原创PPT-微电子学专业毕业论文答辩-学术报告与开题报告-课题研究-项目汇报PPT模板
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《微电子技术》课件
尝试和其他同学合作，相互协 作，更好地完成项目的设计和 加工。
总结
技术进步
实践与掌握
微电子技术正在不断进步和创新， 为日常生活和未来发展提供强有 力的支持。
实践操作能够更好地掌握微电子 技术，将知识转化为实际应用的 能力。
未来展望
微电子技术将在通讯、互联网、 智能交通、医疗等领域得以广泛 应用，有广阔的发展前景。
微电子技术
介绍微电子技术的基本概念，重要性和应用。探索微电子领域的最新和前沿 技术，如芯片封装和集成电路设计。
课程目标
1 深入了解Βιβλιοθήκη Baidu电子领域
从基本概念到前沿技术，全面学习微电子技术的历史和应用。
2 独立完成微电子设计
通过本课程的学习和实践，学生可以独立完成一个微电子设计项目。
3 了解最新研究成果
介绍微电子领域的最新研究成果，如新型器件、智能芯片等。
2
积极参与
在课堂上积极参与讨论，和其他学生交流。
3
阅读相关文献
阅读课程参考书和相关文献，掌握学习内容的核心思想和方法。
学习建议
1. 找到合适的研究 方向
选择一个自己感兴趣的方向深 入研究，可以帮助提高学习积 极性。
2. 进行实践操作
尽可能多地进行实际操作，加 深对微电子技术的理解和掌握。
3. 相互协作
在线资源
Coursera《微电子技术》课程，IEEE期刊和会议论文库等
总结
技术进步
实践与掌握
微电子技术正在不断进步和创新， 为日常生活和未来发展提供强有 力的支持。
实践操作能够更好地掌握微电子 技术，将知识转化为实际应用的 能力。
未来展望
微电子技术将在通讯、互联网、 智能交通、医疗等领域得以广泛 应用，有广阔的发展前景。
微电子技术
介绍微电子技术的基本概念，重要性和应用。探索微电子领域的最新和前沿 技术，如芯片封装和集成电路设计。
课程目标
1 深入了解Βιβλιοθήκη Baidu电子领域
从基本概念到前沿技术，全面学习微电子技术的历史和应用。
2 独立完成微电子设计
通过本课程的学习和实践，学生可以独立完成一个微电子设计项目。
3 了解最新研究成果
介绍微电子领域的最新研究成果，如新型器件、智能芯片等。
2
积极参与
在课堂上积极参与讨论，和其他学生交流。
3
阅读相关文献
阅读课程参考书和相关文献，掌握学习内容的核心思想和方法。
学习建议
1. 找到合适的研究 方向
选择一个自己感兴趣的方向深 入研究，可以帮助提高学习积 极性。
2. 进行实践操作
尽可能多地进行实际操作，加 深对微电子技术的理解和掌握。
3. 相互协作
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微电子学专业介绍.ppt
近几年微电子的投入，“211”和“985”
一． 我校进入“211工程” 500万元 “信息光电子材料与信息技术”被确定为重点学科之一，在“211工程”
建设基金的资助下，物理系建立了“211工程”重点实验室，主要建设微 电子材料和器件的设计、制备、测试研究。 二． “211工程”二期，1100万元，
➢ 1966年由高教部批准成立了半导体研究室。承担了许多科研项目，国家和地方的重 点或重大科研任务，培养了一批又一批的学生
➢ 1976年后还培养了相当数量的“半导体物理与器件物理”的硕士生和博士生， ➢ 1996年 “半导体物理与器件”专业改为“凝聚态物理”专业 ➢ 2006年 批准设立“微电子学与固体电子学”博士点
例如微机电系统（MEMS）、生物芯片等
• 微电子学
•
学科：理学
门类：电子信息科学类
专业名称：微电子学
业务培养目标：本专业培养掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能， 能在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高 级专门人才。
业务培养要求：本专业学生主要学习微电子学的基本理论和基本知识，受到科学实验与科学思 维的基本训练，具有良好科学素养，掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所 必需的基本理论和方法，具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。
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选题背景及意义
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研究现状与研究目的
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9Hale Waihona Puke Baidu
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本章节主要内容
主要内容条目一 主要内容条目二 主要内容条目三 主要内容条目四
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《微电子技术》课件
物理气相沉积（PVD）
分子束外延（MBE）
在高真空条件下，通过控制化学源的 分子束，在单晶衬底上生长单层或多 层薄膜的技术。
通过物理方式，如溅射或蒸发，在衬 底上形成固态薄膜的技术。
光刻技术
光学光刻
利用光线透过掩模，在光敏材料 上形成图像的技术。
X射线光刻
利用X射线透过掩模，在光敏材料 上形成更精细图像的技术。
02
微电子技术领域的竞争非常激烈，企业需要不断提升自身的技
术水平和产品质量，以获得竞争优势。
客户需求多样化
03
客户需求多样化，要求企业提供更加定制化的产品和服务，以
满足不同客户的需求。
新材料、新工艺的机遇
新材料的应用
随着新材料技术的发展，一些新材料在微电子领域的应用逐渐得到 推广，为微电子技术的发展带来了新的机遇。
军事
微电子技术用于制造军事设备 ，如导弹制导系统、雷达、通
信设备等。
微电子技术的发展趋势
纳米技术
随着芯片上元件尺寸的 不断缩小，纳米技术成 为微电子技术的重要发
展方向。
3D集成
通过将多个芯片垂直集 成在一起，实现更高的
性能和更低的功耗。
柔性电子
柔性电子是将电子器件 制造在柔性材料上的技 术，具有可弯曲、可折
新工艺的研发
新工艺的研发和应用，可以提高生产效率和产品质量，降低生产成 本，为微电子技术的发展带来新的机遇。
分子束外延（MBE）
在高真空条件下，通过控制化学源的 分子束，在单晶衬底上生长单层或多 层薄膜的技术。
通过物理方式，如溅射或蒸发，在衬 底上形成固态薄膜的技术。
光刻技术
光学光刻
利用光线透过掩模，在光敏材料 上形成图像的技术。
X射线光刻
利用X射线透过掩模，在光敏材料 上形成更精细图像的技术。
02
微电子技术领域的竞争非常激烈，企业需要不断提升自身的技
术水平和产品质量，以获得竞争优势。
客户需求多样化
03
客户需求多样化，要求企业提供更加定制化的产品和服务，以
满足不同客户的需求。
新材料、新工艺的机遇
新材料的应用
随着新材料技术的发展，一些新材料在微电子领域的应用逐渐得到 推广，为微电子技术的发展带来了新的机遇。
军事
微电子技术用于制造军事设备 ，如导弹制导系统、雷达、通
信设备等。
微电子技术的发展趋势
纳米技术
随着芯片上元件尺寸的 不断缩小，纳米技术成 为微电子技术的重要发
展方向。
3D集成
通过将多个芯片垂直集 成在一起，实现更高的
性能和更低的功耗。
柔性电子
柔性电子是将电子器件 制造在柔性材料上的技 术，具有可弯曲、可折
新工艺的研发
新工艺的研发和应用，可以提高生产效率和产品质量，降低生产成 本，为微电子技术的发展带来新的机遇。
微电子技术课件
源自文库
散方程。
漂移运动
02
在外电场作用下，载流子受到电场力作用而产生漂移运动，遵
循漂移方程。
复合过程
03
电子和空穴在半导体中相遇时会发生复合过程，释放出能量。
03
CATALOGUE
器件结构与工艺
二极管结构与工艺
01
02
03
PN结
由P型半导体和N型半导体 形成的结，具有单向导电 性。
二极管结构
包括PN结、引线和封装等 部分，有硅二极管和锗二 极管等类型。
制造工艺
包括材料制备、光刻、扩 散、氧化、金属化等步骤 。
晶体管结构与工艺
基本结构
由两个PN结组成的三层结构，包括基区、发射区 和集电区。
晶体管分类
根据结构不同可分为NPN型和PNP型晶体管。
制造工艺
与二极管工艺类似，但需要更高的精度和更复杂 的步骤。
集成电路制造工艺流程
晶圆制备
选用高纯度硅材料，通过拉晶、切 片等工艺制备晶圆。
微电子技术课件
contents
目录
• 微电子技术概述 • 半导体物理基础 • 器件结构与工艺 • 微电子电路设计基础 • 微电子封装与测试技术 • 应用领域与发展趋势展望
01
CATALOGUE
微电子技术概述
定义与发展历程
定义
微电子技术是指利用微电子学原理， 在微米级尺度上研究、设计、制造和 应用电子元器件、集成电路和系统的 一门技术。
散方程。
漂移运动
02
在外电场作用下，载流子受到电场力作用而产生漂移运动，遵
循漂移方程。
复合过程
03
电子和空穴在半导体中相遇时会发生复合过程，释放出能量。
03
CATALOGUE
器件结构与工艺
二极管结构与工艺
01
02
03
PN结
由P型半导体和N型半导体 形成的结，具有单向导电 性。
二极管结构
包括PN结、引线和封装等 部分，有硅二极管和锗二 极管等类型。
制造工艺
包括材料制备、光刻、扩 散、氧化、金属化等步骤 。
晶体管结构与工艺
基本结构
由两个PN结组成的三层结构，包括基区、发射区 和集电区。
晶体管分类
根据结构不同可分为NPN型和PNP型晶体管。
制造工艺
与二极管工艺类似，但需要更高的精度和更复杂 的步骤。
集成电路制造工艺流程
晶圆制备
选用高纯度硅材料，通过拉晶、切 片等工艺制备晶圆。
微电子技术课件
contents
目录
• 微电子技术概述 • 半导体物理基础 • 器件结构与工艺 • 微电子电路设计基础 • 微电子封装与测试技术 • 应用领域与发展趋势展望
01
CATALOGUE
微电子技术概述
定义与发展历程
定义
微电子技术是指利用微电子学原理， 在微米级尺度上研究、设计、制造和 应用电子元器件、集成电路和系统的 一门技术。
微电子学院研究生论文答辩申请审核表
微电子学院研究生论文答辩申请审核表院、系、所：
注：1. 此表由研究生本人填写；
2. 硕士在第五学期最迟第六学期内完成学位论文答辩；
3. 如在学期间有论文发表，请将发表学术论文的导师原始稿件审核表及发表论文的刊物封面、目录、论文首页复印后一并送至院系研究生秘书处。
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研究方法
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研究过程
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研究意义
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《微电子器件》课件
投影式光刻
将光刻板的图像投影到衬底上进行曝光，具有较高的分辨率和制 程能力。
刻蚀技术
干法刻蚀
利用等离子体进行刻蚀，具有较 高的刻蚀选择性和较小的侧向刻 蚀效应。
湿法刻蚀
利用化学溶液进行刻蚀，具有较 低的成本和较快的刻蚀速率。
掺杂技术
扩散掺杂
将杂质元素扩散到半导体材料中，以 改变其导电性能。
离子注入掺杂
柔性电子器件
柔性电子器件具有轻薄、可弯曲、可折叠等特点 ，被广泛应用于可穿戴设备、智能家居等领域。 目前，柔性电子器件的研究重点在于提高其稳定 性、可靠性和生产效率。
量子器件
量子器件利用量子力学原理实现信息处理和计算 ，具有超强的计算能力和并行处理能力。目前， 量子器件的研究重点在于实现稳定、可靠、可扩 展的量子计算系统。
02
微电子器件的基本结构与 原理
半导体材料基础
半导体材料的分类
元素半导体、化合物半导体、掺 杂半导体等。
半导体的基本性质
导电性、光学特性、热学特性等。
半导体的能带结构
价带、导带、禁带等概念及其对电 子跃迁的影响。
PN结与二极管
PN结的形成
01
扩散、耗尽层、空间电荷区等概念。
二极管的伏安特性
02
《微电子器件》ppt课 件
目录 CONTENT
• 微电子器件概述 • 微电子器件的基本结构与原理 • 微电子器件的制造工艺 • 微电子器件的性能参数与测试 • 微电子器件的未来发展与挑战 • 案例分析：微电子器件在物联网
将光刻板的图像投影到衬底上进行曝光，具有较高的分辨率和制 程能力。
刻蚀技术
干法刻蚀
利用等离子体进行刻蚀，具有较 高的刻蚀选择性和较小的侧向刻 蚀效应。
湿法刻蚀
利用化学溶液进行刻蚀，具有较 低的成本和较快的刻蚀速率。
掺杂技术
扩散掺杂
将杂质元素扩散到半导体材料中，以 改变其导电性能。
离子注入掺杂
柔性电子器件
柔性电子器件具有轻薄、可弯曲、可折叠等特点 ，被广泛应用于可穿戴设备、智能家居等领域。 目前，柔性电子器件的研究重点在于提高其稳定 性、可靠性和生产效率。
量子器件
量子器件利用量子力学原理实现信息处理和计算 ，具有超强的计算能力和并行处理能力。目前， 量子器件的研究重点在于实现稳定、可靠、可扩 展的量子计算系统。
02
微电子器件的基本结构与 原理
半导体材料基础
半导体材料的分类
元素半导体、化合物半导体、掺 杂半导体等。
半导体的基本性质
导电性、光学特性、热学特性等。
半导体的能带结构
价带、导带、禁带等概念及其对电 子跃迁的影响。
PN结与二极管
PN结的形成
01
扩散、耗尽层、空间电荷区等概念。
二极管的伏安特性
02
《微电子器件》ppt课 件
目录 CONTENT
• 微电子器件概述 • 微电子器件的基本结构与原理 • 微电子器件的制造工艺 • 微电子器件的性能参数与测试 • 微电子器件的未来发展与挑战 • 案例分析：微电子器件在物联网
微电子工艺PPT课件
2005年 65nm
2007年 45nm
2009年 32nm
2012年 22nm
2014年 14/16nm
Intel首款14nm处理器——第五代Core处理器问世（2015-1-6） 第五代Core处理器平台电晶体(Transistor)数量比第四代Core加35%，但尺寸却缩减37%; 此外，在3D图像处理性能、影片转码速度、电池续航力、整体性能等评比项目，第五代Core处理 器平台都较前一代产品分别提升22%、50%、40%以及1.5小时的表现。
4、保障措施
成立国家集成电路产业发展领导小组，国务院副总理马凯任组长，工业化信息化部 部长苗圩任副组长。
设立国家产业投资基金，已成功吸引了金融机构、民营企业等各方出资，募资已超 1000亿；已向紫光集团投资合计300亿元。
加大金融支持力度。 加大人才培养和引进力度。
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9
产业现状-全球
2018-2014全球集成电路市场规模及增速
11 刻1蚀6 16
本课程学习目的？
1、掌握集成电路工艺设计、工艺集成流程。 2、清楚各种工艺设备及各工艺环节。 3、了解集成电路产业和技术发展。 4、了解集成电路封装和电学测试。
.
117
如何学习本课程？
1、这是一门工程学科，不是理论基础课程。 2、更多关注领域前沿，结合实际应用学习。
.
最新复旦大学微电子专业工程硕士课程004幻灯片课件
所用的时间（称之为沟道渡越时间）为ch，则
MOSFET输出电流（漏端电流）为
ID
Q Ch
沟道区总的载流子电荷
Q W C O L [X V G ( S V T)H (V G S V D S V T)H ] QWL O(X V C G SVTH 1 2 2 VD)S假设QINV(x)~x线性变化
沟道渡越时间
当有外加漏－源偏置电压时，空间电荷区的求解需 要解二维的泊松方程：
x22 y22
(x,y) 0S
分别考察沿着x、y方向电场强度变化率（平均）：
x方向：假设
NA11108 cm 3 VTH0.7V tOX 5nm
当VGS=3V时，半导体表面达到强反型，空间电荷 区电荷为：
Q S S Q D Q E IN P q V A W m N C O ( V G X V S T ) H 表面电场强度为：
耗尽型
ID VGS
PMOS
ID VGS
ID VGS
除非特别情况， 讨论以以下几点 为基础：
①源端与衬底短 接并接地；
②漏端偏置电压 总是使载流子流 出漏端，并且是 器件的输出端；
③栅极为控制端， 即输入端；
4.3 基于阈值电压的简单I－V模型 当栅偏置电压形成导电沟道时，如果加上漏偏置 电压，就会有载流子流出漏端，形成电流。
固定y，则泊松方程的积分过程与MOS电容完全 一致，所不同的是此时沟道区内反型电子浓度为
MOSFET输出电流（漏端电流）为
ID
Q Ch
沟道区总的载流子电荷
Q W C O L [X V G ( S V T)H (V G S V D S V T)H ] QWL O(X V C G SVTH 1 2 2 VD)S假设QINV(x)~x线性变化
沟道渡越时间
当有外加漏－源偏置电压时，空间电荷区的求解需 要解二维的泊松方程：
x22 y22
(x,y) 0S
分别考察沿着x、y方向电场强度变化率（平均）：
x方向：假设
NA11108 cm 3 VTH0.7V tOX 5nm
当VGS=3V时，半导体表面达到强反型，空间电荷 区电荷为：
Q S S Q D Q E IN P q V A W m N C O ( V G X V S T ) H 表面电场强度为：
耗尽型
ID VGS
PMOS
ID VGS
ID VGS
除非特别情况， 讨论以以下几点 为基础：
①源端与衬底短 接并接地；
②漏端偏置电压 总是使载流子流 出漏端，并且是 器件的输出端；
③栅极为控制端， 即输入端；
4.3 基于阈值电压的简单I－V模型 当栅偏置电压形成导电沟道时，如果加上漏偏置 电压，就会有载流子流出漏端，形成电流。
固定y，则泊松方程的积分过程与MOS电容完全 一致，所不同的是此时沟道区内反型电子浓度为
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研究意义
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研究方案
目录
1.选题背景及意义 2.现状与研究目标 3.研究方法及过程 4.讨论 5.结论与管理启示 6.论文总结
1 1.选题背景及意义
-- 选题的背景 -- 选题的意义
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3.研究方法及过程
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3.研究方法及过程
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研究方案
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1.选题背景及意义 2.现状与研究目标 3.研究方法及过程 4.讨论 5.结论与管理启示 6.论文总结
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-- 选题的背景 -- 选题的意义
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3.研究方法及过程
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3.研究方法及过程
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微电子学概论课件
▪ 集成电路：
▪ Integrated Circuit，缩写IC
➢通过一系列特定的加工工艺，将晶体管 、二极管等有源器件和电阻、电容等无 源器件，按照一定的电路互连，“集成” 在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓） 上，封装在一个外壳内，执行特定电路 或系统功能
▪ 集成电路设计与制造的主要流程框架
系统需求
1946年2月14日
Moore School
，Univ. of
Pennsylvania
18,000个电子 管组成
大小：长24m，宽6m，高2.5m 速度：5000次/sec；重量：30吨； 功率：140KW；平均无故障运行时间：7min
集成电路的作用
▪ 小型化 ▪ 价格急剧下降 ▪ 功耗降低 ▪ 故障率降低
光电导效应 光生伏特效应 整流效应
➢量子力学
➢材料科学
▪ 需求牵引：二战期间雷达等武器的需求
1947年12月23 日
第一个晶体管
NPN Ge晶体管
W. Schokley J. Bardeen W. Brattain
获得1956年 Nobel物理 奖
晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿
集成电路的发明
▪ 其次，统计数据表明，发达国家在发 展过程中都有一条规律
➢ 集成电路（IC）产值的增长率（RIC）高于电子 工业产值的增长率（REI）
相关主题
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第二部分
Current situation 目前现状
国内外研究现状综述 国外研究现状 国内研究现状
应用前景一
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应用前景三
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第四部分
Research process 研究过程
研究计划 研究思路 研究方案
问题评估 相关对策 研究方案可行性说明
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研究计划
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论文研究过程
序号 1 2
工作任务
时间：20XX年X月XX日 - X月XX日
日期
目的
网站
备注
3
4ຫໍສະໝຸດ Baidu
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点击修改标题内容
成果形式
01
成果形式一
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02
成果形式二
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03
成果形式三
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研究目标
A 添加标题
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选题理由
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选题理由五
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选题理由三
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研究意义二
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研究意义三
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68%
45%
75%
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此处添加文本1 此处添加文本2
贡献与创新
此处添加文本3
此处添加文本4 此处添加文本5
对比一：56％ 对比二：820万 对比三：640万
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美国麻省理工学院
1987年Lorna J.Gibson出版 《Cellular Solids Structure and Properties》
英国剑桥大学
2007年Han Zhao、N.A.Fleck 出版《IUTAM Symposium on Mechanical Properties of Cellular Materials》
中国科学技术大学
1998年-2014年XXX发表若干 篇关于多孔材料论文，该团队 研究成果偏实验数据
北京航空航天大学
2003年-2014年XXX发表 若干篇关于多孔材料论文， 该团队研究成果偏数值计 算与模型建立
第三部分
Research target 研究目标
研究目标 成果形式 应用前景
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应用前景二
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应用前景四
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01
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毕业论文答辩PPT
微电子学专业 专业：XXX
答辩人：XXX 导师：XXX
目录
CONTENTS
1 课题综述 2 目前现状 3 研究目标
4 研究过程 5 研究结论 6 参考文献
第一部分
Project review 课题综述
新加坡南洋理工大学
2006年XXX出版《材料与 结构的能量吸收》
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西北工业大学
2008年XXX、XXX发表《不 同应变率下泡沫铝的形变和 力学性能》，探究泡沫材料 应变率效应
清华大学
2003年XXX出版《多孔固体结 构与性能》、2013年出版《多 孔固体材料》
西安交通大学
2000年-2014年XXX发表若 干篇关于多孔材料论文，
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国外研究综述
国内研究综述
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对比一：56％ 对比二：820万 对比三：640万
选题理由一
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选题理由四
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选题理由二
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研究意义一
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选题背景 选题理由 研究意义 主要贡献与创新
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选题背景
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