[工学]浙江大学 模电课件
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共 基 极（CB），共基组态 共发射极（CE），共射组态 共集电极（CC），共集组态
区分依据
一极连接输入端； 一极连接输出端； 第三极作为输入、输出的公共端；
“公共的极”即为组态形式。
放大电路
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共基组态
共基直流电流放大倍数
E区自由电子到达C极形成的电流 与E极电流之比
ICN / IE, 0.95 ~ 0.995
输入：E极 输出：C极 公共端：B极
IE IC IB IC IE ICBO IB (1 )IE ICBO
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共射组态
三极管截止状态的判断依据 三极管截止状态的电路模型
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
饱和区
三极管处于饱和状态的条件： 发射结正偏，VBE = 0.7～0.8V； 集电结为正偏。
三极管 饱和状态时的特征
三极管的 饱和压降
三极管 临界饱和状态
三极管 深度饱和状态
三极管 深度饱和状态 时的电路模型
判断是否为截止状态？ 依据为发射结是否非正偏，IB是否小于0等…
按放大区模型计算后，若： VCE > 0.7V，则为放大状态。
此时： IC IB
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
五、三极管的主要参数
电流放大系数（倍数）
直流共射电流放大系数：
IC ICEO IC
穿透电流 ICEO 基极开路，集射间加上一定反向电压时， 从集电极穿过基区流入发射极的反向饱和电流。 ICEO是衡量三极管性能稳定与否的重要参数之一，值愈小愈好。 小功率硅管在几微安以下，小功率锗管约在几十至几百微安。
IE IB IC (1β)IB ICEO (1β)IB
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
四、三极管的伏安特性曲线
通过晶体管特性图示仪直接显示三极管的伏安特性曲线
共射极输入特性
iB f (vBE ) vCE C
PNP型三极管
发射结 （Je）
发射区
基区
集电结 （Jc）
集电区
P+ N P
发射极 （e）
基极 （b）
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
集电极 （c）
二、三极管放大电路的电流分配
e
b
c
N+ P N
IE IEN
||
Re
UBE 0 UBC 0
RC
I+B IBN ICBO
VCE = 0V 时 VCE 增长时 VCE > 1V 后
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共射极输出特性
iC f (vCE ) iB C
输出特性的三个区域
饱和区 放大区 截止区
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
截止区
三极管处于截止状态的条件： 外加电压使发射结和集电结均处于反向偏置， 即：VBE≤0, VBC＜0, IB≈0, IC≈0； 三极管失去了放大能力。
VEE
VCC IC ICN ICBO
e
b
c
IE
IEN
ICN I BN
IC
IB
ICBO
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
放大的工作条件
发射结正偏
集电结反偏
IE IEN IB IBN ICBO IC ICN ICBO
放大工作时 各电流的分配关系
四种工作状态
Je 反偏 反偏 正偏
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共基—共射电流放大倍数的关系
共基：
α IC IE IB (1 α )IE
共射：
β IC IB IE (1 β )IB
,
1
Байду номын сангаас
1
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共集组态
输入：B极 输出：E极 公共端：C极
Jc 反偏 正偏 反偏
状态 截止 倒置 放大
少子漂移 I CB0
b (P) IB
基区复合 I BN
c (N) IC
多子扩散 I CN
IE e (N)
正偏 正偏 饱和
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
三、三极管电路的基本组态
放大系统的组成
输入信号源 输出负载 供电电源
三种基本组态
IB
IB
交流共射电流放大系数：
IC , 20 ~ 200
I B
直流共基电流放大系数： 交流共基电流放大系数：
IC
IE
IC , 0.95 ~ 0.995
I E
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
极间反向电流
集电结反向饱和电流 ICBO 发射极开路时，集电极与基极间的反向饱和电流。 取决于温度和少子浓度。 小功率硅管，ICBO小于0.1μA；锗管ICBO在几μA至十几μA 。
集成电子技术基础教程
第一篇 电子器件基础
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
1.2.4 双极型三极管 1.1.4 双极型三极管的伏安特性及其模型
一、双极型三极管的基本结构
简称：晶体管、三极管 内部参与导电有自由电子、空穴两种极性载流子：
双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT） 分类：
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
放大区（恒流区 ）
三极管处于放大状态的条件： 发射结正偏，集电结反偏。
三极管放大状态时的特征 三极管放大状态的电路模型
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
PNP型晶体管的伏安特性曲线
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
判断三极管工作状态的方法（NPN管为例）
共射极直流电流放大倍数 到达集电极的电流 与基区复合电流的比值
β ICN/IBN
输入：B极 输出：C极 公共端：E极
IC β IBN ICB0 β IB (1β )ICB0 β IB ICE0 βIB
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
材料：硅三极管、锗三极管 掺杂：NPN型、PNP型 频率：高、低 功率：大、中、小
基本结构：
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
NPN型三极管
发射结 （Je）
发射区
基区
集电结 （Jc）
集电区
N+ P N
发射极 （e）
基极 （b）
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
集电极 （c）
区分依据
一极连接输入端； 一极连接输出端； 第三极作为输入、输出的公共端；
“公共的极”即为组态形式。
放大电路
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共基组态
共基直流电流放大倍数
E区自由电子到达C极形成的电流 与E极电流之比
ICN / IE, 0.95 ~ 0.995
输入：E极 输出：C极 公共端：B极
IE IC IB IC IE ICBO IB (1 )IE ICBO
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共射组态
三极管截止状态的判断依据 三极管截止状态的电路模型
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
饱和区
三极管处于饱和状态的条件： 发射结正偏，VBE = 0.7～0.8V； 集电结为正偏。
三极管 饱和状态时的特征
三极管的 饱和压降
三极管 临界饱和状态
三极管 深度饱和状态
三极管 深度饱和状态 时的电路模型
判断是否为截止状态？ 依据为发射结是否非正偏，IB是否小于0等…
按放大区模型计算后，若： VCE > 0.7V，则为放大状态。
此时： IC IB
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
五、三极管的主要参数
电流放大系数（倍数）
直流共射电流放大系数：
IC ICEO IC
穿透电流 ICEO 基极开路，集射间加上一定反向电压时， 从集电极穿过基区流入发射极的反向饱和电流。 ICEO是衡量三极管性能稳定与否的重要参数之一，值愈小愈好。 小功率硅管在几微安以下，小功率锗管约在几十至几百微安。
IE IB IC (1β)IB ICEO (1β)IB
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
四、三极管的伏安特性曲线
通过晶体管特性图示仪直接显示三极管的伏安特性曲线
共射极输入特性
iB f (vBE ) vCE C
PNP型三极管
发射结 （Je）
发射区
基区
集电结 （Jc）
集电区
P+ N P
发射极 （e）
基极 （b）
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
集电极 （c）
二、三极管放大电路的电流分配
e
b
c
N+ P N
IE IEN
||
Re
UBE 0 UBC 0
RC
I+B IBN ICBO
VCE = 0V 时 VCE 增长时 VCE > 1V 后
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共射极输出特性
iC f (vCE ) iB C
输出特性的三个区域
饱和区 放大区 截止区
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
截止区
三极管处于截止状态的条件： 外加电压使发射结和集电结均处于反向偏置， 即：VBE≤0, VBC＜0, IB≈0, IC≈0； 三极管失去了放大能力。
VEE
VCC IC ICN ICBO
e
b
c
IE
IEN
ICN I BN
IC
IB
ICBO
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
放大的工作条件
发射结正偏
集电结反偏
IE IEN IB IBN ICBO IC ICN ICBO
放大工作时 各电流的分配关系
四种工作状态
Je 反偏 反偏 正偏
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共基—共射电流放大倍数的关系
共基：
α IC IE IB (1 α )IE
共射：
β IC IB IE (1 β )IB
,
1
Байду номын сангаас
1
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
共集组态
输入：B极 输出：E极 公共端：C极
Jc 反偏 正偏 反偏
状态 截止 倒置 放大
少子漂移 I CB0
b (P) IB
基区复合 I BN
c (N) IC
多子扩散 I CN
IE e (N)
正偏 正偏 饱和
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
三、三极管电路的基本组态
放大系统的组成
输入信号源 输出负载 供电电源
三种基本组态
IB
IB
交流共射电流放大系数：
IC , 20 ~ 200
I B
直流共基电流放大系数： 交流共基电流放大系数：
IC
IE
IC , 0.95 ~ 0.995
I E
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
极间反向电流
集电结反向饱和电流 ICBO 发射极开路时，集电极与基极间的反向饱和电流。 取决于温度和少子浓度。 小功率硅管，ICBO小于0.1μA；锗管ICBO在几μA至十几μA 。
集成电子技术基础教程
第一篇 电子器件基础
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
1.2.4 双极型三极管 1.1.4 双极型三极管的伏安特性及其模型
一、双极型三极管的基本结构
简称：晶体管、三极管 内部参与导电有自由电子、空穴两种极性载流子：
双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT） 分类：
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
放大区（恒流区 ）
三极管处于放大状态的条件： 发射结正偏，集电结反偏。
三极管放大状态时的特征 三极管放大状态的电路模型
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
PNP型晶体管的伏安特性曲线
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
判断三极管工作状态的方法（NPN管为例）
共射极直流电流放大倍数 到达集电极的电流 与基区复合电流的比值
β ICN/IBN
输入：B极 输出：C极 公共端：E极
IC β IBN ICB0 β IB (1β )ICB0 β IB ICE0 βIB
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
材料：硅三极管、锗三极管 掺杂：NPN型、PNP型 频率：高、低 功率：大、中、小
基本结构：
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
NPN型三极管
发射结 （Je）
发射区
基区
集电结 （Jc）
集电区
N+ P N
发射极 （e）
基极 （b）
集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础
集电极 （c）