Ⅲ族氮化物半导体材料

in族氮化物半导体材料

Zhe Chuan Feng Taiwan University , China n -Nitride SemiconductorMaterials2006 ，428pp．Ha rdcove r

USDl20.00ISBN 1-86094-636-4Imperial College Press

n族氮化物半导体材料(Al , In , Ga)N ,(包括GaN、InN、AlN 、InGaN 、AlGaN 和AIlnGaN 等)是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝-绿-白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的已形成了产业。预期在本世纪内氮化物基的发光管有可能置换传统的钨丝灯，这在照明领域是一次革命，将会极大地影响人们的生活。

此书共有12 章，每章作者均是该领域的专家。全书内

容包括了n -N科学和技术的基础和各个重要的方面，主要内容有：1 n族氮化物材料的氢化物汽相外延； 2 n族氮化

物材料外延的平面MOVPE 技术； 3 GaN 和相关材料外延的紧耦合喷头MOCVD 技术； 4 n -N 材料的分子束外延； 5 非极性GaN 薄膜和异质结的生长和特性； 6 InN 的高压CVD 生长、适时和非原位持性；7 对InN 新的认识；8

AlxGal-xN 合金(x=0-1)的生长和光/电特性；9 M0CVD lnGaN/GaN

量子阱结构的光学研究；1O 掺SiInGaN/GaN 量子阱结构的簇状纳米结构和光学特性；11川族氮化物的

微结构和纳米结构；12 稀释氮化物半导体研究的新进展。

此书介绍了川族氮化物材料的一些重要性能和关键生长技术，指出了21世纪以来川族氮化物半导体的最新进展和还有待研究解决的问题。适合从事川族氮化物领域的研究、教学、工程技术人员以及研究生、大学生阅读和参考。

孔梅影，研究员

(中国科学院半导体研究所)

Kong Meiying ，Professor

(Institute of Semiconductors ，

the Chinese Academy of Sciences)