晶体生长方法(新)

晶体生长方法

1）提拉法（Czochralski,CZ

晶体提拉法的创始人是J. Czochralskj他的论文发表于

1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要

的实用晶体就是用这种方法制备的。近年来，这种方法又得

到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，

LEC,如图1,能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP

等）；采用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体

（如管状宝石和带状硅单晶等）。

所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装在籽晶杆上的

籽晶下端，下到熔体的原料中，籽晶杆在旋转马达及提升机

构的作用下，一边旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩

肩、转肩、等径、收尾、拉脱等几个工艺阶段，生

长出几何形状及内在质量都合格单晶的过程。这种方

法的主要优点是：（a）在生长过程中，可以

图1提拉法晶体生长装置结构示意图方便地观察晶体的生长情况；（b）晶体在熔体的自由表面处

生长，

而不与坩埚相接触，这样能显

著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；（c）

可以方便地使用定向籽晶与缩颈”

工艺，得

到完整的籽晶和所需取向的晶体。提拉法的最大优点在于能够以

较快的速率生长较高质量的晶体。

提拉法中通常采用高温难熔氧化物，如氧化锆、氧化铝等作保温材料，使炉体内呈弱氧化气氛，对坩埚有氧化作用，并容易对熔体造成污杂，在晶体中形成包裹物等缺陷；对于那些反应性较强或熔点极高的材料，难以找到合适的坩埚来盛装它们，就不

得不改用其它生长方法。

2) 热交换法(Heat Exchange Method, HEM )

热交换法是由D. Viechnicki和F. Schmid于1974年发明的一种长晶方法。其原理是：定向凝固结晶法，晶体生长驱动力来自固液界面上的温度梯度。特点：（1）热交换法晶体生长中，采用钼坩埚，石墨加热体，氩气为保护气体，熔体中的温度梯度和晶体中的温度梯度分别由发热体和热交换器（靠He作

为热交换介质）来控制，因此可独立地控制固体和熔体中的温度梯度；（2）固

液界面浸没于熔体表面，整个晶体生长过程中，坩埚、晶体、热交换器都处于静止状态，处于稳定温度场中，而且熔体中的温度梯度与重力场方向相反，熔体既不产生自然对流也没有强迫对流；（3） HEM法最大优点是在晶体生长结束后，通过调节氦气流量与炉子加热功率，实现原位退火，避免了因冷却速度而产生的热应力；（4） HEM 可用于生长具有特定形状要求的晶体。

由于这种方法在生长晶体过程中需要不停的通以流动氦气进行热交换，所以氦气的消耗量相当大，如①30 mm的圆柱状坩埚就需要每分钟38升的氦气流量，而且晶体生长周期长, 体价格昂贵，所以长晶成本很高。

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图2 HEM晶体生长装置结构示意图

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3) 温梯法(Temperature Gradient Technique, TGT)

导向温度梯度法(TGT)是中国科学院上海光学精密机械研究所的专利技术。其结晶原理与上述热交换法相似，也是采用石墨发热体、Mo保温屏、Mo坩埚，氩气保护气氛。温梯法和热交换法的主要不同在于前者采用水冷却技术而后者采用

He气

冷却；而且TGT的温场主要靠调整石墨发热体、Mo保温屏、Mo坩埚的形状和位置，发热体的功率以及循环冷却水的流量来调节，使之自下向上形

成一个合适的温度梯度。温梯法整个生长装置处于相对稳定的状态，坩埚和籽晶都不转动，这样坩埚中既没有因熔体密度引起的自然对流，又没有因机

械搅拌引起的强迫对流，固液界面不受干扰，具有

更稳定的热场。

4) 坩埚下降法(垂直布里奇曼法，Vertical Bridgman method, VB)

坩埚下降法又称为布里奇曼-斯托克巴格法，是

从熔体中生长晶体的一种方法。通常坩埚在结晶炉中下降，通过温度梯度较大的区域时，熔体在坩埚中，自下而上结晶为整块晶体。这个过程也可用结晶炉沿着坩埚上升方式完成。与提拉法比较该方法可采用全封闭或半封闭的坩埚，成分容易控制；由于该法生长的晶体留在坩埚中，因而适于生长大块晶体，也可以一炉同时生长几块晶体。另外由于工艺条件容易掌握，易于实现程序化、自动化。典型的晶体生长炉的结构如图4所示。

该方法的缺点是不适于生长在结晶时体积增大的晶体，生长的晶体通常有较大的内应力。同时在晶体生长过程中也难于直接观察，生长周期比较长。r I

Furnace wall

/

-Thermal shield

-Heater

Crucible

Insulator

Electrode

Susceptor Support rod Thermal shield

图3 TGT晶体生长装置结构示意图

5) 水平布里奇曼法(Horizontal Bridgman method, HB )

水平布里奇曼法是由Barllacapob研制成

功的一种制备大面积定型薄片状晶体的方法。其结晶原理

如图5所示，将原料置于舟型坩埚中，使坩埚水平通过加

热区，原料熔化并结晶。为了能够生长有严格取向的晶体，

可以在坩埚顶部的籽晶槽中放入籽晶来诱导生长。该方法

具有以下一些特点：（1）开放式的坩埚便于观察晶体的

生长情况；（2）由于熔体的高度远小于其表面尺寸，有利

于去除挥发性杂

质，另外还有利于降低对流强度，提高结晶过程的稳定性；

（3）开放式的熔体表面使在结晶的任

意阶段向熔体中添加激活离子成为可能；（4）通过多次

结晶的方法，可以对原料进行化学提纯。

6) 激光加热基座法(Laser-Heated Pedestal Growth, LHPG)

图6 LHPG晶体生长装置结构示意图

用提拉法生长晶体主要的缺点之一是坩埚对熔体的污染，而在坩埚内结晶成型的方法如下降法等又存在附加应力和寄生成核的问题，另外，生长晶体的品种也受坩埚熔点的限制，于是基座法就应运而生。它是把大直径的晶体原料局部熔化，用籽晶从熔化区域引晶生长，实际上就是无坩埚引上法。它不存在坩埚的污染，生长温度也不受坩埚熔点的限制。由于加热的范围

Pulling up

图5水平布里奇曼法生长装置原理图

Single crystal