第五章 固体材料的变形与断裂
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第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.3 多晶体的塑性变形
2、多晶体塑性变形过程
A 3 2
滑移面
P
L
位错源
障碍物
c s cos cos
产生应力集中:
n a
c s cos cos
k a L n Gb
若晶粒大,则r↑→L↑ →n↑ →应力↑ →临近滑移系开动,
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.5 金属及合金强化的位错解释
3、沉淀强化(时效强化) ①.概念 在合金基体中均匀弥散分布细小的第二 相微粒(硬化相)而提高合金强度的方法。如果 第二相微粒是通过过饱和固溶体时效处理或沉淀 析出得到的,则也称时效强化或沉淀强化)。
②.机理 位错运动过程中与第二相微粒相遇时, 位错以切过机制或绕过机制与第二相微粒发生 作用,位错绕过第二相粒子所需切应力与粒子 间距λ有关,即
本章内容结束
①.孪生使晶体的一部分发生均匀的切变,而滑移只集中在一些滑移面上;
通常情况下,滑移先进行,当其受阻时,才有可能发生 孪生。孪生后,使晶体的位向发生改变,原来处于硬位 向的滑移系转到软位向,从而激发了晶体的进一步滑移
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.3 多晶体的塑性变形
1、单晶体与多晶体塑性变形的异同点: 1.1、相同点: 变形条件与方式相图(切应力)(滑移、孪生); 1.2、不同点: ①、变形受晶界的阻碍; ②、变形受相邻晶粒位向的阻碍: ③、各晶粒变形不同步; ④、各晶粒变形不均匀。
5.2
单晶体的塑性变形
1、单晶体塑性变形的方式: 常温下有三种:滑移、孪生、扭折;
高温下还有扩散蠕变、晶界滑动。
2、滑移:
晶体的一部分相对另一部分 沿着一定晶面和晶向的运动。
3、滑移带 试样表面出现的滑移变形的痕迹,它
是由相互平行的滑移线组成;而滑移 线又是由微小的滑移台阶造成的。
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
固体材料的变形与断裂
主讲人:张立斌
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.1 弹性变形 5.2 单晶体的塑性变形 5.3 多晶体的塑性变形
5.4 塑性变形对金属组织与性能的影响 5.5 金属及合金强化的位错解释 5.6 断裂
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.1 弹性变形
典型晶体 体心立方 面心立方 密排六方
密排面及数量(M) 密排方向及数量(N) 滑移系数目(X) {110} {111} {0001} M=6 M=4 M=1 <111> <110> <11 2 0> N=2 N=3 N=3 X=12 X=12 X=3
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
8、多滑移与交滑移
有两组及以上的滑移系同时开始滑移叫多滑移 位错从一个滑移面过渡到与之平行的另一个滑移面上沿着 同一个滑移方向继续滑移的现象叫交滑移。因为刃型位错 的滑移面是唯一的(位错线与柏氏矢量构成),故不能发 生交滑移;只有螺型位错才可能发生交滑移。
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.2
4、滑移系
单晶体的塑性变形
2G b (1 ) e 1
2a
位错运动所受的阻力即派纳力为 p
式中:G—切变模量,ν—泊桑比,a—晶面间距,b—原子间距。
晶体内一个滑移面和滑移面上的一个滑移方向组成了滑移系
晶体的滑移系数目 X 晶体的密排面数目 M 每个面上的滑移方向数 目N
小塑性就越好。从公式看,在相同变形量的情况下,d越
小则L就小,n也小,应力集中就小,不至于打破结合键; 当应力达到极限值时,可以允许产生更大的塑性变形,故
d越小塑性就越好。
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.4 塑性变形对金属组织与性能的影响
1、塑性变形对金属显微组织的影响:
①、形成纤维组织; ②、形成胞状亚结构; ③、形变织构(择优取向);
5.2
单晶体的塑性变形
晶体内部的一部分沿一定晶面(孪晶面)和晶向 9、孪生: (孪晶方向)相对另一部分发生均匀切变的过程。 10、孪生变形的特点
②.孪生后晶体变形部分的位向发生了改变,而后者则不变 ③.同一结构的孪生面与方向和滑移面与方向可以不同 ④.两者的应力-应变曲线不同; ⑤.前者的临界分切应力大于后者。
5.2
单晶体的塑性变形
滑移系多,塑性好;
n Ф P A λ
滑移方向
5、滑移系与塑性的关系: 6、临界分切应力 c
刚好使滑移开始进行的切应力叫临界分切应力 c
,
P在滑移方向上的分力为Pcosλ, 滑移面为一个椭圆其面积为
A S 4 4 cos cos
ab
a 2
则切应力为
P cos P cos cos cos cos S A
— 正应力 — 切应力 于晶体的原子结合本性,而与晶粒大小以及组织变 — 正应变 — 切应变 — 泊桑比 E — 杨氏模量G — 切变模量
化无关,属于组织不敏感性质参数。E(G)共价键材料 >E(G)金属(离子)键材料>E(G)分子键材料
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.4 塑性变形对金属组织与性能的影响
2、塑性变形对金属性能的影响: ①.产生了各向异性; ②.产生加工硬化; ③.使物理性能发生变化——如:导电性下降: ④.使化学性能发生变化——耐腐蚀性下降等。 ⑤.产生了残余内应力。
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5.1 弹性变形
2、弹性变形:
2.1、完全弹性体:应变随着应力瞬时达到平衡值,而与时间无关; 2.2、滞弹性: 在弹性范围内,载荷变化时,应变随时间
逐渐达到平衡值,即与时间有关:
2.3、内耗:
滞弹性时,应力应变曲线所包围的面积表示应力 循环一周所消耗的能量,叫内耗。
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1、材料的变形方式:
材料的变形方式主要由三种,分别为:弹性变形、 塑性变形和粘性变形。金属材料多为前两种变形,而有 些高分子材料可能发生第三种变形。
2、弹性变形:
E G E ( 2 1 )G E (或 G 或 ) E或G表示使原子离开平衡位置的难易程度,只取决
s 0 Kd
1 2
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5.3 多晶体的塑性变形
3、晶粒尺寸d对强度与塑性的影响
3.2、d对塑性的影响
d小则单位体积内的晶粒数目就多,当总变形量一定 时,分摊到每个晶粒上的塑性变形量就小;当每个晶粒都 达到极限塑性变形量时,则总的塑性变形量就大,故d越
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5.2
单晶体的塑性变形
6、临界分切应力 c
当
s 时,对应的切应力达到临界分切应力 c
c cos cos
为定值。
s
c 与材料的属性及温度等有关,当条件一定时, c
c s cos cos
当滑移方向、滑移面法线及外力轴共面时,有λ+Ф=90O;此 时,如果λ=Ф=45O时,cosλcosФ取得极大值,故 取得极小值,
5.5 金属及合金强化的位错解释
1、固溶强化: ①.概念 ②.机理 晶体中溶质原子溶入,引起点阵畸变,形成了 应力场;而晶体中的位错也形成应力场。二者应力 场发生交互作用,使溶质原子聚集到位错周围而形 成比较稳定的分布,通常把溶质原子在位错周围的 聚集叫柯氏气团。柯氏气团对位错产生钉扎作用, 阻碍了位错的运动,提高了塑性变形抗力。 随着溶质原子的溶入,固溶体的强度 与硬度升高、塑性与刃型下降的现象
塑性变形由一个晶粒过渡到相邻的另一个晶粒继续进行。
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5.3 多晶体的塑性变形
3、晶粒尺寸d对强度与塑性的影响
3.1、d对强度的影响
d小→L↓ →n↓ →应力集中↓ →要使相邻晶粒中硬位向的 滑移系开动,必须要加大工作应力,从而提高了强度。 d小→单位体积内的晶粒数目多,晶界数目也多,对位错 运动阻碍就大,提高了塑性变形抗力,从而提高了强度。 Hall—petch公式为:
Байду номын сангаас
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.6 断裂
4、裂纹的萌生: 裂纹源在晶体内薄弱处形成,萌生裂
纹时,需要应力,由应力集中提供;
5、裂纹扩展:
在载荷作用下,裂纹逐渐长长,长 大速度与载荷大小及材料性能及环 境条件等因素有关;
6、断裂: 裂纹长度达到最大临界尺寸时就发生断裂,
K1c a
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.2
单晶体的塑性变形
力,而该正应力和切应力均会产生力偶, 在该力偶的作用下,使晶体发生转动。
转动后,原容易滑移的位向转到不易滑移 位向上,而原来处于不容易滑移的位向则 转到容易滑移的位向上而继续滑移。
7、晶体转动: 外力在滑移面上可以分解成正应力和切应
第 五 章 固 体 材 料 的 变 形 与 断 裂
5.5 金属及合金强化的位错解释
2、加工硬化 ①.概念 随着塑性变形量的增加,金属的强度 与硬度升高、塑性与刃型下降的现象 ②.机理
在滑移面上运动的两个位错相遇交割后, 各自产生一小曲折线段,这种由交割生成的小 曲折线段叫割阶,有时还可形成一些固定位错。 位错密度增加,割阶与固定位错数目也增加, 对位错运动的阻力增大,使晶体变形抗力增加, 从而提高了强度,即加工硬化。