2019年整理如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格资料

2019年整理如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格资料
2019年整理如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格资料

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

消费者通过查看颗粒编号的含义,以识别自己购买内存是否为正品的文章,已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出,以及对颗粒编号的调整,早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场,不论是原厂还是兼容,使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见,再加上消费者因新编号定义不明,而受骗上当的例子仍然存在,因此,我们将对现代颗粒的最新编号定义,对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。

一、DDR SDRAM:

现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。

我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。

究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下:

1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。

2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)

3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

5.内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

6.内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7.接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

8.内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9.能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)

10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13.速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

由上面14条注解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR 200的工作频率),那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好,它也只是一款低档产品。

一、DDR2 SDRAM:

DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用,并将很快成为主机内存设备的产品,现在在市场中还并不多见,但对于下半年,以至于未来几年内存市场的主打型号,消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况,由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来,所以,只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解,那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。

HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号:

细心的读者可以从上表发现区别,现代DDR2 SDRAM的颗粒编号,实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略,而其他位编号的定义基本保持不变,只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性,增加了一些新的含义。

颗粒编号解释如下:(这里只对存在区别的部分加以说明)

2.内存芯片类型:(5P=DDR2 SDRAM)

3.处理工艺及供电:(仅有S一种,对应参数为:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4.芯片容量密度和刷新速度:(保留28、56、12、1G四种编号;新增2G:2G 8K刷新)

7.接口类型:(保留2=SSTL_2;而SSTL_18则变为1表示)

10.封装类型:(F=FBGA;S=FBGA Stack封装;M=FBGA DDP(Dual Die Package))

12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13.速度:(S7=DDR2-800 7-7-7;S6=DDR2-800 6-6-6;Y6=DDR2-667 6-6-6;

Y5=DDR2-667 5-5-5;C5=DDR2-533 5-5-5;C4=DDR2-533 4-4-4;C3=DDR2-533 3-3-3;

E4=DDR2-400 4-4-4;E3=DDR2-400 3-3-3)

算下来,有变化的部分,大概有7位,基本上都是因为技术更新,而简略了旧的规格代码,加入了新的代码定义。其中,最值得大家注意的,还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号,进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母,分别代表DDR2的四种工作频率,依次是:800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字,显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。

一、SDRAM:

由于现在使用SDRAM内存的用户还很多,其中还想升级现有SDRAM内存容量的用户比例更是不少,因此SDRAM内存还不会现在就退出市场。在此文的最后,我们就再返回来说说现代内存在SDRAM方面的编号设定。

其实,现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品,因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“-”后面的一位或两位数字,就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定,分如下几种:

一般在市场中,我们最长见到编号尾数为“H”的产品,即PC133且CL=3的产品,如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时,最好能先依照上面列表中的数字进行比对,以免买到性能低下的内存产品。

结论:

正如上面三部分的介绍,现在市场中销售的使用现代颗粒的内存,基本都符合这些编号定义。不同的规格型号,区别可能仅仅在于编号中的某一位数字不同,因此,要想避免上当受骗,消费者就一定要牢记这些编号的含义。尤其是第13位的参数更是十分重要,它将决定这款内存所用颗粒的最高工作速度。同时大家也可以登陆其产品代理深圳市龙俊电子有限公司的网址www.crlmemory.com来更好的了解产品。再次提醒大家只有将这些编号在购买产品前,悉数背清,才能真正辨别所购产品的真假。由此,来判断商家是否存在欺诈行为。

内存型号说明

Samsung 具体含义解释 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1(显存颗粒)。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A 代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第8位——为一个数字,表示内存的物理Bank,即颗粒的数据位宽,有3和4两个数字,分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言,数据宽度×芯片数量=数据位宽。这个值可以是64或128,对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片:4×16=64,双面内存单bank;256M内存 16M×16格式 8颗芯片:16×8=128,单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外,要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种,芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时,多出的部分主板就会认不出了,比如把256M认成128M就是这个原因,但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准,Q:SSTL-1.8V (1.8V,1.8V)。与DDR的2.5V电压相比,DDR2的1.8V是内存功耗更低,同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本,表示所采用的颗粒所属第几代产品,M 表示1st,A-F表示2nd-7th。目前,长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒,而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老,有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型,有G,S:FBGA(Leaded)、Z,Y:FBGA(Leaded-Free)。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装,而FBGA是主流(之前称为mBGA)。其实进入DDR2时代,颗粒的封装基本采用FBGA了,因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz,DDR最高频率就只到400MHz,像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准,“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power,就是常规的1.8V电压标准;“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power,是低电压版,适合超频,

主流DDR内存芯片与编号识别

我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中,经常会提到一些内存芯片编号, 最近在一些论坛中也发现了类似的话题,因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中,我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日,由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代,厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务,所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同,请以当时的新规则为准。 这里要强调的是,所谓的主流厂商,就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商,有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意,他们并不是真正 的生产,而只是封装!像胜创(KingMax)、金士顿(Kingston)、威刚(ADATA、VDATA)、宇瞻(Apacer)、勤茂(TwinMOS)等都出过打着自 己品牌的芯片,不过它们自己并不生产内存晶圆,而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流(除了自己,其他模组厂商不可 能用),厂商也没从公布完整详细的编号规则,有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此,本文所介绍的内容不包括它们,请读者见谅。 那么,现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢?我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出,排名前十的厂商是三星(SAMSUNG,韩国)、美光(Micron,美国)、英飞凌(Infineon,德国)、Hynix(韩国)、南亚(Nanya,中国台湾)、尔必达(ELPIDA,日本)、茂矽(Mosel Vitelic,中 国台湾),力晶(Powerchip,中国台湾)、华邦(Winbond,中国台湾)、 冲电气(Oki,日本)。

现代内存颗粒编码细则

现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签: 分类:电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同,分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二

所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR 内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K 刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位置越*后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封装 第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成。空白代表普通;S代表

教你看懂内存编码

教你看懂内存编码! 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国(含台湾省)厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面就是内存识别资料,供大家参考: 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下: 现代电子HYUNDAI:HY[注:代号] 三星SAMSUNG:KM或M NBM:AAA 西门子SIEMENS:HYB 高士达LG-SEMICON:GM HITSUBISHI:M5M 富士通FUJITSU:MB 摩托罗拉MOTOROLA:MCM MATSUSHITA:MN OKI:MSM 美凯龙MICRON:MT 德州仪器TMS:TI 东芝TOSHIBA:TD 或TC 日立HITACHI:HM STI:TM 日电NEC:uPD IBM:BM NPNX:NN 一.日本产系列: 主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi [三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。 1.HITACHI[日立]。1 日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外频, HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式: HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度: 75:7.5ns[133MHz] 80:8ns[125MHz] A60:10ns[PC-100 CL2或3] B60:10ns[PC-100 CL3] 例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式: μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义,以识别自己购买内存是否为正品的文章,已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出,以及对颗粒编号的调整,早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场,不论是原厂还是兼容,使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见,再加上消费者因新编号定义不明,而受骗上当的例子仍然存在,因此,我们将对现代颗粒的最新编号定义,对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM: 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新) 5.内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片) 6.内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank) 7.接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18) 8.内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代) 9.能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型) 10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm)) 11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC)) 12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素) 13.速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200) 14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

现代内存编号规则

现代内存编号规则 -------------------------------------------------------------------------------- 文章作者: 文章来源:网络共享发布时间:2005-04-29 10:55:22 一、DDR SDRAM: 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号: HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

内存型号说明

内存型号说明: Samsung 具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量; 56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义: HY5DV641622AT-36

内存颗粒和模组编号知识

内存颗粒和模组编号知识 老头儿的内存颗粒和模组编号知识60问 (https://www.360docs.net/doc/e05729178.html, ,李谦2009-04-24发表) 在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息,但是,除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外,颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的,编号方法很不一致。因此,网上有关编号的问题的讨论也很多,我认为,有许多理解是不准确的。为此,我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。力求收集得全面一些。还真的有不少斩获。现将它们整理出来,供网友们参考。当然,所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM (Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM)内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。服务器内存和其他专用内存都没有涉及。 为了便于读者朋友查询,我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表(见问题3问题4)。当您要查询一个未知内存编号的含义时,可以首先跟这个速查表比对,了解了生产这种内存的厂商后,再根据本目录查询具体含义。 目录 一.关于内存的编号 1.目前的主要内存厂商有哪些? 2.内存是怎样编号的? 3.请给出常用内存颗粒编号速查表! 4.请给出常用内存模组编号速查表! 二.关于内存的编号方法 5.颗粒编号中的术语有哪些?说明其含义。 6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思? 7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度? 8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度? 9.如何根据颗粒的编号计算模组容量? 10.怎样从内存编号中知道内存的速度? 11.内存模组编号的术语有那些?说明其含义。 12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思? 13.什么是RANK? 14.如何根据模组的编号计算模组的容量? 15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数? 16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的? 17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义 18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数? 19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系? 20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗? 21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思? 22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思? 23.在内存标签上写的RoHS是什么意思? 24.有害物质是指哪些? 25.内存标签上的“0820”是什么意思? 26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思? 27.我的内存是2GB的,为什么颗粒编号说是1GB的?

内存上面的标识解读

内存上面的标识解读(Memory Rank Single Rankx4) 2011-10-28 17:29:11| 分类: | 标签:|字号订阅 一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank. Single Rank:1组Memory chip Dual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per side Quad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per side Rank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率! 解读内存中的Bank 两种内存Bank的区别 内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。 1.物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作,必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽,单位是bit(位)。内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥进行,内存总线

的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽,这个位宽就称之为物理Bank(Physical Bank,简称P-Bank)的位宽。以目前主流的DDR系统为例,CPU与内存之间的接口位宽是64bit,也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据,那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。不过以前有不少朋友都认为,内存的物理Bank是由面数决定的:即单面内存条则包含一个物理Bank,双面内存则包含两个。其实这个看法是错误的! 一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的,各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank;如果是128bit 就是双物理Bank。读到这里,大家也应该知道,我们可以通过两种方式来增加这种类型内存的容量。第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加Bank的容量,第二种方法就是增加Bank的数目。由于目前内存颗粒位宽的限制,一个系统只有一个物理Bank已经不能满足容量的需要。所以,目前新一代芯片组可以支持多个物理Bank,最少的也能支持4个物理Bank。对于像Intel i845D这种支持4个Bank的芯片组来说,我们在选购内存时就要考虑一下插槽数与内存Bank 的分配问题了。因为如果选购双Bank的内存,这意味着在Intel i845D芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存,多了的话芯片组将无法识别。这里我建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购 内存,如果主板只提供了两个内存插槽,那就不必为内存是单

内存编号识别解读

内存编号识别解读 Samsung 具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义: HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM); 3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、

轻松识别DDR内存颗粒编号!

轻松识别DDR内存颗粒编号! 内存传输标准 PC3-10600 是什么意思啊数字越大越好吗? 浏览次数:2046次悬赏分:0 |解决时间:2011-5-30 09:14 |提问者:螺丝帽789 最佳答案 PC3-10600=DDR3 1333 PC3代表DDR3 10600是用带宽来命名,1333*64/8=10664,1333是DDR等效频率 现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候,往往会选择性价比最高的内存,呵呵,DDR内存就是目前最好的选择了。可是DDR到底是什么呀?(我倒~~~)DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器,通常简称其为DDR。由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输,所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别,二者具有相同的长度与同样的管脚距离。但是,DDR内存具有184只管脚,比传统的SDRAM多16只,这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。(明白什么是DDR了吧!) 既然我们现在已经知道了DDR为何物了,那么我们就开始选够吧。可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存,以低容量内存冒充高容量,以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生,为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者,我特地教给你们一手,如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存,不让JS的奸计得成!一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号,由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范,因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的,所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同,因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。 现代DDR内存: 随着各大内存和主板厂商的跟近,使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平,支持DDR的主板芯片组技术日益成熟,那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了,并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR 的生产行列,但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的,下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。 HY XX X XX XX XX X X X X X X X 1 2 34 5 6 78 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);

解读内存颗粒编号含义

现代内存颗粒编号含义 现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅,不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。其实,小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格--解读编号含义,现在我们以现代内存为例,图解说明让大家迅速学会解读编号。 现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成,如下图一所示,下面,小编就给大家分别解释,主要对内存规格进行说明。 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称--Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同,分别可以用"D5、D43、D4、J、M、K、H、L"8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写

内存条上面的编码的含义

内存条上面的编码的含义 一、LGS(乐金LG): LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多,也是最广泛的内存了,所以LGS应该首先排第一位。 LGS的内存编码规则: GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、GM代表LGS公司。 2、72代表SDRAM。 3、V代表3V电压。 4、内存单位容量和刷新单位:其中:16:16M,4K刷新;17:16M,2K刷新;28:128M,4K刷新;64:64M,16K刷新。65:64M,8K刷新;66:64M,4K刷新。 5、数据带宽:4:4位,8:8位,16:16位,32:32位。 6、芯片组成:1:1BAND,2:2BANK,4:4BANK,8:8BANK 7、I/O界面:一般为1 8、产品系列:从A至F。 9、功耗:空白则是普通,L是低功 10、封装模式:一般为T(TSOP) 11、速度:其中:8:8NS,7K:10NS(CL2),7J(10NS,CL2&3),10K(10NS[一说15NS],PC66),12(12NS,83HZ),15(15NS,66HZ) 二、HY(现代HYUNDAI) 现代是韩国著名的内存生产厂,其产品在国内的占用量也很大。当然,今后就会看不到HY的产品了,因为现代的内存厂已经并入LGS了! HY的编码规则: HY 5X X XXX XX X X X X- XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、HY代表现代。 2、一般是57,代表SDRAM。 3、工艺:空白则是5V,V是3V。 4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M,8K刷新;65:64M,4K刷新;128:128M,8K刷新;129:128M,4K刷新。 5、数据带宽:40:4位,80:8位,16:16位,32:32位。 6、芯片组成:1:2BANK,2:4BANK;3:8BANK; 7、I/O界面:一般为0 8、产品线:从A-D系列 9、功率:空白则为普通,L为低功耗。 10、封装:一般为TC(TSOP) 11、速度:7:7NS,8:8NS,10P:10NS(CL2&3),10S:10NS,(PC100,CL3),10:10NS,12:12NS,15:15NS

DDR命名规则

现代内存编号规则 一、DDR SDRAM: 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号: HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K

内存条颗粒编码规则(旧)

内存条颗粒编码规则 当你拿到一条内存的时候,能看出它的容量吗?虽然我们可以把它插到机器上测试出来,但对于一个内行人来说,看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的,并且并不难做到。 通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多,但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了,国内市场上主流内存条所用的内存颗粒,主要是一些国际性的大厂所生产。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。v第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。

内存条上文字及字母标识的含义

内存条上文字及字母标识的含义 一、Samsung内存 具体含**释: 例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC 内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

内存颗粒的型号

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则:K 4 X X X X X X X - X X X X X 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits (兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC 内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Micron内存颗粒 Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义: MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。

内存条编号意义--怎么看内存条型号大小

内存条编号意义--怎么看内存条型号大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面 两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据 频率、延迟参数不同,分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为 3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B (133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生 产制造。第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中

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