固体物理第四章
黄昆 固体物理 讲义 第四章
KK
KK
KK K K K K T1ψ ( r ) = ψ ( r + a1 ) = eik ⋅a1ψ ( r )
ψ ( r ) 和ψ ( r + a1 ) 分别是相邻两个原胞中电子的波函数 —— 两者只相差一个位相因子 λ1 = eik ⋅a
K
K
K
K
KK
1
,不同的简 2)平移算符本征值量子数: k 称为简约波矢(与电子波函数的波矢有区别,也有联系) 约波矢,原胞之间的位相差不同。 3)如果简约波矢改变一个倒格子矢量: Gn = n1b1 + n 2 b2 + n3b3 , n1 , n 2 , n3 为整数。
-3-
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固体物理学_黄昆_第四章 能带理论_20050404
由于存在对易关系,根据量子力学可以选取 H 的本征函数,使它同时成为各平移算符的本征函数。
有:
Hψ = Eψ T1ψ = λψ ψ = λ2ψ , T3ψ = λ3ψ 1 , T2
本征值的确定: λ1 , λ2 , λ3
KK ik ⋅a1
则平移算符 T1 , T2 , T3 的本征值可以表示为: λ1 = e
, λ2 = e ik ⋅a2 , λ3 = e ik ⋅a3
KK
KK
将 T ( Rm ) = T1 1 ( a1 )T2 2 ( a 2 )T3 3 ( a 3 ) 作用于电子的波函数ψ ( r )
m m m
K K K
K
K
K
( 2π ) 3 Ω
固体物理学_黄昆_第四章 能带理论_20050404
第四章 能带理论
能带理论是目前研究固体中电子运动的一个主要理论基础. 在二十世纪二十年代末和三十年代初期, 在量子力学运动规律确立以后,它是在用量子力学研究金属电导理论的过程中开始发展起来的.最 初的成就在于定性地阐明了晶体中电子运动的普遍性的特点。 —— 说明了固体为什么会有导体、非导体的区别 —— 晶体中电子的平均自由程为什么会远大于原子的间距……等 —— 能带论为分析半导体提供了理论基础,有力地推动了半导体技术的发展 —— 大型高速计算机的发展, 使能带理论的研究从定性的普遍性规律发展到对具体材料复杂能带结 构的计算 能带理论是一个近似的理论.在固体中存在大量的电子。它们的运动是相互关联着的,每个电子的 运动都要受其它电子运动的牵连,这种多电子系统严格的解显然是不可能的.能带理论是单电子近 似的理论,就是把每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动.在大多数情况下,人们 最关心的是价电子,在原子结合成固体的过程中价电子的运动状态发生了很大的变化,而内层电子 的变化是比较小的,可以把原子核和内层电子近似看成是一个离子实.这样价电子的等效势场,包 括离子实的势场,其它价电子的平均势场以及考虑电子波函数反对称性而带来的交换作用.单电子 近似最早用于研究多电子原子,又称为哈特里(Hartree)-福克(ΦOK)自洽场方法。 能带理论的出发点是固体中的电子不再束缚于个别的原子,而是在整个固体内运动,称为共有化电 子.在讨论共有化电子的运动状态时假定原子实处在其平衡位置,而把原子实偏离平衡位置的影响 看成微扰,对于理想晶体,原子规则排列成晶格,晶格具有周期性,因而等效势场 V(r)也应具有周 期性.晶体中的电子就是在一个具有晶格周期性的等效势场中运动,
固体物理第四章
Chapter 4 能带理论(energy band theory ) 一、简要回答下列问题(answer the following questions )1、波矢空间与倒格子空间有何关系?为什么说波矢空间内的状态点是准连续的? [答]波矢空间与倒格子空间处于统一空间,倒格子空间的基矢分别为321,,b b b ,而波矢空间的基矢分别为321332211,,;/,/,/N N N N N N b b b 分别是沿正格子基矢321,,a a a 方向晶体的原胞数目。
倒格空间中一个倒格点对应的体积为 *)(321Ω=⨯•b b b 波矢空间中一个波矢点对应的体积为NN N N *)(332211Ω=⨯•b b b 即波矢空间中一个波矢点对应的体积, 是倒格空间中一个倒格点对应的体积的1/N 。
由于N是晶体的原胞数目,数目巨大,所以一个波矢点对应的体积与一个倒格点对应的体积相比是极其微小的。
也就是说,波矢点在倒格子空间是极其稠密的。
因此,在波矢空间内作求和处理时,可以把波矢空间的状态点看成是准连续的。
2、在布里渊区边界上电子的能带有何特点?[答]电子的能带依赖波矢的方向,在任一方向上,在布里渊区的边界上,近自由电子的能带一般会出现禁带。
若电子所处的边界与倒格矢G h 正交,边界是G h 的中垂面,则禁带的宽度Eg=2|Vn|,Vn 是周期势场的付里叶级数的系数。
不论何种电子,在布里渊区的边界上,其等能面在垂直于在布里渊区的边界上的斜率为零,即电子的等能面与布里渊区的边界正交。
3、带顶和带底的电子与晶格的作用各有什么特点?[答]能带顶部是能带的极大值的位置,所以 022<∂∂kE其有效质量 0)/(*222<∂∂=k Em ;说明此时晶格对电子作负功,即电子要供给晶格能量,而且电子供给晶格的能量大于外场对电子所作的功。
原因是:有效质量概括了晶格对电子的作用,因此有 mm m jgwai wai F F F +=* 将上式分子上变成能量的形式,则有 mdtm dt m dt jg wai wai v F v F v F •+•=•*能带顶部是能带的极小值的位置,所以 022>∂∂kE,晶格对电子作正功,有效质量大于零。
固体物理第四章_晶体的缺陷
习题测试1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理2论值小,是何原因?4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?5.金属淬火后为什么变硬?6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?12.一个空位花费多长时间才被复合掉?13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?17.离子晶体的导电机构有几种?习题解答1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低.2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?[解答]肖特基缺陷指的是晶体内产生空位缺陷但不伴随出现填隙原子缺陷, 原空位处的原子跑到晶体表面层上去了. 也就是说, 肖特基缺陷将引起晶体体积的增大. 当温度不是太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. X射线衍射测定的晶格常数相对变化量, 只是热膨胀引起的晶格常数相对变化量. 但晶体尺寸的相对变化量不仅包括了热膨胀引起的晶格常数相对变化量, 也包括了肖特基缺陷引起的晶体体积的增大. 因此, 当温度不是太高时, 一般有关系式>.溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl2论值小,是何原因?[解答]由于离子的半径(0.99)比离子的半径(1.33)小得不是太多, 所以离子难以进入KCl晶体的间隙位置, 而只能取代占据离子的位置. 但比高一价, 为了保持电中性(最小能量的约束), 占据离子的一个将引起相邻的一个变成空位. 也就是说, 加入的CaCl越多, 空位就越多. 又因为的原子量(40.08)与的2溶液引起空位, 将导致KCl 原子量(39.102)相近, 所以在KCl溶液中加入适量的CaCl2晶体的质量密度比理论值小.4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?[解答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低.5.金属淬火后为什么变硬?[解答]我们已经知道晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬.6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?[解答]在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直.7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.[解答]滑移面一定是密积面, 因为密积面上的原子密度最大, 面与面的间距最大, 面与面之间原子的相互作用力最小. 对于立方密积, {111}是密积面. 对于六角密积, (001)是密积面. 因此, 立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数分别为{111}和(001).8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?[解答]由(4.48)式可知, 在正负离子空位数目、填隙离子数目都相等情况下, 离子晶体的热缺陷对导电的贡献只取决于它们的迁移率. 设正离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 正离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为, 则由(4.47)矢可得,,,.由空位附近的离子跳到空位上的几率, 比填隙离子跳到相邻间隙位置上的几率大得多, 可以推断出空位附近的离子跳过的势垒高度, 比填隙离子跳过的势垒高度要低, 即<,<. 由问题1.已知, 所以有<, <. 另外, 由于和的离子半径不同, 质量不同, 所以一般, .也就是说, 一般. 因此, 即使离子晶体中正负离子空位数目、填隙离子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献一般也不会相同.9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?[解答]扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散现象与气体分子的扩散相似, 不同之处是缺陷在晶体中运动要受到晶格周期性的限制, 要克服势垒的阻挡, 对于简单晶格, 缺陷每跳一步的间距等于跳跃方向上的周期.10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?[解答]填隙原子机构的自扩散系数,空位机构自扩散系数.自扩散系数主要决定于指数因子, 由问题4.和8.已知, <,<, 所以填隙原子机构的自扩散系数小于空位机构的自扩散系数.11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?[解答]与填隙原子相邻的一个格点是空位的几率是, 平均来说, 填隙原子要跳步才遇到一个空位并与之复合. 所以一个填隙原子平均花费的时间才被空位复合掉.由(4.5)式可得一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间.由以上两式得>>1.这说明, 一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间, 比一个填隙原子从出现到被空位复合掉所需要的时间要长得多.12.一个空位花费多长时间才被复合掉?[解答]对于借助于空位进行扩散的正常晶格上的原子, 只有它相邻的一个原子成为空位时, 它才扩散一步, 所需等待的时间是. 但它相邻的一个原子成为空位的几率是, 所以它等待到这个相邻原子成为空位, 并跳到此空位上所花费的时间.13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?[解答]填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数可统一写成.可以看出, 自扩散系数与原子的振动频率, 晶体结构(晶格常数), 激活能()三因素有关.14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]占据正常晶格位置的替位式杂质原子, 它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同. 这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变, 使得畸变区出现空位的几率大大增加, 进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少, 加大了杂质原子的扩散速度.15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]正常晶格位置上的一个原子等待了时间后变成填隙原子, 又平均花费时间后被空位复合重新进入正常晶格位置, 其中是填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置所要等待的平均时间. 填隙原子自扩散系数反比于时间.因为>>,所以填隙原子自扩散系数近似反比于. 填隙杂质原子不存在由正常晶格位置变成填隙原子的漫长等待时间, 所以填隙杂质原子的扩散系数比母体填隙原子自扩散系数要大得多.16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?[解答]目前固体物理教科书对自扩散的分析, 是基于点缺陷的模型, 这一模型过于简单, 与晶体缺陷的实际情况可能有较大差别. 实际晶体中, 不仅存在点缺陷, 还存在线缺陷和面缺陷,这些线度更大的缺陷可能对扩散起到重要影响. 也许没有考虑线缺陷和面缺陷对自扩散系数的贡献是理论值比实验值小很多的主要原因.17.离子晶体的导电机构有几种?[解答]离子晶体导电是离子晶体中的热缺陷在外电场中的定向飘移引起的. 离子晶体中有4种缺陷: 填隙离子, 填隙离子, 空位, 空位. 也就是说, 离子晶体的导电机构有4种. 空位的扩散实际是空位附近离子跳到空位位置, 原来离子的位置变成了空位. 离子晶体中, 空位附近都是负离子, 空位附近都是正离子. 由此可知,空位的移动实际是负离子的移动, 空位的移动实际是正离子的移动. 因此, 在外电场作用下, 填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向一致, 而填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向相反.。
固体物理_第4章_能带理论
ik ( r R n ) u ( r Rn ) e u (r )
u ( r ) ,代入上式有:
(2 )
则:u (r Rn ) u (r )
即布洛赫波是振幅受到具有同晶格周期相同的周期性函数调制的平面 波。
ˆ ( R ) H HT ( R ) 0 ˆ ˆˆ T n n
根据量子力学知识可知:哈密顿量和平移算符有共同的本征态,可选 择哈密顿量的本征态 (r ) 为共同本征态。
采用波恩-卡曼周期性边界条件有: N ˆ ˆ ˆ ˆ (r ) (r N1a1 ) T ( N1a1 ) (r ) T (a1 )T (a1 )T (a1 ) (r ) 1 1 (r )
,而内层电子的变化较小,可以把内层电子和原子实近似看成离子实 这样价电子的等效势场包括离子实的势场,其他价电子的平均势场以 及电子波函数反对称性而带来的交换作用。 能带理论是单电子近似理论,即把每个电子的运动看成是独立的 在一个等效势场中的运动。单电子近似理论最早用于研究多电子原子
,又称为哈特里(Hartree)-福克(o )自洽场方法。 把多体问题简化为单电子问题需要进行多次简化。1、绝热近似: 原子核或者离子实的质量比电子大的多,离子的运动速度慢,在讨论 电子问题时可以认为离子是固定在瞬时位置上。这样多种粒子的多体 问题就简化为多电子问题;
能带理论取得相当的成功,但也有他的局限性。如过渡金属化 合物的价电子迁移率较小,相应的自由程和晶格常数相当,这时不 能把价电子看成共有化电子,周期场的描述失去意义,能带理论不 再适用。此外,从电子和晶格相互作用的强弱程度来看,在离子晶 体中的电子的运动会引起周围晶格畸变,电子是带着这种畸变一起 前进的,这些情况都不能简单看成周期场中单电子运动。
固体物理-第4章-晶体中的缺陷和扩散-4
(成对出现)
4、杂质原子 在材料制备中,有控制地在晶体中引入杂质原子
A、杂质原子取代基质原子而占据格点位置,称替代式杂质。
(二者相接近或前者大一些)
B、杂质原子占据格点间的间隙位置,称填隙式杂质。
(杂质原子比基质原子小)
点缺陷的运动 1、空位的运动
空位运动势场示意图
原子结合成晶体的源动力:原子间的吸引力. 理想晶体的生长
问题4:当初如何提出位错概念?位错滑移如何理解?
Ax A d
a
x a 2
xa 2
弹性形变
范性形变 原子不能回到原来位置,易到A
即发生滑移
Ax A
d a
?有问题
最初认为: 滑移是相邻两晶面整体的相对刚性滑移
则可计算:使其滑移的最小切应力: c
第四章 晶体中的缺陷和扩散
原子绝对严格按晶格的周期性排列的晶体不存在
缺陷举例: 如晶体表面、晶粒间界、人为掺杂等
如金刚石
空位
点缺陷 填隙原子 (0维)
杂质原子
刃位错
线缺陷
晶体缺陷的基本类型 (1维)
(按维度或尺寸分类)
螺位错
大角晶界
晶粒间界
面缺陷
小角晶界
(2维) 堆垛间界(层错)
问题1:点缺陷的定义、分类、运动及其对晶体性能影响?
若某一晶面A丢失,则原子面排列: ABCABCBCABC………..
问题7:一定温度下,系统达统计平衡时,
热缺陷(空位.间隙原子)数目?
热力学平衡条件
平衡状态下晶体内的热缺陷数目
系统自由能F U TS 最小
F n T
0
热缺陷的数目
1、肖脱基缺陷(或空位)浓度
固体物理学:第四章 能带理论
能量本征值的计算 选取某个具有布洛赫函数形式的完全集合,晶体中
的电子的波函数按此函数集合展开。
将电子的波函数代入薛定谔方程,确定展开式中的 系数应满足的久期方程,求解久期方程得到能量本征 值。
电子波函数的计算
根据能量本征值确定电子波函数展开式中的系数, 得到具体的波函数。
在不同的能带计算模型和方法中,采取的理论框架相 同,只是选取不同的函数集合。
பைடு நூலகம்
(#) (#)中
能带理论是用量子力学研究固体中电子的运动规律,把原 本复杂的多体问题经过一定的近似处理后,转化为一个电子在 周期性势场中的运动,晶体中其它所有电荷的影响均可以用此 单电子的周期性势场来概括。有时也称能带理论为固体的单电 子理论。
单电子近似最早用于研究多电子原子,称为哈特里 ----福克自洽场方法。
E
2P 2S
1S
0
a
离子间距
能带重叠示意图
晶体中的一个电子只能处在某个能带中的 某一 能级上。
排布原则: 1. 服从泡里不相容原理(费米子) 2. 服从能量最小原理
设孤立原子的一个能级 Enl ,它最多能容纳 N(2l +1)个电子。
这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后,能 带最多能容纳 2N(2l +1)个电子。
解定态薛定格方程,可以得出两点重要结论:
1.电子的能量是分立的能级; 2.电子的运动有隧道效应。
原子的外层电子(高能级), 势垒穿透概率 较大, 电子可以在整个晶体中运动, 称为 共有化电子。
原子的内层电子与原子核结合较紧,一般 不是共有化电子。
能带 (energy band)
晶体中的电子能级 有什么特点?
第四章 能带理论
固体物理知识点总结 第四章
电子气的热容量 功函数和接触电势差
结
自由电子气的能量状态
自由电子气的能量状态
一、自由电子气的能量状态 1.自由电子气(自由电子费米气体):是指自由的、无相互 :是指自由的、 作用的、遵从泡利原理的电子气。 作用的、遵从泡利原理的电子气。 2.自由电子气的能量
2πnx kx = L ; 2πny ; ky = L k = 2πnz ; z L
−( E0 −EF )
4πem j= 3 (kBT)2 e h
3.接触电势
kBT
= AT e
2 −ϕ kBT
两块不同的金属A 两块不同的金属A和B相接触,或用导线连接起来,两块 相接触,或用导线连接起来, 金属就会彼此带电产生不同的电势V 称为接触电势。 金属就会彼此带电产生不同的电势 A和VB,称为接触电势。
1 VA − VB = ( ϕ B −43; C = γT + bT
e V a V
3
π2 k2 R 2 B = π Z γ = N0 Z 0 2 EF 2T 0 F
12 Rπ4 b= 3 5 θD
功函数和接触电势差
1.功函数: 电子在深度为E 的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属, 电子在深度为 0的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属, 的能量, 称为脱出功又称功函数。 至少使之获得ϕ=E0-EF的能量,ϕ称为脱出功又称功函数。 2.里查逊—德西曼公式
h2k 2 h2 2 2 E= (kx + k 2 + kz ) = y 2m 2m
3.能态密度
∆Z dZ N(E) = lim = E dE ∆E→0 ∆
自由电子气的能态密度
dZ = cE1 2 N(E) = dE
固体物理学第四章
0 CV exp 0 kBT
28
Einstein模型 金刚石热容量的实验数据
29
4.6 Debye模型 一、模型
假设:晶体是各向同性的连续弹性介质,格波可以看
l V
1 U (T ) s (q)[ns (q) ] 2 s ,q
色散关系
对于实际晶体,晶格振动波矢的代表点密集的均匀分布于布 里渊区内,因此可引入频率分布函数 ( ), 将上式改写为:
在 附近单位频率间隔内的振动模式的数目
ρ()d :频率在-+d之间的振动模式数
0
E 3/2 f ( E )dE
17
才有明显变化,因此 T 0 K 时只有能量在 EF 附近 kBT 范围内 f ( E )
1
(0 E EF kBT )
f ( E)
E EF k BT 2kBT
( EF kBT E EF kBT )
0
( E EF kBT )
1 ( , q) (q)[n( , q) ] 2
与同一波矢 q 相应的角频率 (q ) 可以不止一个——不同的 频支。因此与晶格振动相应的固体的内能为:
1 U (T ) s (q)[ns (q) ] 2 s ,q
23
则晶格振动的定容热容为:
U (T ) C T
与温度有关的内能: 绝缘体 金属
晶格振动能量 晶格振动能量+价电子的热动能
低温下才考虑
3
4.1 电子气的状态密度
金属的自由电子气Drude模型
4
固体物理第四章
第四章半导体的导电性本章重点1. 迁移率 2. 载流子的散射 3. 电导率 4. 迁移率和电阻率与杂质浓度和温度的关系§ 4.1 载流子的漂移运动 迁移率4.1.1 欧姆定律El ES V I= = = =σ E S R ρl / S ρ欧姆定律的微分形式J =σ Eσ=1ρ为电导率,单位:西门子/米, 西门子/厘米电阻率ρ的单位Ω ⋅ m,Ω ⋅ cm4.1.2 漂移速度和迁移率载流子在电场力作用下作定向运动叫漂移运动,平均漂移 速度−vd。
电子浓度为n的导体,电子漂移运动形成电流A O E vd×1 sJ = − nq v d (2)−J =σ E , 电流密度随电场增加而增大 又J = − nq vd−vd = μ E−μ = v d / E (3)−J = nqμ Eσ = nqμ(4)μ 为电子迁移率,表示单位电场下电子的平均漂移速度。
描述载流子在电场中漂移运动的难易程度。
单位:(m2/V.s或cm2/V.s)4.1.3 半导体的电导率和迁移率 复杂性:电子和空穴两种载流子,且其浓度随温度、掺杂而变化。
电场方向电子漂移方向 电子电流 空穴电流 空穴漂移方向漂移电流示意图半导体中电流:J = J n + J p = (nqμn + pqμ p ) E = σ E半导体中电导率与载流子浓度和迁移率的关系:σ = nqμ n + pqμ p电导率主要取决于多子对N型半导体n>>pσ = nq μnσ = pq μ pσ = ni q ( μ n + μ p )对P型半导体p>>n 对本征半导体p=n=ni电子迁移率大于空穴迁移率,高速开关器件主要依靠 电子导电。
§ 4.2 载流子的散射4.2.1 载流子散射与漂移运动 1、载流子的散射——改变速度的方向和大小 散射的根本原因:周期性势场遭到破坏,产生了附加势场。
平均自由程 l :连续两次散射间自由运动的平均路程。
固体物理:能态密度和费米面
第四章 能带理论
例二
3
V N(E)
m1m2m3
2 2
2
2
2
E
3
g(E) N(E) V
m1m2m3
2 2
2
2
2
E
引申情况:当m1=m2=m3时,等能面为球面; 当m1=m2≠m3时,等能面为椭球面。
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能带理论基本概念
概念:能态密度的临界点(范霍夫奇点)
第四章 能带理论 例四
费米能级EF即如何来算费米能级
费米能级数值由电子密度决定。当T=0k时,从E=0到 E=EF范围内对g(E)积分值应等于电子密度n,即:
EF gE dE n或 EF N E dE N
0
0
费米球半径kF
N个电子在k空间填充半径为kF的费米球,费米球内包 括的状态数恰好等于N,即
V
2 2 3
4
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能带理论基本概念
一、能态密度函数
第四章 能带理论
1、能态密度函数定义:
在E—E+ ΔE能量范围内的能态数目用ΔZ表示,则 能态密度函数定义为:
Z N(E) lim
E0 E
或N (E) dZ dE
单位体积能态密度g(E):
k y dk dV dsdk
g(E) 1 N(E) V
里渊区的高对称点处。
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能带理论基本概念
以简立方晶格为例,说明紧束缚 近似下的s能带的能态密度的临界 点恰为布区的高对称点。
第四章 能带理论 例四
k E s (k ) 0的点 :
Γ点[
k
0,0,0
]是极小值点;E (k )
第四章固体物理
a
us-2
us-1
us
us+1
us+2
第s个原子所受到的力等于所有原子作用力的总和:
作用方程
只考虑最近邻原子的作用,设其力常数为C,则
给出试探解
原子都以同一频率,同一振幅A振动,相邻原子间的位相差 为k· a。晶格中各个原子间的振动相互间都存在着固定的位相关 系, 即原子的振动形成了波,这种波称为格波。
周期性边界条件下K取值很多,无数个。 但实际中可将格波K取值限制在一定范围内 (布里渊区,一个倒格矢G的大小)。
k与k+G对应的格波是同一个格波!
k与k+G对应的格波是同一个格波!
根据前面推导情况可知:
2 k n L
m
π a
o
π a
1)、是波矢k的周期性函数, 最小周期为2π/a(倒格矢G)
晶格振动的经典理论
一. 二. 三. 四. 五. 一维单原子链的晶格振动 一维双原子链的晶格振动 三维晶体中原子的振动 态密度函数 近似条件与使用范围
参考: 黄昆书 3.2-3.4节(p82-103) 3.8节(p132-137) Kittel 书 4.1 和 4.2两节
晶格振动虽是一个十分复杂的多粒子问题,但在一定条 件下,依然可以在经典范畴求解,一维原子链的振动就是最 典型的例子,它的振动既简单可解,又能较全面地表现出 晶格振动的基本特点。
长波时 光学波【“ +”号支】振动情况:
光学波
u M2 v M1
相邻原子振动方向是
相反的。
它表明同一个初基晶胞中的两个原子每时每刻的振动位 相是相反的,而且是质心不动的,不同的初基晶胞有一个位 ika e 相差 。 在离子晶体中由于它们不断的反位相振动,电偶极距可 与电磁波耦合,这种振动模式可用光波来激发,故称之为光 学支振动模式,实际上它是简正模式中的一部分,而不是光 波,它可与光波耦合,但不要与光波混淆。
固体物理讲义第四章
第四章 晶格振动和晶体的热学性质● 晶格振动:晶体中的原子在格点附近作热振动● 原子的振动以波的形式在晶体传播(原子的振动波称为格波) ● 晶格振动对晶体的性质有重要影响 主要内容● 晶格动力学(经典理论,1912年由波恩和卡门建立)晶格振动的模式数量(有多少种基本的波动解) 晶格振动的色散关系(波动的频率和波数的关系)● 晶格振动的量子理论 ● 固体的热容量 4.1 一维单原子链的振动原子链共有N 个原胞,每个原胞只有一个原子,每个原子具有相同的质量m,平衡时原子间距等于晶格常数a,原子沿链方向运动,第n 个原子离开平衡位置的位移用x n 表示,第n 个原子和第n+1个原子间的相对位移为 一维单原子链原子振动时,相邻两个原子之间的间距: 基本假设● 平衡时原子位于Bravais 格点上 ● 原子围绕平衡位置作微振动●简谐近似:原子间的相互作用势能只考虑到平方项 微振动时:简谐近似:势能展开式保留到二次项微振动:原子离开平衡位置的位移与原子间距相比是小量。
晶体中原子的平衡位置由原子结合能(势)决定。
任何一种晶体,原子间的相互作用势能可以表述成原子之间距离的函数。
n n x x -=+1δδ+=a x ()()⋅⋅⋅+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫⎝⎛+=+=222 21 )(δδδa ax d U d x d U d a U a U x U把qa改变一个2π的整数倍,原子的振动相同,因此可以把qa限制负pi和正pi之间,此范围以外的q值,并不提供新的物理内容.群速度是指波包的传播速度,dw/dq,也就是能量在介质中的传播速度。
在布里渊区的边界上,群速度为零,波是一个驻波。
4.2 一维双原子链的振动q趋于0时,w也趋于零,称为声学波4.3 三维晶格的振动(略) 一个原胞中有n 个原子晶格基矢: 原胞数目: 原子的质量: 对于一个波矢q,有3n 个ω(即有3n 支色散曲线) 在3n 支色散关系中,当q→0时(长波):有三支ω →0,且各原子的振幅趋于相同,这三支为声学波。
固体物理(第4章)
能带理论是单电子近似的理论 —— 把每个电子的运动看成 是独立的在一个等效势场中的运动 单电子近似 —— 最早用于研究多电子原子__ 哈特里-福 克 自洽场方法 能带理论的出发点 —— 固体中的电子不再束缚于个别的原 子,而是在整个固体内运动 ___ 共有化电子 共有化电子的运动状态 —— 假定原子实处在其平衡位置, 把原子实偏离平衡位置的影响看成微扰 理想晶体 —— 晶格具有周期性,等效势场V(r)具有周期性
3 e
—— 整数
§5-1 布洛赫定理——能带理论
2 i
l3 N3
1 e
2 i
l1 N1 l2 N2 l3 N3
2 e 3 e
2 i
l1 l3 l2 —— 引入矢量 k b1 b2 b3 N1 N2 N3
—— 倒格子基矢
2 i
满足 a i b j 2 ij
—— 根据每个本征值确定电子波函数展开式中的系数,得 到具体的波函数
§5-1 布洛赫定理——能带理论
§4-1 布洛赫定理
具有晶格周期性时 布洛赫定理 —— 势场 V ( r )
电子的波函数满足薛定谔方程
2 2 பைடு நூலகம்[ V ( r )] ( r ) E ( r ) 2m
势场为晶格周期性函数
§5-2 一维周期场中电子运动的近自由电子近似——能带理论
1)
2 k l Na 2 k l Na
2)
§5-2 一维周期场中电子运动的近自由电子近似——能带理论
2 k k n k | V ( x ) | k V (n ) —— V(x)的第n个 a 傅里叶系数 2 k k n k | V ( x ) | k 0 a 2 k k n k | H | k V (n ) a 2 k k n k | H | k 0 a
固体物理课件第四章:能带理论能带理论(1)
需要指出的是:
在固体物理中,能带论是从周期性势场中推导出来的,这 是由于人们对固体性质的研究首先是从晶态固体开始的。而周 期性势场的引入也使问题得以简化,从而使理论研究工作容易 进行。所以,晶态固体一直是固体物理的主要研究对象。然而,
周期性势场并不是电子具有能带结构的必要条件,现已证实,
在非晶固体中,电子同样有能带结构。 电子能带的形成是由于当原子与原子结合成固体时,原子 之间存在相互作用的结果,而并不取决于原子聚集在一起是晶 态还是非晶态,即原子的排列是否具有平移对称性并不是形成 能带的必要条件。
虽然晶体中电子的运动可以简化成求解周期场作用下 的单电子薛定谔方程,但具体求解仍是困难的,而且不同 晶体中的周期势场形式和强弱也是不同的,需要针对具体 问题才能进行求解。
Hale Waihona Puke T T f r TT- T T = 0,
晶体中单电子运动的哈密顿量应具有晶格周期性:
2 2 T Hf r T r U r f r 2m 2 2 r a U r a f r a 2m
这里b1,b2和b3为倒格子基矢,于是有
e
ika
a b 2
r R r 1a1 2a2 3a3
1 2 3 1 2 3
T T T r r
1 2 1 2 3 3
Bloch首先讨论了在晶体周期场中运动的单电子波函数
应具有的形式,给出了周期场中单电子状态的一般特征,
这对于理解晶体中的电子,求解具体问题有着指导意义。
When I started to think about it, I felt that the main problem was to explain how the electrons could sneak by all the ions in a metal, … By straight Fourier analysis I found to my delight that the wave differed from the plane wave of free electrons only by a periodic modulation.
固体物理第四章_晶体的缺陷
A
未滑动的晶面
EC
F
B
滑动前的晶格
D
刃位错的晶格
刃位错: F原子链。 EF是晶体的挤压区与未挤压区的分界线:
F以下原子间距变大,原子间有较强吸引力;
F的左右晶格被挤压,原子间的排斥力增大。
16
例:实际晶体的小角倾斜 晶体由倾斜角很小的两部分晶体结合而成。为了使 结合部的原子尽可能地规则排列,就得每隔一定距 离多生长出一层原子面,这些多生长出来的半截原 子面的顶端原子链就是刃错位。
添加Fe、Co、Mn等“硬性”添加物后,这些 原子占据Zr或Ti的格点,显著提高该铁电材料的 机械品质因数。
9
4、色心 能吸收光的点缺陷
完善的卤化碱晶体是无色透明的。众多的 色心缺陷能使晶体呈现一定的颜色。
例如:F心,把卤化碱晶体在相应的碱金 属蒸气中加热,然后骤冷到室温,则原来透明 的晶体就出现了颜色。
实验临界切应力比理 论值小的根源
30
2、螺位错的滑移 螺位错的滑移与刃位错的滑移相类似,只是螺位的 滑移方向与晶体所受切应力的方向相垂直。
BC原子 受到向 下的拉 力
螺位 错线 滑移
BC列原子受到右边原子的下拉力,BC原子有向下 位移的趋势,BC原子下移一定的距离; 使BC 变为螺错位。
31
二、螺位错与晶体生长
4
§4.1 晶体缺陷的基本类型
本章主要讨论单晶的缺陷:多晶体是由许多小晶粒 构成,每个晶粒可看成是小单晶。晶粒间界不仅原 子排列混乱,而且是杂质聚集的地方。因此晶粒间 界是一种性质复杂的晶体缺陷。
一、点缺陷
晶体中的填隙原子、空位、俘获电子的空位、杂质 原子等。这些缺陷约占一个原子尺寸,引起晶格周 期性在一到几个原胞范围内发生紊乱。
固体物理学:第四章总结
(r
ki
Rn)
bi 2
eik
,(i
Rn
(r ),
1,2 ,3 )
(r ) (r )
k
kKh
在此范围内k共有N个值(N为晶体原胞数) 。
近自由电子近似
1.模型: 假定周期场起伏较小,而电子的平均动能比其势
能的绝对值大得多。作为零级近似,用势能的平均值V0代替
V(x),把周期性起伏V(x)-V0作为微扰来处理。
Rs
5.能带宽度: E Emax Emin
费米面的构造法
1.画出布里渊区的广延区图形;
2.画出自由电子费米面(费米面的广延区图);
N
kF
Z(k )dk
0
kF 0
2N A
2πkdk
πk
2 F
2N A
kF
A
1
2
2π
3.将落在各个布里渊区的费米球片断平移适当的倒格矢进
入简约布里渊区中等价部位;
3.结论:
发生能量不连续的波矢 k 满足的条件可改写为:
Kn
(k
Kn 2
)
0
k'
k
Kn
0
Kn
对于三维的情况,沿各个方向在布里渊区边界E(k)函数是 间断的,但不同方向断开时的能量取值不同,因而有可能使能 带发生重叠。
紧束缚近似
1.模型
晶体中的电子在某个原子附近时主要受该原子势场V
(r
Rm
)
的作用,其他原子的作用视为微扰来处理,以孤立原子的电子
态作为零级近似。
2.势场
V r V (r Rm )
'V
(r
Rn
)
固体物理第四章总结1
第四章总结成员及分工1:一维晶格以及三维晶格的振动2:晶格热容的量子理论3:简谐近似和简谐坐标4:晶格的状态方程和热膨胀5:离子晶体的长波近似4-1 一维晶格以及三维晶格的振动一、知识脉络二、重点1.格波的概念和“格波”解的物理意义(1)定义:晶格原子在平衡位置附近作振动时,将以前进波的形式在晶体中传播,这种波称为格波。
(2)物理意义:一个格波解表示所有原子同时做频率为ω的振动,不同原子之间有位相差。
相邻原子之间的位相差为aq 。
(3) q 的取值范围:-(π/a)<q ≤(π/a)这个范围以外的值,不能提供其它不同的波。
q 的取值及范围常称为布里渊区(Brillouin zones )。
(4) Born-Von Karman 边界条件: 1)(=-Naq i e h Naq ⨯=π22.一维单原子链的色散关系22241[1cos ]sin ()2aq aq m m ββω=-=把 ω 与q 之间的关系称为色散关系(disperse relation),也称为振动频谱或振动谱。
3.一维单原子链的运动方程相邻原子之间的相互作用βδδ-≈-=d dvF ad v d ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=22δβ 第n 个原子的运动方程11()(2)n n n n i t naq nq m Ae ωμβμμμμ∙∙+--=+-=4.一维双原子链中两种原子的运动方程及其解(1)运动方程( equation))2(2221212n n n n M μμμβμ---=+++∙∙ )2(2221212n n n n M μμμβμ---=+++∙∙(2)方程的解(solution)])2([2q na t i n Ae -=ωμ ])12([12aq n t i n Be +-+=ωμ5.声学波与光学波的概念与物理意义(1)声学波与光学波的定义}]sin )(41[1{2/1222aq M m mM mM M m +-++=+βω }]sin )(41[1{2/1222aq M m mMmM M m +--+=-βω ω+对应的格波称为光学波(optic wave )或光学支(optic branch) ;ω-对应的格波称为声学波(acoustic wave)或声学支(acoustic branch )(2)两种格波的振幅比aq m A B cos 222ββω--=⎪⎭⎫⎝⎛++aq m A B cos 222ββω--=⎪⎭⎫⎝⎛--(3)ω+ 与ω- 都是q 的周期函数)()(q aq --=+ωπω)()(q aq ++=+ωπω其中aq a22ππ≤〈-6.对色散关系的讨论(1)一维单原子链与一维双原子链的格波解的差异一维单原子链只有一支格波(一个波矢对应一个格波)— 声学波;而一维双原子链则有两支格波(一个波矢对应两个格波)— 声学波和光学波,两支格波的频率各有一定的范围:0)0()(min ==--ωω Maβπωω2)2()(max ==-- m aβπωω2)2()(min ==++ mMM m )(2)0()(max +==++βωω 在ω-max 与ω+min 之间有一频率间隙,说明这种频率的格波不能被激发。
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Chapter IVEssential Theories for Electrons in Solids4.1 Drude-Lorentz Theories for Free Electrons- Drude’s Hypothesis (at the turn of 20th century):The electrons in metals were hypothesized to behave like free molecules in an ideal gas. The electron density may be written as:M N z n oρ=Its typical magnitude varies from 1022~1023/cm 3. They move randomly and collide with one another apart from with their parental ionic cores . The directional movement of these electrons in electric field or temperature field leads to the electric conductivity and the partial contribution to heat conduction of materials:qE v dtdv m e −=+γ, γ-damping coefficient ⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎟⎠⎞⎜⎝⎛−−=τt v v e exp 1, where qE v m e e −=τ is called relaxation time constant . Andwe have: ev qE −=γ, E m nq q nv j ee τ2== Electric conductivity: em nq E j τσ2== Free path-length:τe v l = - Lorentz’s Theory, Maxwell-Boltzmann distribution- Widemann-Franz-Lorentz law, a relationship between electric conduction and heat conduction:LT e =σλ where L is called Lorentz number . This formula may be theoretically verified if the heat conductivity is written as:l v c e e e 31=λ Shadows cost over the Drude model!Problem 1 - According to the homogeneous partition of energy by the degrees of freedom, the predicted thermal capacity (specific heat) per electron should be:B e k c 23=, It is much higher than the experimental value, which is just accountable for only a few percent of it.Problem 2 - the real free path-length is much larger than the expected by Drude’s model;Problem 3 – no way to access to insulators and semiconductors;4.2 Sommerfeld’s Free Electrons by Quantum Mechanics4.2.1 Energy states of free electrons 1) Schrödinger Eq. for an electron in free space)()(222r E r mΨ=Ψ∇−h It has a general solution:ikr ikr Be Ae r −+=Ψ)(and the eigenvalue of the Hamiltonian operator is:mk k E 2)(22h = where k may take any positive numbers.2) Electrons in a limited space with boundary conditions - Stationary waves boundary conditions0),,(),,0(==z y L z y x ψψ0),,(),0,(==z L x z x y ψψ0),,()0,,(==z L y x y x ψψSubstituting the above conditions into the general equation, it follows that (0)0,,(),0,(),,0(===y x z x z y ψψψ, stationary waves):z k y k x k A r z y x sin sin sin )(=ψ,and (0),,(),,(),,(===z y x L y x z L x z y L ψψψ)i i i n L k π=, (i=x,y,z)where L i stands for the edge lengths of crystal and n i isallowed to take any positive integers . According to the normalization condition:1)(2=∫dr r V ψ one may arrives at:V L L L A zy x 88== and mk k E i i 2)(22h = It should be noted that with this boundary condition, a stationary wave is formed and, therefore, the average velocity and kinetic momentum are given:0=k h and 0==mk v h - Periodic (Born-von Karman) boundary conditionsNote: A wave function ikr Ae r =Ψ)(should be adopted when it is required to be the eigenstate of both Hamiltonian operator ⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛∇−=222m H h and momentum ⎟⎠⎞⎜⎝⎛∇=i p h operator , where k can take any real numbers .Taking into account the periodic conditions:),,(),,(z y L x z y x x +=ψψ),,(),,(z L y x z y x y +=ψψ),,(),,(z L z y x z y x +=ψψit comes that:)1(,1)(z y x ikr L L L A e V r ==ψmk k E i i 2)(22h = ),,(,2z y x i n L k i i i ==πwhere n i takes any real integers (positive and negative).4.2.2 Electrons state density()()∫∫∇=ωωπωρq dSV q 32)(, for phonons ()()∫∫∇=E kk E dS V E 32)(πρ, for electrons Substituting into the above equation the energy dispersion relationship, it comes out: ()∫∫=⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛=m k E m k dS V E 223222)(h h πρ ()E m k k m d k d V =∫∫=220022322sin 2h h ππθθϕπ E m V 232224⎟⎠⎞⎜⎝⎛=h πAs each energy level can accommodate 2 spin states, the state density for free electrons can be rewritten as:()()∫∫∇=E kk E dS V E 322)(πρE m V 232222⎟⎠⎞⎜⎝⎛=h π4.3 Fermi-Dirac Distribution and Fermi energy for Electrons gas 1) Fermi-Dirac distributionT k E E B F e E f /)(11)(−+=where E F is the Fermi energy of electrons. It means that⎩⎨⎧>≤==F FT E E E E E f 01)(0Fig. 4-1 The schematic of Fermi-Dirac distributionIn the case where T=0K, the electrons would occupy all the levels of f E E ≤and the levels of f E E >remain entirely empty. The equi-energy surface at F E E =is usually called Fermi surface, varying as a function of temperature. In addition, when T~0K, EE f ∂∂−)( behaves like a )(f E E −δ, and has the following integration with regard to any E Ffunction )(E g :...)()(6)()()(''220++≈∂∂−=∫∞f B f E g T k E g dE E E f E g I π This approximation is actually suitable for most of the frequently encountered metals since F B E T k <<holds for them at not very high temperatures.2) Number density of free electronsTotal number of free electrons:∫∞=0)()(dE E f E N ρdE E f E m V )(2202322∫∞⎟⎠⎞⎜⎝⎛=h π⎭⎬⎫⎩⎨⎧∂∂−⎟⎠⎞⎜⎝⎛=∫∞∞023232322)()(230dE E E f E E E f m V h π ⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+⎟⎠⎞⎜⎝⎛=222/323228123F B F E T k E m V ππh (A) Therefore, the number density of free electrons:VN n = when T=0K, one has:232322231o f E m n ⎟⎠⎞⎜⎝⎛=h π (B) and ()322232n m E of πh =Since n can not change with the temperature, the above equations (A) and (B) may further produce:3/22281⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+=F B F o F E T k E E πWhen F B E T k <<, E F may be derived from the above equation:⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛−≈22121o F B o F F E T k E E π 3) Average energy of free electronsTotal energy:∫∞=0)()(dE E f E E E T ρ ()⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎟⎠⎞⎜⎝⎛=F B F E T k E m V 222523228525ππh So, the average one: N E E T =Making use of the condition: F B E T k <<, the average energy per electron is:⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+=222153F B F E T k E E π or ⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+≈22125153o F B o E T k E E F π When T=0K,o F o E E 53=4) Specific heat from free electrons By the definition of thermal capacity, one may arrive at:⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛==⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛∂∂=o F B o F B V e VT T k E T k T E C 22222ππ T γ= where 2010−≈FT T at room temperature. It means that only those electrons around the Fermi surface by T k B may be excited up to the higher energy levels and contribute to the thermal capacity.The total heat capacity of a metal:3bT T C C C L V e V V +=+=γ, at low temperatures; and 2bT TC v +=γFig. 4-2 The C v /T ~T 2 relationship for zinc5) Electric conductivity of metalsFig. 4-3 Schematic diagram of Fermi sphere displacementdriven by external electric field'N qv j F −=, E E N F Δ=)('ρWhen the steady state is reached after time length τ, the change in the momentum should be:ττE q F p −==Δ,Considering m p mv E 2/2/22==, one arrives atm p p E /=⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛∂∂ and ττE qv E q m p p p E E F −=−=Δ⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛∂∂=Δ)( Therefore:E E v q jF F τρ)(22−=orτρσ)(22F F E v q −= ( In comparison with the classic model: em nq E j τσ2==)ESolid State Physics, by Prof.Zeng An Introductionary Course for Postgraduate Students in Materials Science- p. 11 - 4.4 Work function and contact potentials- work function , the minimum energy φ needed to movean electron at Fermi surface into the outside of the metal.Fig. 4-4 Schematic diagram of the potential for electronsin metals- contact potential difference , when two pieces of differentmetals are brought into contact, the electrons in the metal with higher Fermi energy will spontaneously move into the metal with lower Fermi energy until an equilibrium is reached, resulting in a potential difference:)(12112φφ−=eV - thermal emission of electrons – the electrons inside ametal may escape away from the surface of the metal to form an electric current:T k B B e h T k m e j /32)(4φπ−= Vacuumaffinity。