IGBT的测量方法
IGBT测量方法
IGBT的测量(2006-05-05 18:10)分类：电源技术类文章IGBT的优点:1.输入阻抗大2.电压型驱动元件3.耐压高4.工作频率高(几十K)5.通态电流大 6.通态损耗小 7.安全工作区宽IGBT的测量1. IGBT的封装形式:IGBT在封装时,每一只IGBT都反向并联了一个二极管.2. 测量步骤:1.先将GE(6、7)或(4、5)间短路.2.将万用表打在R*1档,上,黑接E(2)极红接C(1)极或者黑接E(1)极红接C(3)极,测量Rec≈10欧.3.将万用表打在R*1K档上,黑接C(1)极红接E(2)极或者黑接C(3)极红接E(2)极,测量Rec 为无穷大.4.将万用表打在R*10K档,红接E(2)极黑接G(6)极或者红接E(1)极黑接G(4)极,给Rge 结电容充电5秒钟.测量Rce(1、2)(3、1)正反向阻值都为10欧左右.5.将万用表打在R*10K档,红接G(6)极黑接E(2)极或者红接G(4)极黑接(1)极,给Rge 结电容充电5秒钟,最后红接C(1)极黑接E(2)极,测量Rec≈10欧(反相为无穷大). IGBT焊机维修中的注意对象:1. 如果IGBT模块坏,必须测量驱动板驱动线路是否损坏.2. IGBT器件对静电敏感,携带过程中,GE间应短路,焊接时烙铁应可靠接地.3. 更换模块时,一定要将散热器上原有的导热硅脂清除干净,并重新涂上新的硅脂.4. 控制板与驱动板在更换过程中,插头应一一对应.5. IGBT模块控制线一定不能随意拔下,通电时一定要检测控制线是否插好.绝对不能悬空通电试机.附录驱动板的测量方法:将万用表打在R*1档上,正反相测量每一组的驱动线,阻值为十几欧左右,阻值太大说明驱动板已断线或元器件坏,阻值为零说明电阻短路或者线间短路,此时应更换或维修.。
IPM、IGB模块良否的简单测试方法
IPM/IGBT模块良否的简单测试方法一般来说，仅用简单的测试方法如用一般的万用表，是不能正确判断IPM/IGBT模块的状态的。
但对于模块是否发生短路或开路损坏，用以下方法可进行初步判断。
测试要求：1.测试仪器的输出电流应不足以损坏模块（如，1A）；2.待测电流应远大于I CES，否则，本来是不到痛的情况可能会被误判为导通；3.考虑二极管的压降，测试仪器的输出电压应大于3V，否则，在测试方向特性时本来是好的模块可能会被误判为不良；当然，输出电压应小于VCES；4.除待测端子外，其他端子均不应有任何电路连接；5.测量时P-N间不应施加电压，否则，可能导致模块损坏或测试人员触电等事故。
逆变器IGBT模块/IPM测试部位描述如下：1.逆变器部IGBT的C-E间顺向（P-U/V/W & U/V/W-N），C2E1极与C1、E1、E2、G1、G2极之间的测量正向：红表笔接C2E1脚，黑表笔分别接各电极，与C1极之间有0.46V压降以外，其它各极均为无穷大。
不导通则为良品，导通为不良，反向：与E2极有0.45V压降，其它各极均为无穷大。
2.逆变器部IGBT的C-E间逆向（U/V/W-P & N-U/V/W），导通为良品，不导通为不良；3.制动单元IGBT的C-E间顺向，不导通为良品，导通为不良；4.制动单元IGBT的C-E间逆向，导通为良品，不导通为不良。
注：(a) 在进行方向导通测量时，若测得的电阻明显低于一般良品，则可判定该模块不良。
(b) 通过测量C-E间的电阻可判断IGBT是否击穿或短路，但是，像IGBT耐压降低，仅IGBT的C-E断路而续流二极管正常的情况，则上述方法无法判断。
用数字万用表简单测量IGBT的方法(逆变器）：IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。
IGBT参数测试
IGBT 参数检测仪根据测试条件和测试线路的不同，可将IGBT模块的测试分为两大类:一类是静态参数测试，即在IGBT模块结温为25C︒时进行测试，此时IGBT工作在非开关状态；另一类是动态参数测试，即在IGBT模块结温为125C︒时进行测试，此时IGBT工作在开关状态。
一、静态参数的测试1. 栅极一发射极阀值电压的测试在规定条件下，测量栅极—发射极阀值电压()GE thV，测试电路原理图如图1所示图1()GE thV测试电路电路说明和要求:Gl、G2:可调直流电压源;Vl、V2:直流电压表;A:直流电流表;DUT:被测量的IGBT(下同)。
测量程序:调解电压源G2至规定的集电极—发射极电压(15V);调节电压源Gl，从零开始逐渐增加栅极一发射极间的电压。
当电流表A显示出规定的集电极电流值(()CE ONprotCCoffVIVE)时，电压表Vl的显示值即为被测器件的栅极一发射极阀值电压。
2. 集电极—发射极截止电流的测试在规定条件下，测量器件的栅极—发射极短路时集电极—发射极截止电流CESI，原理电路如图2所示。
图2 CES I 测试电路电路要求和说明:G:可调直流电压源;V:高阻抗直流电压表;A:直流电流表;R:限流电阻器。
测量程序:调节电压源G ，从零开始逐渐增加集电极—发射极间的电压到电压表V 显示出规定的值(10V)，从电流表A 读出集电极—发射极截止电流CES I 。
3. 栅极—发射极漏电流的测试在规定条件下，测量器件在集电极—发射极短路条件下栅极—发射极漏电流GES I ，原理图如图3所示。
图3电路说明和要求:G:可调直流电压表;Vl ，V2:直流电压表;R:测量电阻器。
这时栅极一发射极漏电流为: /CES I V R 。
测量程序:调节电压源G ，使栅极一发射极电压Vl 到规定值(20V)。
从V2读出V2，则栅极一发射极漏电流为V2/R 。
4. 集电极一发射极饱和电压的测试在规定条件下，测量器件在集电极一发射极饱和电压()CE sat V ，原理图如图6一5所示。
IGBT测量方法
IGBT电路图IGBT测量方法一正常IGBT测量：用数字万用表的二极管档测量，红表笔是+正极，黑表笔是-负极。
1IGBT的G端(门级)与E端（发射极）、C端（集电极）是不导通，所以Rge和Rgc理论阻值是100M Ω以上。
若G端和E端外围有并接电阻，Rge阻值=并接电阻阻值。
（用电阻档测）；2因IGBT的C\E端并接二极管.2.1若G\E端不加触发电压，E端（发射极）、C端（集电极）是单向导通。
用二极管档测，红表笔在E端，黑表笔在C端，表显示345，导通，导通压降为0.345V。
表笔相反测，表显示1，表示不导通；（表显示345，表示导通的压降为0.345V,万用表不同，IGBT不同，测量值有偏差，偏差值不大）2.2若G\E端加触发直流电压VGE=6V（VGE>Vt）, 红表笔在C端，黑表笔在E端,C端和E端正向导通，表显示345；2.3因G\E端相当一个小电容，当撤离外加触发电源，触发电压还存在，C端和E端正向还导通，电线短接G\E端，IGBT正向就不导通2.4 正常C/E端耐压测试：为什么用测量电机绝缘的摇表测试：1数字万用表的电压在DC9V内,电压低不能正确判断其耐压真实性。
2 因摇表的电压在DC500V内，与IGBT C/E端正常工作电压相同，可真实检测IGBT状况。
其电压可以通过速度控制，而且电源功率小，测量时不会发生意外。
3 摇表的正极接在C端，负极接在E端。
摇动摇表，显示的数值在100MΩ以上，同时用万用表测量电压，电压可以在150V以上。
二故障IGBT1 G端和C\E端阻值在KΩ以下，并接电阻除外；2 C\E端，用用二极管档测, 表显示100以下，并有声音提示，表示C\E短路；或者用电阻档测，阻值很小。
3 G\E端加触发电压，C\E端正向不导通；4 C/E端耐压测试: 摇表测试，显示的数值在1MΩ以下。
同时用万用表测量电压，电压在15V以下；。
如何判断IGBT好坏
如果现场简易测量IGBT 是否击穿
C-集电极 E 发射极 G-栅极
用数字万用表的二极管档测量PN 结正向压降进行判断。
对于正常IGBT ，G 、C 两极，G 、E 两极正反向电阻均为无穷大，E 、C 两极有0.38V 左右的正向压降。
具体操作见图片
1、 测量左边IGBT 上臂E 、C 间压降，
正向压降0.36V 左右，红表笔点X 输出铜排，黑表笔点直流正母排
反向电阻为无穷，红表笔点直流正母排，黑表笔点X 输出铜排
IGBT-绝缘栅型双极晶体管。
2、 测量左边IGBT 下臂E 、C 间压降，
正向压降0.36V 左右，红表笔点直流负母排，黑表笔点X 输出铜排 反向压降为无穷，红表笔点X 输出铜排，黑表笔点直流负母排
3、测量G、E极G、E两极正反向电阻均为无穷大
4、右边IGBT测量方法一样，只是输出铜排由X改为Y。
IGBT常规测量四招必杀技
IGBT 常规测量四招必杀技看了很多的IGBT 测量方法，其中不乏极具精髓的，但不怎么的全面。
现在我总结介绍四招，有这四招，足以应付日常工作中的要求了。
但这是在简单工具的前提下，只能说是常规测量吧。
下面先摆出四大装备（排名不分先后）：下面按图示一一介绍各型武器的威力，如下所述：数字万用表：虽然，用它来测量有太多的局限性，但它却是我们最常用和普遍的工具之首。
用它测量二极管的管压降，不仅能在一定程度上判断其好坏，还能判定它们的离散性。
数字电容表：这个可能是很多人用的比较少吧，其实我们都知道，IGBT 的容量大小是有规律的，容量大它的各种等效电容容量也将同比加大，如最重要的Cies 就是我们的测量对象。
但是，官方给出的多是VGE=0V VCE=10V f=1MHZ 时的参考数值，我们根本没有条件来做直接对比。
我们使用的数字电容表多在800HZ 的测试频率。
但这不并不影响我们的测量，我们只要总结规律，以我们现有的这种简单测试仪表也还是具有非常大的可靠性的，而且在一定程度上能判断各个IGBT 管的同一性。
现在很多奸商以小充大来赚取暴利，所以这是一个很好的方法。
万一你用上了“来历不明”的模块而爆机时有可能就是这种情况，不是你技术不好或是你维修的不够仔细，而是你碰上了李鬼模块。
模拟表：这个很多人都知道，用它来测量IGBT 的触发开通性能及关断性能。
除此之外，也是可以测试IGBT 的好坏的，如果并联二极管完好而IGBT 开路了就会触发不起来的。
晶体管直流参数测试表：耐压是IGBT 最重要的关键参数之一，但是，使用它测试IGBT 时，也是这四种测量手段中最具危险性的一种。
弄不好会报废IGBT 的。
我只是点明一下，在有限的条件下做最大可靠性的测试分析，具体的操作有赖于各位大侠们的剑锋所指，内力所及了。
IGBT模块测量与判断
IGBT模块测量与判断简介IGBT模块是现代电力电子技术中的重要器件，主要用于变频器、逆变器、交直流混合电源等电力设备中。
在实际运用中，IGBT模块的电性能、热性能和可靠性往往是影响整个电力设备工作性能的关键因素之一。
因此，IGBT模块的测量和判断非常重要。
本文将介绍IGBT模块测量方法和判断方法，帮助读者更好地了解和使用IGBT 模块。
IGBT模块测量方法1. DC电阻测量DC电阻测量是IGBT模块测试中最常见的方法之一。
通过测量IGBT模块正负级之间发生通断的DC电阻来判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到DC电阻档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负极间电阻。
3.将正负级引脚交换后再次测量，记录正负极间电阻。
4.比较两次测量结果，如果读数相同，则IGBT模块正负级之间没有短路。
如果读数大幅变化，则IGBT模块正负级之间可能存在短路。
2. 电压测量电压测量是IGBT模块测试中常用的方法之一，测量IGBT模块正负级引脚是否有电压，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电压档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负级之间的电压。
3.如果读数为0，则正负级之间没有电压，说明IGBT模块正负级之间不存在导通问题。
3. 电流测量电流测量是IGBT模块测试中比较常用的方法之一，测量IGBT模块负载电流是否正常，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电流档位。
2.将正负级之间连接负载，分别记录正负级引脚的电流。
3.如果读数过大或过小，则说明IGBT模块存在问题。
IGBT模块判断方法1. 观察外观首先，可以通过观察IGBT模块的外观，判断器件是否受损或破碎。
如果IGBT 模块外观有破损、变形、划痕等，说明器件可能存在损伤，需要进一步检查。
2. 测量IGBT模块正负级引脚间电阻通过DC电阻测量方法，可以判断IGBT模块正负级之间的通断（正常应该读数接近无穷大，如果出现很小的电阻值，表示器件存在短路现象）。
IGBT模块有几个极及测量方法
IGBT模块有几个极及测量方法
单个IGBT封装的模块，一般引出G极（门极）、E极用于控制信号连接，C极（集电极），E极（发射极）用于主回路连接；半桥IGBT封装模块，一般引出G1，E1，G2，E2四个端子用于控制线，C1，C2E1，E2三个端子用于主回路连接；还有单相全桥封装，三相全桥封装，IPM等，可以查阅各厂家的样本目录或者咨询南京微叶科技。
确定IGBT的三个脚的方法
所有的单管分立器件IGBT管角从左至右依次为G、C、E。
模块IGBT只需用万用表测量即可，方法简述：E、C间有一二极管，用万用表二机管档测量两两管角，如果有两个管角导通，则阳极为E、阴极为C，剩下的一个为G。
或者正面朝你，从左到右 G C E。
变频器IGBT损坏原因和测量方法
变频器IGBT损坏原因和测量方法导语：变频器在运转中突然发出爆炸声响，同时外接保险烧毁，拆机发现变频器的igbt模块损坏。
经过对相关板卡的测试，发现igbt触发线路损坏，测量其他板块正常。
在拆卸变频器板卡时发现其电源板和电流检测板上有很多的油污和灰尘。
打开变频器的散热片风机，看到散热片上也粘满了油污和杂物，将变频器的散热通道完全堵死。
由此推断变频器的IGBT模块因散热不良导致其损坏。
1、IGBT模块因散热不良导致其损坏变频器在运转中突然发出爆炸声响，同时外接保险烧毁，拆机发现变频器的igbt模块损坏。
经过对相关板卡的测试，发现igbt触发线路损坏，测量其他板块正常。
在拆卸变频器板卡时发现其电源板和电流检测板上有很多的油污和灰尘。
打开变频器的散热片风机，看到散热片上也粘满了油污和杂物，将变频器的散热通道完全堵死。
由此推断变频器的IGBT模块因散热不良导致其损坏。
维修过程：首先将变频器完全拆开，将散热通道的散热片拆下，用空压气体将散热片清理干净，同时将变频器内部结构件和板卡全部清理干净。
安装igbt模块，安装igbt模块时候要按照模块的要求，顺序安装，力矩适度。
修理触发线路，然后依次安装其他器件。
安装结束后进行静态的测试，静态测试结果良好后进行通电测试和带负载试验。
带负载试验合格，顺利完成维修。
经验总结：综合不同型号和不同的使用环境中的数台变频器维修情况，总结出变频器igbt模块损坏的主要原因是使用环境的恶劣，使得门极驱动卡上电子元件损坏以及变频器的散热通道堵塞导致。
最容易损坏的器件是稳压管及光耦。
检查驱动电路是否有问题，可在断电时比较一下各路触发端电阻是否一致。
通电开机可测量触发端的电压波形。
但是有的变频器不装入模块不能开机，这时在模块p端串入假负载防止检查时误碰触发端或其他线路引起烧坏模块。
2、IGBT模块的简单测量方法变频器输出电压不平衡表现为马达抖动，转速不稳，一般没有经验是很难判定是哪路驱动有问题，这时可启动变频器2hz，用万用表直流电压档分别测：p-u、p-v、p-w及u-n、v-n、w-n的电压值，这6路电压这时也会不一样，那一路偏高则这一路有问题，其原理大家可自己画图分析一下。
MOS管和IGBT模块的测试方法
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
IGBT测量方法
检测IGBT模块的的办法以两单元为例:用数字万用表测量1、判断极性首先将万用表拨在R挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断黑表笔接的为集电极（C）；红表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏●外观观察，单元没有明显的故障●判断内部续流二极管的好坏：将万用表拨在二极管测量档，黑表笔接正端，红表笔接负端，咱们IGBT上有“+/-”标识，若测量电压约为0.72v，表明二极管好，若为无穷大或为0.31V左右，表明内部二极管损坏。
●判断IGBT通断好坏：将万用表拨在电阻挡，用红表笔接IGBT的集电极（C），黑表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的电阻值很大（约为几兆）。
用手同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的阻值迅速变小，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的阻值回大。
此时即可判断IGBT是好的。
注意：1、测量时为了方便，直接在驱动板上的C、G、E拔下测量即可；2、若进第二次测量时，应短接一下发射极（E）和门极（G）；3、若用指针式万用表，判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
4、使用指针式万用表时，黑表笔对应电源正极，红表笔对应负极，因此在测IGBT 时，测量端与数字表相反。
IGBT模块的原理及测量判断方法
IGBT 模块的原理及测量判断方法IGBT 模块的原理及测量判断方法本文以介绍由单只IGBT 管子或双管做成的逆变模块及其有关测盈和判断好坏的方法。
场效应管有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大、电压与电流容量小的缺点。
而双极型器件恰怡有与之相反的特点，如电流控制、导通压降小、功率容里大等，二者复合，正所谓优势互补。
IGBT 管，或者IGBT 模块的由来，即基于此。
从结构上看，类似于我们熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP 型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。
放大能力是两管之积。
IGBT 管子的等效电路及符号如图1 所示。
常用IGBT 单、双管模块(CM200Y-24NF)的引脚功能如图2 所示。
在实践中，维护维修拆机前可对模块进行大致测且，初步判断其好坏。
以图3 为例,4,5,6 端子为变频器的U,V,W 输出端，22,24 分别为变频器内部直流主电路的P(+)端和N(-)端。
找到这5 个端子后，用数字或指针式万用表都可以测里了。
U,V,W 三端子都对P,N 端子有正、反向电阻。
在IGBT 管子正常的情况下，C,E 极之间电阻是无穷大的，只能侧出管子上并联的6 只二极管的正、反向电阻。
如果把4,5,6 端子看成三相交流输入端的话，六只二极管相当于一个三相整流桥电路，用侧食和判断二相整流桥的方法就可以了。
一、在线测量1．测量这个三相整流桥不正常，则为模块损坏了：2. 测量这个三相整流桥是正常的，还不能确定模块就是好的。
应打开变频器的主电路板，进行进一步的测量和验定tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。
仅供参阅！。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种集大功率Bipolar Transistor和MOSFET优点于一身的器件，具有高开关速度、低功耗和高电压能力等特点，广泛应用于电力电子设备中。
IGBT的检测方法主要包括静态电特性测试、动态电特性测试和可靠性测试等。
1.静态电特性测试：-静态电流放大因子（HFE）测试：通过对基极电流和集电极电流之间的关系进行测试，可以评估IGBT的放大性能。
-开关特性测试：测试IGBT的开启电压和关闭电压，以及开启和关闭过程中的电流波形，以评估其开关速度和效率。
-静态电阻测试：通过测量IGBT的导通电阻和截止电阻，可以评估其导通和截止状态下的能量损耗和热特性。
2.动态电特性测试：-开关速度测试：通过测量IGBT的开启时间和关闭时间，以及电流和电压之间的响应时间，评估其动态响应和开关速度。
-反馈电容测试：IGBT内部的反馈电容对开关速度和功耗有重要影响，通过测试反馈电容的大小和频率特性，可以评估IGBT的性能。
-热响应测试：IGBT工作时会有一定的热功耗，通过测试其温度响应和热传导性能，可以评估其传热和温度稳定性。
3.可靠性测试：-温度稳定性测试：测试IGBT在不同温度下的静态和动态特性，评估其在不同工作温度下的性能和可靠性。
-电压应力测试：通过施加不同电压和电流的应力，测试IGBT在额定工作条件下的可靠性和耐压能力。
-寿命测试：通过长时间连续工作或循环工作，评估IGBT的寿命和可靠性。
-环境适应性测试：测试IGBT在不同工作环境、湿度和振动条件下的性能和可靠性，以评估其适应各种工作环境的能力。
以上是IGBT的检测方法的基本介绍，具体的测试方法和设备会根据不同的应用、需求和标准有所差异。
IGBT的测试对于确保其正常工作、提高产品质量和可靠性非常重要，因此在生产过程中需要进行严格的测试和筛选。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，广泛应用于电力电子设备中的逆变器、变频器、交流调速器等领域。
为确保IGBT的正常运行，需要进行定期的检测和维护。
下面将介绍IGBT的检测方法。
1.IGBT的外观检测外观检测是最简单的IGBT检测方法之一、操作人员应检查IGBT外壳是否有破损、变形、漏油等情况。
同时还要检查IGBT引脚是否完好、连接是否松动。
若发现任何异常，应及时进行修复或更换。
2.IGBT的导通和绝缘检测IGBT在正常工作时应处于导通状态，即正向极化。
可以使用数字万用表或特殊的IGBT检测仪进行导通测试。
通过记录测试值，可以得知IGBT是否导通正常。
此外，还可以使用绝缘电阻测试仪测量IGBT的绝缘电阻，确保其与外壳之间的绝缘性能良好。
3.IGBT的耐压测试耐压测试是测试IGBT的绝缘性能的一种方法。
通过对IGBT的引脚与壳体之间施加高电压，检测其是否能够承受所需的工作电压。
耐压测试也可以用来检测IGBT之间的电气隔离性能。
4.IGBT的正向和反向电流测试正向电流测试可以用来验证IGBT的导通性能。
通过施加正向电流，检测IGBT的导通特性是否符合要求。
反向电流测试可以用来检测IGBT的阻断能力。
通过施加反向电流，检测IGBT是否能够正常阻断电流。
5.IGBT的温度测试6.IGBT的电路参数测试7.IGBT的堆叠测试堆叠测试是针对IGBT模块的一种检测方法。
可以通过串联多个IGBT 模块，来测试其整体的性能。
堆叠测试可以验证IGBT模块的通流能力、散热性能等。
总结起来，IGBT的检测方法包括外观检测、导通和绝缘检测、耐压测试、正向和反向电流测试、温度测试、电路参数测试和堆叠测试。
通过这些检测方法，可以确保IGBT的正常工作和长期稳定性能。
IGBT测试方案
IGBT测试方案一、测试目标IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种新型功率器件，广泛应用于交流驱动、变频器、变压器和其他高功率电子设备中。
IGBT测试方案旨在验证器件的性能和性能参数，确保其符合设计要求。
二、测试准备1.测试仪器：示波器、高压电源、直流电源、电流表、温度计等；2.测试环境：干净、整洁的实验室，温度恒定在20-25摄氏度；3.测试样品：IGBT芯片和IGBT模块；4.测试文档：测试流程、测试记录表、测试要求等。
三、测试步骤1.外观检查：a.检查芯片和模块的外观，确保无裂纹、损伤或氧化现象；b.检查引脚是否有弯曲、脱落或其他异常。
2.静态参数测试：a. 静态开通电压（Vce(on)）测试：-将IGBT安装在适当的散热器上，并连接至电源；- 施加足够的电流通过IGBT，测量此时的Vce(on)；-记录测试结果。
b. 静态关断电压（Vce(off)）测试：-将IGBT安装适当的散热器上，并连接至电源；- 施加足够的电流通过IGBT，测量此时的Vce(off)；-记录测试结果。
c.继电器测试：-施加适当的电流通过继电器控制IGBT；-测量继电器的开通和关断时间；-检查继电器是否正常工作。
3.动态参数测试：a.过渡频率测试：-施加适当的电流通过IGBT，测量开通和关断的时间；-记录测试结果。
b.脉冲测试：-施加适当的电流和电压脉冲，测量IGBT的响应时间；-记录测试结果。
c.温度测试：-将IGBT芯片或模块放置在恒温水槽或恒温箱中，逐渐提高温度；-测量在不同温度下IGBT的性能参数，并记录测试结果。
四、测试结果分析1.比较测试结果与设计要求，判断IGBT的性能是否符合要求；2.如果测试结果不符合要求，根据测试结果分析可能的原因；3.如果有问题，及时修复或更换故障的IGBT；4.如果测试结果符合要求，则进入下一步的使用和验证。
五、安全注意事项1.在进行任何测试之前，确保所有测试仪器和设备连接正确，以避免电击或其他安全风险；2.在连接电源之前，检查电源电压和电流是否与测试要求相匹配；3.在测试过程中遵循正确的操作程序，避免误操作或意外发生；4.在测试高温时，使用防护手套和眼镜以保护自己免受火烧、溅射等伤害；5.对于不熟悉的操作或故障排除，请寻求专业人士的帮助。
IGBT模块的测试方法
IGBT模块的测试方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种高性能的功率开关器件，主要用于交流电转直流电的变换和功率控制。
为了确保IGBT模块的正常运行和可靠性，需要进行相应的测试和检验。
1.外观检查：首先要对IGBT模块的外观进行检查，包括外壳是否完好，引脚是否弯曲或者损坏，有无明显的划痕或者焊接痕迹等。
如发现问题应及时处理或更换。
2.规格参数测试：对IGBT模块的规格参数进行测试，包括额定电压、额定电流、耐压、漏电流等参数的测试。
可以使用测试仪器如万用表、电桥等进行测试，确保IGBT模块符合规格要求。
3.电性能测试：通过测试IGBT模块的电性能来评估其性能指标。
包括静态工作特性测试、开关特性测试和动态电流特性测试等。
-静态工作特性测试：分别测量IGBT模块的输入电阻、输出电阻和反向漏极电阻。
可以利用电桥或者万用表进行测试。
-开关特性测试：测试IGBT模块的开关特性，包括导通电压降、截止电流、开启时间、关断时间等。
可以利用示波器和信号发生器等仪器进行测试。
-动态电流特性测试：测试IGBT模块在不同负载和工作频率下的电流响应能力。
可以通过施加正弦波或方波负载来进行测试。
4.温度测试：IGBT模块的工作温度是其可靠性和寿命的重要参数，需要进行温度测试。
可以使用红外测温仪或者热电偶进行测量，确保IGBT模块在规定的工作温度范围内。
5.保护功能测试：IGBT模块通常具有过流保护、过压保护、过温保护等功能，需要进行相应的保护功能测试。
可以通过模拟过流、过压、过温等情况来检验模块的保护功能是否正常。
除了以上测试方法，还需要注意以下几点：-测试环境：IGBT模块的测试环境应该干燥、无尘、温度适宜，避免灰尘和湿气对模块的影响。
-测试设备：使用高质量的测试设备和仪器，确保测试的准确性和可靠性。
-测试记录：进行测试时，应有详细的测试记录，包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息，便于后续分析和检查。
电磁加热器IGBT模块好坏的测量方法
电磁加热器IGBT模块好坏的测量方法
一、万用表拨至欧姆X1K 档处。
1. 红表笔放IGBT3 处，黑表笔逐次放IGBT1、2 处测量，均为正向导通。
表指针均摆动至某一读数静止。
为反向截止。
表指针均不动停止在∞处无穷大。
为反向截止。
表指针均不动停在∞处无穷大。
正向导通，表指针摆动至某一读数静止。
二、万用表拨至欧姆档X10K 档处
1.红表笔放IGBT2 处，黑表笔触碰6 处后放1 处为开通，表
指针摆动至某一读数静止。
红黑表笔不动，用手指轻触6、
7 处进短接为截止，表指针回归到∞无穷大处。
2.红表笔放IGBT1 处，黑表笔触碰4 处后放3 处为开通。
表
指针摆动至某一读数静止。
红黑表笔不动，用手指轻触4、
5 处进行短接为截止，表指针回到∞无穷大处。
测量时如有和以上数据不符合时，IGBT 模块均已损坏。
备注：指针万用表表笔与数字万用表相反，红表笔为负，黑表笔为正。
IGBT通态饱和压降测试方法
IGBT通态饱和压降测试方法IGBT饱和压降VCEsat：在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区，IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。
饱和压降是衡量IGBT 是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，VCE会急剧上升，一般当VCE大于饱和压降10us左右，IGBT就会损坏。
在IGBT工作时测量CE两端的通态压降，很容易受到由于IGBT大幅度的高速换流引起的杂波的影响，需要特别注意。
一般情况下，IGBT两端的工作直流母线电压在较高的数百V左右，甚至对于几千V 阻断电压的IGBT，有可能工作在上千V，而饱和压降仅为数V左右的低值，目前有些低导通压降的值仅为一到两伏。
另一方面，示波器自身的显像管大小有限，为了能够精确读出饱和电压，常常需要提高电压灵敏度，但由于示波器内部的增幅器饱和等影响，可能显示的波形并不是实际波形。
因此，要测量IGBT在开关动作过程中的饱和压降，不能采用直接将示波器挂在IGBT 元件的集电极-发射极之间测电压的方法得出。
如下图所示所测的VCE电压变化超出了显像管显示范围，此时测得的饱和压降的波形是失真的，会显示正向削波。
在此，要测定IGBT饱和压降VCEsat，可以用下图所示外加电压钳制电路的方法。
在上图中，IGBT断开时的高电压可通过稳压二极管ZD来限制，可以选用10V以下的齐纳电压的二极管。
R为限流电阻，IGBT在关断状态时，该电阻需要承受几乎电路中的全部电压，因此需要选用比较大容量的电阻器。
二极管D是用来防止稳压二极管ZD的结电容中积聚的电荷放电，并防止因结电容和电流限制电阻形成滤波器。
饱和压降测试时，示波器的量程只需要设置为和ZD稳定电压相当的小电压量程，起初IGBT处于关断状态，电路两端电压通过电阻，二极管及稳压二极管形成回路，回路的电流由电阻R来限制，示波器显示的值是稳压二极管两端的电压值。
此时，由电压源对被测IGBT器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压，待到稳定状态，IGBT两端的压降变为集电极-发射极饱和电压VCEsat。
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IGBT的测量方法
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c 两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、C极问正向压降约为0．5V。
测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
维修中IGBT管多为击穿损坏。
判断晶闸管极性及好坏的方法选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量晶闸管的任两个极之间的正反向电阻，其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大，则判定该极为阳极（A）。
然后选择指针万用表的R×1Ω档。
黑表笔接晶闸管的阳极（A），红表笔接晶闸管的其中一极假设为阴极（K），另一极为控制极（G）。
黑表笔不要离开阳极（A）同时触击控制极（G），若万用表指针偏转并站住，则判定晶闸管的假设极性阴极（K）和控制极（G）是正确的，且该晶闸管元件为好的晶闸管。
若万用表指针不偏转，颠倒晶闸管的假设极性再测量。
若万用表指针偏转并站住，则晶闸管的第二次假设极性为正确的，该晶闸管为好的晶闸管。
否则为坏的晶闸管。
判断IGBT极性及好坏的方法判断IGBT极性：选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量IGBT的任两个极之间的正反向电阻，其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大，则判定该极为IGBT的栅极（G）。
测量另外两极的正反向电阻，在正向电阻时，红表笔接的为IGBT的集电极（C），黑表笔接的为IGBT的发射极（E）。
判断IGBT好坏：选择指针万用表的R×10KΩ档。
黑表笔接集电极（C），红表笔接发射极（E），用手同时触击一下集电极（C）和控制
极（G）。
若万用表指针偏转并站住，再用手同时触击一下发射极（E）和控制极（G），万用表指针回零，则该IGBT为好的，否则为坏的IGBT。