设计主电源和备用电源之间的FET-OR电路开关

设计主电源和备用电源之间的FET-OR电路开关

图1 为一具有“二极管或”功能的电路，用于主电源和备用电源之间必

须自动切换的场合，包括电池供电存储器电源和任何带墙上适配器连接的电

池供电设备。例如，电池供电的静态随机存取存储器(SRAM)电路(非易失性存储器模块)至少需要两个电源：SRAM 存储器(VIN1)用高电流活动通道，以及一个供主电源缺失时保存存储器内容的低电流备用电源(VIN2)。

通常的二极管或连接会给两个通道都带来问题(见图2)。在VIN1 通道，二极管电压降会造成供电电源超出容限：3.3V 10%，即最小2.97 V，所以典型二极管压降(0.6V)使VIN1 超出10%限值。对低压电源供电的存储器IC 容限问题更严重。

在备用端(VIN2)，希望电压降最小，以最大限度延长备用电源(不管是电池、超级电容还是其他电压源)的使用寿命，虽然0.6V 的压降约为锂离子电池

全充电(4.1V) 输出的15%。

肖特基二极管将正向压降降低了0.3~0.5V，在一定程度上使情况有改善，但用FET 代替二极管将压降降低到0.1V。要制作一低正向压降”FET或”电源，需要在图1 所示的每个功率通道各加一FET，这些FET 受电源序列发生器(U1) 控制。

可以在VIN1 通道使用一FDC633N 晶体管(飞兆公司产品)，在VIN2 通