场效应管的符号及特性

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场效应三极管 较小
较小，可有零温度系数点 几兆欧姆以上 易受静电影响
适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空
(2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为
零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电
流）。
(3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对 应的漏极电流。
(4)直流输入电阻RGS（DC） 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型
结 型 场 效 应 管P
沟 道
N
沟
道
绝增
缘 栅
强 型
场 效
N 沟
应道
管耗
尽
型
图02.18 各类场效应三极管的特性曲线
P
沟
道
增
绝强 缘型
栅
场
效P
应 管
沟 道 耗
尽
型
四种MOS管的比较：
1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电 路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬 底必须接在电路中的最低电位上。
gm


2I
DSS
(1 uGS U GS ( off
U GS(off)
)
)


（ 当U
GS(off)
uGS

0时）
(2)极间电容：三个极间均存在电容。
(3)输出电阻rd： rd
uDS iD
U GS＝C
主要参数
三、极限参数
(1)最大漏级电流IDM：
正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压
2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道 为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。
3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟 道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。
1.4.3 场效应三极管的参数和型号
一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD >0。
场效应三极管
结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 D与S(有的型号)可倒置使用
多子漂移 电压输入 电压控制电流源VCCS(gm)
噪声 温度特性 输入电阻 静电影响 集成工艺
双极型三极管 较大
受温度影响较大 几十到几千欧姆 不受静电影响 不易大规模集成
场效应管的符号及特性
场效应三极管的特性曲线类型比较多， 根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗 尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电
压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方 向，特性曲线就要画在不同的象限。
为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来 设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。
N 沟 道
最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS
(3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。
1.4.4 双极型和场效应型三极管的比较
结构
双极型三极管
NPN型 PNP型
C与E一般不可倒置使用
载流子 多子扩散少子漂移
输入量
电流输入
控制 电流控制电流源CCCS(β)
场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型 场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。
二、交流参数
(1)低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，即 uGS对
iD的控制作用。
gm

iD uGS
U DS＝常量
1.4.3 场效应管的主要参数
gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。