第2章 晶体缺陷-2
第二章 化学腐蚀法检测晶体缺陷
而许多空位聚集成团,当它蹋蹦时形成位错圈时,可以 用化学腐蚀法或透射电子显微镜观察。
2、填隙原子(自间隙原子):晶体中的原子由于热运动或 辐射离开平衡位置跑到晶格的空隙中,这样的原子称为填隙 原子。如图所示:
图 2-3-2 弗仑克尔缺陷
填隙原子存在的方式: (1)与空位结合而消失。 (2)聚集成团形成间隙性位错圈。 (3)在生长界面附近凝聚形成微缺陷。
图 2-3-12 位错的攀移
6、位错的显示:通过化学腐蚀法显示晶体的位错,不同的 晶面上缺陷的腐蚀坑不同。如图所示:
(111)晶面
(110)晶面 图 2-3-12 刃位错的腐蚀坑图 像
3、半导体晶体的电化学腐蚀机理:
利用半导体晶体在各种酸或碱性电解质溶液中,表面构成了 微电池,由于微电池的电化学作用使晶体表面受到腐蚀,其 实质是一种氧化还原反应。
(1)在HNO3和HF溶液电解质溶液中的腐蚀 负极:
Si 2 H 2O 2 p SiO2 4 H 2e SiO2 6 HF H 2 SiF6 2 H 2O
正极:
HNO3 3H NO 2H2O 3 p
总反应:
3Si 4HNO3 18HF 3H2 SiF6 4NO 8H2O
无氧化剂时,发生析氢反应,反应速度较慢 正极:
2H 2e H 2
注:用CrO3或铬酸加在HF中也可以提高腐蚀速度
(2)在NaOH和KOH溶液电解质溶液中的腐蚀 负极:
第2章 化学腐蚀法检测晶体缺陷
2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用 腐蚀剂 2.2 半导体单晶体的缺陷 2.3 硅单晶位错的检测 2.4 单晶硅中漩涡缺陷的检测 2.5 化学工艺中的安全知识 2.6 金相显微镜简介
第二章晶体结构缺陷
既然存在阳离子的空位,Ca2+一般 因此第一个反应最为合理。 就会首先填充空位,而不是挤到间 隙位置去使得晶体的不稳定因素增 15 加
固溶体式子的写法: 固溶体式子的写法:
CaCl CaCl CaCl
2 2 2
′ KCl → Ca • + V K + 2 Cl Cl K → Ca
1)离子空位:正常结点位没有质点,VM” ,VX‥ 离子空位:正常结点位没有质点,V 2)间隙离子: Mi‥ , Xi” 间隙离子: 3)错位(反结构): MX,XM 错位(反结构): 4)取代离子: 取代离子: 外来杂质CaCl进入KCl晶体中,若取代则Ca 外来杂质CaCl进入KCl晶体中,若取代则CaK. 外来杂质CaO进入ZrO 晶体中,若取代则Ca 外来杂质CaO进入ZrO2晶体中,若取代则CaZr 5)电荷缺陷: 电荷缺陷: 自由电子 e’表示有效负电荷(无特定位置) e’表示有效负电荷(无特定位置) 电子空穴 h· 表示有效正电荷 6)缔合中心:空位堆,间隙堆 缔合中心:
特点: 特点:1)气氛引起的电子缺陷,具有半导体性能,晶体带色; 2)缺陷浓度与气氛的性质、大小有关,也与温度有关 (k~T) k~T)
22
四、线缺陷
1 概念: 概念: 位错:由于应力作用使晶体内部质点排列变形、原子 位错:由于应力作用使晶体内部质点排列变形、原子 行列间发生滑移所形成的线状缺陷。 行列间发生滑移所形成的线状缺陷。 1934年由泰勒提出,1950年证实。 1934年由泰勒提出,1950年证实。 位错线:滑移面和未滑移面的交界线EF。 位错线:滑移面和未滑移面的交界线EF。 位错特点:具有伯格斯矢量。 方向——滑移方向; 大小——滑移距离 方向——滑移方向; 大小——滑移距离
晶体缺陷
第二章晶体缺陷固体在热力学上最稳定的状态是处于0K温度时的完整晶体状态,此时,其内部能量最低。
晶体中的原子按理想的晶格点阵排列。
实际的真实晶体中,在高于0K的任何温度下,都或多或少的存在着对理想晶体结构的偏离,即存在着结构缺陷。
结构缺陷的存在及其运动规律,对固体的一系列性质和性能有着密切的关系,尤其是新型陶瓷性能的调节和应用功能的开发常常取决于对晶体缺陷类型和缺陷浓度的控制,因此掌握晶体缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
晶体缺陷从形成的几何形态上可分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。
其中点缺陷按形成原因又可分为热缺陷、组成缺陷(固溶体)和非化学计量化合物缺陷,点缺陷对材料的动力性质具有重要影响。
本章对点缺陷进行重点研究,对线缺陷的类型和基本运动规律进行简要的介绍,面缺陷的内容放在表面和界面一章中讲解。
第一节热缺陷一.热缺陷定义当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。
由于质点热运动产生的缺陷称为热缺陷。
二.热缺陷产生的原因当温度高于绝对温度时,晶格中原子热振动,温度是原子平均动能的度量,部分原子的能量较高,大于周围质点的约束力时就可离开其平衡位置,形成缺陷。
三.热缺陷的基本类型1.肖特基缺陷如果表面正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置但并未离开晶体,仅迁移到晶体表面外新表面的一个位置上,在原表面格点上留下空位。
原子的迁移相当于空位的反向迁移,表面的空位移至晶体的内部。
显然,在产生肖特基缺陷晶体会增大体积。
为了维持晶体的电中性,正、负离子空位同时按化学式关系成比例产生。
2.弗伦克尔缺陷晶格热振动时,一些原子离开平衡位置后挤到晶格的间隙位置中形成间隙原子,而原来的结点形成空位。
此过程中,间隙原子与空位成对产生,晶体体积不发生变化。
四 .缺陷化学 1.缺陷表示方法在克劳格.明克符号系统中,用一个主要符号来表明缺陷的种类,用一个下标来表示缺陷的位置,缺陷的有效电荷在符号的上标表示,如“·”表示正电,“’”表示负电,“×”表示中性。
第二章-晶体结构与晶体中的缺陷
• 层内力远远大于层间力,容易形成片状解理。
• ⑷ 蒙脱石结构
• 单元层间:范德华力,弱。 • [SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代(
同晶取代)为平衡电价,吸 附低价正离子,易解吸,使 颗粒荷电,因此使陶瓷制品 因带某些离子具有放射性。 • 性质: • 加水体积膨胀,泥料可塑性 好。
因子看,A位离子越大, B位离子才能较大。
理想立方钙钛矿结构中离子的位置
§2.2 硅酸盐晶体结构
一、硅酸盐结构特点与分类 硅酸盐是数量极大的一类无机物。硅酸盐晶体可以 按硅(铝)氧骨干的形式分成岛状结构、组群状结 构、链状结构、层状结构和架状结构。它们都具有 下列结构特点: 1)结构中Si4+之间没有直接的键,而是通过O2-连接 起来的 2)结构是以硅氧四面体为结构的基础 3)每一个O2-只能连接2个硅氧四面体 4)硅氧四面体间只能共顶连接,而不能共棱和共面 连接
陶瓷材料如MgO,CaO, NiO,
CoO,MnO和PbO等都形成
该结构。岩盐型结构还是若干
复杂层状化合物结构的一部分。
根据鲍林静电价规则,
S=Z/n NaCl: 每一个Na+静电键强度是 1/6。正负离子的配位数相等, 都是6。因此键强度总和达到氯 离子的价电荷数(6x(1/6)=1) MgO: 阳离子Mg2+的静电键强 度是2/6 ,键强度总和等于氧离子 O2-的电价6x(2/6)=2
缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期 性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完 整性。
晶体结构缺陷的类型
第二章晶体结构缺陷(二)
在NaCl晶体中,取出一个Na+离子,会在
原来的位置上留下一个电子e,,写成VNa’ ,
即代表Na+离子空位,带一个单位负电荷。
同理,Cl-离子空位记为VCl ·,带一个单位
正电荷。
即:VNa’=VNa+e,,VCl ·=VCl+h· 。
其它带电缺陷:
1)CaCl2加入NaCl晶体时,若Ca2+离子位于Na+离子
3. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示,MX的含义是M原
子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。
4. 自由电子(electron)与电子空穴 (hole) 分别用e,和h · 来表示。其中右上标中的 一撇“,”代表一个单位负电荷,一个圆点 “ ·”代表一个单位正电荷。
5.带电缺陷
(2)热缺陷反应方程式
例3·MgO形成肖特基缺陷 MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子 迁移到表面新位置上,在晶体内部留下空位:
MgMg surface+OO surface MgMg new surface+OO new surface +
'' .. VMg VO
以零O(naught)代表无缺陷状态,则: '' .. O VMg VO
'' Ca
. F
动态平衡
'' . 2 [VCa ][VF ] 4[VCa'' ]3 K [O] [O]
. '' 又[O]=1, [VF ] 2[VCa ] 则 [V '' ] 1 exp( G ) Ca
G=-RTlnK
3
第二章晶体缺陷
(2d)2=a2+a2 2a2=4d2
a=√2d
晶胞体积a3,晶胞内的原子数4
体积L3中的空位数=1/8×8=1,单位体积内的空位数为 1/L3=nv, L3=1/nv
四、过饱和空位
过饱和空位:晶体中数量超过了其平 衡浓度的空位。
过饱和空位将对晶体的性能产生影响。 产生过饱和空位的方法: 高温淬火 冷加工 辐照
C
n N
exp(SV
/ k) exp(EV
/ kT)
Ae的物理及力学性能有明显影响
5、空位对材料的高温蠕变、沉淀、回复、表面氧化、 烧结有重要影响
面心立方晶胞
Z
c
a
X
b
Y
晶格常数:a=b=c; ===90
晶胞原子数:
18 16 4 82
原子半径:(4r)2 a2 a2 r 2a 4
配位数:12 致密度:0.74
( E'V S'V
e kT k
)
A'e(
E'v kT
)(2-2)
ne、ne′— 平衡空位和平衡间隙原子的数目; N — 阵点总数; k — 玻尔兹曼常数。
△EV、△EV′— 空位形成能和间隙原子形成能; △Sv、 △Sv′— 相应的振动熵变化。
A、A′— 由振动熵决定的系数,其值约在1~10之间, 方便计算时可取A=1;
虽然晶体中存在缺陷,但从总体上看, 还是较完整的。
偏离平衡位置的原子,排列并不是杂乱 无章的,仍按一定的规律产生、发展、运动 和交互作用。
晶体缺陷对晶体的许多性能有很大的影 响,特别是对塑性、强度、扩散等有着决定 作用。
第一节 点缺陷
第二章-晶体缺陷
第二章晶体缺陷P2问题空位形成应该遵循物质守恒,即内部原子跑到表面上。
空位形成整体是膨胀过程,但具体机制较复杂。
一方面,缺少了原子会造成整体收缩;另一方面,跑到表面的原子使体积增加,综合效果是形成一个空位导致半个原子体积的增加。
相关问题有:1.如果测量产生空位的晶体,其点阵常数是增大还是缩小?2.将点阵常数测量结果与晶体整体膨胀的事实做对比,能够发现什么与空位浓度相关的规律?提示:由简到繁是惯用的方法,故可以考虑一维晶体。
答:①增大②随着晶体整体膨胀的增加,空位浓度增加。
-——详见潘金生《材料科学基础》P213空位的测量问题溶质原子尽管造成局部的排列偏离,但并不把它算为点缺陷,为什么?答:由对“置换原子”与“空位”的比较及“间隙溶质”与“自间隙原子”的比较可知,溶质原子的加入所产生的对于标准态的偏离比较小,因此不把它算为点缺陷。
问题图2-2中的置换原子(黑色)的尺寸画得有些随意。
假定(b)图中黑原子半径比白的小5%,而(c)图中大5%,问那种情况下基体内的应变能更大些?为什么?答:(b)图中应变能更大。
①(a)图中,周围白原子点阵常数变大,呈现拉伸状态。
(b)图中,周围白原子点阵常数变小,呈现压缩状态。
②由右结合能的图像可知,在平衡位置r0左右,曲线并非对称。
产生相同的形变,压缩引起的应变能更大。
所以(b)图中应变能更大。
P4问题Al2O3溶入MgO(具有NaCl结构)中,形成的非禀性点缺陷在正离子的位置,还是相反?答:Al 2O 3溶入MgO 晶体,由于Al 离子是+3价,,而Mg 离子是+2价,所以当两个铝离子取代两个镁离子的位置后,附近的一个镁离子必须空出,形成的非禀性点缺陷在正离子的位置。
问题 图2-3(a)的画法有些问题。
更好的画法是将图中的大小方块画在一起,即正负离子空位成对出现(参见余永宁“材料科学基础”图6-5)。
为什么成对的画法更好些?答:因为①正、负电中心成对出现的时候,可以抵消一点局部电中性的无法满足。
晶体缺陷【材料科学基础】
5
6
3.点缺陷的形成
晶体点阵中的原子以其平衡结点为中心不停地进 行热振动。随温度升高,振幅增大,振动频率也 增大。 晶体内原子的热振动能量不相同,存在能量起伏。 某些原子振动的能量高到足以克服周围原子的束 缚时,它们将有可能脱离原来的平衡位置,迁移 到一个新的位置,在原来的平衡位置上留下空位。 温度越高,原子脱位的几率越大。
7
离位原子的去处: ¾ 离位原子迁移至表面或晶界时形成的空位— —肖脱基空位; ¾ 离位原子迁移至点阵间隙处所形成的空位— —弗兰克空位; ¾ 离位原子迁移其它空位中,使空位发生移 位,不增加空位数目。
8
4.点缺陷导致一定范围内弹性畸变和能量增加
9
5.空位和间隙原子的形成与温度密切相关: 随温度升高,点缺陷数目增加,称为热缺陷。 6.高温淬火、冷变形加工、高能粒子轰击也可 产生点缺陷 (点缺陷并非都通过原子的热 振动产生)。
第二章 晶体缺陷
1
引言: 完整晶体:原子规则地存在于应在的位置上。 晶体缺陷:实际晶体中偏离理想结构的区域。
2
晶体缺陷分类(按几何特征分):
点缺陷(零维缺陷),在三维空间的各个方向上尺 寸都很小的缺陷。如:空位、间隙原子、杂质、溶 质原子等。 线缺陷(一维缺陷),在一个方向上尺寸较大,另 两个方向上尺寸较小。如:位错。 面缺陷(二维缺陷),在两个方向上尺寸较大,在 另一个方向上尺寸较小。如:晶体表面、晶界、相 界、孪晶界、堆垛层错等。
位错的观察
18
早期对位错观察的例子:
位错的电子显微镜观察 的例子:
氟化锂表面浸蚀出的位错露头 的浸蚀坑
锗晶体中位错的电子显微镜图象
19
GaN晶体中刃位错的高分辨电子显微像
材料科学基础第二章晶体缺陷
金属 Al Ag Cu
α-Fe
Mg
理论切应力
3830 3980 6480 11000 2630
实验值
0.786 0.372 0.490 2.75 0.393
切变模量 24400 25000 40700 68950 16400
21
dislocation
一 般 金 属 的 G=104~105MPa, 理论剪切强 度应为103~104MPa,实际只有1~10MPa 理论强度比实测值大1000倍以上!! 1934年Taylor, Polanyi和Orowan几乎同 时提出晶体中存在易动的缺陷-位错, 借助于位错运动实现塑性变形。
12
设在温度T时,含有N个结点的晶体中形成n个空位, 与无空位晶体相比:
ΔF=n·ΔEV-T·ΔS
ΔS=ΔSC+n·ΔSV
n个空位引入,可能的原子排列方式:Wc
(N
N! n)!n!
利用玻尔兹曼关系SC=k·lnWC,并利用Stiring公式
令: (F ) 0
n T
13.00
12.75
12.50
12.25
Fe的 电 阻 率 随 淬 火 温 度 的 变 化
12.00
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
Tem perature / oC
17
2.2位错的基本概念 (1)位错理论产生强化材料的重要手段,但是对于变形的微观过 程、加工硬化等尚不能解释。 滑移带现象。当时,普遍认为金属塑性变形是 晶体刚性滑移的结果,滑移面两侧的晶体借助 于刚性滑动实现变形。 1926年弗兰克尔从刚性模型出发,估计了晶 体的理论强度。
第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals
晶体缺陷( 第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals) ) 2.1 点缺陷
2.1.1 点缺陷的类型及形成 1. 空位
热力学使平衡原子跳至三个去处: 热力学使平衡原子跳至三个去处: 外表面 ①跳至 跳至 晶体表面 →肖脱基空位 肖脱基空位 晶界 ②跳至晶格间隙中形成间隙 原子→弗兰克尔空位 原子 弗兰克尔空位 跳至其它空位处→不产生多余空位 ③跳至其它空位处 不产生多余空位 空位处: 空位处:晶格负畸变
长度达几百—几万个原子间距, 长度达几百 几万个原子间距,宽度 几万个原子间距 线缺陷。 为几个原子间距 —— 线缺陷。
它是极其重要的晶体缺陷。 它是极其重要的晶体缺陷。影响 材料强度 塑性变形、 固态相变。 塑性变形、断裂扩散 、固态相变。
晶体缺陷( 第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals) ) 2.2线缺陷(位错) 线缺陷(位错)
晶体缺陷( 第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals) ) 2.1 点缺陷
2.1.1 点缺陷的类型及形成
3. 置换原子 占据晶格结点的异类原子, 中溶有Mn、 、 占据晶格结点的异类原子,如:Fe中溶有 、Si、Cr… 中溶有 正畸变 晶格 负畸变
晶体缺陷( 第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals) ) 2.1 点缺陷
晶体缺陷( 第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals) )
实际金属是多晶体,晶体内部存在晶格缺陷。 实际金属是多晶体,晶体内部存在晶格缺陷。 点缺陷 点缺陷 线缺陷 线缺陷 面缺陷 面缺陷
这些缺陷影响材料性能。 这些缺陷影响材料性能。
晶体缺陷( 第二章 晶体缺陷(Defect of the crystals) ) 2.1efect of the crystals) ) 2.2线缺陷(位错) 2.2.1位错的基本理论 线缺陷(位错)
材料科学基础重点总结 2 空位与位错
第2章晶体缺陷晶体缺陷实际晶体中某些局部区域,原子排列是紊乱、不规则的,这些原子排列规则性受到严重破坏的区域统称为“晶体缺陷”。
晶体缺陷分类:1)点缺陷:如空位、间隙原子和置换原子等。
2)线缺陷:主要是位错。
3)面缺陷:如晶界、相界、层错和表面等。
2.1 点缺陷空位——晶体中某结点上的原子空缺了,则称为空位。
点缺陷的形成:肖特基空位:脱位原子迁移到晶体表面或者内表面的正常结点位置,从而使晶体内部留下空位,这样的空位称为肖特基(Schottky)空位。
(内部原子迁移到表面)肖特基(Schottky)空位弗仑克耳(Frenkel)空位弗仑克耳空位:脱位原子挤入点阵空隙,从而在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子,称为弗仑克耳(Frenkel)空位。
(由正常位置迁移到间隙)外来原子:外来原子也可视为晶体的点缺陷,导致周围晶格的畸变。
外来原子挤入晶格间隙(间隙原子),或置换晶格中的某些结点(置换原子)。
空位的热力学分析:空位是由原子的热运动产生的,晶体中的原子以其平衡位置为中心不停地振动。
对于某单个原子而言,其振动能量也是瞬息万变的,在某瞬间原子的能量高到足以克服周围原子的束缚,离开其平衡位置从而形成空位。
空位是热力学稳定的缺陷点缺陷的平衡浓度系统自由能F=U- TS (U为内能,S为总熵值,T为绝对温度)平衡机理:实际上为两个矛盾因素的平衡a 点缺陷导致弹性畸变使晶体内能U增加,使自由能增加,降低热力学稳定性b 使晶体中原子排列混乱度增加,熵S增加,使自由能降低,增加降低热力学稳定性熵的变化包括两部分:①空位改变它周围原子的振动引起振动熵,Sf。
②空位在晶体点阵中的存在使体系的排列方式大大增加,出现许多不同的几何组态,使组态熵Sc增加。
空位浓度,是指晶体中空位总数和结点总数(原子总数)的比值。
随晶体中空位数目n的增多,自由能先逐渐降低,然后又逐渐增高,这样体系中在一定温度下存在一个平衡空位浓度,在平衡浓度下,体系的自由能最低。
晶体结构与缺陷
• 影响因素:—— 与晶体结构有很大关系 • NaCl型晶体中间隙较小,不易产生弗仑 克尔缺陷;
• 萤石型结构中存在很大间隙位置,相对 而言比较容易生成填隙离子。
• (2)肖特基缺陷: • 如果正常格点上的 • 质点,在热起伏过程中 • 获得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面, 而在晶体内部正常格点上留下空位
晶体中的柏格斯氏矢量 (方向表示滑移、大小为原子间距)
.柏氏矢量
(1)柏氏矢量的确定方法 先确定位错线的方向(一般规定位错线垂直纸面时, 由纸面向外为正向),按右手法则做柏氏回路,右 手大拇指指位错线正向,回路方向按右手螺旋方向 确定。 从实际晶体中任一原子出发,避开位错附近的严重 畸变区作一闭合回路,回路每一步连接相邻原子。 按同样方法在完整晶体中做同样回路,步数、方向 与上述回路一致,这时终点和起点不重合,由终点 到起点引一矢量即为柏氏矢量b。
• 2.点缺陷的形成 • 原子相互作用的两种作用力:(1)原子间的吸 引力;(2)原子间的斥力 • 点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 • 原子的热振动 (以一定的频率和振幅作振动) • 原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做 着挣脱束缚的努力 • 点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加 工 • 在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚, 脱离平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种 几率分布
Cl Mg
• 特点: • (2)从形成缺陷的能量来分析—— Schttky缺陷形成的能量小于Frankel 缺陷形成的能量因此对于大多数晶体来 说,Schttky 缺陷是主要的。
• 产生 动平衡 • 复合 • 浓度是温度的函数 • 随着温度升高,缺陷浓度呈指数上升,对 于某一特定材料,在—定温度下,热缺陷浓 度是恒定的。
• 2.5.2 热缺陷的浓度计算
晶体缺陷2
(2)螺型位错
模型:无多余半原子面,位错线垂直于位错运动方向,晶体滑移方向垂直于位 错运动方向,位错线平行于柏氏矢量。 分类:左螺旋、右螺旋 位错线方向与滑移矢量一致-----右螺旋 位错线方向与滑移矢量相反------左螺旋 需要指出的是左螺和右螺有着本质差别,无论将晶体如何放置也不可能改变其 原本的左右性质。
三位错线相遇于一点b1=b2+b3
四位错线相遇于一点b1+b2+b3+b4=0
位错密度
定义1:单位体积中含有的位错的总长度
定义2:单位面积上截过的位错数目ρs
当所有位错线相互平行并且都垂直于表面时
谢谢
刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。 它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移方向相垂 直,也垂直于柏氏矢量。
不同形状的刃位错
晶体中存在刃位错后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既有切应 变,又有正应变。含有多余半原子面的那部分晶体受压应力,原子间 距减少,不含多余半原子面的部分晶体受拉应力,原子间距增大。
晶体缺陷
晶体缺陷概念的提出
实际晶体中,由于原子的热运动,以及材料加工中各种因素的 影响,使得原子排列不可能周期性的规则排列和完善,往往存在 偏离理想结构的区域,我们通常把这种不完整区域称为晶体缺陷。
刃位错
螺位错 晶界
线缺陷------------------位错
位错的假说是在30年代为了解释金属的塑性变形而提出来的. 人们很早就知道金属可以塑性变形,但对其机理不清楚。1926年弗兰克尔利 用理想晶体模型,假定滑移时滑移面两侧晶体像刚体一样,所有原子同步平移,但 是估算的理论切变强度与实际结果相比差3~4个数量级,这一矛盾在很长一段时 间内难以解释。 1934年泰勒等人提出了晶体中位错的概念,他认为位错在切应力作用下发生 运动,依靠位错的逐步传递完成了滑移过程。
材料科学基础-5
(3)位错线不可能中断于晶体内部,这种性质称为位 错的连续性。
• 利用柏氏矢量b与位错线t的关系,可判定 位错类型。 若 b∥t 则为螺型位错。 若 b⊥t 为刃型位错。 若既不垂直也不平行,为混合型位错
位错线
正刃型位错
负刃型位错
刃型位错的结构特点:
• 刃型位错有一个多余半原子面。一般把多余半原子面在滑 移面以上者,称为正刃型位错,以“”号标示;反之, 则为负刃型位错,以“”号标示。刃型位错的正、负之 分只具相对意义,而无本质区别。 • 刃型位错线与形成位错的晶体滑移矢量和滑移方向垂直。 • 刃型位错是以位错线为中心轴、半径为23个原子间距的
刃型 位错
螺型 位错 混合 位错
⊥位错线
∥位错线
⊥位错线本身 与b一致
⊥位错线本身 与b一致
与b一致 唯一 确定 与b一致 多个 与b一致
成角度
⊥位错线本身 与b一致
(1) 可以通过柏氏矢量和位错线的关系来判断位错 特征。b⊥t时为刃型位错,b∥t为螺型位错,对于混合 型位错,b和t的角度在0°和90°。
练习2 晶面上有一位错环,确定其柏氏矢量,该位错环在切应 力作用下将如何运动?
2.2.4 运动位错的交割
• 当位错在其滑移面上滑移时,会与穿过滑移面的 其他位错相遇。当外力足够大时,两个相遇的位 错便会交叉通过,继续向前滑移。位错间交叉通 过的行为即称为位错交割。
• 发生位错交割后,位错线常常变成折线,即形成 折线线段。此扭折线段在位错滑移过程中可以消 失,则为位错扭折,如果位错滑移过程中不能消 失,就称为位错割阶。
混合位错示意图
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若几条位错线交汇于一点:指向结点的各位错柏氏 矢量之和必等于离开结点的各位错柏氏矢量之和, 即b1=b2+b3。 9 若各位错线方向均指向结点或离开结点:柏氏矢量 之和等于零,即∑bi=0。
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4.柏氏矢量的表示和模
柏氏矢量的表示 ¾ 柏氏矢量的大小和方向可以由它在各晶轴上的分 量——点阵矢量a、b、c 表示。在立方系中,由 于a=b=c,可以用与柏氏矢量同方向的晶向指数 来表示。 ¾ 用一个固定符号b=ka[uvw]表示。 ¾ 具体步骤:将柏氏矢量在三个晶轴上的分量,依次 填入[ ]号内,再提取公因数 k 作为系数,放在 [ ] 号前,使[ ]号内的数字成为最小整数。
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例: ¾ OP方向:在三个坐标轴上的分量依次为a/2, a/2,0 ,由它所表示的柏氏矢量为: bp=[a/2 a/2 0]=a/2 [110] ¾ OM方向:bM=a [010] ¾ OQ方向: bQ=a [111]
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柏氏矢量的模 ¾ 柏氏矢量的模即柏氏矢量的大小,代表位错的强度。 ¾ 当b=ka[uvw]时,柏氏矢量的模 例如:bQ=a [111], ¾ 当b1=b2+ b3时,则b1的晶向指数等于b2、 b3各 同向指数之和。 例如:b2 =a/2[101],b3=a[111], 则 b1= a/2[101]+a[111] =a[(1/2+1),(0+1),(1/2+1)] = a [3/2 1 3/2] = a/2 [323]
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小结: ¾ 位错线平行于柏氏矢量,滑移面有许多。 ¾ 位错线运动方向垂直于位错线,垂直于柏氏矢量。
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¾
混合位错的滑移
混合位错由刃位错和螺位错组成,纯刃位错位错线运动 方向与柏氏矢量方向平行。纯螺位错位错线运动方向与 柏氏矢量方向垂直,则混合位错运动方式如图示。 当位错线移出晶体表面时,滑移面上下两部分晶体相对 滑移了一个柏氏矢量的距离。
XY为运动位错;AB为固定位错。在运动刃位错XY上不 出现变化;在固定刃位错AB上出现刃型割阶(PP’为大 小等于 、柏氏矢量为b2的割阶)。
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¾
两个柏氏矢量相互平行的刃位错的交割
XY为运动位错;AB为固定位错。在运动刃位错XY上出现 螺型扭折(QQ’:大小等于 、柏氏矢量为b1 );在固 定刃位错AB上出现螺型扭折(PP’:大小等于 、柏氏矢 量为b2 )。
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注:扭折对位错运动无阻碍,且不稳定,在位错线张 力的作用下将会消除。
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¾
刃位错和螺位错的交割(柏氏矢量相互垂直)
在运动的刃位错AA’上出现刃型割阶(MM’:大小等于 、柏氏矢量为b1 );在不动的螺位错BB’上出现刃 型扭折(NN’:大小等于 、柏氏矢量为b2)。
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¾
两个螺位错的交割(柏氏矢量相互垂直)
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小结: ¾ 位错滑移只需一个很小的切应力即可完成。 ¾ 滑移面是由位错线与柏氏矢量共同决定的平面。因 位错线垂直于柏氏矢量,所以滑移面只有一个。 ¾ 滑移方向即为柏氏矢量的方向。 ¾ 位错线运动方向垂直于位错线且与柏氏矢量方向平 行。
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螺位错的滑移
在切应力作用下,位错周围原子沿与位错线运动方向相垂 直的方向移动一个微小距离,就可使位错向左移动一个原 子间距。
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3.位错运动的交割
定义:不同滑移面上运动的位错相遇发生相互截割 的过程。 位错交割的结果:在原来直的位错线上形成一段一 个或几个原子间距大小的折线,即割阶与扭折。
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割阶:形成的曲折线段不在位错所在的滑移面上。 ¾ 扭折:形成的曲折线段处于位错所在的滑移面上。
¾
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几种典型的位错的交割 ¾ 两个柏氏矢量相互垂直的刃位错的交割
在运动位错AA’上产生刃型割阶(MM’:长度等于 、 柏氏矢量为b1 );在固定位错BB’上产生刃型割阶(NN’)。
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总结: ¾ 晶体中两个运动位错交割,各自位错线都可能产生割阶 或扭折,割阶或扭折的柏氏矢量与原位错相同;割阶或 扭折的长度由另一位错的柏氏矢量的大小决定。 ¾ 割阶都是刃型位错;而扭折可以是刃型的,也可以是螺 型的。 ¾ 割阶因与原位错线不在同一滑移面上,对位错运动产生 阻碍作用。(当两者滑移不一致时,割阶只能通过攀移 随原位错一起运动。)割阶阻碍位错运动,造成的硬 化,称割阶硬化。 ¾ 扭折位于原位错的滑移面上,在随同运动中几乎不产生 阻力,且由于线张力的作用而容易消失。
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刃型位错的正负可利用右手法则来确定: 食指代表位错线方向;中指代表柏氏矢量方向;拇 指代表多余半原子面。拇指向上者为正刃型位错, 向下者为负刃型位错。 如图:
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位错环各部分柏氏矢量确定
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3.柏氏矢量的物理意义和特性
物理意义:柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变 总累积的物理量。 ¾ 该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向,即位 错运动导致晶体滑移的方向; ¾ 该矢量的模|b|表示了畸变的程度,称为位错的强 度。 ¾ 因此,位错定义为柏氏矢量不等于零的晶体缺陷。
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特性:一根位错线具有唯一的柏氏矢量,它与回路 起点及回路的路径无关——柏氏矢量的守恒性。 ¾ 一条不分岔的位错线,不论形状如何变化,也不管 位错线上各处的位错类型是否相同,只有一个恒定 的柏氏矢量。 ¾ 一位错线不能终止在晶体内部,只能终止于晶体表 面或界面;若终止在晶体中,它必和其他位错线连 接,相交于一个结点,或形成一个闭合的位错环。 ¾ 若一个柏氏矢量为b的位错可以分解为柏氏矢量分别 为b1,b2….bn的n个位错,则分解后各位错柏氏矢 量之和等于原位错的柏氏矢量,即b=
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刃型位错柏氏矢量的确定:
注:刃位错中柏氏矢量垂直于位错线,柏氏矢量平 行于外力方向。
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螺型位错柏氏矢量的确定
注:螺位错中柏氏矢量平行于位错线,柏氏矢量平 行于外力方向。4Βιβλιοθήκη 2.柏氏矢量与位错线的关系
注:混合位错的柏 氏矢量既不垂直也 不平行于位错线, 可将其分解成垂直 和平行于位错线的 刃型分量和螺型分 量。
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三. 位错的运动
位错运动有两种最基本的形式:滑移和攀移 滑移:在切应力作用下,晶体中的位错沿一 定晶面和晶向的运动。 攀移:刃位错在垂直于滑移面的方向发生的 上下运动。
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1.位错的滑移
刃位错的滑移
在切应力作用下,通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向 做少量移动(小于一个原子间距),使位错在滑移面上向右 移动了一个原子间距。如果应力继续作用,位错将继续向右 移动。当位错达到晶体表面后,晶体上下沿滑移面相对滑移 了一个柏氏矢量。
二.柏氏矢量
1939年, Burgers(柏格斯)提 出,采用一个规定的矢量来描述位错,可 以更确切地揭示位错的本质,这个矢量就 是“柏格斯矢量”或“柏氏矢量”,用 表示。
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1.柏氏矢量的确定
确定柏氏矢量的方法与步骤: ¾ 人为假定位错线方向,一般规定出纸面的方向为正; ¾ 取一个含有位错的实际晶体,从晶体的非畸变区开始 做回路。以右手拇指指向位错线的正方向,围绕其中 心作逆时针旋转,定为回路方向,连接相邻原子所形 成的闭合回路称为柏氏回路; ¾ 在完整晶体中按相同的路线和步伐作回路,该回路并 不闭合,自路线终点向起点引一矢量,使该回路闭 合,即“柏氏矢量”。
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2.位错的攀移
只有刃位错才有攀移运动,并引起位错的半原子面 扩大或缩小,因此攀移总是伴随着点缺陷的运动。 ¾ 正攀移:多余原子面向上运动。需要吸收空位。 ¾ 负攀移:多余原子面向下运动。需要吸收原子。
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¾ ¾ ¾ ¾ ¾
攀移的特点: 攀移需要较大的热激活,过饱和空位有助于攀移。 刃位错才能攀移,螺位错不能。 产生攀移是正应力作用(压应力易造成正攀移,拉 应力易造成负攀移)。 攀移伴随晶体体积变化,称为非守恒运动;滑移不 引起晶体体积变化,称为守恒运动。 攀移较滑移需要更大的能量。