半导体器件介绍

１０．标准电路例
STR-Y6400 演示板电路图
EE R28
AC85V～AC264V Po=30.4W
14V／2000 m A
F M BG19L
2
5 .0 Ω
*470k 1 W
1
E G01 C
630 V *2200pF
P2
S3 S4
P1
EK16
8V／300 m A
P C1 1 .5KΩ
AL01Z *4 .7
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１３．多模式控制的效果
２Skip准共振・自动待机 轻负载效率UP
Po-Pin特性 STR-Y6476(ES1) Vdss=850V R DS (ON)=1.8Ω Vin(AC)=230V Po=30.4W
90 80 70
効率[%]
60 50 40 30 20 0.0 1.0
STR-G6600相当 STR-W6700相当 STR-Y6476 2skip模式 STR-Y6476 自动待机
保护功能 过电流保护 ：OCP・・・Pulse by Pulse 过负载保护 ：OLP・・・Latch OFF 过电压保护 ：OVP・・・ Latch OFF 外部锁定： ELP・・・・Latch OFF
通过外部参数设置可进行自动重启 ! 非锁定模式对应！
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高度 *基板上 STR-Y6400 20mm STR-L6400 11.3mm
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５．多BottomSkip动作
*13kΩ
33kΩ 33kΩ
S1 S2
D
1 .8kΩ
0 .1μF TL431
Y6476 ST R-
1
D
Vcc
3
*50 V 47μ B D
*100K
10kΩ
*2k V 100p
5
Cont ． B lock
F B
4
A DJ
P C1
7 2
S/ G N D O PE N O C 47 K
4700p
6
50 V 0 .47μ 50 V 10u
.2 0 .55+0 -0 .1
2 .6 （根元寸法 ）
９ × ｐ２．５４ ±０．１ ＝ （２２．８６ ）
（ 根元寸法 ）
5 .0
R -end
(2R1 )
10 .4
0 .45 1 .99 （根元寸法 ） ５×Ｐ １ ． １ ７＝５ ． ８ ５ （根元寸法 ）
( 5 .4 )
7-0 .55
2 .54
5 .08 （先端寸法 ）
0 .1 μF
33 KΩ
6
S/ G N D O C P/ B D OL P/SS
2 .2KΩ
1kΩ
TL431相当品
3
220 PF
7
5
50 V 1 μF μF 0 .1
10KΩ 1%
G N D1
AL01Z
2200pF
指示なき抵抗の定格電力については1/4 W以下
1 W0 .75Ω
220 Ω
指示なき コンデンサの耐圧については50V以下
全负载领域的高效率化
Po-Pin特性 STR-Y6476 (ES1) Vdss=850V R DS (ON)=1.8Ω Vin(AC)=85V～264V Po=30.4W
100 90 80 70
効率[%]
60 50 40 30 20 10 0 0.0 5.0 10.0 15.0 20.0 25.0 30.0 35.0
半导体器件介绍
2008年10月3日
SANKEN ELECTRIC CO.,LTD
Leadership through Innovative Power and Optical Solutions -- Success by Overcoming Constant Challenges.
Biblioteka Baidu-1-
＜Contents＞
轻负载 中负载 重负载 ２Skip ⇔ １Skip ⇔ 准共振
Ids
Vds
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６．多模式控制原理
８．参考电路比较
STR-W6765 演示板电路图
A C85 V～ A C265 V
AC85～AC264V Po=30.4W
回路図 (仕様1対応 )
STR-Y6400 减少元器件 外部元器件减少7个
M BG19L F
EE R-28
V/2 A 14
2 W100KΩ
630 V2200pF
P1
1 W150kΩ
AC120V STR-Y6476 AC230V STR-Y6476 AC120V 擬似共振 AC230V 擬似共振
出力電力[W]
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AC120V STR-Y6476
空载时 AC120V :65mW AC230V :78mW
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
AC230V STR-Y6476 AC120V 擬似共振 AC230V 擬似共振
4.0
4.5
5.0
出力電力[W]
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2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
擬似共振モード 1skip モード 2skipモード オートスタンバイ 9.0 10.0
出力電力[W]
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准共振电源用IC
STR-Y6400・L6400系列
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准共振用电源ＩＣ
STR-Y6400/L6400系列
E G01 C
P2
4 .7Ω
S2 S4
8 V/0 .3 A
E K16
P C1
要放熱 フ ィン
1
D
ST RW6765
4
P C1
AL01Z
35 V 10μF
*13kΩ
1 .5KΩ
V in
P3
S1 S3
1 .8KΩ
33KΩ 1%
3 .3K Ω 2K V 220pF
Con t ． B lock
F B
AL01Z
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１４．负载变动特性
变压器杂音抑制对策
○负载急变时的模式锁定 负载急变时在延迟时间模式固定。
PWM控制的逆变器负 载急变对应！
负载电流 漏极源极间电压 漏极电流
漏极源极间电压(扩大)
FMS207(7L) 高度 15.0 mm
ADJ
引脚间距 2.0mm
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３．封装和Ｐｉｎ配置 ２ STR-L6400系列
☆全负载领域的高效率化
１SKIP
QR
开关频率
２SKIP ＳTAND-BY
0
输出功率
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７．自动待机动作
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２．封装和Ｐｉｎ配置 １
STR-Y6400系列
Pin.No 1 2 3 4 5 6 7 Symbol D/Startup S/GND Vcc FB BD OCP Function
MOS FET 漏极及起动电流输入 MOS FET 源极及GND 控制电路电源输入 反馈信号输入/OLP信号输入 Bottom检测信号/输入补偿检测输入 过电流检测信号/BottomSkip检测信 号输入 SoftStart动作/BottomSkip的延迟时 间设定/Power Off信号输入
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１．STR-Y6400/L6400系列概要
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ 启动电路搭载 多模式控制 自动待机 待机动作时抑制变压器杂音 Bottom Skip Soft Start 设置消隐时间 待机时消耗功率减少 对应负载状态进行最合适的电源动作 空载时Pin＜0.1W、外部信号不要 通过Soft On抑制变压器杂音 降低开关损耗 降低过渡期间内Power MOS FET的应力 去掉了外部的滤波器
负载 Uｐ↑ ⇒ 间欠周期 Ｈｉｇｈ↑ 负载 Dｏｗｎ↓ ⇒ 间欠周期 Ｌｏｗ↓
Ids
Vds
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＊印は要調整部品
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９．IC周围元器件减少
☆7Pin基板控制信号独立化 ⇒外部元器件削除
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１２．变换效率特性(轻负载动作时)
空载消耗功率0.1W以下
Po-Pin特性 STR-Y6476 (ES1) Vdss=850V R DS (ON)=1.8Ω Vin(AC)=85V～264V Po=30.4W
100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0.0 0.5
効率[%]
高度 9mm
SoftStart动作/BottomSkip的延迟时 间设定/PowerOff信号输入
引脚间距 2.45mm
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STR-W6700
D D
STR-Y6400 BD
MIC
S/GND
MIC
OCP/ BD
S/GND
OCP
8元器件
以前（6Pin）外部电路
3元器件
7Pin化后的外部电路
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４．外形图 STR-Y6400系列
10 .0 ゲー トバ リ
STR-L6400系列
4±0 .2
4 .2
0 .5
2 .3±0 .2
2 .8
1 .5 M AX
9±0 .2
φ3 .2
1 .2±0 .1
（ 根元寸法 ）
.2 1 .15+0 -0 .1
.2 0 .55+0 -0 .1
(7 .15)
15
Pin.No 1～ 3 5 6 7 8 9 10 Symbol D/Startup S/GND Vcc FB BD OCP ADJ Function
MOS FET 漏极及起动电流输入 MOS FET 源极及GND 控制电路电源输入 反馈信号输入/OLP信号输入 Bottom检测信号/输入补偿检测输入 过电流检测信号/BottomSkip检测信 号输入
1/2 W *0 .69 シ ョー ト
*印については 、調整が必要となる箇所です 。
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１１．变换效率特性 １