第五章 FET三极管及其放大管考试试题
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章FET三极管及其放大管考试试题及答案
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨 导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ） 无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。 （1）求 i r 和 0r ； （2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 （）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道 下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区 下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和 三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
三极管及放大电路题库(114道)
三极管及放大电路1、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接23脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为——[单选题]A PNP型，且1脚为基极B PNP型，且2脚为基极C NPN型，且1脚为基极D NPN型，且2脚为基极正确答案：A2、下图所示的各晶体管工作正常，无损坏。
测得四个三极管各极对地的电压如图所示，则VT1VT2VT3VT4分别工作在——[单选题]A 放大区放大区饱和区截止区B 放大区截止区饱和区截止区C 放大区截止区饱和区放大区D 饱和区截止区放大区放大区正确答案：A3、 NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是——[单选题]ABCD正确答案：D4、分压式工作点稳定电路如图所示，已知β=60，UCE(sat)=0.3VUBE=0.7V。
三极管基极电位UB约为（）——[单选题]A 2VB 3VC ４ＶD ５Ｖ正确答案：C5、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100， RB＝100kΩ。
当Ui＝0V时，测得UBE＝0.7V，若要基极电流IB＝20μA，则RW为（）kΩ。
——[单选题]A 465B 565C 400D 300正确答案：A6、用指针式万用表检测下图所示三极管，黑表笔接1脚，红表笔分别接23脚时的指针偏转角均较大。
这说明该管为——[单选题]A NPN型，且1脚为基极B NPN型，且1脚为发射极C PNP型，且1脚为基极D PNP型，且1脚为集电极正确答案：A7、如图所示，该两级放大电路的输出电阻是——[单选题]A 4 kΩB 1.3 kΩC 3 kΩD 1.5 kΩ正确答案：C8、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100，若测得IB＝20μA，UCE＝6V，则Rc＝（）kΩ。
——[单选题]A 3B 4C 6D 300正确答案：A9、如图所示，晶体管的β均为50，rbe均为1.6kΩ，该两级放大电路的输入电阻是——[单选题]A 1.3 kΩB 27 kΩC 3 kΩD 10 kΩ正确答案：A10、共射基本放大电路基极偏置电阻，一般取值为（）——[单选题]A 几欧至几十欧B 几十欧至几百欧C 几百欧至几千欧D 几十千欧至几百千欧正确答案：D11、放大器的低频区指的是——[单选题]A 上限频率以上的频率范围B 下限频率以上的频率范围C 下限频率以下的频率范围D 放大器上限频率和下限频率之间的频率范围正确答案：C12、在多级放大电路中，易产生零点漂移（）——[单选题]A 变压器耦合B 阻容耦合C 直接耦合D 光电耦合正确答案：C13、从放大器输入端看进去的等效电阻称为放大器的——[单选题]A 输入电阻B 输出电阻C 等效电阻D 负载电阻正确答案：A14、以下关于三极管的说法中，错误的是——[单选题]A 三极管属于双极型器件B 三极管内存在三个PN结C 三极管的穿透电流随温度升高而增大D 当NPN型三极管处于放大状态时，三极管各极电位VC>VB>VE正确答案：B15、射极跟随器就是（）——[单选题]A 共发射极放大电路B 共基极放大电路C 共集电极放大电路D 信号的输出是从发射极输出正确答案：C16、放大器为避免出现线性失真，应使其工作在——[单选题]A 高频区B 低频区C 中频区D 截止频率正确答案：C17、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V-0.7V 和-4.7V，则该管为（）。
三极管放大电路题集
三极管放大电路，反相器题集1，放大电路如图所示，已知三极管的BE V =0.7V ，β=50,be r =1K Ω （1）计算静态工作点Q （2）计算源电压放大倍数sov v 、 输入电阻、输出电阻。
2，在图所示的放大电路中，已知V V CC 12=，V V BE 6.0=，Ω=k R B 201，Ω=k R B 102，Ω=501E R ，Ω=k R E 32，Ω==k R R L C 4，40=β，试求：（1）估算电路的静态工作点（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 （3）若不计1E R ，再求电压放大倍数、输入电阻3，在图所示电路中，12CC =U V ，20B1=R k Ω，10B2=R k Ω，2C =R k Ω，200E1=R Ω，8.1E2=R k Ω，200s =R Ω，3L =R k Ω，晶体管的6.0BE =V V ，50=β，信号源电压10s =V mV 。
试求：（1）静态值I B 、I C 、V CE 。
（2）输入电阻r i 和输出电阻r o 。
（3）求输出电压V o 的值。
4，题图所示电路中,已知V CC =6 V ，V EE =6 V ，R C =２ k Ω，R E =１ k Ω，v s + v o － CCU BEQ =0.7 V ，β=50，静态时V C =0。
（1）（6分）求I BQ 、I CQ 和U CEQ ；（2）（2分）求R ； （3）（2分）画出交流通路。
5，电路和各元件的参数如题所示，β=50，U BE 忽略不计。
（1）画出直流通路，求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（4分） （2）画出交流通路，求输入电阻r i 、输出电阻r o ；（4分） （3）求电压放大倍数A V ；（1分） （4）若u i =20sin(100 t +20°) mV ，试写出u o 的表达式。
（1分）6，如图所示电路，已知三极管V 1的V BE =0.6V ，V CES =0.4V ，β=50，试求（1）电路能否正常工作及Vo 的值；（8分）（2）在输入为8V 时要使三极管饱和，R 1应如何选取？7，如题83图所示电路中，三极管的U BE =0.7V ，U CES =0.3V ，二极管为理想二极管。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
晶体三极管和场效应管试题及答案
晶体三极管和场效应管试题及答案一、单选题1.如图所示各特性曲线中，N沟道增强型MOS管的转移特性曲线是A、B、C、D、【正确答案】：D2.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是，则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管【正确答案】：A3.用万用表测量某放大电路中三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是A、B、C、D、【正确答案】：B4.某场效应管的符号如图所示，可判断该管为A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道耗尽型场效应管D、P沟道耗尽型场效应管【正确答案】：A5.下列说法中正确的是A、体现晶体三极管电流放大特性的公式是B、硅材料晶体三极管的导通电压是0.3VC、锗材料晶体三极管的饱和压降是0.1VD、晶体三极管具有能量放大作用【正确答案】：C6.射极输出器的主要特点是A、电压放大倍数略大于1，输入电阻高，输出电阻低B、电压放大倍数略大于1，输入电阻低，输出电阻高C、电压放大倍数略小于1，输入电阻高，输出电阻低D、电压放大倍数略小于1，输入电阻低，输出电阻高【正确答案】：C7.把射极输出器用作多级放大器的第一级，是利用它的A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入电阻高C、输出电阻低D、有一定的电流和功率放大能力【正确答案】：B8.万用表测得三极管时，；时，，则该管的交流电流放大系数为A、100B、80C、75D、60【正确答案】：D9.NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是A、B、C、D、【正确答案】：D10.测得晶体三极管=30μA时,=2.4mA；=40μA时,=3mA；则该管的交流电流放大系数为A、75B、80C、60D、100【正确答案】：C11.硅材料三极管的饱和压降是A、0.1vB、0.3vC、0.5vD、0.7v【正确答案】：B12.场效应管的极限参数的有A、最大漏极电流B、击穿电压C、最大耗散功率D、低频跨导【正确答案】：A13.某放大管的三极电流参考方向都是流入管内，大小分别为：。
模电第5章习题解答 哈工大
Ri
Ui U i g mU gs Rs2 Rg
Rg 3Rg 3M g m Rs2 1 1 g m ( Rs1 Rs2 )
上式在变换过程中，使用了Ui U gs g mU gs ( Rs1 Rs2 ) 这一关系，略去了 I i 在 R s2 上 的压降。
Ro Rd 10k
U i U gs U o g mU gs Rd
Au gm Rd
对转移特性曲线方程式求导数，可得
gm
2 Up
I DSS I DQ 0.69mS
A u =－6.9 3. CS 开路时的电压放大倍数 CS 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈， 仍然可以用微变等效电路法求解。放大电路微变等效电路如解图 5-4(b)。
U GSQ 2k I DQ
2 I DSS U (1 GS ) 1mS UP U GS(off)
gm
Au
g m Rd 1 10 3.33 1 g m Rs 1 1 2 Ri Rg 1M
Ro Rd 10k 3. 为显著提高|A u |，应在 R 两端并联旁路电容。
U GS U G U S
VDD Rg2 Rg1 Rg2
U GS 2 ) UP
I D Rs
U DS V DD ( R Rd ) I D
I D I DSS (1
上述三个方程联立求解，可得两组解： 第一组：ID =0.46mA UGS= -0.6V 第二组：ID2 =0.78mA UGS2 = -3.8V＜Up 第二组数据不合理，故工作点为：ID =0.46mA ，UGS= -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数 微变等效电路如解图 5-4(a)；
三极管 试题
第五章低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称放大器。
它不但输出一定的还能输出一定的，也就是向负载提供一定的功率。
2、功率放大器简称。
对它的要求与低频放大电路不同，主要是：尽可能大、 _____尽可能高、尽可能小，还要考虑管的散热问题。
3、功放管可能工作的状态有三种：类放大状态，它的失真、效率；它的失真、效率。
4、功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入或，产生失真。
5、所谓“互补”放大器，就是利用型管和型管交替工作来实现放大。
6、OTL电路和OCL电路属于工作状态的功率放大电路。
7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在。
8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时产生。
9、对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时，型管导通，型管截止；当输入信号为负半周时，型管导通，型管截止；输入信号为零（Ui=0）时，两管，输出为。
10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态，由于电压的在存在,当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时 ,引起的失真，称为失真。
11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：类功放、类功放和类功放电路。
12、甲乙类推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路图向功放管提代少量，以减少失真。
13、乙类互补对称功放允许输出的最大功率Pom= 。
总的管耗Pc= 。
14、为了避免输出变压器给功放电路带来的不便和失真，出现了功放电路；为了避免输出电容引出的失真，又出现了功放电路。
15、所谓复合功率管就是由一个功率三极管和一个功率三极管组成的大功率效三极管。
它分型管组合和型管组合两种。
复合管的等效电流放大系数β= 。
二、选择题1、交越失真是一种（）失真。
A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真2、OTL和OCL电路的主要区别是（）A、有无输出电容B、双电源或单电源供电3、OCL甲乙类功放电路的效率可达（）A、25%B、78.5%4、甲类单管变压器耦合功率放大器集电极静态工作电流为ICQ ，电源电压EC，输出最大功率为（）。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案1. 三极管的基本结构包括哪三个部分？答：三极管的基本结构包括发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
2. 描述NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理。
答：NPN型三极管在基极施加正向电压时，发射极的电子被吸引到基极，进而到达集电极形成电流。
PNP型三极管则相反，基极施加负向电压时，集电极的空穴被吸引到基极，进而到达发射极形成电流。
3. 三极管的放大作用是如何实现的？答：三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大。
基极电流的微小变化可以导致集电极电流的较大变化，从而实现信号的放大。
4. 什么是三极管的截止状态？答：三极管的截止状态是指基极没有电流流过，导致集电极和发射极之间没有电流流过的状态。
5. 三极管的饱和状态是什么？答：三极管的饱和状态是指基极电流足够大，使得集电极和发射极之间的电压接近于零，集电极电流达到最大值的状态。
6. 三极管的放大区是如何定义的？答：三极管的放大区是指基极电流在一定范围内变化，集电极电流随之成比例变化的区域，此时三极管能够实现信号的放大。
7. 三极管的主要参数有哪些？答：三极管的主要参数包括最大集电极电流（Ic_max）、最大耗散功率（P_max）、集电极-发射极击穿电压（BVceo）等。
8. 如何判断三极管的极性？答：可以通过使用万用表的二极管测试功能，测量三极管的基极与发射极、集电极之间的正向导通电压来判断三极管的极性。
对于NPN型三极管，基极与发射极之间的正向导通电压较低，而PNP型三极管则相反。
9. 三极管的开关作用是如何实现的？答：三极管的开关作用是通过控制基极电流来实现的。
当基极电流足够大时，三极管导通，集电极和发射极之间电流流通；当基极电流为零时，三极管截止，集电极和发射极之间电流被切断。
10. 三极管在电路中的主要应用有哪些？答：三极管在电路中的主要应用包括放大器、开关、振荡器、调制器等。
三极管及放大电路测试题
、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D1．已知图示电路中晶体管的100β，k 1be r ，在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时，估计输出电压有效值为____过____。
（ A ．0.5V ， B ．1V ， C ．2V ， D ．5V ）。
+V CC C 2C 1R b 300k 2k(+12V)10F10F 2kR L R c u iu o？？？2.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。
3.放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（）。
？？4.放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（）。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答： B答：BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： B5.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(D. CBOBR CEO BR EBO BR U U U )()()(答： B6.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。
A.C BEI I I B. ?BC I βI C. CEO CBOI I )1( D.答： C7.图示电路中，欲增大U CEQ ，可以（）。
A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大？？？8、射极输出电路如图所示，分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响，选择：2（1）．保持i U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____；（2）．保持s U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____。
晶体三极管及放大电路练习题
晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。
当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。
2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。
3、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏。
4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。
5、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。
6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________。
7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。
8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
9、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
10、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，与之间的关系。
12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调RB，使其，则IB，这样可克服失真。
14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
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第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
（）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
（）×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
（）×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
（）
×
若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
( )
×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
( )
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
( )
√
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳
定性好等优点。
（）
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。
（）
×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反
相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。
V GS（栅源电压），I D（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。
电压，1
当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。
大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。
共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共集
图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
饱和
三、单项选择题
U GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS B
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS C
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、JFET
D、NEMOS
C
场效应管用于放大时，应工作在（）区。
A、可变电阻
B、夹断
C、击穿
D、恒流（饱和）
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表（）管。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
D
下图为（）管的转移曲线图。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。
A、增大
B、不变
C、减小
D、增大或者减小
A
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、耗尽型FET都可能D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共漏接法。
解：（a）源极加电阻R S。
（b）漏极加电阻R D。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在R g支路加－V GG，＋V D D改为－V DD
改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。
要求给出两种方案。
解：
分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。
a)可以放大。
直流状态和交流状态均正常。
b)无放大作用。
因N 沟通MOS 管的漏极电流应为DD V +,将DD V -改为DD V +
c ）无放大作用。
因
=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将B R 接在b 极与cc V +端
d ）无放大作用。
因对交流而言输入短路，i U 加不到
e 结上。
应在b 极和cc
V +间加电阻B R .
已知共源极电路如图所示。
其中，管子的m g ＝0.7ms,
Ω=K R 2001，
Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。
（1）求i r 和0r ；
（2）求u A ＝i U U 0。
解：
（1）由等效电路图可得
21R // R R r G i += =1000+5120051
200+⨯Ω≈K 1000=1M Ω
根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得 Ω==K R r D 50
（2）因 /
L R =L //R D R =5//5=2.5K Ω 所以 /
L m u R g A -==5.27.0⨯-=75.1-
10、场效应管电路如图所示，已知)m V (sin 20i t u ω=，场效应管的m S 58.0m =g 试求该电路的交流输出电压u o 的大小。
解：
D m gs
gs
D m i
o R g v v R g v v -=-=
•
•
••
（3分）
=-0.58mS*12k (1分) v 0=-0.58mS*12k*)mV (sin 20t ω=-139.2mV (2分)
电路如图所示，设R =0.75k Ω，R g1 = R g2 = 240k Ω，R s =4k Ω，场效应管的g m =11.3mS ，r ds =50k Ω，试求源极跟随器的源电压增益A vs 、输人电阻R i 和输出电阻R o 。
（2分）
（4分）
（2分）
电路如图所示，设场效应管的参数为g m1=0.8mS，λ1 = λ2 = 0.01V-1。
场效应管的静态工作电流I D = 0.2mA。
试求该共源放大电路的电压增益。
如图为场效应管放大电路的等效图，
（3分）
（2分）
（1分）
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。
解：u
A 、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
场效应管放大电路如图所示。
O U i o
（1）画出电路的交流通路；
（2）画出电路的交流等效电路；
（3）若静态点处的跨导m g =2mA/V ，
试计算u A 、i r 、0r 。
（4）2.2M Ω电阻影响静态点吗？其作用是什么？
解：（1）
i
（2）
i
（3）()1010//102'-=⨯-=-=L m u R g A
()Ω=22i r
()Ω=k r 100
（4）ΩM 2.2电阻不影响静态工作点。
因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。
解：u A 、R i 和R o 的表达式分别为 D o 213i L D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
五、设计题。