第五章 FET三极管及其放大管考试试题
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第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。()。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。()×
开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。()×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。()
×
若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。()前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。( )
×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。( )
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。( )
√
与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳
定性好等优点。()
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。()
×
二、填空题
场效应管放大电路中,共__极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反
相;共__极电路输出电阻较小,输出电压与输入电压同相。
源,栅
场效应管是利用__电压来控制__电流大小的半导体器件。
V GS(栅源电压),I D(漏极)
场效应管是____控制半导体器件,参与导电的载流子有____种。
电压,1
当u gs=0时,漏源间存在导电沟道的称为____型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为____型场效应管。
耗尽型,增强型
场效应管具有输入电阻很____、抗干扰能力____等特点。
大,强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是____。
共射(共源)
共源极放大电路的性能与半导体三极管的____电路相似。
共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的____电路相似。
共集
图所示场效应管的转移特性曲线,由图可知,该管的类型是____沟道____MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于____工作状态。
截止
下图中的FET管工作于____状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于____状态。
饱和
三、单项选择题
U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS B
U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS C
U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、JFET
D、NEMOS
C
场效应管用于放大时,应工作在()区。
A、可变电阻
B、夹断
C、击穿
D、恒流(饱和)
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是()。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表()管。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
D
下图为()管的转移曲线图。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将()。
A、增大
B、不变
C、减小
D、增大或者减小
A
U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管是()。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、耗尽型FET都可能D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V GG,+V D D改为-V DD
改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图T1所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解:
分析下图中电路是否有放大作用?并且提出改进方案。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。
b)无放大作用。因N 沟通MOS 管的漏极电流应为DD V +,将DD V -改为DD V +
c )无放大作用。因
=BEQ U ,直流工作状态不正常,应将B R 接在b 极与cc V +端
d )无放大作用。因对交流而言输入短路,i U 加不到
e 结上。应在b 极和cc
V +间加电阻B R .
已知共源极电路如图所示。其中,管子的m g =0.7ms,
Ω=K R 2001,
Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。
(1)求i r 和0r ;
(2)求u A =i U U 0
。
解: