场效应管的命名.
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2.2.4 场效应三极管的参数和型号
(1) 场效应三极管的参数
① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电
流。
④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特 性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。
几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。
表02.02
参 数 型号 3DJ2D 3DJ7E 3DJ15H 3DO2E CS11C PDM mW 100 100 100 100 100
场效应三极管的参数
VRDS V >20 >20 >20 >12 VRGS V >20 >20 >20 >25 -25 VP V -4 -4 -5.5 -4 gm mA/ V ≥2 ≥3 ≥8 ≥2 fM MHz 300 90 1000
(2) 场效应三极管的型号
场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其
Байду номын сангаас
一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场
效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表
材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟
道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管， ××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号 中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
IDSS mA <0.35 <1.2 6～11 0.35～1.2 0.3～1
半导体三极管图片
半导体三极管图片
(1) 场效应三极管的参数
① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电
流。
④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特 性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。
几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。
表02.02
参 数 型号 3DJ2D 3DJ7E 3DJ15H 3DO2E CS11C PDM mW 100 100 100 100 100
场效应三极管的参数
VRDS V >20 >20 >20 >12 VRGS V >20 >20 >20 >25 -25 VP V -4 -4 -5.5 -4 gm mA/ V ≥2 ≥3 ≥8 ≥2 fM MHz 300 90 1000
(2) 场效应三极管的型号
场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其
Байду номын сангаас
一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场
效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表
材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟
道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管， ××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号 中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
IDSS mA <0.35 <1.2 6～11 0.35～1.2 0.3～1
半导体三极管图片
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