运动控制技术试题(期末)

《运动控制技术》期末复习试题

一、填充题

1、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为15A，

则这个电路中晶闸管的额定电压可选为700v；晶闸管的额定电流可选为20A。

2、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极（A），阴

极（K）和门极(G)

晶闸管的导通条件是阳极电压大于阴极电压；门极电压大于阴极电压; 阳极电流大于擎住电流；关断条件是阳极电流小于维持电流.。

3、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是第一阳极T1、第二阳极T2、和门极G ；双向晶闸管的的触发方式 I+、I- 、Ⅲ+

、Ⅲ-。

4、

。三相

2

。（电源相

2

电压为U2）

5、实现有源逆为的条件为控制角α>90°或逆变角<90°

和直流电源E绝对值大于输出电压Ud绝对值。

6、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于擎住电流之前，如去掉触发脉冲，晶闸管又会关断。

7、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0-150°。.，三相

全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0-120 °，三相全控桥感性负载时，电路的移相范围0-90 °。

8、锯齿波触发电路的主要环节是由锯齿波形成和脉冲移相控制环节、脉冲形成环节、整形放大和输出环节、

强触发环节、双窄脉冲产生环节环节组成。

9、电力电子器件一般工作在开关状态，电力电子技术包括电力电子器件和信号电子技术两大类。

10、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开断损耗。

11、电力电子器件组成的系统，一般由主电路、控制电流和驱动电路三部分构成，由于电路中存在着过电压和过电流现象，所以往往需要添加保护电路。

12、如下器件，电力二极管，SCR（普通晶闸管），GTO（可关断晶闸管），GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效应管），IGBT（绝缘栅双极型晶体管）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是SCR(普通晶闸管) ，属于全控型器件的是 GTO（可关断晶闸管），GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效应管），IGBT （绝缘栅双极型晶体管），属于复合电力电子器件的是IGBT（绝缘栅双极型晶体管），通流能力最大的是 GTR（电力晶体管），工作频率最高的是MOSFET（电力场效应管），属于电压驱动型的是 MOSFET（电力场效应管），IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电流驱动型的是电力二极管，SCR （普通晶闸管），GTO（可关断晶闸管），GTR（电力晶体管），

13、下面三个图形是晶闸管导通条件的实验电路，(a)图中开关S打开状态，图中的灯泡熄灭，其原因是无有触发脉冲。（b）中的开关S是闭合的，则图中灯泡的状态为熄灭，其原因是阳极电压小于阴极电压。（c）图中的灯泡处于发光状态，根据三个实验电路可以说明图中晶闸管的作用为开关，并且其导通的条件为①门极电压大于阴极电压

②阳极电压大于阴极电压阳极电流大于擎住电流。

(a) (b) (c)

14、晶闸管串联时，给每只晶闸串联相同阻值的电阻R是静态均压措施，给每只管子并联RC支路是动态均压措施，当需要同时串联和并联晶闸管时，应该遵照先串后并的原则进行。

15、MOSFET管的输出特性分为 3个区，其名称分别为截止区、饱和区和非饱和区，它的图形符号为。IGBT管的输出特性也是三个区，其名称分别为正向阻断区、有源区和饱和区，它的图形符号是。

16、按照逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可以分为有源逆变器和无源逆变器两大类。

17.变频器的运行端子中FWD代表正向旋转、REV代表反向旋转、JOG 代表点动、STOP代表停止。

18.变频器调速时，基频以下的调速属于恒转矩调速，基频以上属于恒功率调速。

18.变频器按照变换环节分可以分为交-交和交-直-交两种变频器。

19.有一晶闸管的型号为kk200-9，请说明kk是快速晶闸管；200表示额定电流 9表示额定电压等级。

20.单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲；主要驱动小功率晶体管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为方脉冲；可以触发大功率晶体管。21.整流电路是把交流电变换成直流电，逆变电路是把直流电变换成交流电的过程。

二、填充题（每空2分，共10分）

1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。

A、180°，

B、60°，c、360°， D、120°

2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，

3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。

A、同步电压，

B、控制电压，

C、脉冲变压器变比。

4、晶闸管不具有自关断能力，常称为( B )

A.全控型器件

B.半控型器件

C.触发型器件

D.自然型器件

5、晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）

A.阳极电流

B.门极电流

C.阳极电流与门极电流之差

D.阳极电流与门极电流之和

6．变频调速过程中，为了保持磁通恒定，必须保持 C .

A 、输出电压U 不变

B 、频率f 不变

C 、U/F 不变

D 、U*F 不变

7.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。

A 、180°，

B 、60°，

C 、360°，

D 、120°

8.如一个晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压为 A 。

A 、700V

B 、750V

C 、800V

D 、850V

9.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角 的最带移相范围是 D 。

A 、090

B 、0120

C 、0150

D 、0

180 10. A 控制比较简单，多用于通用变频器，在风机、泵类机械的节能运转以及生产流水线的工作台转动等。

A 、f u /

B 、转差频率

C 、矢量控制

D 、直接转矩

11.变频器的主电路由整流以及滤波电路、 B 以及控制电路几部分组成。

A 、稳压电路

B 、逆变电路

C 、控制电路

D 、放大电路 三、是非题

1、 在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。

（对 ）

2、 在普通晶闸管组成的全控整流电路，电感性负载，没有续流二极管，导通的晶闸管在

电源电压过零时不关断。 （对 ）

3、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （错 ）

4、 逆变角太大会造成逆变失败。 （错 ）

5、 并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。 （对 ）

6、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （错 ）