材料科学基础-§3-1 点缺陷

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材料科学基础点缺陷

材料科学基础点缺陷

第三章 晶体结构缺陷
一 点缺陷
第 一 节 点 缺 陷
三 章


三 章
第三章 晶体结构缺陷
一 点缺陷
肖脱基空位
弗兰克尔空位
第 一 节 点 缺 陷
8
点缺陷对晶体结构的影响
空位和间隙原子都将使周围原子间作 用力失去平衡,点阵产生弹性畸变, 形成应力场,引起晶体内能升高。 点缺陷形成能:点缺陷的引入使得晶 体内能升高,这部分增加的能量称为 点缺陷形成能。通常空位引起的晶格 畸变小于间隙原子的晶格畸变,空位 形成能也小于间隙原子形成能。
17

三 章
点缺陷对性能的影响
1. 点缺陷能使金属的电阻增加;
2. 体积膨胀,密度减小;
3. 能加速与扩散有关的相变、化学热处理
及高温下的塑性变形和断裂等;
4. 过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强
度。
18
第 三
四、过饱和点缺陷

概念:在某些特殊情况下,晶体也可以具有超过平 衡浓度的点缺陷,称之为过饱和点缺陷。

(2)点缺陷的平衡浓度
C=Aexp(-∆Ev/kT)
12

三 章
点缺陷平衡浓度公式推导
体系自由能: 内能增殖: 系统熵增殖: 组态熵: 推导:
13
斯特令近似: 求极值:
讨论:1、存在极小值; 2、
平衡浓度公式:
影响平衡浓度的因素:1、温度 2、空位形成能
时体系自由能最小。
14

三 平衡点缺陷对体系自由能的影响
第七讲 第三章 晶体结构缺陷
内容:
1.晶体缺陷种类 2.点缺陷
1

三 章
第三章 晶体结构缺陷

材料科学基础3-1点缺陷3-2

材料科学基础3-1点缺陷3-2

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第二节 位错的基本概念
一.位错概念的引入
★1926年 Frank计算了理论剪切强度,与实际剪切 强度相比,相差3~4个数量级,当时无法解释, 此矛盾持续了很长时间 。
★1934年 Taylor在晶体中引入位错概念,将位错与 晶体结构、晶体的滑移联系起来解释了这种差异 。
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★ 1939年 Burgers提出柏氏矢量b以表征位错的特征, 阐述了位错弹性应力场理论。
下Cu的密度为8.96*106g/m3).
NN 0cu6.02 1320 38.9 6160
Mcu 6.5 3m 43
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1)将N代入,计算空位数目ne
neNAex p k uvT Nex p k uvT
8.4 91208ex 1.p 3 1 .8 4 1 4 0 2 1 3 0 7 197/m 3 3
种表述十分明确,而且更能反映位错
的本质问题,因为位错存在的意义不
仅限于它是一种晶体缺陷引起了晶格
的局部畸变,更重要的是它的运动会
引起晶体的宏观形变。
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柏氏矢量是一个十分重要的概念:
(1)一条位错线可以是弯曲的任意形 状,因为位错线的各个部分可以是不 同性质的位错,但是它们的柏氏矢量 缺顶只有一个,处处相同。
成了一个原子间距大小的台阶,同时
在位错移动过的区域内,晶体的上部
相对于下部也位移了一个原子间距。
当很多位错移出晶体时,会在晶体表
面产生宏观可见的台阶,使晶体发生
塑性应变。显然按位错滑移的方式塑
变要比两个相邻原子面整体相对运动
容易得多,因此晶体的实际强度比理
论强度低得多。
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3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离.
按 缺
例:空位、间隙原子、杂质原子等
陷 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离.

例:位错等
几 何
面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱.

例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等
1、 固溶体的分类
(1) 按杂质原子的位置分: 置换型固溶体—杂质原子进入晶格中正常结点位置而取代基
质中的原子。例MgO-CoO形成Mg1-xCoxO固溶体。 间隙型固溶体—杂质原子进入晶格中的间隙位置。
有时俩
(2)按杂质原子的固溶度x分: 无限(连续)固溶体—溶质和溶剂任意比例固溶(x=0~1)。
多相系统
均一单相系统
Compounds AmBn
原子间相互反应生成
均一单相系统
结构
各自有各自的结构
A structure
structure
+ B structure
结构与基质相同 A structure
结构既不同于A也不同于B New structure
化学计量 A/B
不定
固溶比例不定
m:n 整数比或接近整数比的一定范围内
四、固溶体Solid solution(杂质缺陷)
1、固溶体的分类 2、置换型固溶体 3、间隙型固溶体 4、形成固溶体后对晶体性质的影响 5、固溶体的研究方法
①固溶体:含有外来杂质原子的单一均匀的晶态固体。 例:MgO晶体中含有FeO杂质 → Mg1-xFexO
基质 溶剂 主晶相
杂质 溶质 掺杂剂
萤石CaF2(F-空位)

材料科学基础第三章晶体缺陷

材料科学基础第三章晶体缺陷

够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。

材料科学基础第3章

材料科学基础第3章

3.2 位错
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产
生的应力作用,或由于晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力的作用,使晶体内部质点排列 变形,原子行列间相互滑移,即不再符合理想 晶格的有序排列,由此形成的缺陷称位错。
3.2.1 位错的基本类型和特征
刃型位错 螺型位错
刃型位错结构的特点: 1) 刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面 上边的称为正刃型位错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃 型位错,记为“┳”。
螺型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错线在滑移面上向左移动了一个原子间距。
c. d. e. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿柏氏矢 量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 螺型位错的运动方向始终垂直位错线并垂直于柏氏矢量。 螺型位错线与柏氏矢量平行,故其滑移不限于单一的滑移面上,所 有包含位错线的晶面都可成为其滑移面。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如:
在体心立方中, 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用,其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动,如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

材料科学基础晶体结构缺陷课后答案

材料科学基础晶体结构缺陷课后答案

3-1纯金属晶体中主要点缺陷类型有肖脱基空位和弗兰克空位,还有和弗兰克空位等量的间隙原子。

点缺陷附近金属晶格发生畸变,由此会引起金属的电阻增加,体积膨胀,密度减小;同时可以加速扩散,过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。

3-2答:在一定的温度下总是存在一定浓度的空位,这是热力学平衡条件所要求的,这种空位浓度为空位平衡浓度。

影响空位浓度的主要因素有空位形成能和温度。

3-3解:由exp(/)E V C A E kT =-138502201exp(/)111051000exp[()] 6.9510exp(/)29311238.31E V E V C A E kT C A E kT -⨯==-⨯=⨯- 3-4解:6002300112exp(/)11exp[()]exp(/)E V V E V C A E kT E C A E kT kT kT -==-⨯- 56600300121111ln/()8.61710(ln10)/() 1.98573873E V E C E eV C kT kT -=-=⨯⨯-=或190kJ/mol 3-5解:exp(/)e V C A E kT =-exp(/)i i C A E kT '=-由题设,A A '=,0.76, 3.0v i E eV E eV ==, 所以当T=293K 时538exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710293)] 3.3910exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-当T=773K 时514exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710773)] 4.0210exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-3-6答:1为左螺旋位错,2为负刃型位错,3为右螺旋位错,4为正刃型位错。

第3章晶体缺陷-点缺陷和位错

第3章晶体缺陷-点缺陷和位错

(3)左、右旋螺型位错的规定 左旋螺型位错:符合左手定则(上图) 右旋螺型位错:符合右手定则(下图)
螺位错的 左右螺是 绝对的。
(4)螺型位错特征
1)螺型位错没有多余原子面,原子错排呈轴对称。 2)螺型位错线与滑移矢量平行,故一定是直线。 3)螺型位错的滑移面不是唯一的。 4)螺位错周围的点阵也发生弹性畸变,但只有平
KCl 晶 体 是 透 明 的 , 用杂质辍饰后可以见 到白色的“位错”。
氟化锂表面浸蚀出的 位错露头的浸蚀坑
TEM观察到的钛合金 中的位错
TEM观察到的位错 与第二相相互作用
3.2 位错
位错是晶体已滑移区与未滑移区的分界线。 位错的类型:
刃型位错(edge dislocation) 螺型位错(screw dislocation) 混合位错(mixed dislocations)
二、位错概念的提出
2、对其进行修正(主要考虑了原子间短程力)计 算出τm约有G/30,与实验值仍相差很大。
二、位错概念的提出
3、1934年,M.Polanyi,E.Orowan和G.Taylor等提 出位错的局部滑移理论。
二、位错概念的提出 4、1956年,位错模型为实验所验证。
透射电镜下钛合金中的位错 线(黑线)
F = nEv-TS S = Sc + nSv
热力学上有: Sc = klnΩ k 为玻尔兹曼常数,k = 1.38 ×10-23J/K;Ω为系
统的微观状态数目。n 个空位形成后,整个晶 体将包含 N+n 个点阵位置。N 个原子和 n 个 点阵位置上的排列方式为(N +n)! ,由于N 个 原子的等同性和 n 个空位的等同性,最后可以 识别的微观状态数为:
行于位错线的切应变,无正应变。 5)位错线的移动方向与晶体滑移方向、应力矢量

材料科学基础结构缺陷详解

材料科学基础结构缺陷详解
远大于Sckottky 空位形成能(约为1ev)。
第一节 点缺陷
1-2 点缺陷的平均浓度
Material
以空位平均浓度为例:
C Aexp( Ev kT)
式中:C —— 空位的平均浓度; A —— 缺陷形成的自由能; k —— 波尔兹曼常数; T —— 温度;
上式说明:点缺陷的平均浓度与温度密切相关,温度越高,C以指数 规律急剧增大。
b
a
uvw,其
n
中n是与点阵类型有关的常数。柏氏矢量的模
a b
u2 v2 w2

n
四、位错的柏氏矢量( b )
7. 位错密度
Material
位错的密度包括以下两种: •体密度(ρv ) •面密度( ρs )
第一节 点缺陷
1-1 点缺陷的类型及形成(续)
Material
有动 画哦
(a)Schottky空位形成示意图
(b)Frankel空位形成示意图
第一节 点缺陷
1-1 点缺陷的类型及形成(续)
Material
④点缺陷形成能: 点缺陷形成能=电子能+畸变能
(空位形成能中,电子能是主要的;间隙原子形成能,畸变能是主 要的。) 间隙原子形成能 > 空位形成能 Frankel 空位形成能=空位形成能 + 间隙原子形成能(约为4ev),
材料科学基础
第一讲 晶体中的结构缺陷
缺陷在空间的分布情况
缺陷在空间的分布有如下三种情况:
Guidelines
①点缺陷: 是零维缺陷,包括空位、间隙原子、置换原子等;
②线缺陷: 是一维缺陷,即位错;
③面缺陷: 是二维缺陷,包括晶界、相界、孪晶界、堆垛层错等;
缺陷在空间的分布情况

材料科学基础第三章 晶体缺陷

材料科学基础第三章 晶体缺陷

贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
贵州师范大学
化学与材料科学学院
二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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[课件]材料科学基础 第三章晶体缺陷PPT

[课件]材料科学基础 第三章晶体缺陷PPT

2018/12/13
《材料科学基础》CAI课件-李克
11
b. 螺型位错 screw dislocation
位错线bb’:已滑移区和未滑移区的边界线
特征:
1)无额外半原子面, 原子错排是轴对称的 2)分左螺旋位错,符合左手法则;右螺旋位错 ,符合右手法则 3)位错线与滑移矢量平行,且为直线,位错线的运动方向与滑移矢量垂直 4)凡是以螺型位错线为晶带轴的晶带 所有晶面都可以为滑移面。 5) 点阵畸变引起平行于位错线的切应变,无正应变。 6)螺型位错是包含几个原子宽度的线缺陷。
2018/12/13 《材料科学基础》CAI课件-李克 9
3.2.1 位错的基本类型和特征
根据几何结构特征: a. 刃型位错 edge dislocation
b. 螺型位错 screw dislocation
2018/12/13
《材料科学基础》CAI课件-李克
10
a. 刃型位错 edge dislocation
材料科学基础 第三章_晶体缺 陷
第三章 晶体缺陷
Imperfections (defects) in Crystals
It is the defects that makes materials so interesting, just like the human being.
Defects are at the heart of materials science.
1、点缺陷的形成 (production of point defects)
原因:热运动:热振动强度是温度的函数 能量起伏=〉原子脱离原来的平衡位置而迁移别处 Schottky 空位,-〉晶体表面 =〉空位(vacancy)

沈阳化工大学无机材料科学基础--3-1 缺陷类型与点缺陷

沈阳化工大学无机材料科学基础--3-1 缺陷类型与点缺陷

例:
(1)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,
计算25℃及1600℃时的热缺陷浓度? (2)如果MgO晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂 质,则在1600℃时,MgO晶体中热缺陷占优势还是 杂质缺陷占优势?说明原因。
边的质量应该相等。
注:VM不存在质量,下标M只表示缺陷位置
(3)电中性(电荷守恒)
电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数 必须相等。
无机材料科学基础
2. 缺陷反应实例
(1)杂质(组成)缺陷反应方程式
例:
1)写出CaF2加入NaF中的缺陷反应方程式
2)写出CaO加入ZrO2中的缺陷反应方程式
3)写出Al2O3加入Cr2O3中的缺陷反应方程式
肖特基缺陷(Schottky defect)
• 热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时,热缺陷浓度增加。
无机材料科学基础
弗仑克尔缺陷:(Frenkel defect)
• 定义:能量足够大的质点 离开正常格点后挤入晶格 间隙位置,形成间隙质点, 而原来位置上形成空位
• 特点:空位、间隙原子
成对出现,晶体体积不变
2. 杂质缺陷
• 定义: 是由外加杂质原子进入晶体而产生的缺 陷,亦称为组成缺陷、非本征缺陷。杂质原子的 含量一般少于0.1%。
• 类型:置换式杂质原子和间隙式杂质原子
• 特征: 杂质缺陷的浓度与温度无关。 只决定于溶解度 •杂质缺陷对材料性能的影响
无机材料科学基础
3. 非化学计量结构缺陷
• 定义:指组成上偏离化学计量而形成的缺陷。
无机材料科学基础
第二章 晶体结构缺陷
理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性 缺陷的含义:晶体点阵结构中周期性势场的畸

材料科学基础第三章晶体缺陷

材料科学基础第三章晶体缺陷
和缺陷数量变化呈非线与振动熵有关的常数玻尔兹曼常数变化每增加一个空位的能量阵点总数平衡空位数exp点缺陷并非固定不动而是处在不断改变位置的运动过程空位周围的原子由于热振动能量的起伏有可能获得足够的能量而跳入空位并占据这个平衡位置这时在这个原子的原来位置上就形成一个空位
材料科学基础第三章晶体缺陷
本章要求掌握的主要内容
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点 缺陷的浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺 陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
图 空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能
过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了 金属的屈服强度。
例1:Cu晶体的空位形成能Ev为1.44×10-19J/atom, 材料常数A取为1,波尔兹曼常数为k=1.38×10-23J/K, 计算:
1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2)500℃下的平衡空位浓度。 (已知Cu的摩尔质量63.54,500℃ Cu的密度为 8.96×106g/m3)
增加为u,所以内能增加
,故内能增加是线性的。
Unu
2.缺陷存在使体系的混乱度增加,引起熵值增加,缺陷存在使 体系排列方式增加,即熵值显著增加。和缺陷数量变化呈非线 性的。
C
n N
A exp( Ev / kT )
n 平衡空位数
N 阵点总数
Ev 每增加一个空位的能量 变化 K 玻尔兹曼常数
A 与振动熵有关的常数
晶体结构的特点是长程有序。结构基元或者构成物体的粒子(原子、离子或分子等)完全按照空间点阵 规则排列的晶体叫理想晶体。 在实际晶体中,粒子的排列不可能这样规则和完整,而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域,出 现了不完整性。 把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 实际晶体中虽然有晶体缺陷存在,但偏离平衡位置很大的粒子数目是很少的,从总的来看,其结构仍 可以认为是接近完整的。

材料科学基础 第三章

材料科学基础 第三章

山 3.混合位错 3.混合位错 东 科 技 大 学
材 料 学 院
滑移矢量既不垂直于位错线也不平行于位错线—一条曲线
一、位错的基本类型和特征
山 东 科 技 大 学
材 料 学 院
一、位错的基本类型和特征
山 东 科 技 大 学
位错的性质: 位错的性质: (1)形状:不一定是直线,位错及其畸变区是一条管道。 (2)是已滑移区和未滑移区的边界。 (3)不能中断于晶体内部。可在表面露头,或终止于晶界和相界, 或与其它位错相交,或自行封闭成环。
山 东 科 技 大 学
1.线缺陷: 1.线缺陷:在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外 线缺陷 两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 2.意义: 2.意义:(对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等起着决定性 意义 的作用,对材料的扩散、相变过程有较大影响。) 3.位错的提出: 3.位错的提出:1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚性切变强度与与 位错的提出 实测临界切应力的巨大差异(2~4个数量级)。 1934年,泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时提出位错的概念。 1939年,柏格斯提出用柏氏矢量表征位错。 1947年,柯垂耳提出溶质原子与位错的交互作用。 1950年,弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。之后,用TEM直接观察 到了晶体中的位错。
机分布,大量晶粒的综合作用, 整个材料宏观上不出现各向异 性,这个现象称为多晶体的伪 各向同性。
材 料 学 院
维纳斯“无臂”之美深入人 心
晶体缺陷赋予材料丰富内容
第3章 晶体缺陷
山 东 晶体中的缺陷概论 科 (corncob) 技 晶体缺陷:在每个晶粒的内部,原子并不是完全呈现周期性的规 大 则重复的排列。把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体 学 缺陷。

材料科学基础知识点大全

材料科学基础知识点大全

点缺陷1范围分类1点缺陷.在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷.2线缺陷在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷.其具体形式就是晶体中的位错3面缺陷在三维空间的两个方向上的尺寸很大,另外一个方向上的尺寸很小的晶体缺陷2点缺陷的类型1空位.在晶格结点位置应有原子的地方空缺,这种缺陷称为“空位”2.间隙原子.在晶格非结点位置,往往是晶格的间隙,出现了多余的原子.它们可能是同类原子,也可能是异类原子 3.异类原子.在一种类型的原子组成的晶格中,不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置3点缺陷的形成弗仑克耳缺陷:原子离开平衡位置进入间隙,形成等量的空位和间隙原子.肖特基缺陷:只形成空位不形成间隙原子.(构成新的晶面)金属:离子晶体:1 负离子不能到间隙2 局部电中性要求4点缺陷的方程缺陷方程三原则: 质量守恒, 电荷平衡, 正负离子格点成比例增减.肖特基缺陷生成:0=V M,,+ V O··弗仑克尔缺陷生成: M M=V M,,+ M i ··非计量氧化物:1/2O2(g)=V M,,+ 2h·+ O O不等价参杂:Li2O=2Li M,+ O O + V O··Li2O+ 1/2O2 (g) =2Li M, + 2O O + 2h· .Nb2O5=2Nb Ti ·+ 2 e, + 4O O + 1/2O2 (g)5过饱和空位.晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡值.如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位,快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平衡值.过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态还要一时间过程.6点缺陷对材料的影响.原因无论那种点缺陷的存在,都会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平衡即造成小区域的晶格畸变.效果1提高材料的电阻定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力(陷阱),增加了阻力,加速运动提高局部温度(发热)2加快原子的扩散迁移空位可作为原子运动的周转站3形成其他晶体缺陷过饱和的空位可集中形成内部的空洞,集中一片的塌陷形成位错4改变材料的力学性能.空位移动到位错处可造成刃位错的攀移,间隙原子和异类原子的存在会增加位错的运动阻力.会使强度提高,塑性下降.位错7刃型位错若将上半部分向上移动一个原子间距,之间插入半个原子面,再按原子的结合方式连接起来,得到和(b)类似排列方式(转90度),这也是刃型位错.8螺型位错若将晶体的上半部分向后移动一个原子间距,再按原子的结合方式连接起来(c),同样除分界线附近的一管形区域例外,其他部分基本也都是完好的晶体.而在分界线的区域形成一螺旋面,这就是螺型位错9柏氏矢量.确定方法,首先在原子排列基本正常区域作一个包含位错的回路,也称为柏氏回路,这个回路包含了位错发生的畸变.然后将同样大小的回路置于理想晶体中,回路当然不可能封闭,需要一个额外的矢量连接才能封闭,这个矢量就称为该位错的柏氏矢10柏氏矢量与位错类型的关系刃型位错,柏氏矢量与位错线相互垂直.(依方向关系可分正刃和负刃型位错).螺型位错,柏氏矢量与位错线相互平行.(依方向关系可分左螺和右螺型位错).混合位错,柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度. 柏氏矢量守恒1同一位错的柏氏矢量与柏氏回路的大小和走向无关.2位错不可能终止于晶体的内部,只能到表面,晶界和其他位错,在位错网的交汇点, 11滑移运动--刃型位错的滑移运动在晶体上施加一切应力,当应力足够大时,有使晶体上部向有发生移动的趋势.假如晶体中有一刃型位错,显然位错在晶体中发生移动比整个晶体移动要容易.因此,①位错的运动在外加切应力的作用下发生;②位错移动的方向和位错线垂直;③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移);④位错移出晶体表面将在晶体的表面上产生柏氏矢量大小的台阶.螺型位错的滑移在晶体上施加一切应力,当应力足够大时,有使晶体的左右部分发生上下移动的趋势.假如晶体中有一螺型位错,显然位错在晶体中向后发生移动,移动过的区间右边晶体向下移动一柏氏矢量.因此,①螺位错也是在外加切应力的作用下发生运动;②位错移动的方向总是和位错线垂直;③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移);④位错移过部分在表面留下部分台阶,全部移出晶体的表面上产生柏氏矢量大小的完整台阶.这四点同刃型位错.刃,螺型位错滑移的比较.1因为位错线和柏氏矢量平行,所以螺型位错可以有多个滑移面,螺型位错无论在那个方向移动都是滑移2晶体两部分的相对移动量决定于柏氏矢量的大小和方向,与位错线的移动方向无关. 12刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动.刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移.滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散.刃型位错发生正攀移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无外来原子将在晶体中产生新的空位.空位的迁移速度随温度的升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位的变化往往和刃位错的攀移相关.切应力对刃位错的攀移是无效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小.13位错点缺陷交互.晶体内同时含由位错和点缺陷时(特别时溶入的异类原子),它们会发生交互作用异类原子在刃位错处会聚集,如小原子到多出半原子面处,大原子到少半原子面处,而异类原子则溶在位错的间隙处. 空位会使刃位错发生攀移运动.界面14表面能的来源.材料表面的原子和内部原子所处的环境不同,内部在均匀的力场中,能量较低,而表面的原子有一个方向没有原子结合,处在与内部相比较高的能量水平.另一种设想为一完整的晶体,按某晶面为界切开成两半,形成两个表面,切开时为破坏原有的结合键单位面积所吸收的能量.由于不同的晶面原子的排列方式不同,切开破坏的化学键的量也不同,故用不同的晶面作表面对应的表面能也不相同,一般以原子的排列面密度愈高,对应的表面能较小15表面能与晶体形状之间的关系.在晶体形成的过程中,为了使系统的自由能最低,尽量降低表面的总能量,即ΣσA最小.一方面尽量让σ最小的晶面为表面,当然也可能是表面能略高但能明显减小表面积的晶面为表面.如fcc结构的晶体自由生长就为14面体粗糙表面与平滑表面晶体的表面在宏观为一能量较低的平面,但表面原子的缺陷,局部表面原子缺少或有多余原子,以表面存在的阵点数与实有原子数的比x来表示,这些缺陷的存在可提高表面的熵,是必然存在的.每种材料有特定的x值下表面能最低,其中x=0.5的表面稳定的称为粗糙表面,大多数的金属材料是属于粗糙表面;x值仅在0或1附近稳定的称为平滑表面,大多是非金属材料. 17晶界与杂质原子的相互作用.少量杂质或合金元素在晶体内部的分布也是不均匀的,它们常偏聚于晶界,称这种现象为晶界内吸附.产生的原因可参见位错与点缺陷的作用,一般杂质原子与晶体的尺寸或性质差别愈大,这种偏聚愈严重.杂质原子在晶界的偏聚对晶体的某些性能产生重要的影响,18相界面.两种不同相的分界面.液体的表面是液相和气相的分界面;晶体的表面是晶体和气相(或液相)的分界面;两个不同的固相之间的分界面也是相界面,在我们的课程中主要是指后者.相界面的特性:相界面的结构和晶界有一定的共性,也有一些明显的差别.非共格界面类似大角度晶界,而完全的共格是困难的,共格面两边微少的差别可以用晶格的畸变来调整,界面两边差别不十分大时,将可以补充一定的位错来协调,组成半共格界面.无论那种情况,界面都存在自己的界面能,都将对材料的结构形貌带来明显的影响.第三章相固溶体分类位置分置换固溶体.溶质原子取代了部分溶剂晶格中某些节点上的溶剂原子而形成的固溶体.间隙固溶体.溶质原子嵌入溶剂晶格的空隙中,不占据晶格结点位置固溶体分类溶解度无限溶解固溶体.溶质可以任意比例溶入溶剂晶格中.这是把含量较高的组元称为溶剂,含量较少的组元称为溶质.有限溶解固溶体.溶质原子在固溶体中的浓度有一定限度,超过这个限度就会有其它相(另一种固溶体或化合物)的形成.间隙固溶体都是有限溶解固溶体.通常是过渡族金属为溶剂,小尺寸的C,N,H,O,B等元素为溶质. 4影响固溶体溶解度的因素在一定条件下,溶质元素在固溶体中的极限浓度叫该元素在固溶体中的溶解度.影响溶解度的因素很多,目前还在研究中,现在公认的有1尺寸因素.在置换固溶体中,溶质原子的尺寸和溶剂相近,溶解度也愈大,Δr小于15%时才有利于形成置换固溶体,要能达到无限互溶,Δr 的值还要小一些.间隙固溶体的形成的基本条件D质/D剂<0.59.在间隙固溶体中,显然D质/D剂愈小,即溶质原子的尺寸愈小,溶解度也大.间隙固溶体只能有限溶解2.晶体结构因素.组元间晶体结构相同时,固溶度一般都较大,而且才有可能形成无限固溶体.若组元间的晶体结构不同,便只能生成有限固溶体3电负性差.电负性为这些元素的原子自其它原子夺取电子而变为负离子的能力.反映两元素的化学性能差别.两元素间电负性差越小,则越容易形成固溶体,且所形成的固溶体的溶解度也就越大;随两元素间电负性差增大,溶解度减小,当其差别很大时,往往形成较稳定的化合物4电子浓度.在金属材料(合金)中,价电子数目(e)与原子数目(a)之比称为电子浓度.由于溶质和溶剂的价电子数可能不同,电子浓度e/a = V A(1-x) + V B x.其中x为溶质的原子百分比浓度(摩尔分数),V A,V B分别为溶剂和溶质的价电子数.一方面,溶质和溶剂的价电子数目相差大,它们的电负性的差别也大,溶解度会下降.另一方面,当e/a 为某些特定值时形成一新的晶体结构,因此它们的溶解度也就受到相应的限制.5固溶体的性能特点.1由于固溶体的晶体结构与溶剂相同,固溶体的性能基本上与原溶剂的性能相近,即固溶体的性能主要决定于溶剂的性能,或在溶剂性能基础上发生一些改变2固溶体的性能与原溶剂性能的差别,或称性能变化的大小,随着溶质的浓度的增加而加大3以金属元素为溶剂的固溶体,随着溶质的溶入,强度将提高,称为固溶强化,溶质的溶入可造成晶格畸变,材料的塑性变形的阻力加大,塑性略有下降,但不明显.是有效提高金属材料力学性能的途径之一6金属化合物类型.1.正常价化合物两组元服从原子价规律而生成的正常化学中所称的化合物.通常是金属元素与非金属元素组成,组元间电负性差起主要作用,两组元间电负性差较大,它们符合一般化合物的原子价规律.例如MnS,Al2O3,TiN,ZrO2等,其结合键为离子键;也有的是共价键,如SiC;少数也有以金属键结合,如Mg2Pb2电子化合物这类化合物大多是以第Ⅰ族或过渡族金属元素与第Ⅱ至第Ⅴ族金属元素结合而成.它们也可以用分子式表示,但大多不符合正常化学价规律.当e/a 为某些特定值时形成一新的晶体结构,并且电子浓度不同,其对应的晶体结构的类型也就不同.常见的电子浓度值有21/14,21/13,21/12.由于这类中间相与电子浓度有关,所以就称为电子化合物,主要出现在金属材料中,它们的结合键为金属键.一些常见的电子化合物可参看教材.例如Cu31Sn8,电子浓度21/13,具有复杂立方晶格3.间隙化合物.主要受组元的原子尺寸因素控制,通常是由过渡族金属原子与原子半径小于0.1nm 的非金属元素碳,氮,氢,氧,硼所组成.由于非金属元素(X)与金属元素(M)原子半径比不同,结构也有所不同.当r X/r M<0.59时,形成具有简单晶体结构的化合物,如fcc,bcc,cph或简单立方,通常称它们为间隙相,相应的分子式也较简单,如M4X,M2X,MX,MX2 .当r X/r M>0.59时,形成的化合物的晶体结构也较复杂,通常称它们为间隙化合物,相应的分子式也较复杂,如钢中常见的Fe3C,Cr7C3,Cr23C6等.7金属化合物的性能特点.大多数化合物,特别是正常价化合物,熔点都较高(结合键强的表现之一),力学性能表现为硬而脆.单一由化合物在金属材料中比较少见,而陶瓷材料则是以化合物为主体.少量硬度高的质点加入到塑性材料中,将明显提高材料的强度,即第二相强化机制.另一方面,化合物往往由特殊的物理,化学(电,磁,光,声等)性能,从而在功能材料中的应用得到迅速发展.相图热力学8克劳修斯-克莱普隆方程.设在一定温度和压力下,某物质处于两相平衡状态,若温度改变为dT,压力相应的改变dp之后,两相仍呈平衡状态.根据等温定压下的平衡条件△G=0,考虑1mol物质吉布斯自由能变化,由于平衡状态△G=G2-G1=0即 d G2=d G1按 d G=-SdT+Vdp因为过程是在恒温恒压的条件下进行的即为克劳修斯-克莱普隆方程,适应于任何物质的两相平衡体系.9公切线法则-两相平衡.在二元的情况,温度一定时,若AB组元可能形成αβ两种相,其自由能与成分的关系曲线.合金成分为X时: 以单一的α相存在,自由能在1点;以单一的β相存在,自由能在2点;作GαGβ的公切线,切点分别为P,Q,延长交坐标轴为a,b.a点为组元A在α和β的化学位b点为组元B在α和β的化学位,显然二者相等,所以P点的α相成分为x1;Q点的β相成分为x2;它们是平衡相.两相的数量满足杠杆定律,以这两相混合的自由能在M点.这时的自由能最低,它们才是这个温度下的平衡相.注意平衡相是以共切点的成分来分配,如果连接两曲线的最低点,以这样的成分的两相混合,尽管每一相的自由能比切点低,但数量按杠杆定律分配后的混合自由能在3点,依然高于M点结论:二元合金两相平衡的条件是能够作出这两相自由能曲线的工切线.公切线在两条曲线上的切点的成分坐标值便是这两个相在给定温度下的平衡成分.推论三个溶体平衡共存的条件是在给定的温度下,公切线能同时切过三条自由能曲线.或曰这三个溶体的自由能曲线有公切线.这三个切点的成分坐标值便是这三个相在给定温度下的平衡成分. 10相律—相律是描述系统的组元数,相数和自由度间关系的法则.相律有多种,其中最基本的是吉布斯相律,其通式f=C-P+2式中,C为系统的组元数,P为平衡共存的相的数目.自由度f不能为负值.对于恒压条件:f = c – p + 1.系统中有p相,c个组元,则成分引起的变数p(c-1)个.系统总的变数为p(c-1)+1.在多相平衡时,任一组元在各相间的化学位相等, 每个组元可写出个p-1等式,平衡条件总数为c(p-1)11几种二元相图.匀晶相图.两组元在液态和固态都能无限互溶.如Cu—Ni,Ag—Au形成二元合金对应的相图就是二元匀晶相图.相图的构成:由两条曲线将相图分为三个区.左右两端点分别为组元的熔点.上面的一条曲线称为液相线,液相线之上为液相的单相区,常用L表示;下面的一条曲线称为固相线,固相线之下为固溶体的单相区,常用α表示;两条曲线之间是双相区,标记L+α表示.二元共晶相图.两组元在液态下无限互溶,固态下有限溶解,一组元溶入另一组元中时都使凝固温度下降,并发生共晶转变.如Pb—Sn,Ag—Cu 等形成二元合金对应的相图就是二元匀晶相图.相图的构成:t A E和t B E为两液相线,与其对应的t A C和t B D为两固相线;CG和DH固溶体α,β的溶解度随温度变化线;CED为水平共晶线.将相图分成三个单相区L,α,β;三个双相区L+α,L+β,α+β和一个三相区L+α+β,即CED为共晶线.二元包晶相图.两组元在液态下无限互溶,固态下有限溶解,并且发生包晶转变.相图的构成:ac和bc 为两液相线,与其对应的ad和bp为两固相线;df和pg固溶体α,β的溶解度随温度变化线;dpc为包晶转变线.它们分隔相图为三个单相区L,α,β;三个双相区L+α,L+β,α+β; 一个三相区L+α+β,即水平线dpc 为包晶线.第四章单组元材料的结晶1凝固状态的影响因素1物质的本质.原子以那种方式结合使系统吉布斯自由能更低.温度高时原子活动能力强排列紊乱能量低,而低温下按特定方式排列结合能高可降低其总能量.这是热力学的基本原则2熔融液体的粘度:粘度表征流体中发生相对运动的阻力,随温度降低,粘度不断增加,在到达结晶转变温度前,粘度增加到能阻止在重力作用物质发生流动时,即可以保持固定的形状,这时物质已经凝固,不能发生结晶.例如玻璃,高分子材料3熔融液体的冷却速度:冷却速度快,到达结晶温度原子来不及重新排列就降到更低温度,最终到室温时难以重组合成晶体,可以将无规则排列固定下来.金属材料需要达到106℃/s才能获得非晶态.2结晶的热力学条件.结晶过程不是在任何情况下都能自动发生.自然界的一切自发转变过程总是向着自由能降低的方向进行.因为液体的熵值恒大于固体的熵,所以液体的曲线下降的趋势更陡,两曲线相交处的温度T m,当温度T= T m时,液相和固相的自由能相等,处于平衡共存,所以称T m为临界点,也就是理论凝固温度.当T< T m时,从液体向固体的转变使吉布斯自由能下降,是自发过程,发生结晶过程;反之,当T> T m时,从固体向液体的转变使吉布斯自由能下降,是自发过程,发生熔化过程.所以结晶过程的热力学条件就是温度在理论熔点以下.3结晶过程.温度变化规律:材料的熔体在熔点以上不断散热,温度不断下降,到理论结晶温度并不是马上变成固态的晶体,继续降温而出现过冷.过冷到某一程度开始结晶,放出结晶潜热,可能会使其温度回升.到略低于熔点的温度时,放出的热量和散热可达到平衡,这时处于固定温度,在冷却曲线上出现平台.结晶过程完成,没有潜热的补充,温度将重新不断下降,直到室温.组织的变化在一定的过冷度下,液态的熔体内首先有细小的晶体生成,称为形核.随后已形成的晶核不断的长大,同时在未转变的液体中伴随新的核心的形成.生长过程到相邻的晶体互相接触,直到液体全部转变完毕.每个成长的晶体就是一个晶粒,它们的接触分界面就形成晶界. 4自发形核1能量变化.在一定的过冷度下,液体中若出现一固态的晶体,该区域的能量将发生变化,一方面一定体积的液体转变为固体,体积自由能会下降,另一方面增加了液-固相界面,增加了表面自由能2临界大小.在一定过冷度下,ΔG V为负值,而σ恒为正值.可见晶体总是希望有最大的体积和最小的界面积.设ΔG V和σ为常数,最有利的形状为球.当细小晶体的半径大于临界尺寸,晶体长大时吉布斯自由能下降,这种可以长大的小晶体称为晶核.如果它的半径小于临界尺寸,晶体长大时吉布斯自由能将上升,自发过程为不断减小到消失3晶核的来源.熔体在熔点附近时,处在液态总体的排列是无序的,但局部的小区域并非静止不动的,原子的运动可造成局部能量在不断变化,其瞬间能量在平均值的上下波动,对应的原子排列在变化,小范围可瞬间为接近晶体的排列,其范围大小对应的能量于平均能量之差ΔG小于临界尺寸的(晶胚)下一步减小到消失,大于临界尺寸的可能不断长大,晶核.等于临界尺寸大小的晶核高出平均能量的那部分称为“形核功”.过冷度愈小,固—液自由能差也小,临界尺寸大,形核功也高,出现的几率也小.太小的过冷度在有限的时空范围内不能形核5非自发形核.如果形核不是在液体内部,如附着在某些已存在的固体(液体中存在的未熔高熔点杂质),例如在固体上形成球冠形,这时可以利用附着区原液体和杂质的界面能,特别是核心和杂质间可能有小的界面能.这种依附在某些已有的固体上形核称之为6晶核的长大一长大条件.从热力学分析可知,要使系统的自由能下降,在液—固界面附近的部分液体转变为固体,依然要求在界面附近要存在过冷度,前面冷却曲线上平台和理论结晶温度之差就是长大所要求的过冷度,也称为“动态过冷度”.金属材料的动态过冷度很小,仅0.01—0.05℃,而非金属材料的动态过冷度就大得多.若液—固界面处于平衡,则界面的温度应该为理论结晶温度.二长大速度.凝固过程中,晶体在不断长大,界面在单位时间向前推移的垂直距离称为长大线速度三正温度梯度下晶体的长大.正温度梯度是指液—固界面前沿的液体温度随到界面的距离的增加而升高,这时结晶过程的潜热只能通过已凝固的固体向外散失.平衡时界面的温度为理论结晶温度,液体的温度高于理论结晶温度.当通过已凝固的固体散失热量时,达到动态过冷的部分液体转变为固体,界面向前推移,到达理论结晶温度处,生长过程将停止.所以这时界面的形状决定于散热,实际上为理论结晶温度的等温面.在小的区域内界面为平面,局部的不平衡带来的小凸起因前沿的温度较高而放慢生长速度,因此可理解为齐步走,称为平面推进方式生长.四负温度梯度下晶体的长大.负温度梯度是指液—固界面前沿的液体温度随到界面的距离的增加而降低,这时结晶过程的潜热不仅可通过已凝固的固体向外散失,而且还可向低温的液体中传递.在小的区域内若为平面,局部的不平衡可带来某些小凸起,因前沿的温度较低而有利生长,因而凸起的生长速度将大于平均速度,凸起迅速向前发展,可理解赛跑的竞争机制,在凸起上可能再有凸起,如此发展而表现为数枝晶的方式长大.枝晶间的空隙最后填充,依然得到完整的晶体. 7树枝晶的生长按树枝方式生长的晶体称为树枝晶,先凝固的称为主干,随后是分支,再分支.①纯净的材料结晶完毕见不到树枝晶,但凝固过程中一般体积收缩,树枝之间若得不到充分的液体补充,树枝晶可保留下来②生长中晶体分支受液体流动,温差,重力等影响,同方向的分支可能出现小的角度差,互相结合时会留下位错③材料中含有杂质,在结晶时固体中的杂质比液体少,最后不同层次的分枝杂质含量不相同,其组织中可见树枝晶8非金属晶体的长大正温度梯度下,等温面和有利的晶体表面不相同时,界面会分解为台阶形.在表面的台阶处有利晶体的生长,这时原子从液体转移到固体中增加的表面积较小,台阶填充完后在表面生长也需要一定的临界尺寸,表现为非金属生长的动态过冷度比金属大,其中特别是螺位错造成的表面台阶对生长有利,并且是永远填不满的台阶. 9界面结构对晶体生长影响-受界面能和表明熵的影响,液-固界面的微观结构有两中类型:平滑型(晶面型)界面上原子排列平整,通常为晶体的某一特定晶面,界面上缺位或单贴原子较少.粗糙型(非晶面型) 界面上缺位或单贴原子较多,粗糙不平,不显示任何晶面特征.大多金属材料时如此.粗糙界面生长时向各个方向无区别.对于平滑界面能低的晶面与等温面不重和,原子将在台阶面处生长.(无台阶时,少量的原子很难吸附在光滑平面上,需要一批原子<二维晶核>,所需的动态过冷度较大.最终的形状与晶体的各向异性相关,对应独特的外形10铸件晶粒大小的控制从液体凝固后,每个晶核生长成一个晶粒,晶核多晶粒的尺寸自然就小.凝固理论分析表明晶粒尺寸决定于N/G,即形核率高晶粒细小,而长大速度快,晶粒尺寸增大.控制原理与方法:生产过程通常希望材料得到细小的尺寸,为此控制晶粒尺寸的方法有:第一,降低浇注温度和加快冷却速度,如金属模,或加快散热,尽管形核率和长大速度都提高,但形核率的提高快得多,所得到的晶粒将细化,可是快冷却速度会增加零件的内应力有时甚至可能造成开裂,有时因生产环境和零件尺寸达不到快速冷却.第二,加变质剂即人为加入帮助形核的其它高熔点细粉末,如在铜中加少量铁粉或铝中加Al2O3粉等,以非均匀方式形核并阻碍长大.第三,铸件凝固中用机械或超声波震动等也可细化晶粒尺寸.若希望晶粒粗大,如用于高温的材料,对这些因素进行相反的操作.。

第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础

第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础
② 刃型位错滑移:运动方向始终与位错线垂直而 与柏氏矢量平行。刃型位错的滑移面就是由位 错线与柏氏矢量所构成的平面,因此刃型位错 的滑移限于单一的滑移面上。
③ 螺型位错滑移:螺型位错的移动方向与位错线 垂直,也与柏氏矢量垂直。
31
3.2 位 错
32
3.2
位 ④ 刃型位错与螺型位错滑移比较:
错 • 不同点:螺型位错可以有多个滑移面,切应力
18

3.2 位错
三 章
3.2.1 位错的基本类型和特征
1. 位错的概念:位错是晶体的线性缺陷。晶体中

某处一列或若干列原子有规律的错排。

• 意义:对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等

起着决定性的作用,对材料的扩散、相变过程有较大

影响。
• 位错的提出:1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚

界线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它
必与滑移方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面, 由于在刃型位错中,位错线与滑移矢量互相垂直,因 此,由它们所构成的滑移面只有一个。
晶体中存在刃型位错之后,位错周围的点阵发生弹性 畸变,既有切应变,又有正应变。
b l
positive
b
l
negative
Edge dislocations


b
b
right-handed left-handed Screw dislocations
26
3.2
3. 伯氏矢量的特性 位 ① 柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理

量。该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向,即

材料科学基础--点缺陷

材料科学基础--点缺陷
2.2 点缺陷
本节介绍以下内容:
一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号
二、缺陷反应方程式的写法
一、点缺陷的符号表征: Kroger-Vink 符号
中性
点缺陷所带有效电荷
点缺陷名称
· 正电荷
负电荷 缺陷在晶体中所占的格点
以MX型化合物为例:
1.空位(vacancy)用V来表示,符号中的右下标表示缺陷所在位置, VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子(interstitial)亦称为填隙原子,用Mi、Xi来表示,其含义 为M、X原子位于晶格间隙位置。 3. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示,MX的含义是M原子占据X原子 的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。
(1)位置关系:
在化合物MaXb中,无论是否存在缺陷,
其正负离子位置数(即格点数)的之比始终
是一个常数a/b,即:M的格点数/X的格点数 a/b。如NaCl结构中,正负离子格点数之比 为1/1,Al2O3中则为2/3。
注意:
一. 位置关系强调形成缺陷时,基质晶体中正负离子格点
数之比保持不变,并非原子个数比保持不变。 二. 在上述各种缺陷符号中,VM、VX、MM、XX、MX、 XM等位于正常格点上,对格点数的多少有影响,而 Mi、Xi、e,、h· 等不在正常格点上,对格点数的多少
'' Ca
(2) 弗仑克尔缺陷浓度的计算 AgBr晶体形成弗仑克尔缺陷的反应方程式为:
' AgAg Agi. VAg
平衡常数K为:
K
' [ Ag i. ][V Ag ]
式中 [AgAg]1。
[ Ag Ag ]
G [ Ag ] [V ] exp( ) 2 RT
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柏氏矢量的守恒性
对一条位错线而言,其伯氏矢量是固定不变的,此即位 错的伯氏矢量的守恒性。 推论: 一条位错线只有一个伯氏矢量。
如果几条位错线在晶体内部相交
(交点称为节点),则指向节点的 各位错的伯氏矢量之和,必然等于 离开节点的各位错柏氏矢量之和 。
b1 b2 b3
三. 晶体中位错的组态和位错密度
材料性能的改善,对于新型材料的设计、研究与开发具有
重要意义。
晶体缺陷按范围分类:
点缺陷(Point Defect): 在三维空间各方向上尺寸 都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷。 线缺陷(Line Defect): 在三维空间的一个方向上 的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很 小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体 中的位错(Dislocation)。 面缺陷(Interfacial Defect): 在三维空间的两个方 向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外一个方向上的尺 寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。
1. 刃型位错:设有一简单立方结构的晶体,在切应力的作 用下发生局部滑移,发生局部滑移后晶体内在垂直方向出 现了一个多余的半原子面,显然在晶格内产生了缺陷,这 就是位错,这种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子 面,所以称为刃型位错。
通常称晶体上半部多出原子面的位错为正刃型位错, 用符号“┴”表示,反之为负刃型位错,用“┬”表示。
Ev CV A exp( ) kT
在高于 0 K 的任何温度下,晶体最稳定的状态是含 有一定浓度点缺陷状态。此浓度称点缺陷的平衡浓度。
部分金属的空位形成能和500K的空位平衡浓度
金属 空位形成能 (10-8J) 空位 平衡浓度 Pb Al Mg Au Pt Cu W
0.08
9.2×10-6
0.12
2.08×10-8
0.14
1.5×10-9
0.15
3.6×10-10
0.24
7.8×10-16
0.17
2.0×10-11
0.56
5.7×10-36
铜的空位平衡浓度与温度的关系
温度(K)
300
500
700
900
1000
Cv(n/N)
106×10-18
2.0×10-11
2.3×10-8
1.2×10-6
四. 过饱和点缺陷
给定温度下,晶体中存在一平衡的点缺陷浓度,通过 一些方法,晶体中的点缺陷浓度超过平衡浓度。 淬火法:高温淬火把空位保留到室温,加热后,使缺陷 浓度较高,然后快速冷却,使点缺陷来不及复合过程。 辐照:高能粒子辐照晶体,形成数量相等的空位和间隙 原子(原子不断离位而产生)。 塑性变形:位错滑移并交割后留下大量的点缺陷。 另外,点缺陷还会聚集成空位片,过多的空位片造成 材料区域崩塌而破坏,形成孔洞。
O
N
O
N
Q P M P
Q M
刃型位错柏氏矢量的确定 (a) 有位错的晶体 (b) 完整晶体
柏氏矢量
柏氏矢量
螺型位错柏氏矢量的确定 (a) 有位错的晶体 (b) 完整晶体
2. 柏氏矢量的物理意义及特征 根据柏氏矢量与位错线的关系,可以确定位错的性质。
正、负刃型位错
左、右螺型位错
混合位错
柏氏矢量表示位错线周围弹性变形量的总和,反映出柏 氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总累计。通常将柏氏 矢量称为位错强度,它也表示出晶体滑移时原子移动的大 小和方向。
§3-2 位错的结构
位错概念的提出: 用于解释晶体的塑性变形。 晶体的理论切变强度:
G m 2
一般金属:
τm=104~105MPa
实际金属单晶: 1~10MPa
Taylor G.E.爵士、Orowan E. 、Polanyi M. 1934年 提出位错的概念。
τ
τ
一. 位错的类型 位错:刃型位错、螺型位错、混合位错。
晶体中位错呈网络分
nl S l
式中 L为晶体长度,n为位错线数目,S晶体截面积。 经常用穿过单位面积的位错数目来表示位错密度。
n S
一般退火金属晶体中为 105~108cm-2数量级,经剧烈 冷加工的金属晶体中,为 1011~1012cm-2。
4.6×10-6
三. 点缺陷的运动和作用 晶体中,质点的能量总是处于不断起伏变化当 中——能量起伏。 点缺陷在能量起伏的支配下,总是不断产生、 运动和消亡。
提高材料的电阻:定向流动的电子在点缺陷处受到非 平衡力(陷阱),增加了阻力,加速运动提高局部温度 (发热)。 加快原子的扩散迁移:空位可作为原子运动周转站。 形成其他晶体缺陷:过饱和的空位可集中形成内部的 空洞,集中一片的塌陷形成位错。 改变材料的力学性能:空位移动到位错处可造成刃位 错的攀移,间隙原子和异类原子的存在会增加位错的 运动阻力。会使强度提高,塑性下降。
(a)晶体中弗兰克尔缺陷的形成
(b)晶体质中的肖特基缺陷的形成
二. 点缺陷的平衡浓度
点缺陷一方面造成点阵畸变,使晶体的内能升高, 降低晶体的热力学稳定性,另一方面由于增大了原子排 列的混乱程度,并改变了其周围原子的振动频率,引起 组态熵和振动熵的改变,使晶体熵值增大,增加了晶体 的热力学稳定性。这两个相互矛盾的因素使得晶体中的 点缺陷在一定的温度下有一定的平衡浓度。
第三章 晶体结构缺陷
Crystal Defect
晶体点阵结构中周期性势场的畸变(实际晶体与理想
晶体的偏离)称为晶体的结构缺陷。
由于缺陷的存在,使晶体表现出各种各样的性质,使 材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变, 使材料性能得以改善、复合材料制备得以实现。 了解缺陷的形成及运动规律,对材料工艺过程的控制、
3. 混合位错 如果局部滑移从晶体的一角开始,然后逐渐扩大滑移 范围,滑移区和未滑移区的交界为曲线AB在 A 处,位错 线和滑移方向平行,是纯螺型位错;在B处,位错线和滑 方向垂直,是纯刃型位错。其他AB上的各点,曲线和滑 移方向既不垂直又不平行,原子排列介于螺型和刃型位错 之间,所以称为混合型位错。
刃型位错特征: 刃型位错有一额外半原子面。原子错排呈面对称。 位错线不一定是直线,可以是折线或曲线,但刃型位错 线必与滑移矢量垂直,且滑移面是位错线和滑移矢量所构 成的唯一平面。 位错周围的点阵发生弹性畸变,既有正应变,又有切应 变。 刃型位错是一管道状的缺陷。
2. 螺型位错 设想在简单立方晶体右端施加切应力,使右端ABCD 滑移面上下两部分晶体发生一个原子间距的相对切变, 在已滑移区与未滑移区的交界处,AB线两侧的上下两层 原子发生了错排和不对齐现象,它们围绕着AB线连成了 一个螺旋线,而被AB线所贯穿的一组原来是平行的晶面 则变成了一个以AB线为轴的螺旋面。 此种晶格缺陷被称为螺型位错。螺旋位错分为左旋 和右旋。 以大拇指代表螺旋面前进方向,其他四指代表螺旋面 的旋转方向,符合右手法则的称右旋螺旋位错,符合左 手法则的称左旋螺旋位错。
§3-1 点缺陷 点缺陷是最简单的晶体缺 陷,它是在结点上或邻近的微
观区域内偏离晶体结构的正常
排列的一种缺陷。晶体点缺陷 包括空位、间隙原子、置换原
子,以及由它们组成的复杂点
缺陷,如空位对、空位团和空 位-溶质原子对等。
一. 点缺陷的形成 离开平衡位置的原子有三个去处: 迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上,而使晶体 内部留下空位,称为肖脱基(Schottky)空位; 挤入点阵的间隙位置,而在晶体中同时形成数目相等的 空位和间隙原子,则称为弗兰克尔(Френкель Я. И. )缺 陷; 到其他空位中,使空位 消失或使空位移位。 在一定条件下,晶体 表面上的原子也可能跑到 晶体内部的间隙位置形成 间隙原子。
晶体表面位错腐蚀坑
石蜡中的位错
金刚砂中的位错
锗中的刃型位错
二. 柏氏矢量
1. 柏氏矢量的确定: 人为假定位错线方向,一般是从纸背向纸面或由上向 下为位错线正向; 用右手螺旋法则来确定柏格斯回路的旋转方向,使位 错线正向与右螺旋的正向一致;
将含有位错的实际晶体和理想的完整晶体相比较;
在实际晶体中作一柏氏回路,在完整晶体中按其相同 的路线和步伐作回路,自路线终点向起点的矢量,即 “柏氏矢量”。
螺型位错示意图
螺位错特征
螺型位错无额外半原子面,原子错排呈轴对称。 螺型位错与滑移矢量平行,故一定是直线。 包含螺位错的面必然包含滑移矢量,故螺位错可以有无 穷个滑移面,但实际上滑移通常是在原子密排面上进行, 故有限。 螺位错周围的点阵也发生了弹性畸变,但只有平行于位 错线的切应变,无正应变(在垂直于位错线的平面投影上, 看不出缺陷)。 位错线的移动方向与晶块滑移方向互相垂直。
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