大电容很困难，所以阻容耦 合只适用于分立元件电路。
2.3.2 用微变等效电路法分析放大电路
• 1画出放大电路的交流通路
用微变等 效电路法 分析放大 电路的步
骤
• 2用相应的等效电路代替三极管
• 3计算性能指标
小知识 输入电阻是从输入端看放 大电路的等效电阻，输出电阻是 从输出端看放大电路的等效电阻 。因此，输入电阻要包括RB ，而 输出电路就不能把负载电阻算进 去。
本章导读
第2章 基本放大电路
本章重点学习基本放大电路的工作原理和 放大电路的基本分析方法。同时介绍放大电路的 性能指标，并介绍多级放大电路及应用。
本章以共射极的基本放大电路为基础，分析 放大电路的原理和实质，讲述了电压偏置电路的 意义。通过图解法和微变等效电路两种方法，讨 论如何设置工作点，计算输入电阻、输出电阻和 电压放大倍数，了解多级放大电路的级间耦合方 式及场效应管放大电路。
2.3 微变等效电路
• 2.3.1 放大电路的微变等效电路 • 1.晶体管的微变等效电路 • 放大电路的微变等效电路，其核心是晶体管的
微变等效电路。
晶体管的微变等效电路
• 2.共射极放大电路的微变等效电路
• 小知识
• 交流通路上电压、电流都是交变量，既可 用交流量表示，也可以用相量表示，上图 箭标表示它们的参考方向。
[理学]第四章BJT三极管及其放大管
![[理学]第四章BJT三极管及其放大管](https://img.taocdn.com/s3/m/7c2b7d5cce84b9d528ea81c758f5f61fb736281a.png)
第四章BJT三极管及其放大管一、判断题双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
（）×三极管工作在放大区时，若i B为常数，则u CE增大时，i C几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
（）√对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。
（）×三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。
（）×三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
（）×三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为开路，交流分析时可视为短路。
（）√处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（）。
×只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）×根据电路放大原理可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）√放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）√阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
( ) √BJT 三极管有三种连接组态，其中没有密勒效应的是共射放大电路。
( ) ×FET 三极管有三种连接组态，其中没有密勒效应的是共栅极放大电路。
( ) √BJT 三极管有三种连接组态，其中没有密勒效应的是共基极放大电路。
( ) √BJT 三极管有三种连接组态，比较三种组态密勒效应最强的是共发射放大电路。
（ ）√BJT 放大电路的高频响应有三个频率参数，分别是T f f f ,,βαβααβf f f f f f t T >=三者关系是,,（ ）√BJT 放大电路的高频响应频率参数T f f f ,,βα，满足ββf f T =（ ）√放大电路的增益在低频区的数值比较中频区小的主要原因是耦合电容和旁路电容的影响。
（ ）√放大电路的增益在高频区的数值比较中频区小的主要原因是三极管的极间电容。
（ ）√BJT 放大器的低频跨导g m 与共发射电流β的关系是e b m r g /β=（ ） √BJT 放大器的e b C /电容与其低频跨导g m 的关系为Tm eb f g C π2/=（ ） √分析BJT 放大器在高频区的增益时必须采用混合П模型，而分析BJT 放大器非高频区的增益时采用h 参数模型。
晶体三极管及基本放大电路
目录
• 晶体三极管简介 • 基本放大电路 • 晶体三极管在基本放大电路中的应用 • 晶体三极管放大电路的性能指标 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的设计与制作
01
CATALOGUE
晶体三极管简介
晶体三极管的基本结构
01
02
03
三个电极
集电极、基极和发射极， 是晶体三极管的主要组成 部分。
THANKS
感谢观看
总结词
通频带和最高频率响应是衡量放大电路 对不同频率信号的放大能力的参数。
VS
详细描述
通频带表示放大电路能够正常工作的频率 范围，其宽度由晶体三极管的截止频率和 放大倍数决定。最高频率响应表示放大电 路能够处理的最高频率信号，其大小由晶 体三极管的截止频率决定。通频带和最高 频率响应是晶体三极管放大电路的重要性 能指标，决定了电路的应用范围和性能表 现。
05
CATALOGUE
晶体三极管放大电路的应用
在音频信号处理中的应用
音频信号放大
晶体三极管放大电路可以用于放 大音频信号，如麦克风、扬声器 等设备中的信号放大。
音频效果处理
在音频信号处理中，晶体三极管 放大电路可以用于实现各种音效 效果，如失真、压缩、均衡等。
音频功率放大
在音响系统中，晶体三极管放大 电路可以作为功率放大器使用， 将音频信号放大到足够的功率以 驱动扬声器发声。
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是晶体三极管最常用的放大电路，具有电压和电流放大作用。
详细描述
共发射极放大电路由晶体三极管、输入信号源、输出负载和偏置电路组成。输入信号加在 基极和发射极之间，通过晶体三极管的放大作用，将信号电压或电流放大后，从集电极和 发射极之间输出。
三极管及放大电路—放大电路的微变等效电路分析法(电子技术课件)
二、放大电路动态指标的估算
1.性能指标估算
共射放大电路微变等效电路
（1）电压放大倍数的估算
•
•
AU
UO
.•
Ui
•
•
Ui Ib rbe
•
•
Uo Ib R'（L R'L RC // RL )
•
•
故共射放大电路的电压放大倍数为：
•
AU
UO
.•
Ui
I b R'L
•
Ibr be
R'L
rbe
•
•
如果不考虑 U i 和 U o各自的相位关系，则上式也可以写成：
AU
UO
.
Ui
I b R'L
Ibr be
R'L
rbe
式中“-”表示输入信号与输出信号相位相反。
空载时电压倍数：
Au
RC rbe
Au Au 说明：放大电路带上负载后放大倍数将降低。
（2）输入电阻ri
（3）输出电阻ro
ro Rc
2.输入电阻ri
放大电路的输入端可以用一个等效交流电阻ri来表示,它定义为:
ri
ui ii
＋
rs
us －
＋ ii
ui －
放大电路
ro
ri
＋
uo′ －
＋ io
RL
uo
－
ri
ro
放大器接到信号源上以后，就相当于信号源的负载电阻，ri 越大表示放
大器从信号源索取的电流越小，信号利用率越高。
3.输出电阻ro
一是放大倍尽可能大； 二是输出信号尽可能不失真。 主要技术指标有：放大倍数、输入电阻、输出电阻。
三极管及放大电路
第2章 三极管及放大电路
例2.1 已知图2.7中各晶体管均为硅管，测得各管脚的电压值分别如图中所示值，试判别各晶体管的 工作状态。
图2.7 例2.1的图
2021-07-31
第2章 三极管及放大电路
解： （1）在图2.7（a），发射结零偏；UCB=-2V＜0，集电结反偏，故中，因为UBE=0.7V＞0， 发射结正偏；UBC=0.5V＞0，集电结正偏，故可判断它工作在饱和区。 （2）在图2.7（b）中，因为UBE=0.7V＞0，发射结正偏；UBC= -5.3V＜0，集电结反偏， 故可判断它工作在放大区。 （3）在图2.7（c）中，因为UEB=0V可判断它工作在截止区。
2021-07-31
第2章 三极管及放大电路
（3）饱和区。IC随UCE的增大而增大的区域是饱和区。此时发射结正偏，集电结正偏。对NPN型管，当UCE ＜UBE时，三极管工作于饱和状态。当增加IB使工作点上移到Q1点时，三极管即进入饱和区，此时IB的变化对 IC的影响较小，IC≠IB，其管压降UCE称为饱和压降UCES，一般硅管约为0.3V，锗管约为0.1V，都可近似为0V。 因UCES≈0，C，E极近似于短路，UBE≈0.7V，B，E极也近似于短路，等效电路如图2.6（c）所示。
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第2章 三极管及放大电路
表2.1 实验测试数据
电流
1
2
IB（mA）
0
0.02
IC（mA）
＜0.001
0.70
IE（mA）
＜0.001
0.72
实验次数
3
4
0.04
0.06
1.50
2.30
1.54
2.36
5 0.08 3.10 3.18
4-三极管及放大电路基础(2)共射放大电路及分析方法资料
h fe
iC iB
VC E
hre
v BE vCE
IB
hoe
iC vCE
IB
β输出端交流短路时的正向电流传输比或电 流放大系数（无量纲）；
μr 输入端交流开路时的反向电压传输比（无 量纲）；
1/rce输入端交流开路时的输出电导，单位 为西门子（S）；
hie，hre，hfe，hoe称为BJT在共射极接法下的H参数
(3-8)
第三章
§3.3 图解分析法
放大器两 种工作状 态
静态：当放大电路没有输入信号 时，电路中各处的电压、电流都 是不变的直流，则称为直流工作 状态或静止状态。
动态：当放大电路有输入信号时， 电路中各处的电压、电流都是变 动状态，则称为电路处在动态工 作情况或动态。
(3-9)
第三章
放大电路的分析步骤
Rb C1 ＋
RS ＋ Ui US －
画直流通路
Rc C2 ＋
V RL
＋UCC ＋
Uo －
①电容视为开路；②电感线圈视 为短路；③信号源视为短路，但 应保留其内阻。
(3-12)
第三章
分析动态时，通常用交流通路。
＋UCC
交流通路:输入信号作 用下交流信号流经的 通路，它用于研究动 态参数及性能指标。
(3-36)
第三章
2、三极管H参数的等效电路
vbe hieib hrevce
ic hfeib hoevce
其中,hie为电阻,hrevce为电压源,hfeib为电流源,hoe为电导
定的电流和电压（IB、IC、VCE）；当vi≠0时，
iB、iC、vCE都在原来的直流量上叠加了一个交
流量
虽然这些电流、
三极管及基本放大电路教案说课讲解
三极管及基本放大电路教案2．分类：（1）按内部基本结构不同：NPN 型和PNP 型。
PNP 型和NPN 型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。
（2）按功率分：小功率管、中功率和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
目前国内生产硅管多为NPN 型（3D 系列）；目前国内生产锗管多为PNP 型（3A 系列）。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
二、三极管的电流放大作用——发射结正向偏置，集电结反向偏置1．三极管各电极上的电流分配实验电路【原理】载流子的特殊运动(NPN)：发射区向基区扩散电子；电子在基区的扩散和复合；集电区收集电子【电流放大作用】(1)B C I I β=且B C I I >>;(2)B C E I I I +=注意：（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。
（2）要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
2、三极管的基本连接方式1）．共发射极电路（CE ）：把三极管的发射极作为公共端子。
2）．共基极电路（CB ）：把三极管的基极作为公共端子。
3）．共集电极电路（CC ）：把三极管的集电极作为公共端子。
三、三极管的特性曲线——硅NPN 型三极管1．输入特性曲线输入特性：在V U CE 1 且为某定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压BE V 和它产生的基极电流B I 之间的关系。
与二极管的正向伏安特性曲线相似。
当BE V 大于导通电压时，三极管才出现明显的基极电流。
导通电压：硅管0.7 V ，锗管0.3 V 。
2. 输出特性曲线：B I 为某定值，C I 与CE U 之间的关系，一簇几乎与横轴平行的直线。
3、三极管的三个区① 截止区：B I = 0以下的区域。
三极管放大电路详细讲解
三极管放大电路详细讲解三极管放大电路是一种常见的电子电路，广泛应用于各种电子产品中。
它可以将弱信号放大到足够的强度以供后续电路使用。
本文将详细讲解三极管放大电路的原理、分类、特点以及应用。
三极管放大电路的基本原理是将输入信号加到输入电容上，使基极电压参数变化，控制电流，从而使输出电压也发生变化，达到放大的目的。
三极管放大电路的输入端为基极，输出端为集电极，另一端为发射极。
根据三极管的工作状态和放大形式，三极管放大电路可以分为共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路三类。
1. 共射放大电路共射放大电路是最常见的三极管放大电路之一，也是最常见的放大形式之一。
共射放大电路的输入信号加在基极上，输出信号从集电极上取出。
因为基极和集电极之间是反向偏置的，所以输入信号是正弦波时，输出信号也是正弦波。
共射放大电路不仅能放大电压信号，也可以放大电流信号，因此被广泛应用于各种电子产品中，如放大器、振荡器等。
共基放大电路的输入信号加在发射极上，输出信号从集电极上取出。
相比较共射放大电路，共基放大电路的放大倍数较小，但是它的输入电阻很低，输出电阻很高，可以很好地匹配负载。
1. 放大范围广三极管放大电路具有放大倍数高的特点，可以将弱信号放大至足够大的强度，以供后续电路使用。
其放大倍数可达数千倍，大幅提高了信号传输的效率。
2. 噪声小三极管放大电路的输出信号对噪声具有很强的抑制作用，特别是共射放大电路在中高频段拥有很高的线性度和噪声控制能力。
3. 频率响应宽三极管放大电路适合用于放大中高频信号，并且具有宽频响应的特点，对于一些需要高频调制的信号尤为适用。
其中，放大器是最常见的应用之一，它通过放大微弱电信号，从而使得音频、视频信号等达到足够的强度，使得对应的器件能够正常工作。
同时，由于三极管放大电路的噪声控制能力强，因此它还被广泛应用于放大器的前置级中，提高信号的质量和稳定性。
三极管放大电路讲解
三极管放大电路讲解三极管放大电路是一种常见的电子电路，用于放大电信号。
它由三个区别功能的材料组成，分别是n型材料、p型材料和n型材料。
三极管放大电路具有高增益、低噪声、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
三极管放大电路的工作原理是利用输入信号的小变化，控制输出信号的大变化。
它通过调节电流的大小来控制电路的放大程度。
当输入信号施加到基极时，三极管将信号放大后输出到负载电阻上。
在三极管放大电路中，集电极是放大电路的输出端，发射极是放大电路的输入端，而基极是控制放大程度的端口。
三极管放大电路可以分为共射、共基和共集三种基本类型。
共射放大电路是最常见的一种类型，它的输入信号施加在基极上，输出信号从集电极上获取。
共射放大电路具有较高的电压增益和较低的输入阻抗，可以实现较大的信号放大。
共基放大电路的输入信号施加在发射极上，输出信号从集电极上获取。
共基放大电路具有较高的输入阻抗和较大的电流增益，但电压增益较低。
共集放大电路的输入信号施加在基极上，输出信号从发射极上获取。
共集放大电路具有较高的电流增益和较低的输出阻抗，对于驱动负载电阻较小的情况比较适用。
三极管放大电路中的直流偏置是非常重要的，它决定了电路的工作状态和放大特性。
常见的直流偏置电路有基极偏置电阻、电流源和电压分压器等。
直流偏置电路可以确保三极管工作在合适的工作状态，从而保证电路的放大性能和稳定性。
在实际应用中，三极管放大电路需要注意一些问题。
首先，要合理选择三极管的工作点，以保证电路能够正常工作。
其次，要注意电路的稳定性，避免出现震荡或失真等问题。
此外，还需要注意电源电压的稳定性和温度的影响等因素。
总结起来，三极管放大电路是一种常见的电子电路，具有高增益、低噪声等特点。
它通过调节输入信号的大小来控制输出信号的放大程度。
三极管放大电路有多种类型，如共射、共基和共集等。
在实际应用中，需要注意选择合适的直流偏置电路和保证电路的稳定性。
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E PNP型三极管
二、IE， IB， IC 电流形成
进入P区的电子
少部分与基区的
空穴复合，形成
C
电流IB ，多数扩
散到集电结。
B
N
P
IB
N
RB
EB
E IE
发射结正偏， 发射区电子 不断向基区 扩散，形成 发射极电流 IE。
EC
集电结反偏，有
少子形成的反向
电流ICBO。
B
IB RB
EB
IC=ICE+ICBOICE C
I ICBO CE N P N
E IE
从基区扩 散到集电
E区 被C的收电集子，，
形成ICE。
BJT 内部载流子的传输过程：（1）、E区向B区注入电子,形成IE （2）、电子在B区复合，形成IB （3）、 C区收集电子，形成IC
三、 V-I特性曲线及结 论
iB
A
RB
V vBE
iC mA
EC V vCE
___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
2.集-基极反向饱和电流ICBO
电极电位如何？
C
B
PN N
C
B
NP P
E E
VB、VC、VE大于零 且VC > VB>VE
VB、VC、VE小于零 且-VC >- VB>-VE
总的来说:处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管，
满足 VC > VB >VE
思考2：在同一坐标上绘制NPN型、PNP型三极管的
输出特性曲线
iC2(mA)
(三)、结论
1、三极管工作在三个区域的条件及特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
(2)
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
IB>IC，VCE0.3V C、E间相当于短路
(3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏， IB=0 ，
IC=ICEO 0
C、E间相当于开路
uCE
六、常见三极管实物外形
§ 4.2 基本共射极放大电路
一、放大电路的分类
三极管放 大电路有 三种形式
共射放大器 共基放大器 共集放大器
以共射放 大器为例 讲解工作 原理
二、 共射放大电路的基本组成
iC
RB
RC C2
+VCC iC
t
C1
iB
T
Rs
RB
vBE
VCC
vS ~ VB
vI
v0
vS
vI
4三极管及放大电路
§4.1 晶体三极管
一、 基本结构
NPN型
集电极
C
N
B
P
基极
N
E
集电区： 面积较大
基区：较薄，
掺杂浓度低 B
基极
发射区： 掺杂浓度较高
发射极
PNP型
集电极
C
P N P
E
发射极
C 集电极
集电结
N
B
P
基极
N
发射结
E
发射极
C
C
N
B
P
N
P
B
N
P
E
E
C * 三极管的符号 C
B
B
E NPN型三极管
6. 集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC 流过三极管，
所发出的焦耳
IC ICM
热为：
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
PCPCM
安全工作区
ICUCE=PCM
U(BR)CEO
UCE
五、温度对ＢＪＴ参数及特性的影响
T iC
、 ICEO 、 ICBO
IC
温度上升时， 输出特性曲 线上移
t
t
v0 t
vo t
未加电容Ｃ２ 加电容Ｃ２
三、 符号规定
VA : 大写字母、大写下标，表示直流量。 vA : 小写字母、大写下标，表示交直
流量(全量)。
va : 小写字母、小写下标，表示交流分量。
vA
全量
va
交流分量
VA直流分量
t
§ 4.3 放大电路的分析方法
引言: (§1.4-- §1.5的内容)
___
1. 电流放大倍数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的
公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共
集接法。共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在
直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，
相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放
大倍数为：
IC IB
四、主要参数
ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3. 集-射极反向饱和电流ICEO
集电结反 偏有ICBO
B
ICEO= IBE+ICBO
C
ICBO IBE N
P
ICEO受温度影响 很大，当温度上
升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极
管的温度特性较
C iC1
PN
BN
E iC1(mA) 4 3
2
80A 60A 40A
C iC2
B
N
P P
E
80A 60A 40A 20A IB=0
-12 -9 -6
4 3 2 1
-3 vCE(V)
1
20A IB=0
3 6 9 12 vCE(V)2I0B=A0
vCE(V)
40A 60Aຫໍສະໝຸດ 80AiC2(mA)四、主要参数
2、电流的放大作用及分配 iC(mA)
4
直流电流放大系数： 3
80A 60A
IC
IB
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 vCE(V)
交流电流放大系数：
IC
， 大 约 为 10-100
I B
电流分配关系
IC IB IE IB IC (1)IB
思考1：处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管的各
VB>VE和VC>VB ，
iCf(vCE)vBE常数IICC只 =与IB，IB有称关为且放大
VCE0.3V, VB>VE和 VB>VC ，
4
iC(mA )
区
100A
称为饱和
区。
3
80A
60A
2
IB=0,IC=ICEO,
VB< VE和 1
VB<VC，称为 截止区。
40A
20A IB=0 3 6 9 12 vCE(V)
差。
IBE
N
根据放大关系，
ICBO进入N E
区，形成
由于IBE的存 在，必有电流
IBE。
IBE。
4.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降， 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电 流即为ICM。
5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值 时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25C、基极开路时的击穿电压。
EB
实验线路
(一)、输入特性: iBf(vBE)vCE常 数
vCE=0V
80
vCE =0.5V
iB(A)
vCE 1V
60 死区电压:
硅管0.5- 40
0.7V，锗 管0.1-0.3V。
20
工作压降： 硅管
VBE0.5~0.7V,锗管 UBE0.1~0.3V。
0.4 0.8
vBE(V)
(二)、输出特性: